「Side etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The SOI wafer is obtained by using the silicon wafer having a cup-like warpage where the central part of a thin disc wafer is recessed by single wafer processing etching as a supporting substrate, as well as the recessed-surface side of the silicon wafer as the main surface of a laminating surface.例文帳に追加

ＳＯＩウェーハは、薄円板状のウェーハを枚葉式エッチングにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたシリコンウェーハを支持基板とし、シリコンウェーハの凹部面側を貼り合わせ面の主面とすることにより得る。 - 特許庁

In a submount body 1 composed of single crystal silicon, the surface 4 mounting a light emitting element 11 is a {100} orientation face and the inner side face of a through hole 3 formed by anisotropic etching is parallel with the [110] orientation face.例文帳に追加

単結晶シリコンからなるサブマウント本体１は、発光素子１１が搭載された搭載面４が｛１００｝方位面であり、異方性エッチングにより形成された貫通孔３の内側面が［１１０］方位面と平行である。 - 特許庁

When the quartz crystal substrate 2 is processed by etching for forming a tuning fork type quartz crystal wafer with a trench 11c in a center of the main face, only both sides of the trench 11c are processed, and side trenches 11d, 11d are formed.例文帳に追加

水晶基板２をエッチング処理して、主面中央部に溝部１１ｃを備えた音叉型水晶ウェハを成形するに際し、先ず、溝部１１ｃの両サイドのみに対してエッチングを行って、サイド溝部１１ｄ，１１ｄを形成する。 - 特許庁

By dry etching using this laminated layer pattern 5 as a mask, a shallow recess (a first trench) 6a is formed and a first fluorocarbon-based deposit 7 is adhered to the side wall of the first silicon oxide film 2.例文帳に追加

この積層膜パターン５をマスクとしてドライエッチングすることにより、浅い凹陥部(第１のトレンチ)６ａを形成すると共に前記第１のシリコン酸化膜２の側壁に、フロロカーボン系の第１の堆積付着物７を付着させる。 - 特許庁

Successively, an etching gas containing a fluorine-based reaction component and an oxidative reaction component is brought into contact with a surface of the object 9 to be processed in a processing space 19 on a downstream side on the conveyance path 11 and a semiconductor film 94 is dry etched.例文帳に追加

続いて、搬送経路１１の下流側の処理空間１９において、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含むエッチングガスを被処理物９の表面に接触させ、半導体膜９４をドライエッチングする。 - 特許庁

Since the upper surface part of the first metal film 302 is covered with the resist film 303, remaining on the upper surface of the first metal film 302 after a previous etching process, a part to be oxidized only becomes a side edge part 304.例文帳に追加

前工程のエッチング工程後に第１の金属膜３０２の上面に残存しているレジスト膜３０３によって第１の金属膜３０２の上面部分は覆われているため酸化される部分は側面部分３０４のみとなる。 - 特許庁

The piezo resistant element 14 is uniformly and continuously formed over the inside of the recess and the surface side of the beam part, by forming the recess by selectively etching a part of the beam part 10, and forming a region largely applying stress in the recess.例文帳に追加

ピエゾ抵抗素子１４は、梁部１０の一部を選択的にエッチングして凹部を形成し、その凹部内に応力が大きくかかる領域を形成し、この凹部内と梁部の表面側にかけて一様に連続して形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method where dry etching is performed using gas containing fluorine, and the formation of a damaged layer on the side wall of a wiring groove and the formation of a void in a Low-k film can be inhibited.例文帳に追加

フッ素含有ガスを用いてドライエッチングを行うとともに、配線溝側壁部でのダメージ層の形成およびＬｏｗ−ｋ膜中でのボイドの形成を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicon oxide film of 10-50 nm thick is deposited on the entire surface of a semiconductor substrate 11 and subjected to anisotropic etching to form an ion implantation regulating film 18 of silicon oxide on the side face of a gate structure 17.例文帳に追加

半導体基板１１の全面に膜厚が１０〜５０ｎｍのシリコン酸化膜を堆積し、異方性エッチングを行なうことにより、ゲート構造体１７の側面上に酸化シリコンからなるイオン注入調整膜１８を形成する。 - 特許庁

For forming openings in the comparatively thick insulation film on the drain-source forming region of the high withstand voltage transistor, etching is performed without reducing the width of the sidewall formed on the side of the gate of the lower withstand voltage transistor.例文帳に追加

