「N so」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize a p-n junction by using ion implantation so as to use a diamond semiconductor as an electronic device.例文帳に追加

イオン注入法を用いてｐｎ接合を実現し、ダイヤモンド半導体を電子デバイスとして活用できるようにする。 - 特許庁

The pattern correction method further includes the step of correcting the pattern so that the overlap of the N lithography process windows exceeds a certain value (S3).例文帳に追加

さらに、前記Ｎ個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なりが一定値を超えるように、前記パターンを補正する工程（Ｓ３）を含む。 - 特許庁

Exposure times for prescribed lines before the N-th image frame managed by RAM 30c are averaged out for each shutter part, so that an average value is obtained.例文帳に追加

ＲＡＭ３０ｃに管理されているＮ番目の画像コマ以前の所定行分の露光時間をシャッタ部毎に平均化して平均値を得る。 - 特許庁

The magnets 40 and 41 are arranged in the striking surface 30b so that one magnet 40 has N-pole and the other magnet 41 has S-pole.例文帳に追加

打面３０ｂには、一方の磁石４０が、Ｎ極、他方の磁石４１がＳ極となるように配置されている。 - 特許庁

A groove 10 is formed so that its tip may reach the comparatively shallow site of an N^- epitaxial layer 18.例文帳に追加

溝１０をその先端がＮ^−エピタキシャル層１８の比較的浅い部位に達するように形成する。 - 特許庁

Further, a trench 25 penetrates the n^+-type region 24 and the p^--type region 23, and the deepest section is formed so that it reaches the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

さらに、トレンチ２５が、Ｎ^＋型領域２４およびＰ^−型領域２３を貫通し、最深部が半導体基板１１に達するように形成されている。 - 特許庁

A silicon nitride film 5 as a tensile stress film is formed on a semiconductor substrate 1 so as to cover n-channel MISFETs Qn1, Qn2.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ１，Ｑｎ２を覆うように半導体基板１上に引張応力膜としての窒化シリコン膜５を形成する。 - 特許庁

The optical film thickness ND of the spacer layer is set so as to satisfy ND = (n±1/2)λ, or ND = nλ, to the wavelength λ to be transmitted.例文帳に追加

スペーサー層の光学膜厚ＮＤは、透過すべき波長λに対して、ＮＤ＝（ｎ±１／２）λ、又はＮＤ＝ｎλを満たすよう設定する。 - 特許庁

Furthermore, an insulation protective film 27 is formed on the LED chip 20 so that a part of the p electrodes 25 and the n electrode 26 are exposed.例文帳に追加

また、ＬＥＤチップ２０上には、ｐ電極２５の一部およびｎ電極２６が露出するように絶縁保護膜２７が形成されている。 - 特許庁

A retreat part 6 is selectively formed on the main surface of the conductive substrate 1, and an n electrode 7 is formed so as to fill the retreat part 6.例文帳に追加

導電性基板１の主面には後退部６が選択的に形成され、ｎ電極７は後退部６を充填するように設けられている。 - 特許庁

Initially, laser power is controlled, so that the time delay of a ghost signal from a data signal becomes constant times (n) the length of a data detection clock.例文帳に追加

初めは、データ信号に対するゴースト信号の時間遅れがデータ検出クロックの定数倍ｎになるようにレーザパワーを制御する。 - 特許庁

A semiconductor element consisting of a light-emitting diode 1 has semiconductor crystal layers 2 to 7 laminated so as to form more than one P-N junctions.例文帳に追加

発光ダイオード１からなる半導体素子は、１以上のＰＮ接合を形成するように積層された半導体結晶層２〜７を有する。 - 特許庁

The normality of an acid in the solvent 68 becomes 5×10^-7 N so that the solvent 68 can be reused as a new solvent.例文帳に追加

精製溶剤６８中の酸の規定度は、５×１０^-7Ｎになり、溶剤として再利用が可能になる。 - 特許庁

The motor/generator demanded torque T_M/Gt may be corrected so as to enable obtaining the target motor/generator number of revolutions N_M/Gt.例文帳に追加

モータ／発電機要求トルクＴ_M/Gtは、前記目標モータ／発電機回転数Ｎ_M/Gtが得られるように補正してもよい。 - 特許庁

Consequently, the useless exposure by the DC component is prevented, so that the S/N ratio is enhanced and only image edge portions of signal light are efficiently recorded.例文帳に追加

