「Si doping」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A p-type impurity doping region 11a is formed to an n-type silicon (Si) board 11.例文帳に追加

ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板１１に、ｐ型不純物ドープ領域１１ａが形成されている。 - 特許庁

An n-type Si buffer layer 6 is formed by doping phosphorus fixedly in nonselective epitaxial growth.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉバッファ層６は非選択エピタキシャル成長時にリンを一定にドーピングすることによって形成される。 - 特許庁

The high resistance layer 10 is formed as, for example, a thin CrNi layer, a doping Si layer, an a-C : H layer, or a Ti implantation part.例文帳に追加

高抵抗層は、例えば、薄ＣｒＮｉ層、ドーピングＳｉ層、ａ−Ｃ：Ｈ層又はＴｉインプランテーション部である。 - 特許庁

The Si substrate can be used as a bottom electrode, when the electric conductivity is improved by doping the metal sulfide with tin.例文帳に追加

金属硫化物に錫をドープして導電性を向上させれば、Ｓｉ基板を下部電極とすることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent HSG-Si (hemispherical grained silicon nuclei) from being depleted by the doping of an impurity and, at the same time, can suppress the scale-down of the HSG-Si.例文帳に追加

不純物ドーピングによりＨＳＧ−Ｓｉの空乏化を防ぐとともに、ＨＳＧ−Ｓｉの縮小化を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of crystallizing the amorphous Si film 22 includes doping the amorphous Si film 22 formed on a substrate 20 with predetermined metal ions, and annealing the amorphous Si film 22 doped with the metal ions, to crystallize the amorphous Si film 22.例文帳に追加

基板２０上に形成された非晶質シリコン層２２に所定の金属イオンをドーピングする段階と、金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層２２をアニーリングして非晶質シリコン層２２を結晶化する段階と、を有する非晶質シリコン層２２の結晶化方法である。 - 特許庁

To realize an ideal impurity concentration profile by a method using a laser irradiation at the time of the treatment of a doping of an Si wafer with Si chips and activation and to provide a technique to form electrodes on the rear of the Si chip.例文帳に追加

Ｓｉチップが形成されたＳｉウエハへの不純物のドーピングと活性化の処理の際に、レーザ照射による方法で理想的な不純物濃度プロファイルを実現し、Ｓｉチップの裏面に電極を形成する技術を提供すること。 - 特許庁

The occurrence of particles caused by electric field concentration during sputtering is suppressed by raising the electric conductivity of an Si target used at the time of forming the EUV-ray reflecting multilayer film by sputtering by doping the film with doping elements by appropriately controlling the kinds and amounts of the doping elements.例文帳に追加

ＥＵＶ光反射多層膜のスパッタリングによる成膜に用いられるＳｉターゲットへ、ドープ元素の種類とドープ量を適宜に制御したドープ元素をドープし、ターゲットの導電率を上げることにより、スパッタ中の電界集中に起因するパーティクルの発生を抑制した。 - 特許庁

Electron concentration that is supplied from the electron supply layer 23 is Si doping concentration and layer thickness where a sheet concentration of 1×1012 cm-2 is achieved.例文帳に追加

電子供給層２３から供給する電子濃度はシート濃度にして１×１０^12ｃｍ^-2になるようなＳｉドーピング濃度と層厚である。 - 特許庁

The emitter base lamination part 20 has an SiGeC spacer layer 21, an SiGeC intrinsic base layer 22 comprising high concentration boron, an Si cap layer 23 and an emitter layer 25 formed by doping the Si cap layer 23 with phosphorous.例文帳に追加

エミッタ・ベース積層部２０は、ＳｉＧｅＣスペーサ層２１と、高濃度のボロンを含むＳｉＧｅＣ真性ベース層２２と、Ｓｉキャップ層２３と、Ｓｉキャップ層２３内にリンをドープしてなるエミッタ層２５とを有している。 - 特許庁

The method of doping the SiC includes a step of forming an Si film containing a dopant on at least part of the surface of the SiC, and a step of subjecting the SiC and the Si film to heat treatment in a state where the Si film is formed on the SiC.例文帳に追加

ドーパントを含むＳｉ膜をＳｉＣの表面の少なくとも一部に形成する工程と、Ｓｉ膜をＳｉＣに形成した状態でＳｉＣおよびＳｉ膜を熱処理する工程と、を含む、ＳｉＣへのドーピング方法とその方法を用いたＳｉＣ半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To enhance productivity when boron doping is performed in a vertical furnace and to lessen damage onto an Si substrate by making thermal diffusion of boron uniform.例文帳に追加

