「Side etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

Impurities are introduced into the exposed surface of the gate electrode 102 by employing a side wall 103, processed through over etching, as a mask and pouring conductive impurities, same as the source/drain, into the surface of a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

オーバーエッチングされたサイドウォール１０３をマスクとし、ソース／ドレインと同一導電型の不純物を半導体基板１０１の表面に対して斜めに注入し、ゲート電極１０２の露出面に不純物を導入する。 - 特許庁

The gate insulating film comprises a first gate insulating film 30 as a lower layer and a second gate insulating film 32 as an upper layer having a higher etching rate than that of the first gate insulating film in order from the ground side.例文帳に追加

このゲート絶縁膜は、下地側から下層の第１ゲート絶縁膜３０と第１ゲート絶縁膜のエッチングレートより大なるエッチングレートを有する上層の第２ゲート絶縁膜３２から成る窒化シリコン膜である。 - 特許庁

Plasma etching is performed while using an upper resist layer 104 as a mask, so that an opening having a tapered side wall surface and a dimension smaller than that of an opening of the upper resist layer 104 is formed on an intermediate layer 103.例文帳に追加

上層レジスト層１０４をマスクとして、プラズマエッチングを行い、中間層１０３に、側壁面がテーパー状で、上層レジスト層１０４の開口部の寸法より小さい寸法の開口部を形成する。 - 特許庁

This is a method of forming a solar cell substrate performing ultrasonic cleaning after coarsening one main surface side of a solar cell substrate by a dry etching method, and the ultrasonic cleaning is performed by horn type ultrasonic cleaning equipment.例文帳に追加

太陽電池基板の一主面側をドライエッチング法で粗面状にした後に超音波洗浄する太陽電池基板の形成方法であって、上記超音波洗浄をホーン型超音波洗浄装置で行う。 - 特許庁

To less expensively provide a wiring board which makes density higher by utilizing the conventional double side exposing technology and the selective etching technology to form the wiring board by using a four layer laminated foils with barrier layers.例文帳に追加

バリア層を有する四層積層箔を用いて、既存の両面露光技術及び選択エッチング技術を利用し配線板を形成することで、高密度化に対応できる配線板をより安価に提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which corners which are boundaries between side faces and a bottom face of concave portions can be rounded by carrying out isotropic dry etching after forming the concave portions such as trenches in a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、半導体層にトレンチ等の凹部を形成した後に、等方性ドライエッチングをおこなうことにより、凹部の側面と底面との境界となる角部を丸めること。 - 特許庁

The lead frame 10 is obtained by forming the Ni-plated layers of the same thickness at both sides of a metal substrate 11 and then performing the etching treatment of the Ni-plated layer only at the mounting side of the semiconductor element 6.例文帳に追加

かかるリードフレーム１０は、金属製基材１１の表裏面に同じ厚さのＮｉめっき層を形成し、半導体素子６の搭載面側のみのＮｉめっき層をエッチング処理することによって得られる。 - 特許庁

An underfill resin seal 7 is interposed in a gap between the semiconductor device and the stiffener, and angular cutting or half etching is applied to at least one of upper and lower corner parts on the side of the stiffener which faces the semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子とスティフナとの間隙にアンダーフィル樹脂封止体７が介在され、半導体素子と対向するスティフナの側面の上下の角部の少なくとも一方が角切り又はハーフエッチングされている。 - 特許庁

Therefore, the side faces of the gate groove 9 become smooth, so that the ON-state resistance of the power MOSFET can be reduced, and furthermore a round etching process can be dispensed with, whereby the manufacturing TAT of the power MOSFET can be shortened.例文帳に追加

従って、ゲート溝９の側面が滑らかとなることからオン抵抗は低減し、さらにラウンドエッチング工程が削除できることからパワーＭＯＳＦＥＴの製造ＴＡＴを短縮することができる。 - 特許庁

To solve the problem of the characteristics of a thin-film transistor becoming ununiform, because the amount of regression due to the side-etch varies when a Mo-W alloy film which is to become the gate of the thin-film transistor is processed with wet-etching method which ensures superior productivity.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲートとなるＭｏ−Ｗ合金膜を、生産性に優れるウェットエッチ法により加工すると、サイドエッチによる後退量が変動するため、薄膜トランジスタの特性が不均一になる。 - 特許庁

To provide an excellent photosensitive resin laminate having highly excellent resolution and adhesion of a photosensitive resin layer, ensuring little bumpiness of the side walls of a resist pattern and free of chipping, breaking and short in etching and plating.例文帳に追加