高耐圧トランジスタのドレイン・ソース形成領域上の比較的厚い絶縁膜に開口部が設けられる際には、低耐圧トランジスタのゲートの側方に形成されたサイドウォールの幅が小さくならないようにエッチングが実行される。 - 特許庁

To provide a plasma etching method wherein a side wall spacer shoulder part formed around a gate during a manufacturing process of a semiconductor device having an LDD structure is so removed as the upper part of gate is exposed with high dimension control precision.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有する半導体装置の製造工程中にゲート周囲に形成する側壁スペーサ肩部を、高い寸法制御精度でゲート上部が露出するように除去するプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Further, in the state of the large panel substrate before separated into individual electro-optical panels, the flow and the crack existing on the upper and the lower surfaces of the large panel substrate can be removed by etching the whole outer surfaces, after masking the side surface.例文帳に追加

また、個別の電気光学パネルに分断する前の大板パネル基板の状態において、側面にマスクを施した後、外面全体をエッチングして、大板パネル基板の上下面に存在する傷やクラックを除去することができる。 - 特許庁

The fine hole is previously formed in a resin film 1 by laser machining or wet etching, and a conductive layer 2 is formed on one side of the fine hole and used as an electrode 6 to bury the conductive substance 7 by a plating method.例文帳に追加

樹脂膜１中にあらかじめレーザー加工やウエットエッチングによって微細孔を形成し、微細孔の片側に導電層２を形成し、この導電層を電極６に用いてメッキ法により導電性物質７を埋め込む。 - 特許庁

At this time, since no deposits produced by dry etching exhibiting anisotropy adhere to the side walls of the films, the polyimide film 5 is never separated from the silicon nitride film 4 when the polyimide film 5 is turned into imide by a heat treatment.例文帳に追加

このとき、各膜の側壁には、異方性を示すドライエッチングによって発生する堆積物が付着していないため、ポリイミド膜５を熱処理でイミド化した場合に、シリコン窒化膜４からポリイミド膜５が剥がれることは無い。 - 特許庁

Edges of the first photoelectric converting layer 3 and the second photoelectric converting layer 5 exposed in the separating grooves H1 to H3 are removed by conducting a plasma etching and the upper surface of the side end part of the intermediate reflecting layer 4 are exposed.例文帳に追加

プラズマエッチングを行うことにより分離溝Ｈ１〜Ｈ３内に露出した第１の光電変換層３および第２の光電変換層５の角部を除去し、中間反射層４の側端部の上面を露出させる。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask having the high transmittance of over 6% (9 to 15%), suppressing side etching in a halftone film portion, and having the smooth horizontal plane of a quartz surface, and to provide a method for manufacturing the mask.例文帳に追加

６％を越える高透過率（９〜１５％）をもち、且つハーフトーン膜部のサイドエッチングを抑制できしかも石英面を平滑な水平面にすることができるハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造法を提供する。 - 特許庁

The flat top surface Σ of a p-type contact layer 105b is a surface exposed when the unnecessary part (the upper part on the common crowning of the resonator) of the insulating wall 110 which once laminated uniformly to a junction side is removed by an etching treatment.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１０５ｂの平頂面Σは、ジャンクション側に一旦略一様に積層した絶縁壁１１０の不要部分（共振器の平頂部の上の部位）をエッチング処理によって除去した際に露出した面である。 - 特許庁

The nitrogen density on the side of a gate sidewall insulating film formed of a silicon nitride film 33 is set between 1×10^14 cm^-2 to 5×10^15 cm^-2 inclusive and the native oxide is removed by wet etching by using HF.例文帳に追加

シリコン窒化膜３３からなるゲート側壁絶縁膜の側面における窒素密度を１×１０^14ｃｍ^-2以上５×１０^15ｃｍ^-2以下に設定し、かつＨＦを用いたウエットエッチングにより自然酸化膜を除去する。 - 特許庁

To provide an etching solution which can etch a stacked metallic film mainly composed of a molybdenum-based metal and an aluminum-based metal by one operation, and can control a cone angle into 20 to 70 degrees by controlling an etched amount of the side face of each film.例文帳に追加

モリブデン系金属とアルミニウム系金属を主成分とした金属積層膜を一括エッチング可能で各膜のサイドエッチング量を抑制し、テーパー角度を２０〜７０度に制御可能な優れたエッチング液を提供すること。 - 特許庁

