「PRINCIPAL STRESS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The scanning is performed a plurality of times while deviating the position in the direction of the maximum principal stress.例文帳に追加

この走査は、最大主応力の方向に位置をずらしながら複数回行なう。 - 特許庁

Articles 37C, 38C, 31 have characteristic heat-mechanical stress principal directions 516, 524, 532.例文帳に追加

物品３７Ｃ、３８Ｃ、３１は、特性熱−機械応力主方向５１６、５２４、５３２を有する。 - 特許庁

Then a first stress film N1a having tensile stress is formed covering the principal surface s1 of the silicon substrate 1 and both the gate electrodes GEn and GEp.例文帳に追加

続いて、シリコン基板１の主面ｓ１と両ゲート電極ＧＥｎ，ＧＥｐとを覆うようにして、引張応力を持つ第１応力膜Ｎ１ａを形成する。 - 特許庁

The thin film lamination comprises a stress generating layer 2A, a distorted substrate layer 3A having a first principal plane and a distortion introduced in the direction nearly parallel to the first principal plane by a stress applied from the stress generating layer 2A, and the epitaxial layer 4A which is epitaxially grown on the first principal plane of the distorted substrate layer 3A.例文帳に追加

応力発生層２Ａと、第１の主面を有し、前記応力発生層２Ａから印加される応力によって、前記第１の主面に対して略平行な方向に歪みが導入された歪み基板層３Ａと、前記歪み基板層３Ａの前記第１の主面上にエピタキシャル成長されたエピタキシャル層４Ａと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

This apparatus for working is obtained by installing stress relaxing materials for relaxing the stress concentration on the glass substrate surface on the holding surfaces of the clamping parts for holding the glass substrate on the principal surfaces of the glass substrate.例文帳に追加

クランプ部のガラス基板をガラス基板主表面で把持する把持面に、ガラス基板面における応力集中を緩和する応力緩和材を設ける。 - 特許庁

The spot of pulse laser beams is scanned in the direction orthogonal to the direction of the maximum principal stress in the surface of a workpiece.例文帳に追加

パルスレーザビームのスポットを、被加工材の表面における最大主応力の方向と直交する向きに走査する。 - 特許庁

Stress (lines of stress 118) symmetrical with respect to the surface passing through the yTFT scribe line and orthogonal to the principal surface of the TFT substrate preform is induced in the TFT substrate preform.例文帳に追加

すると、ＴＦＴ基板母材に、ｙＴＦＴスクライブラインを通ってＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に対称な応力（応力線１１８）が誘起される。 - 特許庁

A reinforcing rib 3 protruded in a T-shape, extending in the principal stress direction of a structural member 1 is welded to the surface of the structural member 1.例文帳に追加

構造部材１の表面に、構造部材１の主応力方向に延びるＴ型に突出させた補強リブ３を溶接する。 - 特許庁

In the claim 7, the end of an anchor bolt is bent in the direction escaping from the principal stress direction to obtain the same effect.例文帳に追加

請求項７の発明は、アンカーボルトの端部を前記主応力方向から逃げる方向に屈曲させて同様の効果を得たものである。 - 特許庁

By synchronizing their rotation with the frame rate of a CCD camera for example, the principal direction θ of stresses and the principal stress difference in a surface of the specimen 10 can be analyzed in real time.例文帳に追加

そして、これらの回転を、例えばＣＣＤカメラのフレームレイトと同期するように実施することによって、試料１０の面内における主応力方向θ及び主応力差を実時間で解析することができる。 - 特許庁

The residual compressive stress in the direction of the maximum principal stress in the surface of the workpiece can be selectively increased by setting the average number of irradiation of pulse laser beams at the same point to be at least two.例文帳に追加

ここで、同一点におけるパルスレーザビームの照射回数の平均値を２回以上とすることで、被加工材表面における最大主応力の方向の残留圧縮応力を選択的に高めることができる。 - 特許庁

In addition, the stress measurement device calculates the principal stress values generated in an object to be measured on the basis of the data of the sound speed in a calculated acoustic anisotropic direction and the data of the sound speed in the acoustic anisotropic orthogonal direction.例文帳に追加

また応力測定装置は、計算された音響異方性方向音速度のデータと音響異方性直角方向音速度のデータに基づいて、被測定物に生じている主応力値を計算する。 - 特許庁

The transparent electrode layer 160 is formed as an amorphous thin film having a membrane stress of not more than ±1×10^9 Pa with indium oxide and zinc oxide as principal components.例文帳に追加

