「Second source」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

A thermal conductive sheet is held between a heat source and a heat dissipation member of a semiconductor device, and consists of a first thermal conductive sheet and a second thermal conductive sheet arranged on the periphery of the first thermal conductive sheet.例文帳に追加

半導体装置の熱源と放熱部材との間に挟持される熱伝導性シートであって、第１の熱伝導性シートと、該第１の熱伝導性シートの外周部に配される第２の熱伝導性シートとからなる熱伝導性シートである。 - 特許庁

Light emitted from a laser beam source 101 is made incident on a specimen 111 via an optical system, a second harmonic emitted from the specimen 111 is detected with a CCD camera 117, and multiphoton excited fluorescence is detected with a CCD camera 118.例文帳に追加

レーザ光源１０１からの光は、光学系を介して試料１１１に入射し、試料１１１の発光する第二高調波がＣＣＤカメラ１１７で検出され、多光子励起蛍光がＣＣＤカメラ１１８によって、それぞれ別に検出される。 - 特許庁

The high voltage transformer 47 is connected to a first direct current line 88 and a second direct current line 89 from a low voltage direct current circuit 85 for stepping down and rectifying the commercial power source 81 via a reed switch part 51 (reed switches 53, 54).例文帳に追加

高電圧トランス４７を、商用電源８１を降圧すると共に整流する低電圧直流回路８５から第１の直流ライン８８及び第２の直流ライン８９にリードスイッチ部５１（リードスイッチ５３，５４）を介して接続させる。 - 特許庁

The light emitted from the light source 32 and reflected by the sub-reflector 42 forms a second light distribution pattern P2 diffused right and left to supplement the first light distribution pattern P1 by being diffused and reflected right and left in the front by the diffusing projection lens 46.例文帳に追加

光源３２から出射してサブリフレクター４２で反射された光は、拡散投射レンズ４６によって前方左右に拡散配光されて、第１の配光パターンＰ１を補う左右に拡散された第２の配光パターンＰ２を形成する。 - 特許庁

As material of the source electrode layer or the drain electrode layer after a second layer, an element selected from Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, and W, alloy with the elements as constituents, or alloy or the like obtained by combining the elements is used.例文帳に追加

二層目以降のソース電極層またはドレイン電極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 - 特許庁

On a substrate area 1a of a semiconductor substrate 1, first and second nMOSFETs comprising a gate insulating film 7, a gate electrode 8, a side wall 13, a source/drain area 14, an LDD area 11, and a pocket area 9, are provided.例文帳に追加

半導体基板１の基板領域１ａの上には、ゲート絶縁膜７，ゲート電極８，サイドウォール１３，ソース・ドレイン領域１４，ＬＤＤ領域１１及びポケット領域９を有する第１，第２ｎＭＯＳＦＥＴが設けられている。 - 特許庁

An electromagnetic wave source 10 irradiates the sensor section 30 with electromagnetic wave, having a wavelength larger than the interval of the plurality of the first penetration slits 31A as well as the second penetration slits 32A, from a direction normal to the first metal layer 31.例文帳に追加

電磁波源１０は、複数の第１の貫通スリット３１Ａの間隔および複数の第２の貫通スリット３２Ａの間隔よりも長い波長を有する電磁波を、第１の金属層３１と交差する方向からセンサ部３０に照射する。 - 特許庁

The heating means 14 is supplied with DC electric power by rectifying AC electric power from an AC power source 1 by a first rectifying means 4 and a second rectifying means 11 and converting into the DC electric power by a DC electric power generating means 20.例文帳に追加

直流電力生成手段２０によって、交流電源１からの交流を第１の整流手段４および第２の整流手段１１で整流して直流に変換し、加熱手段１４に直流電力を供給する。 - 特許庁

The control circuit is provided with a first node, a first circuit pulling down the first node to a ground voltage level in accordance with the prescribed pulse, and a second circuit pulling up the first node to a power source voltage level in accordance with the prescribed pulse.例文帳に追加

前記制御回路は第１ノードと、前記パワーアップ信号に応じて前記第１ノードを接地電圧レベルにプルダウンする第１回路と、前記所定のパルスに応じて前記第１ノードを電源電圧レベルにプルアップする第２回路とを備える。 - 特許庁