その結果、直流成分による無駄な露光が防止されてＳ／Ｎが向上し、信号光の画像エッジ部分だけが効率よく記録される。 - 特許庁

This process is successively repeated so that the master unit 1 accepts the Clav signals from all the slave units 0 to n.例文帳に追加

この工程を、マスタユニット１がスレーブ０〜スレーブｎの全てのスレーブユニットからのＣｌａｖ信号を受け付けるように、順次繰り返していく。 - 特許庁

A mask film 8 is removed and arsenic ions are implanted so as to form an n--type source/drain diffused layer 10.例文帳に追加

その後マスク膜８を除去して、砒素をイオン注入して、ｎ^-型ソース、ドレイン拡散層１０を形成する。 - 特許庁

An inter layer insulating film is formed on the insulating film so as to cover the NMOS, PMOS, P+ pickup, and N+ pickup.例文帳に追加

ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ、Ｐ＋ピックアップ及びＮ＋ピックアップを覆うように絶縁膜上に層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The nozzles (N) and the valves (30) can be operated individually, so as to drop the components with different timings for each sample elution system.例文帳に追加

各サンプル溶出系ごとに夫々異なるタイミングで滴下できるように、ノズル（Ｎ）及びバルブ（３０）は個別に操作できるようにした。 - 特許庁

Two trench grooves 29 are formed so as to reach the high-resistance layer 15 but not to reach the n-type buffer layer 13.例文帳に追加

２つのトレンチ溝２９は、高抵抗層１５に達するとともにｎ型バッファ層１３に達しないように設けられる。 - 特許庁

(2) This nitride compound semiconductor is characterized so that the second layer can be constituted as an n-type impurity dope layer.例文帳に追加

（２）第２の層がｎ型不純物ドープ層であることを特徴とする上記（１）の窒化物系化合物半導体。 - 特許庁

Moreover, the auxiliary magnet 17c is formed so as to extend to the inside in the radial direction as compared with the N pole magnet 17a and the S pole magnet 17b.例文帳に追加

また、補助磁石１７ｃは、Ｎ極磁石１７ａ及びＳ極磁石１７ｂよりも径方向内側に延出されるように形成される。 - 特許庁

As a result, the correction value detection accuracy may be low, so that the vertical line correction circuit 103 detects the correction value for each n frames.例文帳に追加

そのため、補正値検出精度は低くてもよいので、縦線補正回路１０３は、ｎフレーム毎に補正値を検出する。 - 特許庁

The column and job names can be provided in ratio of one-to-N so that the user can most intuitively select a name easy to comprehend.例文帳に追加

カラムとその業務名とは１対Ｎで持つことができ、ユーザが最も直感的に分かりやすい名称を選択できるようにした。 - 特許庁

At this time, the vertical wiring 14 is configured so as to include the n-type compound semiconductor layer 16 existing between the adjacent light-emitting chips 13.例文帳に追加

その際に、上下配線１４を、隣接する発光チップ１３との間にあるｎ型化合物半導体層１６を含んで構成する。 - 特許庁

In a mixture slurry, 2% of n-octanol of carbon number 8 of straight chain is added to the weight of an active material, and kneaded so as to become homogeneous.例文帳に追加

合剤スラリには、直鎖の炭素数８のｎ−オクタノールを、活物質重量に対して２％添加し、均一になるように混練した。 - 特許庁

If m is not larger than n, processing is performed, which subtracts a designated value from m so as to make the difference larger than 64 (S22).例文帳に追加

ｍ＞ｎでなければ、差分が６４よりも大きな値になるよう指定値をｍから減算する処理を行う（Ｓ２２）。 - 特許庁

The permanent magnets 9 and 10 shown in Figure are all so arranged as to set their S poles above their N poles.例文帳に追加

この図に示した永久磁石９、１０は、共にＳ極が上方でＮ極が下方となるように配置されている。 - 特許庁

A traveling magnetic field generator has a magnet array 5 made up of a plurality of magnets 3 arranged at a first pitch so that N poles and S poles are alternately arranged in an array.例文帳に追加

Ｎ極とＳ極とが列をなして交互に並ぶように第１のピッチで配置された複数個の磁石３からなる磁石列５を有する。 - 特許庁

N second Hall elements 9a to 9d are also arranged so as to face the other magnetic pole surface 8a of the permanent magnet 8.例文帳に追加

また、永久磁石８の他方の磁極面８ｂに対向するようにｎ個の第２のホール素子９ａ〜９ｄが配置されている。 - 特許庁

Moreover, the cursors Cur1, Cur2,..., CurN stored in the all position expression layer all are displayed so as to be overlapped in a Web page (figure 7 (C)).例文帳に追加