After a source/drain diffusion layer 8, a first side wall oxide film 9 and a third polycrystalline silicon film 10 which becomes a contact pad are formed; a silicon oxide film is removed by dry etching by using photoresist where an opening is formed in a memory peripheral region alone.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層８、第１の側壁酸化膜９、コンタクトパッドとなる第３の多結晶シリコン膜１０を形成後、メモリ周辺領域のみを開口したフォトレジストをマスクにしてドライエッチによりシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

For instance, the mesa stripe etching depth of the single mode waveguides is made different from that of the MMI waveguide (Fig. 1(a)), and/or the refractive indexes of materials brought into contact with both side faces of the mesa strip are made different from each other (Fig. 1(b)).例文帳に追加

例えば、前記シングルモード導波路と前記ＭＭＩ導波路との間で、メサストライプのエッチング深さが異なり（図１(ａ)）、及び／又は、メサストライプの両側面に接する材料の屈折率が異なるようにする（図１（ｂ））。 - 特許庁

In one example of a solution means, a semiconductor chip with a thin antenna with a 0.5 mm or less of square in the medium is embedded, and a side wall of the semiconductor chip is formed of an oxide film, and is separated from the semiconductor chip by etching.例文帳に追加

その解決手段の例は、媒体のなかの０．５ｍｍ角以下で薄型のアンテナ付き半導体チップを埋め込み、その半導体チップの側壁は酸化膜によって形成され且つエッチングによって半導体チップ分離されている。 - 特許庁

A side wall 6a is formed on lateral sides of a gate electrode 4 in a p-channel transistor formation scheduled region 51p by etching back an insulating film 6 while leaving a part which covers an n-channel transistor formation scheduled region 51n.例文帳に追加

ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎを覆う部分を残しながら絶縁膜６のエッチバックを行うことにより、ｐチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｐ内のゲート電極４の側方にサイドウォール６ａを形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the needle-like body, by exposing a resist layer from a transparent substrate side, the need of high-grade positioning is eliminated and only the resist layer corresponding to the part of a groove provided by etching is selectively exposed.例文帳に追加

本発明の針状体の製造方法は、透明基板側からレジスト層を露光することで、高度な位置合わせの必要が無く、エッチングで設けられた溝の部分に対応するレジスト層のみに選択的に露光することが出来る。 - 特許庁

After the thermal diffusion, when etching performs a pn junction isolation by using a substrate surface treatment apparatus, the semiconductor substrate 1 is installed in a conveyance roller 6 so that the upper side 7 of the semiconductor substrate 1 may turn to the up-stream conveyance direction.例文帳に追加

熱拡散後、基板表面処理装置を使用して、ｐｎ接合分離をエッチングによって行うとき、半導体基板１の上辺７が搬送方向上流側に向くように、半導体基板１を搬送ローラ６に設置する。 - 特許庁

A half-etching portion 17 is formed on the rear surface of the radial portions 41 and 42 and the relay portions 44, and connection terminals 29 connectable to substrate-side terminals 51 are provided on the rear surfaces of the relay portions 43 and the die pad 15.例文帳に追加

放射状部分４１、４２および中継部分４４の裏面にハーフエッチング部１７を形成し、中継部分４３およびダイパッド１５の裏面に、基板側端子５１と接続可能な接続端子部２９が設けられている。 - 特許庁

When the semiconductor substrate 2 is to be machined from a main-surface side, the machining by the plasma CVM method and the mechanical polishing using the grinding wheel 1 are combined, an interlayer insulating film and wiring that have different etching rates are machined uniformly.例文帳に追加

半導体基板２を主面側から加工する場合においては、プラズマＣＶＭ法による加工と砥石車１による機械的な研磨とを複合させて、エッチングレートの異なる層間絶縁膜と配線とを均一に加工する。 - 特許庁

The thickness of a counter substrate 20 is reduced by etching the counter substrate 20 from the side not near a TFT array substrate 10 in the counter substrate 20 after adhering the counter substrate 20 onto the TFT array substrate 10.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板１０に対向基板２０を貼り付け工程の後、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０に臨まない側の面から対向基板２０をエッチングすることによって対向基板２０の厚みを薄くする。 - 特許庁

The plurality of parallel grooves are formed by etching or laser processing along one side of the substrate on at least part of the outermost layer of the heat dissipation substrate having a layer structure consisting of at least two layers.例文帳に追加

