「P 50」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A P-well 5 common to a peripheral NMOS Tr 52 region is formed in the memory cell Tr 50 region.例文帳に追加

メモリセルTr50領域には、周辺NMOSTr52領域と共通のPウェル5が形成されている。 - 特許庁

A P-type layer 20, having lower resistance than the P wells 11 and 12, is formed in a surface 50 while the P-type layer 20 is being laid across the P wells 11 and 12, and both the P wells 11 and 12 are electrically connected via the P-type layer 20.例文帳に追加

表面５０内にＰウエル１１，１２に跨って、Ｐウエル１１，１２よりも低抵抗のＰ型層２０が形成されており、両Ｐウエル１１，１２はＰ型層２０を介して電気的に接続される。 - 特許庁

Since an annular conveying passage of the sheets P is formed by the endless conveying belt 50, the sheets P can be stably conveyed at high speed.例文帳に追加

また、無端の搬送ベルト50でシートＰの環状搬送路が形成されるので、シートＰを安定かつ高速に搬送することができる。 - 特許庁

An aligning and feeding device aligns the parts P in a specified direction by an attitude selection mechanism 50 and discharges the parts P, while transferring the parts P by a moving mechanism.例文帳に追加

パーツの整列供給装置は、パーツＰを移送機構で移送しながら、姿勢選別機構５０で特定の方向に整列して排出する。 - 特許庁

A voltage source 12 applies a negative potential to a p-substrate 50.例文帳に追加

電圧源１２は、Ｐ^—基板５０に対して、負の電位を与える。 - 特許庁

A separation distance D between the P layer 22, 23 is set at 50 μm or smaller.例文帳に追加

Ｐ層２２，２３間の分離距離Ｄは５０μｍ以下に設定されている。 - 特許庁

A power feeding line 50 supplies a potential FEL to the plurality of pixel circuits P.例文帳に追加

給電線５０は、複数の画素回路Ｐに電位ＶELを供給する。 - 特許庁

In this way, a smooth multilayer wiring board 50 is obtained by stacking the polished wiring boards P.例文帳に追加

それを積層することにより平滑な多層配線基板５０が得られる。 - 特許庁

Film thickness of the p-type a-Si:H layer 5 is 50 to 200 Å.例文帳に追加

このｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５の膜厚は５０〜２００Åである。 - 特許庁

The p-type impurity layer 60 is formed between the n-type impurity layers 50.例文帳に追加

ｐ型不純物層６０はｎ型不純物層５０間に形成されている。 - 特許庁

A plane size of the irregular pattern P is almost a rectangle of 50 nm×50 nm to 30 μm×15 mm, and flatness of the disk is 50 μm or less.例文帳に追加

凹凸パターンＰの平面サイズが５０ｎｍ×５０ｎｍ〜３０μｍ×１５ｍｍの略矩形であり、ディスクの平坦度が５０μｍ以下である。 - 特許庁

The exposure system EX fills a space between the projection lens system PL and the substrate P up with the liquid 50, and the substrate P is exposed by the projection lens system PL, by projecting an image of the pattern on the substrate P via the liquid 50.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間を液体５０で満たし、投影光学系ＰＬにより液体５０を介して基板Ｐ上にパターンの像を投影することによって基板Ｐを露光する。 - 特許庁

The fuel cell switching part 50 selects the fuel cell 40 a-p as a thermal load 56 a-p which is the most insufficient of the quantity of heat to need for the quantity of heat and a power generation is made to start, and connects the fuel cell 40 a-p to the series circuit 61 a-d.例文帳に追加

燃料電池切替部50は、必要とする熱量が最も不足している熱負荷56a-pに熱量を供給する燃料電池40a-pを選択して発電を開始させ、当該燃料電池40a-pを直列回路61a-dに接続する。 - 特許庁

When the value of the target P_m exceeds a P_mguard (a guard value of the P_m) as the upper limit or is lower than the P_mguard as the lower limit, the value of the target P_m input into the air inverse models 50, 52 is restricted by the P_mguard.例文帳に追加

そして、目標Ｐ_ｍの値が上限値としてのＰ_ｍｇｕａｒｄを超える或いは下限値としてのＰ_ｍｇｕａｒｄを下回る場合には、エア逆モデル５０，５２に入力する目標Ｐ_ｍの値をＰ_ｍｇｕａｒｄによって制限する。 - 特許庁

After a user P transfers to the back side of a support base 50 and unscrews a screw member which fixes an external terminal 60 to the support base 50, the user P draws in front the external terminal 60 to this side and separates the external terminal 60 from the support base 50.例文帳に追加

ユーザＰは、架台５０の背面側に移り、外部端子部６０を架台５０に固定しているネジ部材を取り外した後に、外部端子部６０を手前に引き出して外部端子部６０を架台５０から分離させる。 - 特許庁

