「Second source」に関連した英語例文の一覧と使い方(123ページ目) - Weblio英語例文検索

A scanning line GW1 and first routing wiring RD1 which are made of a gate material are connected by a conductive material 17 causing a contact resistance via a contact part CT, whereby a length of the scanning line GW1 is equalized to that of a scanning line GW3 bridge-connected to second routing wiring RU1 made of a source material, by a conductive material 14 via contact holes 12 and 13.例文帳に追加

ゲート材料で形成された走査線ＧＷ１と第１引き回し配線ＲＤ１とを、コンタクト部ＣＴを介して接触抵抗を生じさせる導電性材料１７により接続することで、走査線ＧＷ１の長さを、ソース材料で形成された第２引き回し配線ＲＵ１とコンタクトホール１２及び１３を介して導電性材料１４によってブリッジ接続された走査線ＧＷ３の長さを同一になるようにする。 - 特許庁

The semiconductor modulator element formed on a semiconductor substrate 1 having a diameter of 50 mm and a warp of 10 μm or more is composed of a field effect transistor having a dual gate structure having a semiconductor-made channel 2, a source electrode 3 and a drain electrode 4 ohmically contacted with the channel 2, and a first and second gate electrodes 5, 6 formed on the channel 2.例文帳に追加

５０ｍｍの直径を有し、１０μｍ以上の反りを有する半導体基板１の上に形成された半導体変調素子であって、半導体よりなるチャネル２と、チャネル２にオーミック接触するソース電極３およびドレイン電極４と、チャネル２上に形成された第１のゲート電極５および第２のゲート電極６とを有するデュアルゲート構造の電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする半導体変調素子を構成する。 - 特許庁

A frequency recovery system synchronizes a data stream received, contains a first timing signal generator which receives the data stream, extracts timing information included in the data stream, and is structured for outputting a first timing signal based on the extracted timing information; a clock source for providing a second timing signal; and a data module for receiving the data stream to output the data stream at a requested speed.例文帳に追加

本発明による受信されたデータストリームを同期するための周波数回復システムは、データストリームを受信し、データストリーム内に含まれるタイミング情報を抽出し、抽出されたタイミング情報に基づいて第１のタイミング信号を出力するために構成された第１のタイミング信号発生器、第２のタイミング信号を提供するためのクロックソース、および、データストリームを受信し、そのデータストリームを要望される速度にて出力するためのデータモジュールを含む。 - 特許庁

The fabrication method of the thin film transistor includes the steps of: forming a gate electrode with a first mask; forming an active pattern and a photoresist pattern with a second mask; ashing the photoresist pattern based on a predetermined width of an etch stopper; forming the etch stopper by patterning an insulating layer underlying the ashed photoresist pattern; and forming a source electrode and a drain electrode with a third mask.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、第１マスクでゲート電極を形成する段階と、第２マスクでアクティブパターンとフォトレジストパターンを形成する段階と、エッチストッパーの幅に対応する幅だけ前記フォトレジストパターンをアッシングする段階と、前記アッシングされたフォトレジストパターン下部の絶縁膜をパターニングしてエッチストッパーを形成する段階と、第３マスクでソース電極とドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The field-effect transistor includes a channel layer mainly containing InGaAs, a Schottky layer mainly containing AlGaAs, a stopper layer mainly containing InGaP, a cap layer including a first region and a second region arranged with a recess for exposing a surface of the Schottky layer formed therebetween, a source/drain electrode arranged on the cap layer, and a gate electrode arranged on the surface of the Schottky layer exposed by the recess.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓを主要な材料とするチャネル層と、ＡｌＧａＡｓを主要な材料とするショットキー層と、ＩｎＧａＰを主要な材料とするストッパ層と、ショットキー層の表面を露出するリセスを挟んで配置された第１領域と第２領域とを含むキャップ層と、キャップ層の上に設けられたソース／ドレイン電極と、リセスによって露出されたショットキー層の表面に設けられたゲート電極とを具備する電界効果トランジスタを構成する。 - 特許庁

A magnetizer for ring-shaped permanent magnet for an ignition trigger pulse generator for internal combustion engine comprising: a pole part with U-shaped section having first and second poles which contacts half of the periphery of circular magnet, thereof lines up in the direction of a shaft, magnetizing coil deployed on the surface of said pole part, and, a power source to provide the polarity and a given level of electric current selected by said coil. 例文帳に追加

環状の磁石材料の外周の半分に当接する軸方向に整列した第１及び第２の極を有するコの字形断面の極部材と、該極部材の内外面に沿って配置された磁化用コイルと、該コイルに選択された極性及び一定値の電流を供給するための電源装置とからなる、内燃機関のための点灯トリガパルス磁束発生器を形成する環状永久磁石部材の磁化装置。 - 特許庁