さらに、全位置表現レイヤallに記憶されたカーソルCur_1，Cur_2，・・・，Cur_Nが、Ｗｅｂページに重ねて表示される（図７（Ｃ））。 - 特許庁

N first Hall elements 6a to 6d are arranged so as to face one magnetic pole surface 8a of the permanent magnet 8.例文帳に追加

この永久磁石８の一方の磁極面８ａに対向するようにｎ個の第１のホール素子６ａ〜６ｄが配置されている。 - 特許庁

Candidates for plural chromosomes are calculated so that distribution cost is minimized according to GA for each period from the first period to the N-th period (S6).例文帳に追加

第１期から第Ｎ期までの各期間について、ＧＡに従い、物流コストが最小となるように、複数の染色体の候補を求める（Ｓ６）。 - 特許庁

If m is larger than n, processing is performed, which adds a designated value to m so as to make the difference larger than 64 (S21).例文帳に追加

ｍ＞ｎなら、差分が６４よりも大きな値になるよう指定値をｍに加算する処理を行う（Ｓ２１）。 - 特許庁

A magnetized direction of the permanent magnets 12b, 14b, 16b, 18b and 20b around the ferromagnetic body 26b is arranged so that the ferromagnetic 26b side be the N pole.例文帳に追加

強磁性体２６ｂの周りの各永久磁石１２ｂ，１４ｂ，１６ｂ，１８ｂおよび２０ｂの磁化方向を、強磁性体２６ｂ側がＮ極となるように形成する。 - 特許庁

There is provided a server computer B1 connected to a management center computer A1 so as to enable communication via the Internet N.例文帳に追加

インターネットＮを介して通信可能に管理センタコンピュータＡ１と接続されるサーバコンピュータＢ１を設ける。 - 特許庁

The plurality of the data lines S_1 to S_n are so arranged as to respectively intersect the plurality of the scanning lines G_1 to G_m.例文帳に追加

複数のデータ線Ｓ_１〜Ｓ_ｎは、複数の走査線Ｇ_１〜Ｇ_ｍのそれぞれと交差するように配置される。 - 特許庁

The magnets 3 are installed so that an N-pole and an S-pole face each other with the passage 2 between in which the gas oil 4 flows.例文帳に追加

軽油４が流れる流路２を挟んでＮ極とＳ極とが対向するように磁石３を設ける。 - 特許庁

A p+ type anode layer 21 is so formed as to adjoin an n+ drain layer 16 of an LDMOS 10.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳ１０のｎ^＋ドレイン層１６に隣接してｐ^＋型のアノード層２１が形成されている。 - 特許庁

Each emitter electrode 19 is so disposed as to be contacted with each n-type emitter layer 15 and each central exposed portion 12a of the p-type base layer 12.例文帳に追加

エミッタ電極１９は、ｎ型エミッタ層１５と、ｐ型ベース層１２の中心露出部分１２ａとにコンタクトするように配設される。 - 特許庁

In a semiconductor substrate 12, the gate electrode 24 is disposed so as to obliquely cross a boundary line between an N-type region 14 and a P-type region 16.例文帳に追加

半導体基板１２には、Ｎ型領域１４とＰ型領域１６の境界線を斜めに横切るように、ゲート電極２４が配置されている。 - 特許庁

An information insertion part 114 changes the image size of a graphic mark 123 so as to turn the number of vertical and horizontal pixels to 32×n+a respectively.例文帳に追加

情報挿入部１１４は、図形マーク１２３の画像サイズを、縦横それぞれの画素数が、３２×ｎ＋ａになるように変更する。 - 特許庁

Specifically, the control circuit performs control so as to supply a corrected black display signal in the second subframe of the N-th frame to an (i+3)th pixel part.例文帳に追加

具体的には、第Ｎフレームの第２サブフレームにおいて補正済みの黒表示信号が第（ｉ＋３）画素部に供給されるように制御する。 - 特許庁

A series/parallel LED array is so formed on a highly resistive base layer that p- and n-contacts for array are positioned on the same surface of the array.例文帳に追加

アレイ用のｐ及びｎ型コンタクトが該アレイの同一面に位置するよう直列／並列ＬＥＤアレイが高抵抗性基層上に形成される。 - 特許庁

An n side electrode 17 is formed so as to closely adhere to an unevenness of the substrate 10 containing the recess 16.例文帳に追加

窪み１６を含めた基板１０の凹凸に密着するようにｎ側電極１７が形成されている。 - 特許庁