An access transistor is connected between a bit line BL and a gate electrode of a first load transistor T3 itself connected to a gate electrode of a driver transistor T4 and to a first source/drain electrode of a second load transistor T2.例文帳に追加

前記アクセストランジスタは、ビット線ＢＬと、それ自身がドライバトランジスタＴ４のゲート電極及び第２ロードトランジスタＴ２の第１ソース／ドレイン電極にそれぞれ接続されている第１ロードトランジスタＴ３のゲート電極と、の間に接続されている。 - 特許庁

The optical scanner two-dimensionally scans a laser light from a light source with a first oscillation mirror 10 which deflects the laser light in a vertical direction and a second oscillation mirror 20 which deflects the light from the first oscillation mirror 10 in a horizontal direction.例文帳に追加

光源からのレーザ光を垂直方向に偏向する第一の振動ミラー１０と、この第一の振動ミラー１０からの光を水平方向に偏向する第二の振動ミラー２０により二次元走査を行う光走査装置である。 - 特許庁

Before a stabilization time Ts expires after a power source is turned on, a filter operation effect signal ϕ3 is turned off while first-phase and second-phase clock pulses ϕ1 and ϕ2 are both turned on, so that analogue switches S11-S26 are turned on and an analogue switch S37 is turned off.例文帳に追加

電源オンから整定化時間Ｔｓが経過するまでは、フィルタ動作有効化信号φ３をオフにするとともに第１相、第２相クロックパルスφ１、φ２をともにオンにして、アナログスイッチＳ１１〜Ｓ２６をオン、アナログスイッチＳ３７をオフにする。 - 特許庁

A DC electric power in rectifier circuits 31, 32 and 33 connected with an AC electric source 29 is converted to an AC electric power by means of a plurality of inverter circuits 34, 35 and 36 to drive the first motor 37, the second motor 40 and the third motor 43.例文帳に追加

交流電源２９に接続した整流回路３１、３２、３３の直流電力を複数のインバータ回路３４、３５、３６により交流電力に変換して第１のモータ３７、第２のモータ４０、第３のモータ４３を駆動する。 - 特許庁

Therefore, without interrupting stationary operation, dissolution volumes of the first electrode 15 or the second electrode 16 are enlarged, so that fluctuation of brightness of a light source light or a projection image can be prevented substantially after the start of the use.例文帳に追加

以上において、定常動作を中断することなく第１電極１５又は第２電極１６の溶融体積を増大させるので、実質的な使用開始後に光源光又は投射像の明るさが変動することを防止できる。 - 特許庁

The layout design method for a semiconductor integrated circuit includes a dummy cell arrangement step (S2) of arranging a dummy cell (an inter-power-source capacity cell and a buffer cell) in a region where object wiring between a first logic cell and a second logic cell of layout data is arranged.例文帳に追加

半導体集積回路のレイアウト設計方法は、レイアウトデータにおける第１の論理セルと第２の論理セルの間の対象配線が配置される領域に、ダミーセル（電源間容量セル、バッファセル）を配置するダミーセル配置ステップ（Ｓ２）を含む。 - 特許庁

Related to its manufacturing method, the p+ embedded region 42 is formed with a first mask of a polycrystal silicon film while the n+ source region 43 is formed with a second mask formed by thermally oxidizing the first mask, for finely controlling a channel length.例文帳に追加

その製造方法としては、多結晶シリコン膜からなる第一のマスクによりｐ^+ 埋め込み領域４２を規定し、第一のマスクを熱酸化した第二のマスクによりｎ^+ ソース領域４３を規定して、微細なチャネル長の制御をおこなう。 - 特許庁

A memory transistor has a semiconductor substrate (for example, well W), first and second source-drain regions SSL, SBL, a bottom insulating film BTM, a charge accumulating film CHS, a top insulating film TOP, and a gate electrode (for example, word line WL).例文帳に追加

メモリトランジスタが、半導体基板（たとえばウェルＷ）と、第１および第２のソース・ドレイン領域ＳＳＬ,ＳＢＬと、ボトム絶縁膜ＢＴＭ、電荷蓄積膜ＣＨＳおよびトップ絶縁膜ＴＯＰと、ゲート電極（たとえばワード線ＷＬ）とを有する。 - 特許庁