また少なくとも２層以上の層構造からなる放熱基板の、少なくとも最表面層の一部に基板の一辺に沿って並行な複数の溝をエッチングまたはレーザ加工により形成する放熱基板の製造方法である。 - 特許庁

To efficiently dice a semiconductor wafer into semiconductor chips without damaging the surface side of the semiconductor chips due to infiltration of an etching solution or gas from cut grooves in the case of dicing the semiconductor wafer into thin semiconductor chips.例文帳に追加

半導体ウェーハを薄い半導体チップに分割するに当たって、切削溝からエッチング液またはガスが回り込んで半導体チップの表面側を損傷させず、半導体チップを効率よく分割できるようにすること。 - 特許庁

An emitter film 15 is formed on the surface layer and on the side spacer so that a flat surface is formed on a bottom part of the hole, and then a surface of the substrate 10 is exposed by etching back the emitter film and removing the first gate film on the bottom part of the hole.例文帳に追加

孔の底部に平坦面が形成されるように表面層とサイドスペーサの上にエミッタ膜（１５）を形成し、さらにエミッタ膜をエッチバックして孔の底部の第１のゲート膜を除去して基板面を露出させる。 - 特許庁

At this time, the conductive layer 8 is not directly etched by the XeF_2 gas, and the XeF_2 gas wraps around into a lower part of the conductive layer 8 according too etching of the silicon substrate 6, and the conductive layer 8 is etched from the under surface side.例文帳に追加

このとき、導電層８がＸｅＦ_２ガスで直接エッチングされることは無いが、シリコン基板６のエッチングに伴ってＸｅＦ_２ガスが導電層８の下部に回り込み、導電層８が下面側からエッチングされる。 - 特許庁

When the retentive capacity of a liquid crystal display is structured, after a thick lower-layer-side gate insulating layer 4a of an insulating layer 4 is formed, the part of the layer 4a overlapping a lower electrode 3c is removed by the dry etching.例文帳に追加

液晶装置の保持容量を構成するにあたって、ゲート絶縁層４の厚い下層側ゲート絶縁層４ａを形成した後、ドライエッチングにより下電極３ｃと重なる部分の下層側ゲート絶縁層４ａを除去する。 - 特許庁

To provide a silica-based organic coating film that can be applied to high-temperature processes, can compactly fill up small interwiring spaces, can prevent the occurrence of side etching, and at the same time, can suppress degassing even when the ambient temperature rises.例文帳に追加

高温プロセスに適用可能であり、配線間の微小なスペースを隙間無く埋め込むことができて、サイドエッチングの発生を防止することができるとともに、雰囲気温度の上昇に伴う脱ガスが少ない被膜を提供する。 - 特許庁

To etch each section of a substrate uniformly and precisely in an etching device in which a number of metering nozzle rows 2 are arranged on the upper-surface side of a path 1 of conveyance, and a suction pipe 3 is provided between the metering nozzle rows 2.例文帳に追加

搬送路１の上面側に多数の定量ノズル列２を配置すると共に、各定量ノズル列2間に吸引パイプ３を設けたエッチング装置において、基板各部のエッチングを均一に且つ高精度に行うこと。 - 特許庁

Under such condition as at least a dry-etching rate of an inter- layer insulating film is significantly slower than an inter-layer insulating film positioned outside of it, the inter-layer insulating film on the outer side is selectively etched to form a through hole.例文帳に追加

少なくとも外側の層間絶縁膜よりも、その内側の層間絶縁膜のドライエッチングレートが極めて遅い条件で、外側の層間絶縁膜を選択的にエッチングして、スルーホールを形成することを特徴とする。 - 特許庁

Ru contaminating the rear surface of the wafer 1 where a semiconductor device has been formed in a beveled section, and a surface-side peripheral cut region (specifically, a region that is approximately 1-5 mm from the edge) is removed by etching, using a treatment chemical liquid.例文帳に追加

半導体素子が作り込まれたウェハ１の裏面、ベベル部及び表面側周辺カット領域（具体的にはエッジから１〜５ｍｍ程度の領域）に汚染されているＲｕを処理薬液によりエッチングして除去する。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device that prevents the whisker- like protrusions of an upper layer film due to side etching of a lower layer film when the surface electrode wiring of a semiconductor device is to be formed, and to provide a method for manufacturing the reliable semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の表面電極配線を形成する際、下層膜がサイドエッチされることによる上層膜のヒゲ状張り出しのない、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

