「STRESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

To highly efficiently execute an exercise stress electrocardiography for many subjects by freely and safely applying an exercise stress to each subject.例文帳に追加

各被検者に対して自在にかつ安全に運動負荷を掛けることができ、多数の被検者に対して高効率に運動負荷心電図検査を行うこと。 - 特許庁

To provide a semiconductor device improved in current driving force by improving stress applied from a stress liner film to a channel by devising a structure.例文帳に追加

構造を工夫することにより、ストレスライナー膜がチャネルに印加する応力を高め、電流駆動力が向上した半導体装置を得ることを目的とする。 - 特許庁

To suppress the occurrence of peeling between layers by providing a flexible printed wiring board with a stress relaxation layer to reduce stress applied between the layers.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板に応力緩和層を設けることにより、各層間に加わるストレスを低減して各層間での剥離の発生を抑える。 - 特許庁

Portions of the stress control film 5 located at both sides in a gate widthwise direction from a channel region 8 form a stress control film working region 6.例文帳に追加

応力制御膜５のうちチャネル領域８からゲート幅方向の両側方に位置する部分は、応力制御膜加工領域６となっている。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING LOW STRESS, LARGE VOLUME CRYSTAL WITH REDUCED STRESS BIREFRINGENCE AND HOMOGENEOUS REFRACTIVE INDEX, AND CRYSTAL PRODUCED BY THE SAME例文帳に追加

減じられた応力複屈折性及び均質な屈折率をもつ低応力大容積結晶の製造方法、及び同方法により製造される結晶 - 特許庁

A write stress control table in which stress indexes corresponding to the respective data blocks are shown is stored in a nonvolatile semiconductor memory provided to the memory card.例文帳に追加

メモリカードに設けられた不揮発性半導体メモリには、各データブロックに対応するストレス指数が示されたライトストレス制御テーブルが格納されている。 - 特許庁

In a step of crystallizing both the gate electrodes GEn and GEp, the tensile stress of the first stress film N1a is stored in the gate electrode Gen for nMIS.例文帳に追加

両ゲート電極ＧＥｎ，ＧＥｐを結晶化する工程では、第１応力膜Ｎ１ａの引張応力をｎＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｎに記憶させる。 - 特許庁

To provide a moving blade having a reliability improved by reducing the concentration of gas bending stress and thermal stress and also provide a gas turbine.例文帳に追加

ガス曲げ応力や熱応力の集中を軽減することにより、信頼性の向上を図ることができる動翼およびガスタービンを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device controls a control signal applied to the gate electrode 5 on the basis of a stress detected by the stress detection element 7.例文帳に追加

そして、半導体装置は、応力検出用素子７で検出された応力に基づいて、ゲート電極５に印加される制御信号を制御する。 - 特許庁

To provide a stress distribution calculation method of a semiconductor oxidation process, which can suppress degradation of accuracy of stress distribution calculation in an oxidation simulation.例文帳に追加

酸化シミュレーションにおける応力分布計算の精度の劣化を抑えることができる半導体酸化工程の応力分布計算方法を提供する。 - 特許庁

To quantitatively evaluate a stress state for each person with high accuracy by selecting a muscle suitable for the evaluation of stress during work by muscle activity for each person.例文帳に追加

筋活動による作業中ストレスの評価に適した筋を各人物毎に選別し、各人物毎にストレス状態を高い精度で定量的に評価する。 - 特許庁

The diagnostic method for the oxidation stress characteristic estimates the oxidation stress characteristic inside a living body of a subject from a position in the analysis graph.例文帳に追加

本願発明の酸化ストレス特性の診断方法は、診断分析図上の位置から被験者の生体内における酸化ストレス特性を評価するものである。 - 特許庁

The stress concentration coefficient of the fracture starting point groove 50 is larger than the stress concentration coefficients of the cutout parts and bearing locking groove 51.例文帳に追加

破断起点溝５０の応力集中係数は切り欠き部５２および軸受け係止溝５１の応力集中係数よりも大きくなっている。 - 特許庁

The high stress compressive silicon nitride and/or the anneal temperatures ensure that the compressive stress memorization is retained in the pFET 106.例文帳に追加

高応力圧縮性窒化珪素またはアニール温度あるいはその両方によって、圧縮応力記憶がｐＦＥＴ１０６に維持されることが保証される。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon nitride film of low stress and a method for manufacturing a semiconductor device containing the silicon nitride film of low stress.例文帳に追加

低応力のシリコン窒化膜を形成する方法及び低応力のシリコン窒化膜を含む半導体装置を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

Then a first stress film N1a having tensile stress is formed covering the principal surface s1 of the silicon substrate 1 and both the gate electrodes GEn and GEp.例文帳に追加

続いて、シリコン基板１の主面ｓ１と両ゲート電極ＧＥｎ，ＧＥｐとを覆うようにして、引張応力を持つ第１応力膜Ｎ１ａを形成する。 - 特許庁

A titanium film 5, a nickel film 6 having tensile stress whose whole stress is not less than 150 N/m and a gold film 7 are sequentially formed on the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の上に、チタン膜５、全応力が１５０Ｎ／ｍ以上の引張応力を持つニッケル膜６、金膜７を順に成膜する。 - 特許庁