In order to adjust the angle of a semiconductor laser 1 which is constituted in the punctiform light source, curvatures are given to the spherical surface sections 9a and 10a respectively formed on first and second holders 9 and 10, so that the sections 9a and 10a may slide on the attaching surface 3a of the equipment on contrary sides.例文帳に追加

点状光源である半導体レーザ１の角度を調整するために第１保持具９，第２保持具１０に形成する球面部９ａ，１０ａに、機器の取付け面３ａに背反する側で摺接する曲率を持たせる。 - 特許庁

Further, a negative control terminal (Vc) (input terminal) is connected to the gate, an output terminal 2 (V2) (first output terminal) is connected to the source, and an output terminal 1 (V1) (second output terminal) is connected to a connection point between the resistors R1 and R2.例文帳に追加

また、ゲートに負の制御端子（Ｖｃ）（入力端子）が接続され、ソースに出力端子２（Ｖ２）（第１の出力端子）が接続され、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２との接続部位に出力端子１（Ｖ１）（第２の出力端子）が接続される。 - 特許庁

The premix chamber (40) has a first end communicating with the inlet port (48), and a second end communicating with a source of the first component, thus providing a fluid path to lead the first component through the inlet port (48) upon operation of the gear pump.例文帳に追加

予混合室４０は、入口４８に連通する第１の端部と、第１の成分の源に連通する第２の端部とを有していて、歯車ポンプの作動時に入口４８を通って第１の成分を導く流体通路を提供する。 - 特許庁

Then, when detecting the stop state of the reproduction of the content, the DMC transmits a POST message, including the address of the DMS of a transmission source, and a SEEK message, including the recorded reproduction position, to the first DMR or the second DMR of a switching destination.例文帳に追加

そして、ＤＭＣが、コンテンツの再生の停止状態を検出した場合、送信元のＤＭＳのアドレスを含むPOSTメッセージと、記録された再生位置を含むSEEKメッセージとを、第１のＤＭＲ又は切替先の第２のＤＭＲへ送信する。 - 特許庁

First and second motor units operation-connection to the corresponding steering road wheels are stored in a steering road wheel driving axle case so as to be opposed to each other while they are fluid-connected to a pump unit operatively driven by a driving source in the parallel state.例文帳に追加

対応する操向輪に作動連結された第１及び第２モータユニットを、駆動源によって作動的に駆動されるポンプユニットに並列状態で流体接続しつつ、互いに対向するように操向輪駆動車軸ケースに収容する。 - 特許庁

In addition, the condensing position of the light condensed from the light source to the color wheel 10 is adjusted by moving a second support 20 which supports the first support 15 and the motor 22, etc. in the axial direction of the color wheel 10 by a motor 32 and a lead screw 33.例文帳に追加

また、第１支持台１５及びモータ２２等を支持する第２支持台２０を、モータ３２及び送りねじ３３によりカラーホイール１０の径方向へ移動させることで、光源からカラーホイール１０へ集光される光の集光位置を調整する。 - 特許庁

The clearances are eliminated between the point-like light source 6 and the first extension plate 23 as well as between the light guide 5 and the second extension plate 24 (in otherwords, the tolerance of a member is absorbed by pressing in), preventing occurrence of looseness for improved assembling characteristics.例文帳に追加

点状光源６と第１延設板２３との間、導光体５と第２延設板２４との間にクリアランスがなくなり（即ち、押しこみにより、部材の公差が吸収され）、がたつきの発生を防止でき組付け性を向上できる。 - 特許庁

Further, the position of the brightness detection means having a detected value differing from the reference value by a prescribed value or more in a state where the light source is turned off and the liquid crystal panel is driven in the second operation mode is stored in the storage section as an external light abnormal position.例文帳に追加

更に、光源が消灯し、液晶パネルが第２動作モードで駆動されている状態で、基準値に対して所定値以上異なる検出値を有する輝度検出手段の位置を外光異常位置として記憶部に記憶する。 - 特許庁

Depending on the strength of the DC voltage signal detected by the switch circuit 110, the voltage generating source 115 supplies either the first amplifying circuits 23 and 24 and the second amplifying circuit 25 with positive and negative voltages through a plurality of terminals 11-16.例文帳に追加

スイッチ回路１１０で検出されたＤＣ信号の電圧の大きさにより、電圧発生源１１５は、端子１１〜１６を通し、増幅回路２３および２４のいずれか及び増幅回路２５に正及び負の電圧を供給する。 - 特許庁