A control means 4 has a first illuminance changing means 7 for reducing the illuminance of the predetermined area 12 as a visual object irradiated by a light source 3 to a degree that a person 15 cannot recognize this and a second illuminance changing means 8 for changing the illuminance larger than the change by the first illuminance changing means 7, so that the person 15 can recognize this.例文帳に追加

制御手段４は、光源３により照射された視対象の所定領域１２の照度を人１５，…が認識できない程度に減少させる第１の照度変化手段７および減少された所定領域１２の照度に対して、人１５，…が認識できるように第１の照度変化手段７の変化よりも大きく照度を変化させる第２の照度変化手段８を有して点灯手段２の出力を変化させる。 - 特許庁

To provide a cordless power tool taking a lithium cell as a power source, putting the FET in the off state when the voltage of the lithium cell reaches a first predetermined value or less, and safely again rotating a motor when the cell voltage reaches a second predetermined value during the off state by inserting the TFT as a switching element in a current passage including the cell and the motor.例文帳に追加

本発明の課題は、リチウム電池を電源とするコードレス電動工具において、電池とモータを含む電流経路にスイッチング素子としてＦＥＴを挿入し、リチウム電池の電圧が第１の所定値以下になったときにＦＥＴをオフ状態にすると共に、オフ状態の間に再び電池電圧が第２の所定電圧に達した場合には、モータを安全に再度回転させるようにしたコードレス電動工具を提供することである。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a source region 4, channel region 8, and drain region 5, and a gate electrode 7 is formed on the channel region 8 while a drift region 22, which is at least shallow under the gate electrode 7 (first drift region 22A) but deep near the drain region 5 (second drift region 22B), is comprised between the channel region 6 and the drain region 5.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ソース領域４、チャネル領域８及びドレイン領域５を有し、更に前記チャネル領域８上にゲート電極７が形成されており、前記チャネル領域８及びドレイン領域５間に少なくとも前記ゲート電極７下では浅く（第１のドリフト領域２２Ａ）、かつ前記ドレイン領域５近傍では深く（第２のドリフト領域２２Ｂ）形成されたドリフト領域２２を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method icnludes: a first decomposition process decomposing bean curd refuse by cultivating Trichoderma or Clostridium with the bean curd refuse as a carbon source; a sterilization process sterilizing bean curd refuse decomposed matter produced by the first decomposition process; and a second decomposition process decomposing Trichoderma or Clostridium residing in sterilized matter by contacting the sterilized matter after the sterilization process with Lysobacter to cultivate the Lysobacter.例文帳に追加

おからを炭素源としてトリコデルマ（Trichoderma）またはクロストリジウム（Clostridium）を培養することで前記おからを分解する第１分解工程、前記第１分解工程で生じたおからの分解処理物を殺菌処理する殺菌工程、および前記殺菌工程後の殺菌処理物をリソバクター（Lysobacter）と接触させ、該リソバクター（Lysobacter）を培養することで、該殺菌処理物中に存在するトリコデルマ（Trichoderma）またはクロストリジウム（Clostridium）を分解する第２分解工程を有する。 - 特許庁

However, this article is not reliable as a historical source, and seems to have been inserted by an editor of Nihon Shoki later; since the period of Wei (220 - 265), Chinese people decided 'not to use joshi any more,' while Kenzo no ki (records of the era of the Emperor Kenzo) still used joshi, and moreover, in the ninen no jo (article of the second year of the Emperor Kenzo's reign) of Kenzo no ki, the family names based on the ranks of headdresses appeared, though these were the names used around the seventh century, and there was a gap in the official record until the eighth century. 例文帳に追加

しかし、魏(220年～265年)以降「3日を用いて上巳を用いず」としており、顕宗の記が依然として上巳を用いているほか、顕宗の記2年の条では喜び集まったの記載にある公卿以下といった冠職姓は7世紀ごろの呼称であり、公式の記録も8世紀まで飛んでいるため、この記事については日本書紀の編者が挿入したとみられ、史料としての信憑性は低い。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the nitrogen oxide decomposing apparatus, a nitrogen oxide sensor 14 is installed in the vicinity of the catalyst 6 supported on the porous metal oxide 5, and electric energy can be used efficiently to reduce the consumption of power by controlling the current flowing between the first and second electrode layers 3 and 4 and an energization time with a power source/control device 15 corresponding to the concentration of nitrogen oxide detected with the sensor 14.例文帳に追加