The travel performance responding at the high level is secured by this manner, in either case of laying stress on the mileage or of laying stress on the drivability.例文帳に追加

このようにすることで、燃費重視及びドライバビリティ重視のどちらの場合であっても、高いレベルで応えた走行性能を確保することができる。 - 特許庁

To provide a safe composition having excellent anti-oxidation stress effects on the oxidation stress by an activated oxygen, and good sense of use.例文帳に追加

本発明は活性酸素による酸化ストレスに対し優れた抗酸化ストレス効果を有し、安全で且つ使用感の良い組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The prophlaxis contributes development of high-valued functional foods derived from meat suppressing oxidative stress through providing the meat component-containing food material suppressing oxidative stress.例文帳に追加

また、酸化的ストレスを抑制する食肉由来の成分を含む食品素材を提供することにより、付加価値の高い機能性食品の開発ができる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of depositing a primary stress liner which applies a primary type stress to a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体層上に、半導体層に対して第１タイプの応力を印加する第１応力ライナを堆積する工程を含む。 - 特許庁

To easily find out the value of the maximum stress or its occurrence place from the result of stress analysis using a finite element method.例文帳に追加

有限要素法を用いる応力解析において、解析結果から最大応力の値やその発生場所を容易に見出すことができるようにする。 - 特許庁

After turning right or left, the stress determination unit 25 determines that the stress put on the driver is low, and the audio control unit 28 restarts replay of the cassette tape deck 33.例文帳に追加

右左折を終了すると、ストレス判定部２６は低ストレス度と判定し、これによりオーディオ制御部２８はカセットテープデッキ３３の再生を再開させる。 - 特許庁

Thereby, the voltage stress and the thermal stress of the semiconductor switch element installed in the main power amplifier 6 are reduced, and reliability is enhanced.例文帳に追加

これにより、主電力増幅器６に備えられた半導体スイッチ素子の電圧ストレス及び熱的なストレスを軽減し、信頼性を向上させた。 - 特許庁

The stress test determination circuit (12) outputs the determination result indicating whether or not the stress test has been performed based on the control signals (TM1-TM3).例文帳に追加

そして、ストレス試験判定回路（１２）は、制御信号（ＴＭ１〜ＴＭ３）に基づいて、ストレス試験が実行されたか否かを示す判定結果を出力する。 - 特許庁

Stress generated at a part where the laser beams are irradiated is released to parts where the beams are not generated, so that large stress is hardly generated.例文帳に追加

修正部において、レーザ光が照射された部分で発生した応力が、照射されていない部分に開放されるので、大きな応力は発生し難い。 - 特許庁

A stress occurring in the fabrication process or at the time of bonding is dispersed by the irregularities on the surface at the pad part 17 and the stress being applied to an active element is relaxed.例文帳に追加

パット部１７の表面凹凸により製造工程やボンディング時に生じる応力が分散され、能動素子への応力が緩和する構造にした。 - 特許庁

To achieve high speed cutting in full-body thermal-stress cutting of a brittle material where the upper limit of the speed is the stress propagation speed.例文帳に追加

脆性材料のフルボディ熱応力割断において、応力伝播速度を上限値とする割断高速性の実現をはかることを目的とする。 - 特許庁

Finite element analysis by a shell model is performed, and a uniform stress component and a bending stress component at a fatigue life evaluation part 23 of a longitudinal face 21 are determined.例文帳に追加

シェルモデルによる有限要素解析を行い、ロンジフェイス２１の疲労寿命評価部２３における一様応力成分と曲げ応力成分を求める。 - 特許庁

To provide an estimation method of an expansion stress of expansive concrete capable of estimating highly accurately an expansion stress value under temperature fluctuation caused by the heat of hydration.例文帳に追加

水和熱による温度の変動下での膨張応力の値を、高い精度で推定し得る膨張コンクリートの膨張応力の推定方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, iron fragments which are fractured due to the application of physical stress and thermal stress can be inferred or that the stainless-steel fragments in which martensitic transformation has occurred etc can be inferred.例文帳に追加

よって、物理的ストレスや熱応力が掛かって破断が起こった鉄製破片やマルテンサイト変態したステンレス破片等を想定することが可能になった。 - 特許庁

In the laminated lumber 1, the compressive stress is caused in the cedar material 2 when the external force is received, and the tensile stress is caused in carbon fiber-reinforced resin 4.例文帳に追加

集成材１では、外力を受けた場合に、杉材２に圧縮応力が生じると共に、炭素繊維強化樹脂４に引張応力が生じる。 - 特許庁

To provide a stress analysis apparatus and method capable of calculating a stress and a strain of a material in short time, without having to learn special operation methods.例文帳に追加

特殊な操作方法を習得することなく、材料の応力やひずみを短時間で計算できる応力解析装置及び方法を提供する。 - 特許庁

When maintaining flatness of the substrate for film deposition, the stress direction of the film is opposite to the stress direction in the film-deposited face of the substrate for film deposition.例文帳に追加

