「Side etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

When eliminating a metal thin film being formed at the peripheral part of the surface of a wafer W or on an end face, the reverse side of the wafer W is sucked and retained by a reverse side suction chuck 11 for rotating, and etching liquid is supplied from an edge rinse nozzle 73 to the peripheral part of the rotating wafer W.例文帳に追加

ウエハＷの表面の周縁部および端面に形成されている金属薄膜を除去する際には、裏面吸着チャック１１によりウエハＷの裏面を吸着保持して回転させつつ、その回転するウエハＷの周縁部に向けて、エッジリンスノズル７３からエッチング液が供給される。 - 特許庁

A first interlayer dielectric 2 including a porous first low dielectric constant film 2b is formed on a lower layer wiring 1, a first side wall metal 4 is formed on the side wall of a via hole 3 which is provided on the first low dielectric constant film 2b, and thereafter a first etching stopper layer 2a is etched to expose the lower wiring 1.例文帳に追加

下層配線１上に多孔質の第１低誘電率膜２ｂを含む第１層間絶縁膜２が形成され、第１低誘電率膜２ｂに設けられたビアホール３の側壁に第１サイドウォールメタル４が形成され、その後に第１エッチングストッパー層２ａがエッチングされて下層配線１が露出される。 - 特許庁

A trench is provided to a semiconductor substrate 100 by etching, then a thermal oxide film 108 is formed on both the side walls and base of the trench to remove damage to the surface of the substrate 100 when the trench is formed, and a trench liner 110 is formed on both the side walls of a first insulating film and the thermal oxide film.例文帳に追加

半導体基板１００がエッチングされてトレンチが形成された後、トレンチ形成時に発生した表面損傷を除去するためにトレンチの両側壁及び下部面に熱酸化膜１０８が形成され、第１絶縁膜の両側壁と熱酸化膜上にトレンチライナ１１０が形成される。 - 特許庁

Using the etching mask pattern on the second mask structure as a mask, a first mask pattern is formed by including the side wall spacer 350A so that a void is formed in-between in the first region A, and a second mask pattern is formed by including the side wall spacers 350B, 350C so that the second mask structure is present in-between in the second region B.例文帳に追加

第２マスク構造物上にあるエッチングマスクパターンをマスクとして第１領域Ａで間にボイドが形成されるように側壁スペーサ３５０Ａを含む第１マスクパターンと、第２領域Ｂで間に第２マスク構造物が介在するように側壁スペーサ３５０Ｂ、３５０Ｃを含む第２マスクパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a charged particle beam mask capable of manufacturing a charged particle beam mask in a good yield, by conducting an inspection of a foreign matter on the surface at the Si substrate side before an average surface roughness at the Si substrate side of a charged particle beam mask manufacturing substrate is defined and a prescribed position on the Si substrate is subjected to etching.例文帳に追加

荷電粒子線マスク製造用基板のＳｉ基板側の平均表面粗さを規定し、Ｓｉ基板の所定の箇所をエッチングする前に、Ｓｉ基板側表面の異物検査を行うことにより、荷電粒子線マスクを収率良く製造する荷電粒子線マスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The p-type AlGaInP lower clad layer 17 has a relatively low threshold current and has improved reliability also at high temperature and in high output since Be concentration is 1.8×1018 cm-3 at the side end of the AlGaInP light guide layer 16, and 1.0×1018 cm-3 at the side end of the etching stop layer 18.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１７は、Ｂｅの濃度が、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１６側端が１．８×１０^18ｃｍ^-3であり、エッチングストップ層１８側端が１．０×１０^18ｃｍ^-3であるので、閾値電流が比較的低く、高温および高出力時においても良好な信頼性を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the suspension blanks with wiring for the hard disks by using a laminate of a three-layered structure laminated with a conductive layer across an electrical insulation layer on a metallic layer to develop spring characteristics comprises subjecting the surface of the insulation layer on the metallic layer surface side to preetching to decrease the differences in etching rates, thereby performing the polyimide etching with the high accuracy.例文帳に追加

バネ特性を発現させる金属層の上に電気的な絶縁層を介して導電性層が積層された３層構造の積層体を用いてハードディスク用配線付きサスペンションブランクスを製造する方法であって、前記金属層面側の前記絶縁層の表面のプレエッチングを実施し、エッチングレートの差を軽減させることにより、高精度にてポリイミドエッチング加工を行う。 - 特許庁