A second impurity peak at the location deeper than a first impurity peak as the impurity peak of impurity implanted region for adjusting the threshold voltage, exists in the region held by the source regions and drain regions of the FET's 20, 30.例文帳に追加

各ＦＥＴ２０，３０のソース領域とドレイン領域とで挟まれた領域には、閾値電圧調整用の不純物注入領域の不純物ピークである第１の不純物ピークよりも深い位置に現れる第２の不純物ピークが存在している。 - 特許庁

A first MOS transistor has, as a first impurity region, a first source/drain region comprising a first region arranged in a semiconductor substrate and a second region arranged to project to the upper side of the first region.例文帳に追加

第１のＭＯＳトランジスタは、第１の不純物領域として、半導体基板内に設けられた第１の領域及び第１の領域の上方に突出するように設けられた第２の領域からなる第１のソース／ドレイン領域を有する。 - 特許庁

A fin-type semiconductor region 102 has a channel forming region 106 having a first width W1 in a gate width direction, and a source/drain forming region 107 having a second width W2, which is in the gate width direction and wider than the first width W1.例文帳に追加

フィン型半導体領域１０２は、ゲート幅方向に第１の幅Ｗ１を持つチャネル形成領域１０６と、ゲート幅方向に第１の幅Ｗよりも広い第２の幅Ｗ２を持つソース・ドレイン形成領域１０７とを有する。 - 特許庁

In this electrode manufacturing process, the desired electrode pattern can be obtained by applying a first light exposure with the use of a lamp whose source is cost-effective diffusion light, and then applying a second light exposure with larger amount of light than the first light exposure.例文帳に追加

本発明による電極作成工程において、コストメリットがある拡散光を光源とするランプを用いて第１の露光と第１の露光よりも大きい露光量をもった第２の露光を施すことで、所望の電極パターンを得ることができる。 - 特許庁

A broker agent 103 of the information retrieval system includes a search retrieval element for processing the search representation to generate a search request for a specific information source, and a channel element for associating the result of the first query attribute with the second query.例文帳に追加

また、情報検索システムのブローカーエージェント１０３は、前記サーチ表現を処理して特定情報ソースのサーチ要求を作り出すサーチ検索要素と、第１問合せの属性の結果を第２問合せに関連付けるチャンネル要素を備えている。 - 特許庁

As a migration system for a virtual server, there are a first migration system which depends on relations between a hardware configuration of migration source physical server and a hardware configuration of migration destination physical server (hardware relations), and a second migration system which does not depend on the hardware relations.例文帳に追加

仮想サーバの移行方式として、移行元物理サーバのハードウェア構成と移行先物理サーバのハードウェア構成との関係（ハードウェア関係）に依存する第１の移行方式と、そのハードウェア関係に依存しない第２の移行方式とがある。 - 特許庁

The calling terminal transmits, to the called terminal through the satellite communication network, a call trigger message which includes the terminal number for satellite communication of a destination second terminal and a first IP address of the calling terminal as a transmission source address, through the IP network.例文帳に追加

発呼端末が、ＩＰネットワークを介して、宛先となる第２の端末の衛星通信用端末番号を含み、発呼端末の第１のＩＰアドレスを送信元アドレスとする発呼トリガメッセージを、衛星通信網を介して着呼端末へ送信する。 - 特許庁

As a material of the second or subsequent source or the drain electrode layer, an element selected from Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, and W, an alloy with the elements as constituents, an alloy obtained by combining the elements or the like is used.例文帳に追加

二層目以降のソース電極層またはドレイン電極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 - 特許庁

As a material of the second source or subsequent or drain electrode layer, an element selected from Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, and W, an alloy with the elements as constituents, an alloy obtained by combining the elements or the like is used.例文帳に追加

二層目以降のソース電極層又はドレイン電極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、又は上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 - 特許庁

In a first region between the gate electrode 10 and the drain electrode 8, and in a second region between the gate electrode 10 and the source electrode 9, a trench is formed in at least one portion in at least the cap layer 5 of the first region.例文帳に追加

ゲート電極１０とドレイン電極８の間である第１領域及びゲート電極１０とソース電極９の間である第２領域のうち、少なくとも第１領域のキャップ層５において少なくとも１箇所にトレンチが形成される。 - 特許庁