縦型炉にてボロンドープを行う場合、生産性を向上させ、さらにボロンの熱拡散を均一することでＳｉ基板へのダメージを軽減することを可能とする。 - 特許庁

The SiLix film may be formed by doping an Si film formed on metal foil with Li or may be formed directly on current collector metal foil by sputtering an Si-Li alloy target.例文帳に追加

前記ＳｉＬｉｘ膜としては、金属箔上に形成したＳｉ膜にＬｉをドープしたものを使用することができるし、集電体金属箔上にＳｉ−Ｌｉ合金ターゲットのスパッタリングで直接形成したものを使用することができる。 - 特許庁

To reduce damage to an Si substrate by uniforming thermal diffusion of boron during boron doping in a vertical furnace and to realize formation of an insulating film with high insulation withstand pressure on a surface of the Si substrate, when an ink-jet head is formed with use of anisotropic etching and a high-density boron etching stop to the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板の異方性エッチングおよび高濃度ボロンエッチングストップを利用して形成されるインクジェットヘッドにおいて、縦型炉にてボロンドープを行う場合、ボロンの熱拡散を均一することでＳｉ基板へのダメージを軽減し、Ｓｉ基板表面に高絶縁耐圧の絶縁膜を形成することを可能とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which neither individually requires a stage for doping to a poly-Si layer nor causes gate dielectric strength or life to become lower or shorter.例文帳に追加

Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層へのドーピングのための工程を独自に必要とすることなく、ゲート絶縁耐圧および寿命の低下を引き起こさない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The stress receiving layer includes silicon (Si), the stress inducing layer includes silicon-germanium (SiGe), and the material includes carbon given by doping both layers during the period of the formation of the device.例文帳に追加

応力受容層はシリコン（Ｓｉ）であり、応力誘発層はシリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）であり、材料は、デバイスを形成する間に両層をドープすることによって与えられるカーボンである。 - 特許庁

A method of manufacturing the gallium nitride compound semiconductor substrate comprises growing of a first gallium nitride chemical semiconductor layer having the Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or higher, and growing a second gallium nitride compound semiconductor layer, which is undoped or has a Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or lower, on the first gallium nitride compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体基板の成長方法であって、Ｓｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以上である第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第１の窒化ガリウム系化合物半導体層上に積層されたノンドープ、又はＳｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以下である第２の窒化ガリウム系化合物半導体層とを備える。 - 特許庁

When electrodes are formed on the rear of an Si chip formed on an Si wafer 1, a doping of dopants 27 and 27a to 27c to the chip 1 and an activation of these dopants 27 and 27a to 27c are performed by a heating using each heating means in the same high-vacuum chambers 11 and 11a.例文帳に追加

Ｓｉウエハ１に形成されたＳｉチップの裏面に電極を形成するに際し、Ｓｉチップ１への不純物２７、２７ａ〜２７ｃのドーピングと、このドーピングされた不純物２７、２７ａ〜２７ｃを活性化は同一の高真空チャンバ１１、１１ａ内で加熱手段による加熱によりおこなう。 - 特許庁

The emitter base lamination part 20 has an SiGeC spacer layer 21, an SiGeC intrinsic base layer 22 comprising high concentration boron, an SiGe cap layer 23, an Si cap layer 24 and an emitter layer 25 formed by doping the Si cap layer 24 and the SiGe cap layer 23 with phosphorous.例文帳に追加

エミッタ・ベース積層部２０は、ＳｉＧｅＣスペーサ層２１と、高濃度のボロンを含むＳｉＧｅＣ真性ベース層２２と、ＳｉＧｅキャップ層２３と、Ｓｉキャップ層２４と、Ｓｉキャップ層２４及びＳｉＧｅキャップ層２３内にリンをドープしてなるエミッタ層２５とを有している。 - 特許庁

The layer 14 is constituted in a superlattice structure by alternately laminating GaN and AlGaN upon another, and the luminous efficiency of the light emitting element is improved by doping the GaN with Si and In and AlGaN with In.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＮ系層１４はＧａＮとＡｌＧａＮを交互に積層した超格子構造とし、ＧａＮにＳｉとＩｎをドープし、ＡｌＧａＮにＩｎをドープして発光効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device having a band gap structure for efficiently accelerating production of a carrier by suppressing an amount of doping impurity such as Si.例文帳に追加

Ｓｉ等の不純物をドープする量を抑えるとともに、効率よくキャリアの発生を促すことができるバンドギャップ構造を有する窒化物半導体発光素子を提案することを目的とする。 - 特許庁

To realize a high speed and low consumption power CMOS device by forming a lattice strain-relaxed SiGe thin film suitable for manufacturing a strained Si-CMOS on an insulation film without doping impurities.例文帳に追加