It is preferable that the sum (W_L+W_P) of the lutein ester mass W_L and the black rice extract mass W_P is 0.1 to 50 mass % based on the total amount of the anti-oxidizing composition.例文帳に追加

また、ルテインエステルの質量Ｗ_Lと黒米エキスの質量Ｗ_Pとの総和（Ｗ_L＋Ｗ_P）が抗酸化組成物全体の０．１質量％以上５０質量％以下であることが好ましい。 - 特許庁

A map is divided into areas A to P in four sides of a rectangle of 4 to 50 m depending on the precision of the GPS and position information in the areas A to P is registered in advance in a database 2 of a server 3.例文帳に追加

地図上でGPSの精度に応じて４〜５０ｍ四方にてエリアA〜Pを分け、そのエリアA〜Pの位置情報を予めサーバー３のデータベース２に登録する。 - 特許庁

The layer thickness of the first p-clad layer occupies 50% or more and 80% or less of the total layer thickness of a p-clad layer including the first p-clad layer and the second p-clad layer.例文帳に追加

第１のｐクラッド層と第２のｐクラッド層からなるｐクラッド層全体の層厚のうち第１のｐクラッド層の層厚が占める割合は５０％以上８０％以下である。 - 特許庁

Additionally, the impurity density of a p-type anode layer 50 in the diode element region J2 is low compared to the impurity density of a p-type body layer 30 in the IGBT element region J1.例文帳に追加

また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁

The pellet, having a thickness between 0.05 and 1 mm, forms a colorless transparent protective film comprising Sn-30 to 50 at% O-5 to 15 at% P or Sn-10 to 30 at% In-40 to 60 at% O-5 to 15 at% P, on the surface of a lead-free solder alloy including Sn as a principal component when heated for soldering.例文帳に追加

Sn主成分の鉛フリーはんだ合金の表面に無色透明のSn-30〜50at%O−5〜15at%PやSn-10〜30at%In-40〜60at%O−5〜15at%Pからなる保護膜をはんだ付け加熱時に形成するペレットであり、厚さが0.05〜1mmである。 - 特許庁

In the electron gun, the average surface roughness of an electron emitting surface of a cathode 1 is set at 1 μm(p-p) to 30 μm(p-p) and its variation is set at within a range of ±50% of its average.例文帳に追加

カソード１の電子放出面の表面粗さが、平均が１μｍ（ｐ−ｐ）〜３０μｍ（ｐ−ｐ）で、ばらつきが平均の±５０％以内とされていることを特徴とする電子銃。 - 特許庁

The impurity concentration of a (p) type anode layer 50 of the diode element region J2 is lower than the impurity concentration of a (p) type body layer 30 of the IGBT element region J1.例文帳に追加

また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁

When melting temperature of the synthetic resin composing the sensor holder 13 is T_p°C and melting temperature of the metal plated on the surface of terminal is T_M°C, the structure is created in a combination satisfying T_p≤T_M+50.例文帳に追加

上記センサホルダ１３を構成する合成樹脂の溶融温度をＴ_P ℃とし、上記各端子の表面にメッキした金属の溶融温度をＴ_M ℃とした場合に、Ｔ_P ≦Ｔ_M ＋５０を満たす組み合わせで造る。 - 特許庁

In P-channel TFTs and n-channel TFTs forming an output amplifier for applying a pulse to a gate line in a vertical scanning circuit, the output capability of the P-channel TFTs is reduced to 50% of that of the n-channel TFTs or less.例文帳に追加

垂直走査回路でのゲート線に印加するパルスの出力アンプを形成するPチャネルTFTとｎチャネルTFTで、前記PチャネルTFTの出力能力を前記ｎチャネルTFTの出力能力の５０％以下にする。 - 特許庁

The leashing method is carried out by a keeper who takes out a chain 10 from a storage box 20, winds the chain 10 on the neck of the pet P and connects rings to a keeper lock 50 in conformity to the thickness of the neck of the pet P.例文帳に追加

この係留の仕方は、飼い主が収納箱２０から鎖１０を取り出し、ペットPの首に鎖１０を巻きつけて、ペットPの首の太さに合わせてリングとリングを自分の錠前５０で連結することによりなされる。 - 特許庁

Furthermore, a buried p^+ type semiconductor region 50 is formed while being spaced apart by a distance L1 from the p^+ type semiconductor region 48.例文帳に追加

また、ｐ^+型半導体領域４８から距離Ｌ１を隔てて埋め込み型のｐ^+型半導体領域５０を形成する。 - 特許庁

Near the corner of the light-emitting element 50, a bonding electrode, i.e. a P electrode 8, is formed in contact with the P-type semiconductor layer 5.例文帳に追加

発光素子５０の角部付近には、Ｐ型半導体層５に接触してボンディング電極であるＰ電極８を形成してある。 - 特許庁

A p-type cladding layer 6 with the film thickness of about 50 nm made of an Mg doped p-type Al_0.15Ga_0.85N is formed on this active layer 5.例文帳に追加