透明電極層１６０を、酸化インジウムおよび酸化亜鉛を主要成分とし膜応力が±１×１０^9Ｐａ以下の非晶質薄膜に形成する。 - 特許庁

To provide an article having long fatigue lifetime by selectively increasing the residual compressive stress in the maximum principal stress in the surface of a work in the laser peening method of a metal component or the like with the cyclic load applied thereto.例文帳に追加

繰り返し荷重が作用する金属製部品等に対するレーザピーニング処理において、被加工材の表面における最大主応力の方向の残留圧縮応力を選択的に高め、疲労寿命が長い加工物を得る。 - 特許庁

It is preferable to relieve and bend curvedly the end 4 of the platelike member 3 and also bend it to form a right angle to the principal stress direction.例文帳に追加

板状の部材３の端部４を曲線状に緩和屈曲させることが好ましく、主応力方向に対して直角になるまで屈曲させることが好ましい。 - 特許庁

To highly precisely measure principal stress values themselves generated in a member by highly precisely measuring a sound speed when propagating on the surface of the member.例文帳に追加

部材の表面に伝播するときの音速度を高精度に測定し、また、部材に生じている主応力値自体を高精度に測定することができるようにする。 - 特許庁

In the substrate for the magnetic disk to be a circular substrate for the magnetic disk having two principal surfaces, the substrate is warped on the other principal surface side with a warpage amount canceling a warpage of the substrate for the magnetic disk generated by film stress when a layered film including a magnetic recording layer to be formed on one principal surface is formed.例文帳に追加

本発明の磁気ディスク用基板は、二つの主表面を有する円環状の磁気ディスク用基板であって、一方の主表面に形成する磁気記録層を含む積層膜が形成された際の膜応力により生じる前記磁気ディスク用基板の反りを相殺する反り量で他方の主表面側に反っていることを特徴とする。 - 特許庁

Shearing stress and compressive force, based on the centrifugal force of a mechanical rotary body which provides at least rω^2=170 m/s^2, are imparted at least to the principal component powder.例文帳に追加

ｒω^２＝１７０ｍ／ｓ^２以上を与える機械的回転体の遠心力に基づくせん断応力および圧縮力を少なくとも前記主成分粉末に付与する。 - 特許庁

In order to improve the mobility of the carriers present in the Si post 11a, a stress applying layer 21 for giving to the Si post 11a an extending stress in the vertical direction orthogonal to the principal surface of the Si substrate 11 is disposed constitutionally on each side surface of the Si post 11a.例文帳に追加

Ｓｉポスト１１ａでのキャリア移動度を向上させるために、Ｓｉポスト１１ａの各側面には、Ｓｉ基板１１の主表面と直交する垂直方向に伸び応力を与えるための、ストレス印加層２１が設置されてなる構成となっている。 - 特許庁

Thereby, the stress concentration is avoided in a part where the foreign materials are present of the glass substrate and breakages, cracks, flaws, etc., are prevented from occurring in the principal surfaces of the glass substrate when the foreign materials such as minute pieces of glass are nipped between the principal surfaces of the glass substrate and the clamping parts.例文帳に追加

こうすることによって、ガラス基板の主表面とクランプ部との間にガラスの微小片などの異物が挟み込まれた場合に、ガラス基板の異物の存在する部分に応力が集中することを回避し、ガラス基板の主表面に割れやクラックやキズなどの発生を防止する。 - 特許庁

Since each of the piezoelectric body layers 3a and 3b has an active region and an inactive region, a difference is hardly generated between stress generated on a first principal surface 2a side and that generated on a second principal surface 2b side in polarization, and occurrence of a crack or the like can be suppressed.例文帳に追加

圧電体層３ａ，３ｂが活性領域と不活性領域とを有するので、分極時に第１の主面２ａ側で発生する応力と第２の主面２ｂ側で発生する応力との間に差分が生じにくくなり、クラック等の発生を抑制できる。 - 特許庁

The glass member 1 with optical multilayer film includes: a glass substrate 2; and an optical multilayer film 4 which is formed via an attachment force strengthening layer 3 on a principal surface 2a of the glass substrate 2 and has a compression stress.例文帳に追加