感光性樹脂層の解像度及び密着性が高度に優れ、さらにレジストパターンのサイドウォールのがたつきが少なく、エッチングやめっきで欠け、断線、ショートのない優れた感光性樹脂積層体を提供すること。 - 特許庁

The etching is performed in such a manner that a gaseous mixture of Ar, Cr_4 and O_2 in which the mixing ratio of Ar is ≥70% is introduced into the chamber under a gaseous pressure of ≤26 Pa, and the side face temperature of the work is held at 50 to 250°C.例文帳に追加

チャンバー内にはＡｒ混合比７０％以上のＡｒ，ＣＦ_４，Ｏ_２の混合ガスをガス圧２６Ｐａ以下で導入し、被加工物の側面温度を５０℃以上２５０℃以下に保ってエッチングを行う。 - 特許庁

A first groove 15 and a second groove 16 are formed on the cathode portion 12 side of the resist layer 2 in the electrode foil 1 by removing or compressing the etching layer 13, and a resist material is injected into the second groove 16.例文帳に追加

電極箔１には、レジスト層２の陰極部１２側にエッチング層を除去または圧縮して形成した第一の溝１５と、第二の溝１６を形成しておき、レジスト材を第二の溝１６に注入する。 - 特許庁

An etching mask 21 having an opening part 22 formed in the area to form the ink supply port is formed on the rear side of the silicon substrate 10, and an unthrough-hole 25 of a prescribed depth is formed inside the opening part 22.例文帳に追加

シリコン基板１０の裏面においてインク供給口が開口される領域に開口部２２を有するエッチングマスク２１を形成し、開口部２２の内側に、所定の深さの未貫通孔２５を形成する。 - 特許庁

To provide a stripper/cleaner with which slightly removable deposit on an wiring upper surface is removed well without excessively etching a metal layer forming the side wall and the wiring upper surface of a metal wiring pattern.例文帳に追加

金属配線パターンの側壁や配線上面を形成する金属層を過剰エッチングすることなく、配線上面の難剥離性堆積物を良好に剥離することができる剥離洗浄液を提供する。 - 特許庁

Next, an etching by photolithography is carried out, thereby forming an optical waveguide 30 and cut surfaces 41, 42, 43 approximately perpendicular to the surface 11 of the substrate, from the surface 31 of the optical waveguide 30 on the side opposite to the substrate 1.例文帳に追加

次に、フォトリソグラフィによりエッチングして、光導波路３０と、光導波路３０の基板１とは反対側の表面３１から基板面１１に向かって略垂直に切断面４１、４２、４３を形成する。 - 特許庁

The rim of the wafer W can be inserted into grooves 4 and 5 that are formed on lateral sides of the etching members 2 and 3 on the side of the wafer W and extends horizontally along the surface of the wafer W.例文帳に追加

エッチング処理部材２，３のウエハＷ側の側面には、ウエハＷの表面に沿う水平方向に延びる溝４，５が形成されており、ウエハＷの周縁部は溝４，５内に挿入できるようになっている。 - 特許庁

Then, patterning is applied to the first conductive silicon film 30 with dry etching based on a resist mask R1 to form a horizontal CCD-CCD transfer electrode 12 having an inclined side face 12a (Fig.2(b)).例文帳に追加

次いで、第１の導電性シリコン膜３０をレジストマスクＲ１に基づいたドライエッチングによりパターニングすることにより、傾斜した側面１２ａを有する水平ＣＣＤ間転送電極１２を形成する（図２（ｂ））。 - 特許庁

An insulating film 5 and a semiconductor substrate 1 are selectively removed by anisotropic etching where a resist layer is used as a mask, and a groove 8 is formed with a side wall substantially perpendicular to the principal surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

レジスト層をマスクとした異方性エッチングで絶縁膜５及び半導体基板１を選択的に除去し、半導体基板１の主面に対して実質的に垂直な側壁を有する溝８を形成する。 - 特許庁

Since the dielectric body consisting of ceramic having plasma resistance is installed between the cathode and the anode, the organic substance sputtered by the RIE (Reactive Ion Etching) is prevented from being stuck on the anode side.例文帳に追加

カソードとアノード間にプラズマ耐性を有したセラミックなどからなる誘電体が設置されていることで、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によりスパッタされた有機物がアノード側に付着することを防ぐことができる。 - 特許庁

By etching the polysilicon layer 12, a storage node electrode is formed of the polysilicon layer 12 remaining on the bottom face and side face of a recess 15 for forming an electrode and in the hold 8A.例文帳に追加

そして、ポリシリコン層１２に対するエッチング処理を施すことにより、電極形成用溝１５内の底面及び側面上並びにホール８Ａ内に残存したポリシリコン層１２からなるストレージノード電極を形成する。 - 特許庁