この活性層５の上には、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎから成る膜厚約５０ｎｍのｐ型クラッド層６が形成されている。 - 特許庁

A N^+ diffusion layer 8 forms a P/N junction having a junction plane 50 facing the sensing area 6 between it and the P pocket 7.例文帳に追加

Ｎ^+拡散層８は、センシング領域６と対向する接合面５０を有するＰ／Ｎ接合を、Ｐポケット７との間で形成する。 - 特許庁

A delivery mechanism 50 delivers and receives a substrate P to a substrate holder 9 provided with a mount 9a, where the substrate P is mounted.例文帳に追加

基板Ｐが載置される載置部９ａが設けられた基板ホルダ９との間で基板Ｐの受け渡しを行う受け渡し機構５０である。 - 特許庁

When the value of P(50) is greater than the value of [P(100)/2+α], it is judged that the modulation characteristic is abnormal.例文帳に追加

そして、Ｐ（５０）が［Ｐ（１００）／２＋α］より大きいときに、変調特性が異常であると判定する。 - 特許庁

The attitude selection mechanism 50 is in a transfer passage of the parts P, and is provided with a selection rotating body 51 rotated by the parts P.例文帳に追加

姿勢選別機構５０は、パーツＰの移送路にあって、パーツＰで回転される選別回転体５１を備える。 - 特許庁

Accordingly, a person not having the key of the lock 50 has difficulty in removing the pet P from the leashing device 1 for pets.例文帳に追加

よって、錠前５０の鍵を持たない者がペットPをペット係留器具１から外すことが困難である。 - 特許庁

The attitude selection mechanism 50 is provided with a selection rotary body 51 rotated by the parts P in a transfer path for the parts P.例文帳に追加

姿勢選別機構５０は、パーツＰの移送路にあって、パーツＰで回転される選別回転体５１を備える。 - 特許庁

There are provided p-type or n-type thermoelements 50, 60; electrodes 71, 72, 73 bonded to the p-type or n-type thermoelements 50, 60; and interlayers provided between the p-type or n-type thermoelements 50, 60; and the electrodes 71, 72, 73.例文帳に追加

Ｐ型またはＮ型の熱電素子５０，６０と、Ｐ型またはＮ型の熱電素子５０，６０と接合される電極７１，７２，７３と、Ｐ型またはＮ型の熱電素子５０，６０と電極７１，７２，７３との間に設けられた中間層とを備える。 - 特許庁

A controller 50 compares a power-generation detected value P with a predetermined threshold value α.例文帳に追加

制御部５０は、発電電力検出値Ｐと所定の閾値αとを比較する。 - 特許庁

The diode (50) is formed by pn-junction of the p^+-diffusion layer and the n-type high concentration layer.例文帳に追加

ｐ^＋拡散層とＮ型高濃度層との間のｐｎ接合によってダイオード（５０）を構成する。 - 特許庁

A main pixel P is provided with four sub-pixels Ps, memories Ma and Mb and TFT 50, 60 and 61.例文帳に追加

メイン画素Ｐは、４個のサブ画素Ｐｓと、メモリＭａ、Ｍｂと、ＴＦＴ５０、６０及び６１を備える。 - 特許庁

Next, a field oxide film 50, a P^-diffused layer 41 and an N^+diffused layer 31 are formed.例文帳に追加

次に，フィールド酸化膜５０，Ｐ^- 拡散層４１およびＮ^+ 拡散層３１を形成する。 - 特許庁

The P-type single-crystal silicon substrate 50 is biased to become a ground potential or a negative potential.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板５０は接地電位または負の電位にバイアスされる。 - 特許庁

A preheating device 21 is arranged in front of a secondary transfer part T2 to preheat a transfer material P to 50°C.例文帳に追加

二次転写部Ｔ２の前に予熱装置２１を配置し、転写材Ｐを５０℃に予熱する。 - 特許庁

In the device body 50, the lower receiving part 52 receives the Pachinko balls P from a game medium container 2.例文帳に追加

装置本体５０では、下部受入部５２が、遊技媒体用容器２からパチンコ玉Ｐを受け入れる。 - 特許庁

A p-type RESURF layer 18 is formed on the substrate 50 in the n-type impurity region 1.例文帳に追加

Ｐ型リサーフ層１８はＮ型不純物領域１内の基板５０上面に形成されている。 - 特許庁

The Sn based solder alloy may comprise, by mass, ≤50 ppm P.例文帳に追加

また、本発明のＳｎ系はんだ合金は、質量比で５０ｐｐｍ以下のＰを含んでもよい。 - 特許庁

The board face gradient of the game machine P is adjusted using the gradient adjusting mechanism 40 and a rocking mechanism 50.例文帳に追加

勾配調整機構４０と揺動機構５０とで遊戯台Ｐの盤面の勾配を調整する。 - 特許庁