光学多層膜付きガラス部材１は、ガラス基板２と、ガラス基板２の主表面２ａに付着力強化層３を介して形成され、圧縮応力を有する光学多層膜４とを具備する。 - 特許庁

A plated coating can be bonded to a surface of the metalized layer 2 formed uniformly on the principal surface of the base substrate 1, curvature of which is reduced by stress of the plated coating.例文帳に追加

母基板１の主面に一様に形成されたメタライズ層２の表面にめっき皮膜を被着させることができ、めっき皮膜の応力により母基板１の反りを低減することができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the surface acoustic wave device includes forming a frequency adjustment film 30 at a position opposed to the interdigital electrode (IDT) 14 on the other principal surface 12b on the opposite side of the one principal surface 12a, and distorting the piezoelectric substrate with stress formed by this formation to adjust the frequency.例文帳に追加

そして弾性表面波デバイスの製造方法は、一方の主面１２ａとは反対側の他方の主面１２ｂにおけるすだれ状電極（ＩＤＴ）１４に対向する位置に周波数調整膜３０を形成し、この形成により生じる応力によって前記圧電基板を歪ませて、周波数を調整している。 - 特許庁

Since the Cu plated layer 36 extends, the concentrated stress to a tip on the principal surface 28 can be dispersed and a crack caused in mounting external electrodes 23, 24 can be suppressed.例文帳に追加

このように、Ｃｕめっき層３６を伸ばすことにより、外部電極２３，２４の、主面２８上での先端部分への応力の集中を分散することが可能となり、実装時に生じ得るクラックを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a wiring board capable of preventing disconnection between a surface conductor provided on a principal surface of an insulating board and a via conductor provided inside the insulating board when stress by thermal expansion difference between the surface conductor and the via conductor is generated in the direction in parallel with the principal plane at a connection part between the surface conductor and the via conductor.例文帳に追加

絶縁基板の主面に設けられた表面導体と絶縁基板の内部に設けられたビア導体との接続部分においてそれらの熱膨張差による応力が上記主面に平行な方向に発生した場合に、表面導体とビア導体との間の断線を防止することができる配線基板を提供する。 - 特許庁

The maximum principal stress generated in a base part of the small diameter stepped part 32 of the hub ring 30 is operated under the rotating bending condition equivalent to that in a practical application, and the shape of the inner member 20 is controlled so that the operated value reaches the regulated value or under.例文帳に追加

実使用時に相当する回転曲げ条件下で、ハブ輪３０の小径段部３２の基部に生じる最大主応力を演算し、この演算値が規定値以下となるよう内方部材２０の形状を管理する。 - 特許庁

Since the principal optical axes of waveguide cores 11a, 11b are inclined by the stress, the polarization mode coupling to be formed by coupling polarized waves to each other is suppressed in the directional coupler 11, and the PDL derived from the polarization mode coupling is reduced.例文帳に追加

その応力により導波路コア１１ａ，１１ｂの光学主軸が傾き方向性結合器１１において偏波同士で結合が起きる偏波モード結合を抑制でき、偏波モード結合起因のＰＤＬを低減できる。 - 特許庁

Alternatively, the principal component with the sub-component and the sintering aid are mixed and shearing stress and compressive force, based on the centrifugal force of a mechanical rotary body which provides at least rω^2=170 m/s^2, are imparted to the mixed powder.例文帳に追加

または、前記主成分と副成分と焼結助剤を混合し、ｒω^２＝１７０ｍ／ｓ^２以上を与える機械的回転体の遠心力に基づくせん断応力および圧縮力を前記原料混合粉に付与する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a stress adjustment resin layer 9 having a thermal expansion coefficient between a thermal expansion coefficient of a semiconductor substrate of a semiconductor chip 5 and a thermal expansion coefficient of an encapsulation resin 15 of the semiconductor chip 5 between a principal plane and the encapsulation resin 15 of the semiconductor chip 5.例文帳に追加

半導体チップ５の主平面と封止樹脂１５との間に、半導体チップ５の半導体基板の熱膨張率と封止樹脂１５の熱膨張率の間の熱膨張率をもつ応力調整用樹脂層９を備えている。 - 特許庁

By the lattice relaxation of the first conductivity type buffer layer 15, stress due to the difference of lattice constant between a material of the gallium nitride-based semiconductor layer 21a and a material of the principal plane 13a of the semiconductor region 13 is not applied on the active layer 17.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５の格子緩和により、窒化ガリウム系半導体層２１ａの材料と半導体領域１３の主面１３ａの材料との格子定数差に起因する応力が、活性層１７に加わることがない。 - 特許庁