To solve the problem of the method for fabricating a piezoelectric device element by etching, through the use of a solution that the contour and the side face thereof are susceptible to variation due to crystal anisotropy and thereby the characteristics are unstable and the design is made difficult.例文帳に追加

溶液を使用するエッチングにより圧電デバイス素子を製造するのに結晶の異方性により輪郭及び輪郭側面の形状がばらつきを生じやすく、特性が不安定で設計が困難である。 - 特許庁

To prevent roughening on the surface or side walls of land/groove tracks, protrusions at the groove ends and uneven distribution of the groove depth caused by the method of machining and manufacturing a stamper for a substrate having deep land and grooves by a conventional method of dry etching.例文帳に追加

従来のドライエッチングを用いた深溝ランドグルーブ基板用スタンパの加工製造方法で発生するランド／グルーブトラック表面や側壁部の荒れ、グルーブ端部の突起や溝深さの不均一性を改善する。 - 特許庁

To provide an etchant capable of etching a molybdenum-based conductive thin film formed on a substrate or a laminated conductive thin film in which molybdenum-based conductive thin films and aluminum-based conductive thin films are laminated to form side surfaces having favorable forward tapered shape effectively, and an etching method by using the etchant.例文帳に追加

基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then the organic anti-reflection film 8 is etched to form an embedded mask covering a recess part 7a of the silicon oxide film 7, and the silicon oxide film 7 is etched to expose the etching member to be etched which does not overlap the side wall core or the embedded mask, and the etching member to be etched is etched to obtain the pattern with a dimension of less than a resolution limit of lithography.例文帳に追加

次いで、有機反射防止膜８をエッチングすることによって、シリコン酸化膜７の凹部７ａを覆う埋込マスクを形成し、シリコン酸化膜７をエッチングすることにより、サイドウォールコアまたは埋込マスクと重ならない被エッチング部材を露出させ、被エッチング部材をエッチングすることでフォトリソグラフィー解像限界未満のパターンを得る。 - 特許庁

The respective base layers of the predetermined materials and the base substrate are arranged in increasing order of etching rate in the predetermined etching process from the base substrate side.例文帳に追加

前記型部は、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する所定の材質をベースとし、且つ、所定のエッチング工程におけるエッチングレートが異なる所定材質ベース層を、Ｎ層以下の層数で積層した構造のもので、前記各所定材質ベース層とベース基板とは、ベース基板側から順に所定のエッチング工程におけるエッチングレートが小さい。 - 特許庁

Then the width of the gate electrode is made narrower than that of the gate electrode cover by etching the side face of the gate electrode by isotropic etching.例文帳に追加

半導体基板上にゲート電極形成膜とゲート電極カバー膜とを成膜し、同ゲート電極カバー膜をパターンニングして形成したゲート電極カバーをマスクとして異方性エッチングによりゲート電極形成膜をエッチングしてゲート電極を形成した後、さらに、等方性エッチングによりゲート電極側面をエッチングして、ゲート電極をゲート電極カバーよりも細幅とする。 - 特許庁

An etching mask 6 having a dummy regions 44, 48 extending in a +X axis direction of a wafer W disposed in two positions corresponding to corners on the +X side of a quartz-crystal piece 10 when forming the quartz-crystal piece 10 are formed and etching of grooves 7 in the positions corresponding to the dummy regions 44, 48 in forming the quartz-crystal piece 10 is delayed.例文帳に追加

水晶片１０を形成するときに水晶片１０の＋Ｘ側の角部と対応する２つの位置に配設される、ウエハＷの＋Ｘ軸方向に向けて伸びるダミー領域４４、４８を有するエッチングマスク６を形成し、水晶片１０を形成するときにダミー領域４４、４８に対応する位置の溝部７のエッチングを遅らせる。 - 特許庁

A light emitting layer 3 formed of GaN (an n layer 31 and a p layer 32) is removed along a scheduled division line 21 formed on a sapphire substrate 2 by etching, and a laser beam LB is applied from a back surface side of the sapphire substrate 2 to form a modified layer 312 at a foot portion 311 of the n layer 31 which cannot be removed by the etching.例文帳に追加

ＧａＮ（ｎ層３１＋ｐ層３２）から成る発光層３を、サファイア基板２に形成された分割予定ライン２１に沿ってエッチング処理して除去し、サファイア基板２の裏面側からレーザービームＬＢを照射してエッチング処理で除去しきれなかったｎ層３１の裾野の部分３１１に改質層３１２を形成する。 - 特許庁