Incident light from an excitation light source 305 which emits the excitation light of a wavelength λ_1 is supplied from a fiber 306, made to pass through first and second lenses 307, 308, and coupled to the waveguide 302 through the high reflectance film 303.例文帳に追加

波長λ_1の励起光を発する励起光源３０５からの入射光は、ファイバ３０６から供給され、第１及び第２のレンズ３０７、３０８を介して、高反射率膜３０３を通して導波路３０２に結合されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 30A includes a first low concentration region 31A formed between the channel region 33A and the source region 34A and a second low concentration region 32A formed between the channel region 33A and the drain region 35A.例文帳に追加

半導体層３０Ａは、チャネル領域３３Ａとソース領域３４Ａとの間に形成された第１低濃度領域３１Ａ、および、チャネル領域３３Ａとドレイン領域３５Ａとの間に形成された第２低濃度領域３２Ａとを有する。 - 特許庁

When the potential of the gate electrode 32 relative to the source electrode 34 exceeds the specified positive voltage value, channel regions are formed in the first quantum well layers 16-1, 16-2 and second quantum well layers 26-1, 26-2.例文帳に追加

また、ソース電極３４の電位を基準とした前記ゲート電極３２の電位が前記所定の正の電圧値を超えるとき、第一量子井戸層１６−１、１６ー２内及び第二量子井戸層２６−１、２６ー２内にチャネル領域が形成される。 - 特許庁

To provide a combination pump using a driving source for only rotations of a driving shaft and having a second discharge port capable of selectively discharging fluid in addition to a first discharge port discharging the fluid following rotations of the driving shaft.例文帳に追加

駆動軸の回転のみの駆動源を用い、駆動軸の回転に伴って流体を吐出する第１の吐出口のほかに、選択的に流体を吐出することが可能な第２の吐出口を有する複合ポンプを提供することにある。 - 特許庁

Further, the NMOS and the PMOS, whose gate electrodes 10n, 10p are constituted of the conductive type silicon film, same as the conductive type semiconductor region for the source drain, are formed in a second circumferential circuit unit which requires high-speed operation.例文帳に追加

また、高速動作が要求される第２の周辺回路部には、ゲート電極１０ｎ，１０ｐがソース・ドレイン用の半導体領域の導電型と同一の導電型のシリコン膜で構成されたＮＭＯＳ，ＰＭＯＳを形成するものである。 - 特許庁

Since a dilution gas source 19 is connected with the second opening 37 of the susceptor 13 via a line 55, dilution gas G_D can be added via the hole 39 and the first opening 33 into the material gas G_M flowing on the susceptor 13.例文帳に追加

希釈ガスソース１９は、ライン５５を介してサセプタ１３の第２の開口３７に接続されているので、サセプタ１３上を流れる原料ガスＧ_Ｍに孔３９および第１の開口３３を介して希釈ガスＧ_Ｄを加えることができる。 - 特許庁

Consequently, the leak current in the off state which is caused between the second source/drain region 102b and the signal wiring 202 during reverse driving with a high potential HIGH is equalized to that during reverse driving with a low potential LOW.例文帳に追加

これにより、反転駆動する際に第２のソース・ドレイン領域１０２ｂと信号配線２０２とにおいて生ずるオフ時のリーク電流を、高電位ＨＩＧＨでの駆動の場合と低電位ＬＯＷでの駆動の場合とのそれぞれにおいて等しくする。 - 特許庁

Since the front-end metal film accumulates heat by the laser irradiation in the second annealing, heat is supplied to the transistor layer also from the front-end in addition to the laser irradiation, thereby enhancing the silicide reaction efficiency of the source/drain regions.例文帳に追加

第２アニールにおいて下地金属膜がレーザー照射による熱を蓄積するので、半導体層にはレーザー照射に加え、下地金属膜からも熱供給が行われ、ソース・ドレイン領域のシリサイド化反応の効率を高めることができる。 - 特許庁

The panel 2A is provided with a DC power source 40 for allowing the organic light-emitting layer 13 to illuminate by supplying power between a plurality of electrodes 121 in the first electrode layer 12 and a plurality of electrodes 141 in the second electrode layer 14.例文帳に追加

そして、第１電極層１２における複数の電極１２１と第２電極層１４における複数の電極１４１との間に電力を供給することにより、有機発光層１３を発光させる直流電源４０を備えた。 - 特許庁