A through-hole for the formation of the through electrode is formed by etching from a surface opposite to a cavity, thus suppressing reduction in a junction area by silicon etching of a corner of a junction surface to an upper portion of a cavity sidewall at which resist cannot be formed easily when the through-hole is formed from the side of the cavity, and hence hermetically sealing a stable package.例文帳に追加

前記貫通電極形成のための貫通孔を形成する際に、キャビティーと対向面からエッチングにより形成する事によって、前記キャビティー側から前記貫通孔を形成した際の、レジストが形成しにくいキャビティー側壁上部と接合面の角部のシリコンエッチングによる接合面積の低下を抑制する事ができ、安定なパッケージの気密封止が実現できる。 - 特許庁

To provide an etchant and an etching method which can suppress side etching without corroding electronic members, various lamination films and the like on a substrate, for the substrate which has a lamination structure of tungsten and/or titanium-tungsten alloy which are used for electrodes and interconnection lines for a semiconductor device and a thin film transistor of a liquid crystal display or for interconnection lines and barrier metal for the electrodes.例文帳に追加

半導体装置や液晶表示装置の薄膜トランジスタの電極や配線、またこれらの電極の配線やバリアメタルとして用いられているタングステン及び／又はチタン−タングステン合金の積層構造を有した基板において、基板上の電子部材、各種積層膜等を腐食することなく、サイドエッチングを抑制したエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Lower leads 33, 34 and 35 being connected with an IC 70 are formed in a lower lead frame 31, and a portion 37 having a substantially rectangular plane formed by half etching the inner side partially by a predetermined amount serves as a circuit element mounting portion 36.例文帳に追加

下側リードフレーム３１に、ＩＣ７０と接続される下部リード３３，３４，３５を形成し、この内側の一部を所定量ハーフエッチングすることにより形成される平面が略矩形のハーフエッチング部３７を回路素子搭載部３６とした。 - 特許庁

Lower leads 33, 34 and 35 being connected with an IC 70 are formed in a lower lead frame 31, and a portion 37 having a substantially rectangular plane formed by half etching the inner side partially by a predetermined amount serves as a circuit element mounting portion 36.例文帳に追加

下側リードフレーム３１に、ＩＣ７０と接続される下部リード３３，３４，３５を形成し、これらの内側の一部を所定量ハーフエッチングすることにより形成される平面が略矩形のハーフエッチング部３７を回路素子搭載部３６とした。 - 特許庁

To prevent the generation of a blur on the surface of a substrate caused by an adhesive agent regarding treatment equipment which contains back-side etching equipment wherein the back of the substrate is etched in constituent, and regarding an adhesive agent eliminating method.例文帳に追加

本発明は基板の背面をエッチング処理するバックサイドエッチング装置を構成要素に含む処理装置及び接着剤除去方法に関し、接着剤に起因して基板表面に曇りが発生するのを防止することを課題とする。 - 特許庁

Chemical such as etching liquid entering the chemical avoiding part 30 on an upstream side from the chemical processing part is diluted by water accumulated in the tank base, and crystallization in the chemical avoiding part 30 is prevented even if chemical is easily crystallized.例文帳に追加

薬液処理部から上流側の液避け部３０に侵入したエッチング液等の薬液が、液避け部３０の槽底部分に滞留する水により希釈され、薬液が結晶化しやすい場合も液避け部３０における結晶化が防止される。 - 特許庁

Anodically oxidized film 20, 21 are formed on the surface and side faces of the laminated film, and the terminal for external connection is formed by etching and removing the Al electrode 11 as the upper layer by using the anodially oxidized film 20, 21 as a mask so as to expose only the Ta electrode 10.例文帳に追加

積層膜の表面／側面に陽極酸化膜２０，２１を形成し、外部接続端子部は、陽極酸化膜２０，２１をマスクとし上層のＡｌ電極１１をエッチング除去し、Ｔａ電極１０のみを露出させて形成する。 - 特許庁

To control excessive etching process within a reactor during dry cleaning while controlling the accumulated film thickness in the down-stream side of a processing region for the purpose of forming a film within the reactor of a double structure including a vertical internal pipe and an external pipe.例文帳に追加

縦型の内管及び外管を含む二重構造の反応容器内を用いて成膜を行うにあたって、処理領域の下流側の累積膜厚を抑制してドライクリーニング時における反応容器内の過剰なエッチングを抑えること。 - 特許庁