Then, a single crystal silicon substrate is etched by injecting an anisotropic etching liquid through the trench 9 for injecting the etching liquid, a cavity 7 where a side wall 7a is constituted by the face (111) whose width becomes narrower in upper and lower directions in a depthwise direction from the widest site is formed, and a through hole 8 and a penetration hole 9 are blocked by a sealing member 10.例文帳に追加

そして、エッチング液注入用トレンチ９を通した異方性エッチング液の注入により単結晶シリコン基板をエッチングして、側壁７ａを、最も広い部位から深さ方向において上下方向に向かうほど幅が狭くなる（１１１）面にて構成した空洞７を形成し、透孔８及び貫通孔９を封止部材１０で塞ぐ。 - 特許庁

An etching processing device 20 for etching an object in an evacuated atmosphere comprises a processing bath 21, where a carried-in semiconductor wafer W is etched, and a vacuum pump 30, which provided on the lower side of a susceptor 22 of the processing bath 21 while being coaxial with the processing bath 21, sucks the exhaust of the processing bath 21 for evacuation.例文帳に追加

真空雰囲気で被処理体にエッチング処理を施すエッチング処理装置２０は、搬入された半導体ウエハＷにエッチング処理を施すための処理容器２１と、この処理容器２１のサセプタ２２の下方側に処理容器２１と同軸的に配置され、処理容器２１内の排気を吸引して真空引きするための真空ポンプ３０とを具備する。 - 特許庁

By selectively etching copper foil formed on a polyimide film 12 where a device hole 11 is opened, a dummy lead 17 is formed so that the tip side of the flying lead 16a projecting inside the device hole is surrounded, thus preventing an etcher from being supplied to the flying lead 16a concentrically at etching and preventing the flying lead 16a from being tapered.例文帳に追加

デバイスホール１１が開口するポリイミドフィルム１２の上に形成した銅箔を選択的エッチングして、デバイスホールの内部に突出するフライングリード１６ａの先端側を囲むようにダミーリード１７を形成することで、エッチングの際にフライングリード１６ａに集中的にエッチャーが供給されることを防止してフライングリード１６ａの先細りを防止する。 - 特許庁

The circuit board manufacturing method comprises a step of preparing a metal foil 3 with conductive protrusions 5 at least on one side, laminating two or more different insulation resin layers 8, 9 resistive to resin etchant on the one side of the metal foil with the lower resin etchant-resistive layer 8 contacted to the metal foil 3, and selectively etching by the resin etching method to expose the tops 7 of the conductive protrusions.例文帳に追加

少なくとも一方の面に導電性突起５が形成された金属箔３を用意し、前記金属箔の前記一方の面に樹脂エッチング液耐性の異なる２層以上の絶縁樹脂層８，９を、樹脂エッチング液耐性の低い層８が前記金属箔３に接するように積層し、樹脂エッチング工法により選択エッチングを施して前記導電性突起の頂部７を露出させる回路基板の製造方法、およびその回路基板。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a first step of forming a trench 5a on a semiconductor substrate 1 by anisotropic etching and a second step of making a corner 5 at the bottom of the trench 5 round after the first step, by isotropic etching under the condition which does not eliminate a reaction product 20 formed on the inner plane of the side wall of the trench 5 by the anisotropic etching.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、異方性エッチングを行うことにより半導体基板１上にトレンチ５を形成する第１の工程を備え、そして、この第１の工程の後、前記異方性エッチングにより前記トレンチ５の側壁の内面に形成された反応生成物２０を除去しない状態で、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチ５の底部のコーナー部５ａを丸める第２の工程を備えたところに特徴を有する。 - 特許庁

To provide a positive-type photoresist composition which is superior in acid resistance and adhesion to a substrate and capable of suppressing the side etching of a photoresist in the photoetching of various materials such as metal and metal oxide films.例文帳に追加

本発明は、耐酸性や基材との密着性に優れ、金属や金属酸化膜等の種々の素材のホトエッチング加工におけるホトレジストのサイドエッチ量を極力減らし得るポジ型ホトレジスト組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

The quantity δ of shifting between the masks is so set that 0<δ<2y, where (y) is the Z'-axial size of a burr formed on a side surface of an oscillation portion when wet etching is carried out with the upper and lower masks disposed at identical upper and lower positions.例文帳に追加

マスクのずらし量δは、上側及び下側マスクを同じ上下位置に配置してウエットエッチングしたときに振動部の側面に形成されるばりのＺ´軸方向の大きさをｙとして、０＜δ＜２ｙとなるように設定する。 - 特許庁