Since a length W3 parallel to principal plane of the substrate of a sword guard 123 of a pin 121 is made to fulfill a designated condition, stress concentration is hard to occur at brazing material section between sword guard side face of the pin 121 and a pin bonding portion 111.例文帳に追加

ピン１２１の鍔部１２３の基板の主面と平行方向の長さＷ３を所定の条件を満たす長さとしたため、ピン１２１の鍔部側面とピン接合部１１１との間のロウ材の部分に応力集中が発生しにくい。 - 特許庁

To provide an apparatus for working capable of improving the yield without stopping an apparatus for production by preventing a stress from concentrating due to foreign materials and causing breakage on principal surfaces of a glass substrate when the foreign materials are present on holding surfaces of clamping parts for holding the glass substrate on the principal surfaces with the glass substrate in the apparatus for working the glass substrate for magnetic disks.例文帳に追加

磁気ディスク用ガラス基板の加工装置において、ガラス基板を主表面で把持するクランプ部のガラス基板との把持面に異物が存在した場合に、異物により応力が集中してガラス基板の主表面に破損が生じることを防ぐことにより、製造装置を停止させたりすることがなく、歩留まりの向上の可能な加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device constituted so that a vertical power transistor is formed on a semiconductor substrate and electrodes are formed on a principal surface side and a back side of the semiconductor substrate respectively, wherein the semiconductor device has an electrode structure such that the principal surface side and back side of the semiconductor substrate are balanced low in residual stress and trouble such as peeling and cracking is hardly caused during solder joining.例文帳に追加

半導体基板に縦型パワートランジスタが形成され、該半導体基板の主面側と裏面側にそれぞれ電極が形成されてなる半導体装置であって、半導体基板の主面側と裏面側とで残留応力が低くバランスされており、半田接合に際して剥がれや亀裂等の不具合が生じ難い電極構造を有してなる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a double refraction prediction simulation system capable of calculating double refraction, including a principal axial direction of the double refraction based on a stress condition in a three-dimensional space obtained from a simulation result, and capable of predicting, evaluating and displaying accurately a condition of the double refraction.例文帳に追加

シミュレーション結果から得られた３次元空間での応力状態から複屈折の主軸方向を加味して複屈折を算出し、該複屈折の状態を正確に予測、評価及び表示することができる本複屈折予測シミュレーションシステムを提供する。 - 特許庁

The composite film is obtained by irradiating radiation to cure to a mixture whose principal ingredients are urethane polymer and a radically polymerizable monomer, and has 100%mod of 5 N/mm^2 or more, an elongation at break of 150% or more, and a stress relaxation time of 200 seconds or less.例文帳に追加

複合フィルムは、ウレタンポリマーとラジカル重合性モノマーとを主成分とする混合物に、放射線を照射して硬化させてなる、１００％ｍｏｄが５Ｎ／ｍｍ^２以上、破断伸度が１５０％以上、応力緩和時間が２００秒以下の複合フィルムである。 - 特許庁

In a semiconductor module 1 comprising a semiconductor element 2 and contact materials 3 (stress buffer members) connected to an electrode layer 2a of the semiconductor element 2, a plurality of grooves 3a-3c extending along an outer periphery of the semiconductor element 2 are formed on principal surfaces of the contact materials 3, which are planes contacting the semiconductor element 2.例文帳に追加

半導体素子２と、半導体素子２の電極層２ａと接続されるコンタクト材３（応力緩衝部材）とを備える半導体モジュール１において、コンタクト材３の主面であって半導体素子２と接する面に、半導体素子２の外周に沿った複数の溝３ａ〜３ｃを形成する。 - 特許庁

In the method for determining the flatness of a transparent substrate for an electronic device, the flatness of a transparent substrate for an electronic device is determined so that the flatness of a mask blank becomes the desired value in consideration of a variation in flatness due to the film stress of a thin film formed on the principal surface of the transparent substrate.例文帳に追加

電子デバイス用透明基板の主表面上に形成する薄膜の膜応力に起因した平坦度変化量を見込んで、マスクブランクの平坦度が所望の平坦度となるように、前記透明基板の平坦度を決定することを特徴とする電子デバイス用透明基板の平坦度決定方法。 - 特許庁