不純物のドープを行うことなく、歪みＳｉ−ＣＭＯＳの製造に適した絶縁膜上の格子緩和ＳｉＧｅ薄膜を形成することができ、高速，低消費電力のＣＭＯＳデバイスの実現に寄与する。 - 特許庁

The grain-oriented electromagnetic steel sheet includes the electrically insulating coating made of an amorphous carbon-hydrogen network containing at least one of doping elements Si, O, N, B or F in a range from 1 to 20 atomic percent.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｂ又はＦの少なくとも1種のドープ元素を絶縁被覆中に１〜２０原子パーセントの範囲で含む非晶質の炭素−水素ネットワーク製の電気的絶縁被覆を含む方向性電磁鋼板とする。 - 特許庁

A gate electrode, a common electrode, a pixel electrode and a contact pad are formed by using a half-tone exposure technique and a nitrogen ion doping technique and, thereafter, an a-si island and a contact hole are formed by using the half-tone exposure technique.例文帳に追加

Ｇａｔｅ電極と共通電極と画素電極とコンタクトパッドをハーフトーン露光技術と窒素イオンドーピング技術を用いて形成した後ａ−ｓｉ ｉｓｌａｎｄとコンタクトホールをハーフトーン露光技術を用いて形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductors that can improve the uniformity of B concentration in B doping of an epitaxial growth film or the like of a Si film or a SiGe film, using a vertical or a horizontal type reduced pressure CVD system.例文帳に追加

縦型または横型減圧ＣＶＤ装置を用いたＳｉ膜またはＳｉＧｅ膜のエピタキシャル成長膜等のＢのドーピングにおいて、Ｂ濃度均一性を向上することができる半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor layer, by which the doping concentration of Si as a dopant element in a crystal of a group III nitride semiconductor is optimized easily, film is formed efficiently by using a sputtering method, and the high activation rate of Si being the dopant element is attained, and to provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A growth method of a group III nitride crystal 11 includes a step of cleaning the interior of a reaction chamber 110 by introducing a HCl gas 1 into the reaction chamber 110 and a step of vapor-depositing the group III nitride crystal 11 while doping a Si atom in the cleaned reaction chamber 110.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶１１の成長方法は、反応室１１０にＨＣｌガス１を導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０内でＳｉ原子をドーピングしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。 - 特許庁

Those optical circuits are composed of a semiconductor waveguide (for example, silicon Si, indium phosphate InP, gallium arsenide GaAs, etc.), and defect increasing processing by impurity doping, low-temperature growth, ion implantation, etc., is performed on the first arm waveguide 103 to increase the absorption coefficient of the first arm waveguide 103.例文帳に追加

これらの光回路を半導体導波路（例えばシリコンＳｉ、リン化インジウムＩｎＰ、ヒ素化ガリウムＧａＡｓ等）で構成し、第１アーム導波路１０３に不純物ドーピング、低温成長やイオン注入等による欠陥増大を行うことによって第１アーム導波路１０３における吸収係数を高める。 - 特許庁

A vibrator 3 for vibration generator is composed of a sintered alloy obtained by applying compaction and sintering to a tungsten-base alloy powder prepared by doping a tungsten powder with at least one element selected from aluminum(Al), silicon(Si), potassium(K), nickel(Ni), iron(Fe), cobalt(Co), rhenium(Re), thorium(Th), niobium(Nb), and yttrium(Y).例文帳に追加

タングステン粉末にアルミニウム（Ａｌ），けい素（Ｓｉ），カリウム（Ｋ），ニッケル（Ｎｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），レニウム（Ｒｅ），トリウム（Ｔｈ），ニオブ（Ｎｂ）およびイットリウム（Ｙ）から選択される少なくとも１種の元素をドープしたタングステン基合金粉末を成形・焼結した焼結合金から成ることを特徴とする振動発生機用振動子である。 - 特許庁

To provide a light emitting element which is sufficiently reducible in element series resistance on a sticking interface and can improve its switching response even when a sticking surface side of a light emission layer part and a transparent conductive semiconductor substrate become (n) types and an InGaP intermediate layer formed on the sticking surface side is made into an (n) type through Si doping.例文帳に追加

発光層部と透明導電性半導体基板との貼り合せ面側がｎ型となり、貼り合せ面側に形成するＩｎＧａＰ中間層がＳｉドーピングによりｎ型とされる場合においても、貼り合せ界面における素子直列抵抗を十分に低減でき、またそのスイッチング応答性も図ることができる発光素子を提供する。 - 特許庁