また、窒素酸化物センサ１４を金属酸化物５に担持された白金族触媒６の近傍に設置し、この窒素酸化物センサ１４により検知された窒素酸化物の濃度に対応して、電源・制御装置１５により第１、第２の電極層３、４間を流れる電流の大きさおよび通電時間を制御することにより、電気エネルギーを効率的に利用できる低消費電力の窒素酸化物分解装置が得られた。 - 特許庁

The semiconductor device comprises two first epitaxial growth layers 6 to be extended, which are formed on a semiconductor substrate 1 and contain conductive impurities; two second epitaxial growth layers 8 to be a source or a drain, which are formed on the first epitaxial growth layers 6; and a gate electrode 5 formed on the channel region of the semiconductor substrate 1 between the two first epitaxial growth layers 6 through a gate insulation film 4.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１上に形成され、導電性不純物を含み、エクステンションとなる２つの第１エピタキシャル成長層６と、第１エピタキシャル成長層６上に形成され、ソースあるいはドレインとなる２つの第２エピタキシャル成長層８と、２つの第１エピタキシャル成長層６の間における半導体基板１のチャネル領域上に、ゲート絶縁膜４を介して形成されたゲート電極５とを有する。 - 特許庁

This signal lamp for a vehicle is provided with a first reflective means 3 producing converging reflected light of the light from a bulb 2 and first light distributing means 4, 5 providing light distribution, second reflection means 6 capturing the light from the light source 2 uncaptured by the first reflection means 3 and a second light distribution means 7 producing proper light distribution.例文帳に追加

本発明により、バルブ２からの光に対し収束する反射光を生成する第一の反射手段３および配光特性を生成する第一の配光形成手段４、５と、前記光源３からの光の第一の反射手段３が捕捉しない部分の光を捕捉する第二の反射手段６および適宜の配光特性を生成する第二の配光形成手段７とが設けられた車両用信号灯具１としたことで、従来は第一の反射手段のみが設けられ、この第一の反射手段に捕捉されない光は全て無効となっていたのを、本発明により設けた第二の反射手段で回収し効率を向上させると共に外観も斬新なものとして課題を解決する。 - 特許庁

Both ends of the second circulating line are respectively connected to the ground site of the converter and the ground site of a power source of the converter, and an influence of a high-frequency noise due to the common mode current is suppressed.例文帳に追加

電力変換装置の出力電力線と第１のコモンモード電流還流線、及び、入力電力線と第２のコモンモード電流還流線とを、それぞれ同一の磁気コアに巻回し、第１のコモンモード電流還流線の両端を前記電力変換装置の接地部位と負荷の接地部位とに接続し、第２のコモンモード電流還流線の両端を前記電力変換装置の接地部位と前記電力変換装置の電源の接地部位とに接続してコモンモード電流による高周波ノイズの影響を抑制する。 - 特許庁

The lighting system for the microscope includes, at least one light source and a reflector for providing diffused lighting, and the reflector at least partially surrounds an observation beam path between a microscope objective mirror and an object to be observed; and the reflector, at least partially has elasticity and can be reversibly deformed from at least a first spatial form to at least a second spatial form.例文帳に追加

少なくとも一つの光源と、拡散照明をもたらすためのリフレクターとを備えて構成され、前記リフレクターが少なくとも部分的に、顕微鏡対物鏡と観察されるべき対象物との間の観察ビーム路を取り囲んでいる、顕微鏡用照明装置において、リフレクターは少なくとも部分的に弾性があって、且つ少なくとも第一空間的形態から少なくとも第二空間的形態へ可逆的に変形可能である、照明装置によって解決される。 - 特許庁

The resistance switch element includes a lower electrode, a dielectric film formed on the lower electrode, an upper electrode formed on the dielectric film, and a set voltage source that changes the state of the dielectric film from a first resistance state to a second resistance state of higher resistance by applying a set voltage between the lower electrode and the upper electrode, wherein the dielectric film is formed of a perovskite film which is not doped or doped with a deep impurity.例文帳に追加

抵抗スイッチ素子は、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に、セット電圧を印加することにより、前記誘電体膜の状態を第１の抵抗状態から、より高抵抗の第２の抵抗状態に遷移させるセット電圧源と、を含み、前記誘電体膜は、非ドープまたは深い不純物でドープされたペロブスカイト膜より構成される。 - 特許庁

The liquid crystal driving device includes: first and second ladder resistors which generate a plurality of levels of reference voltages for positive polarity and negative polarity from an input power source voltage; voltage follower circuits for positive polarity and negative polarity for stabilizing the reference voltages; switches for selecting the reference voltages for positive polarity and negative polarity according to an alternation signal input from the outside; and a third ladder resistor which generates the gradation voltage from the selected reference voltage.例文帳に追加