成膜用基板の平坦度の維持を目的とする場合、膜の応力方向と、成膜用基板の成膜面での応力方向とを逆方向とする。 - 特許庁

To provide a process for producing a chemically strengthened glass which can measuring surface compressive stress and the depth of a compressive stress layer stably and accurately.例文帳に追加

安定して正確に表面圧縮応力および圧縮応力層の深さを測定できる化学強化ガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of stress relaxing piezoelectric layers 111 are provided at a predetermined interval in the laminating direction of the ceramic laminate 10, and the stress relaxing layers 18 are each provided on an intermediate layer in the thickness direction of the stress relaxing piezoelectric layers 111.例文帳に追加

応力緩和圧電層１１１は、セラミック積層体１０の積層方向に一定の間隔で複数設けられており、かつ、応力緩和層１８は、応力緩和圧電層１１１の厚み方向の中間位置に設けられている。 - 特許庁

To provide a gas-barrier film which relaxes propagation of an external stress to the barrier layer by imparting a stress relaxing layer to the outer surface of the vapor deposition film and presents performance from deteriorating even under compression/expansion stress due to changes of the circumstance.例文帳に追加

蒸着膜の外面に応力緩和層を付与することで、外部応力のバリア層への伝播を緩和し、環境変化による圧縮／膨張応力によっても性能が劣化しないガスバリアフィルムを提供すること。 - 特許庁

Therefore, even if stress is generated due to a difference in thermal expansion between a core substrate 12 and an IC chip 50, the stress is securely relaxed by the stress relaxation layer 30, and peeling from which cracking easily originates is not caused.例文帳に追加

したがって、コア基板１２とＩＣチップ５０との熱膨張差に起因する応力が発生したとしても、その応力は応力緩和層３０によって確実に緩和されるしクラックの起点になりやすい剥離が生じることもない。 - 特許庁

Further, a stress adjusting layer 25, which receives stress in the same direction as that of the stress that the piezoelectric layer 30 receives, is provided on a second surface side of the diaphragm 24 on the opposite side to the first surface where the piezoelectric layer 30 is formed.例文帳に追加

また、圧電体層30が形成されている振動板24の第１面と反対側の第２面側に、圧電体層30が受けている応力と同じ方向の応力を振動板から受けている応力調整層25が設けられている。 - 特許庁

To provide a stress-testing circuit and a stress-testing method for quickly and easily executing the stress test of a transistor switch in a semiconductor integrated circuit for selecting a multiple-value analog gradation voltage by a plurality of transistor switches for outputting.例文帳に追加

多値のアナログ階調電圧を複数のトランジスタスイッチで選択して出力する半導体集積回路において、トランジスタスイッチのストレス試験を短時間且つ容易に実施できるストレス試験回路及び方法を提供する。 - 特許庁

By drawing the whole image of the intensity and the direction of principal stress which acts on the workpiece by taking a series which is shown by the direction of the principal stress as a streamline and indicating it, the variation of the direction and the variation of the intensity of the principal stress are easily comprehended.例文帳に追加

加工材に働く主応力の強さと方向の全体像を、主応力の方向が示す連なりを流線として描画し表示することで、主応力の方向の変化と強さの変化を容易に把握できる。 - 特許庁

The medium strength stretching stress part includes a peripheral adjacent part 31a disposed on the peripheral side of the first strong stretching stress part 21 and an inner circumferential adjacent part 31b disposed on the inner circumferential side of the first strong stretching stress part 21.例文帳に追加

中強伸張応力部は、第１強伸張応力部２１の外周側に配設された外周隣接部３１ａと、第１強伸張応力部２１の内周側に配設された内周隣接部３１ｂとを備えている。 - 特許庁

Further, an optical intensity of stress luminescence in the light-emitting part 1 is matched with a photosensitive threshold level at which reciprocity law failure is indicated by the recording part, by using stress luminescence adjustment processing conducted before a first step of affixing the stress history recording medium 10 on a measurement object.例文帳に追加

さらに、発光部１における応力発光の光強度は、上記第一の工程の前に行われる応力発光調整処理によって、上記記録部が相反則不軌を示す感光閾値のレベルに一致させられている。 - 特許庁

The light-emitting display device 1A is composed of a sheet-like stress-induced light-emitting material 10 comprising stress-induced light-emitting particles 12 dispersed in a resin substrate 11, and a dot member 20 imparting external force to the stress-induced light-emitting material 10.例文帳に追加

発光表示装置１Ａを、樹脂基材１１中に応力発光体粒子１２を分散してなるシート状の応力発光体１０と、この応力発光体１０に外力を付与するドット部材２０とから構成する。 - 特許庁

A stress center distance with which almost all stress applied to the array of the package is received can be realized by the characterizing corner portions, and the stress applied to the corners of the array of the BGA package 100 can be reduced thereby.例文帳に追加

コーナー特徴部により、パッケージのアレイに加えられる応力のほとんどを受け取る応力中心距離が実現され、それにより、ＢＧＡパッケージ１００のアレイのコーナーに加えられる応力を減少させることができる。 - 特許庁