After metal films composed of noble metal are deposited, before forming a second electrode 110 of the capacitor by photolithography and etching, a sidewall-like second insulating film 109 composed of a silicon oxide film or the like is formed on the side face of a first electrode 107 and ferroelectrics 108.例文帳に追加

貴金属からなる金属膜を堆積した後、フォトリソ及びエッチングによりキャパシタ第二の電極110を形成する前に、第一の電極107、強誘電体108の側面にシリコン酸化膜等からなるサイドウォール状の第二の絶縁膜109を形成する。 - 特許庁

A side wall protective film 4 which is formed in a plasma etching process for forming a viahole 2a as the electric continuity hole in a silicon based oxide film 2 as the interlayer insulating film of a substrate is reformed so as to be easily dissolved in water in plasma treatment for eliminating a resist mask 3.例文帳に追加

基板の層間絶縁膜であるシリコン系酸化膜２に導通孔であるビアホール２ａを設けるためのプラズマエッチング工程で形成される側壁保護膜４を、レジストマスク３を除去するプラズマ処理において水に溶けやすく改質する。 - 特許庁

In succession, a metal layer 108 of copper is formed on a main surface 101b by electrolytic plating so as to fill the recessed shape 9, and a parat of the side wall 21 of the recess protruding from the metal layer 108 is removed by etching using a fluoronitric acid.例文帳に追加

続いて凹形状の内部９を埋めるように主面１０１ｂ上に銅よりなる金属層１０８を電解めっきにより形成後、金属層１０８から突出した凹形状の側壁部２１を弗硝酸を用いたエッチングにより除去する。 - 特許庁

An opening part is formed on the ink chamber opening part side and at a position corresponding to the top part of the ink pool to be connected to etching proceeding from the bottom face of the ink pool directly below the opening part to absorb shifting caused by aligning or the like of both faces.例文帳に追加

インクチャンバ開口部側にインクプールの頂部に対応する一に開口部を設けて、この開口部の直下にインクプールの底面から進行してくエッチングと接続させ、両面の目合わせ等によるずれを吸収するようにする。 - 特許庁

By controlling the thickness of the light-shielding layer in the above range, an amount of side etching in the light-shielding layer when the translucent layer is etched can be decreased, and thereby, a light-shielding portion of a halftone mask produced from the mask blank can sufficiently block incident light.例文帳に追加

遮光層の厚さを当該範囲内とすることにより、半透光層がエッチングされる際の遮光層のサイドエッチング量を低減し、かつ、製造されたハーフトーンマスクの遮光部において、入射光を十分に遮蔽することが可能となる。 - 特許庁

To provides an inhibition to a short circuit between a bit line and a capacitance contact without employing an SAC (self alignment contact) process of forming a hard mask film on an upper surface of the bit line and providing a side surface of the bit line with a sidewall formed by etching back a nitride film.例文帳に追加

ビット線の上面にハードマスク膜を形成し、ビット線の側壁に窒化膜をエッチバックして形成したサイドウォールを設けるＳＡＣ（セルフアラインコンタクト）プロセスを用いることなくビット線と容量コンタクトとの間の短絡を防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with high reliability by providing an etching method which can supply added gas stably for a future period, has less problems of particles and no problem of the peeling of a side-wall protection film, and also has high shape control capability.例文帳に追加

添加ガスが将来にわたって安定供給でき、パーティクルの問題が少なく、側壁保護膜の剥離の問題がなく、かつ形状制御能力が高いエッチング法を提供し、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric MEMS switch eliminating the process of enforcing the etching of the back side of a substrate as conventionally performed, and also eliminating process constraints, by improving the structure as a piezoelectric actuator is formed, before an RF signal line is formed.例文帳に追加

本発明は圧電アクチュエータをＲＦ信号ラインより先に形成する構造に改善し、従来のように基板の裏面を無理にエッチングする工程を解消するとともに、工程の制約性を解消する圧電型ＭＥＭＳスイッチを提供する。 - 特許庁

DRIE (Deep Reactive Ion Etching) is executed from the surface 153b side, the silicon substrate 153 is selectively removed by using the rough comb mask pattern 155 as a mask, and the silicon substrate 151 is selectively removed by using the comb electrode mask pattern 152a as a mask.例文帳に追加

面１５３ｂの側からＤＲＩＥをおこなって、粗櫛歯マスクパターン１５５をマスクにしてシリコン基板１５３を選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン１５２ａをマスクにしてシリコン基板１５１を選択的に除去する。 - 特許庁