前記液晶駆動装置は、入力される電源電圧から複数レベルの正極性用と負極性用の基準電圧を生成する第１と第２のラダー抵抗と、該基準電圧を安定化する正極性用と負極性用のボルテージフォロア回路と、該正極性用と負極性用の基準電圧を外部から入力される交流化信号に応じて選択するスイッチと、選択された該基準電圧から前記階調電圧を生成する第３のラダー抵抗を含む。 - 特許庁

The switching power source circuit 1 comprises first and second overcurrent detecting circuits 21, 23 having different detecting levels to detect the overcurrent for lowering an oscillation frequency of an oscillator 13 to a value lower than at a normal control time by an overcurrent time oscillation frequency changing circuit 25, by determining the overcurrent by both the circuits 21 and 23, an RS flip-flop 22 for limiting a conducting time of a switching transistor Tr1.例文帳に追加

スイッチング電源回路１には、過電流を検出する検出レベルの互いに異なる第１および第２過電流検出回路２１・２３が設けられており、スイッチング電流の傾きが大きいときは、両過電流検出回路２１・２３が過電流と判断して、過電流時発振周波数変更回路２５が発振器１３の発振周波数を通常制御時よりも低下させると共に、ＲＳフリップフロップ２２は、スイッチングトランジスタＴｒ１の導通時間を制限する。 - 特許庁

In the semiconductor device, the gate electrode is formed using the first conductive layer, the gate wiring is formed using the first conductive layer and the second conductive layer, the source electrode is formed using the third conductive layer, and the source wiring is formed using the third conductive layer and the fourth conductive layer.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層との順で積層されたゲート電極を含むゲート配線と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層との順で積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 - 特許庁

The connection means has a first connection part for connecting electrically the power source means to one end of the wiring, and a second connection part for connecting electrically the other end of the wiring to the determination means.例文帳に追加

基板を載置するための載置面を有する載置台と、検査対象となる配線の検査を実施するための検査信号を発生させる電源手段と、検査対象となる配線から検出される検出信号を基に、配線の検査を実施する判定手段と、電源手段からの検査信号を配線に伝達するとともに配線からの検出信号を判定手段に伝達し、載置面の表面に配置される接続手段と、その接続手段は、電源手段と配線の一端とを電気的に接続する第一接続部と、配線の他端と判定手段とを電気的に接続する第二接続部を有することを特徴とする。 - 特許庁

The image reading apparatus comprises: a first unit 1 on which the original 5 is placed; and a second unit 2 wherein an image read section 8 provided with a light source section 6 for emitting light to the original 5, and a light receiving section 7 for converting a reflected light from the original 5 into an electric signal is opposed to the first unit 1.例文帳に追加

原稿５を設置する第一ユニット１と、原稿５へ光を照射する光源部６と原稿５からの反射光を電気信号に変換する受光部７とを備えた画像読み取り部８を第一ユニット１に対向して配置した第二ユニット２からなる画像読み取り装置とし、原稿５の読み取り面を第一ユニット１側に向けて裏返す必要がなく、そのまま第一ユニット１上に原稿５の読み取り面が見えるように設置することで、この第一ユニット１に対向して配置した第二ユニット２の画像読み取り部８により読み取りを行うことができる。 - 特許庁

The object can be realized by using the electronic device and connecting a power supply device with natural-power-source conversion carried out to at least one of the first input terminal or the second input terminal.例文帳に追加

２つの入力端子を備え、第１の入力端子に接続される第１の電源回路と、第２の出力端子２１に接続される第２の電源回路と、負荷に接続される検出部と、前記第１の電源回路と検出部の接続状態と、前記第２の電源回路と検出部との接続状態を変化させる切換部と、検出部の検出結果に基づいて切換部の接続状態を変化させる制御部を備えた電源部を有することを特徴とする電子装置を使用し、第１の入力端子または第２の入力端子の少なくとも一方に自然エネルギー変換した電源装置を接続することで、実現できる。 - 特許庁

The light from the light source is first extended by the first reflecting portion in the horizontal direction to the optical axis and is then directed in the illumination direction by the second reflecting portion.例文帳に追加

本発明により、光源２と、該光源２を焦点とし中心軸を自動販売機の押しボタンスイッチの照射軸と交差する方向として設けられた放物反射面の第一反射部３と、第一反射部３の反射方向にこの第一反射部からの光を照射軸と平行方向に反射する第二半射面４とから成る発光ユニット５を備える自動販売機の押しボタンスイッチ１としたことで、光源からの光を第一反射部により、一旦光軸に対して水平方向に拡げ、これを第二反射部により照射方向に向かわせるものとしたことで、発光ユニットを発光面積の設定を自在とし、光源の数を適正化して課題を解決する。 - 特許庁