One slot 411 is provided at a place adjacent to a position where the radiation patch 41 is connected to the patch line 44 along a single side of the patch line 44 by using etching technology, and the slot 411 is utilized to make only a single side of a circuit route W passing through on the patch antenna 40 bypass.例文帳に追加

輻射パッチ４１がパッチライン４４と接続する位置と隣接する場所に、エッチング技術を利用して、そのパッチライン４４の単一側に沿って、一つのスロット４１１が設けられ、そのスロット４１１を利用して、そのパッチアンテナ４０の上に通す回路ルートＷを単一側だけ迂回化させる。 - 特許庁

The manufacturing method of the solid oxide fuel cell uses a method such as pressing, pattern printing, mechanical grinding, etching, or ultrasonic machining, when the porous electrode 30 equipped with either one or both of the gas inflow side gas sub-passage and the gas exhaust side gas sub-passage is formed.例文帳に追加

前記固体電解質型燃料電池の製造方法は、ガス流入側ガス副通路及びガス排出側ガス副通路のいずれか一方又は双方を備える多孔質電極３０を形成するに当たり、プレス加工、パターン印刷加工、機械研削加工、エッチング加工、超音波加工などの方法を用いる。 - 特許庁

The gas diffusion layer for a fuel cell is formed by laminating at least two metal plates each having a plurality of through holes for gas diffusion and a through hole 7 for alignment formed by photo-etching, while aligning the through holes 7 for alignment so that the through holes for gas diffusion continuously run from the separator side to the catalyst layer side.例文帳に追加

フォトエッチングにより複数のガス拡散用貫通孔、および位置合わせ用貫通孔７が形成された少なくとも２以上の金属板を、セパレータ側から触媒層側までガス拡散用貫通孔が連続するように、位置合わせ用貫通孔７を合わせて積層させて燃料電池用ガス拡散層を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises chemically etching a metallic sheet covered with a photoresist, providing controlled patterns of cavities on one side of the metallic sheet and perforations on another side of the metallic sheet, and depositing electrochemically active segments on a perforated face of the metallic sheet.例文帳に追加

この製造方法は、フォトレジストを被膜した金属シートを化学エッチングすることと、この金属シートの一方の側に窪みをこの金属シートのもう一方の側に穿孔を制御した通りのパターンで設けることと、この金属シートの穿孔を設けた面に電気化学的な反応を起こすセグメントを積層することから成る。 - 特許庁

Characteristically, a water-repellent treatment layer 4 is provided by applying water-repellent treatment to one side of a base material 2 which is composed of a transparent polymeric material; a thin film 3 of an inorganic compound is formed on the other side of the base material; and the water-repellent treatment is performed by using plasma, particularly in a reactive ion etching mode, in fluorine gas.例文帳に追加

透明性を有する高分子材料からなる基材２の一方の面に撥水処理を施し撥水処理層４を設け、その基材の反対面に無機化合物の薄膜３を形成してなり、前記撥水処理がフッ素ガス中でブラズマ、特にリアクティブイオンエッチングモードのプラズマを用いて行われたことを特徴とする。 - 特許庁

At a thin part of the recess-shaped processing part 211, U-shaped parts 212a and 212b which are cut from one side and the other side to the center of the member of the superconductive film 210 are formed by sputter etching using a converged ion beam to form opposite tips of the U-shaped parts 212a and 212b as a weak coupling part tm.例文帳に追加

この凹形加工部２１１の薄い部分に一方側及び他方側から超電導膜２１０の部材の中心方向に向かって切り欠いたＵ字形状部２１２ａ，２１２ｂを集束イオンビームのスパッタエッチングで形成して、Ｕ字形状部２１２ａ，２１２ｂの対向する先端部を弱結合部ｔｍとして生成する。 - 特許庁

A side wall 119A is left on the side wall of an opening part by ansotropically etching (RIE) a TEOS silicon oxidation film 117, a spacer 119B is formed on a level difference part between the gate part of a MOS transistor and a Poly-Si film, and further the Poly-Si film 120 is accumulated on the whole face.例文帳に追加

ＴＥＯＳシリコン酸化膜１１７を異方性にエッチング（ＲＩＥ）することにより、開口部の側壁にサイドウォール１１９Ａを残すように、また、ＭＯＳトランジスタのゲート部とＰｏｌｙ−Ｓｉ膜との段差部にスペーサ１１９Ｂの形成を行い、さらに全面にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１２０を堆積させる。 - 特許庁