An electrothermal converting element 2 and a flow passage forming member 6 or the like are formed on a substrate material 11 comprising a silicon substrate, and the rear surface side of the substrate material 11 is thinned by wet etching to form a thin substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板からなる基板材料１１上に電気熱変換素子２、流路形成部材６等を形成し、基板材料１１の裏面側をウエットエッチングによって薄加工し、厚みの小さい基板１を形成する。 - 特許庁

The gas is plasma- discharged in a plasma generator 1, and first active starting gas is jetted from the nozzle part 20 to the side of the silicon wafer W, the nozzle part 20 is scanned by an X-Y driving mechanism 4, and a local etching process is performed.例文帳に追加

プラズマ発生器１でこのガスをプラズマ放電させて第１の活性種ガスをノズル部２０からシリコンウエハＷ側に噴射すると共に、Ｘ−Ｙ駆動機構４でノズル部２０を走査させて局部エッチング工程を行う。 - 特許庁

A wiring groove 5 is formed within the porous MSQ(2) with the plasma etching with an SiC mask 3 used as a mask, and a deposited film 7 is formed on the entire surface of the silicon substrate 1 including the side surface of the wiring groove 5 using the plasma of deposition gas.例文帳に追加

ＳｉＣマスク３をマスクとしたプラズマエッチングによりポーラスＭＳＱ（２）内に配線溝５を形成し、堆積性ガスのプラズマを用いて配線溝５の側面を含むシリコン基板１全面に堆積膜７を形成する。 - 特許庁

Then, the side part of the track width defining layer 12a is etched by using dry etching and, in the recording gap layer 9 and a lower magnetic pole layer 8, a part of the recording gap layer 9 is etched by using the track width defining layer 12a as a mask.例文帳に追加

その後、ドライエッチングを用いて、トラック幅規定層１２ａの側部をエッチングすると共に、トラック幅規定層１２ａをマスクとして記録ギャップ層９および下部磁極層８のうちの記録ギャップ層９側の一部をエッチングする。 - 特許庁

Under RIE-lag effect, the etching rate of the barrier metal 6, positioned between the side surface of hole 5a and the metal film 7, is lower than that of barrier metal at other part, no longer resulting in no surface of the polysilicon plug 4 being exposed.例文帳に追加

ＲＩＥ−ｌａｇ効果により、ホール５ａの側面とメタル膜７との間に位置するバリアメタル６のエッチングレートが、他の部分におけるバリアメタルのエッチングレートよりも小さくなり、ポリシリコンプラグ４の表面が露出することがなくなる。 - 特許庁

A resist pattern is then formed on the surface side (the upper face in Fig. 2(b)) of the thermally oxidized SiO_2 film 22 using the usual photolithographic technique, and dry etching is carried out using the resist pattern as a protective film to form a SiO_2 pattern 22a.例文帳に追加

次に、熱酸化ＳｉＯ_2膜２２の表面側（図２（ｂ）の上面）に通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンを形成し、このレジストパターンを保護膜にしてドライエッチングを行い、ＳｉＯ_2パターン２２ａを形成する。 - 特許庁

Then, the sample layer 4 including the mask 5 and the upper surface side of the glass substrate 1 are removed as much as about 2 μm by argon ion etching, and a protrusion 2 for sample part formation comprising a glass layer 3, the sample layer 4 and the mask 5 is formed.例文帳に追加

次に、マスク５を含む試料層４およびガラス基板１の上面側をアルゴンイオンエッチングにより２μｍ程度除去し、ガラス層３、試料層４およびマスク５からなる試料部形成用凸部２を形成する。 - 特許庁

As a first stage, an alkali etching liquid of aluminum is introduced into a first electrolytic tank, and is passed through an ion exchange membrane, so as to separate Na^+ to the cathode side, and the Na+ is coupled with OH^- generated by cathode reaction, so as to obtain NaOH.例文帳に追加

第一工程としてアルミニウムのアルカリエッチング液を第一電解槽に導き、イオン交換膜を通してＮａ^＋を陰極側に分離し、前記Ｎａ^＋を陰極反応で生成されるＯＨ^−と結合させてＮａＯＨを得る。 - 特許庁

Since the etching block layer 11 prevents the current block layers 10 on both sides of a ridge 20 from being etched in manufacturing, a contact layer 12 can be prevented from permeating between side surfaces of the ridge 20 and the current block layers 10.例文帳に追加

このエッチング阻止層１１は、製造時に、リッジ２０の両側の電流ブロック層１０がエッチングされることを防ぐから、このリッジ２０の側面と電流ブロック層１０との間に、コンタクト層１２が入り込むのを防止できる。 - 特許庁