The remaining GaN layer 31 is removed by etching along with the upper layer GaN 32 and when GaN 33 is grown epitaxially using the upper surface and the side face at the upper stage of the remaining GaN layer 32 as nuclei, a GaN substrate 30 in which through dislocation is suppressed significantly can be obtained.例文帳に追加

こののち残ったGaN層31を上層のGaN32とともにエッチングして除去し、残ったGaN層32の上段の上面及び側面を核として、GaN33を横方向エピタキシャル成長させれば、貫通転位の著しく抑制されたGaN基板30を得ることができる。 - 特許庁

At the time of removing the secondn-type clad layer 23 located in the side of the n-type GaAs buffer layer 22, since an Al crystal mixing ratio of the secondn-type clad layer 23 is set to 0.500 (x = 0.500), whitening does not occur and mirror surface etching can be realized.例文帳に追加

こうして、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２側に位置する第２ｎ型クラッド層２３をＨＦでエッチング除去する際に、第２ｎ型クラッド層２３のＡl混晶比はｘ＝０.５００であるため白濁が起こらず、鏡面エッチングが可能である。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a wiring circuit board wherein exfoliation of a conductor pattern and increase in the electric resistance of the conductor pattern can be avoided by preventing production of side etching, and to provide the wiring circuit board manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

サイドエッチングの発生を防止して、導体パターンの剥離や導体パターンの電気抵抗の増大を防止することのできる、配線回路基板の製造方法、および、その製造方法によって製造される配線回路基板を提供すること。 - 特許庁

In the lighting device disclosed herein, n LED packages 22 are arranged on a thin and long metal substrate 21 made of aluminum along the long sides thereof, wherein a groove is formed in a first electrode 6a by half etching from a side more inside than the perimeter of an anode electrode 23a.例文帳に追加

Ａｌから成る細長の金属基板２１には、長辺に沿ってＬＥＤパッケージ２２ガがｎ個配列され、第１の電極６ａは、前記アノード電極２３ａの外周よりも内側からハーフエッチングにより形成された溝が形成される。 - 特許庁

The silicon structure is manufactured by forming an initial pit on the silicon substrate by alkali etching, then applying ECE to the silicon substrate while irradiating the silicon substrate with light from the back surface side of the silicon substrate in hydrofluoric acid to form the holes 11.例文帳に追加

このシリコン構造体は、シリコン基板にアルカリエッチングでイニシャルピットを形成した後、フッ化水素酸中でシリコン基板に、シリコン基板の裏面側から光を照射しながら、ＥＣＥを施して孔１１を形成することにより製造される。 - 特許庁

The side surface 12a of the laminate structure 12 is formed by dry etching, and at least a part thereof has a cross section formed by cutting the laminate structure at a plane perpendicular to a laminating direction is an uneven shape as a corrugated shape.例文帳に追加

積層構造体１２の側面１２ａはドライエッチングにより形成されており、その少なくとも一部は当該積層構造体の積層方向に直交する平面で切断したときにできる断面の形状が波状である凹凸面である． - 特許庁

Thereafter, at the time of using the laminated film side wall as an injection mask for forming the source/drain of an MIS transistor and then selectively removing the second oxide film, wet etching is performed with a solution mixture containing hydrofluoric acid and inorganic acid (hydrochloric acid or sulfuric acid or the like).例文帳に追加

その後、積層膜サイドウォールをＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン形成用注入マスクとして使用した後、第２酸化膜を選択的に除去する際、フッ酸と無機酸（塩酸，硫酸など）とを含む混合水溶液でウェットエッチングする。 - 特許庁

The piezoelectric vibration chip lays by wet etching when forming the external shape of the piezoelectric element plate 12, the electrode pattern 32 in a recess 22 where the angle made by one of main surfaces 12a, 12b of the piezoelectric element plate 12 and a side surface 12c becomes obtuse.例文帳に追加

そして圧電振動片は、圧電素板１２の外形を形成するときのウエットエッチングによって圧電素板１２の一方の主面１２ａ，１２ｂと側面１２ｃとのなす角が鈍角になった入り込み２２に、電極パターン３２を引き回している。 - 特許庁

Successively, PolySi 45 is buried in the trench 5 (d), and a PolySi layer 7 having a hood section 7a which becomes thinner in thickness as going toward the side-wall SiO_2 films 6 is formed in the trench 5 by performing etching back (e).例文帳に追加

続いて、トレンチ５の内部にＰｏｌｙＳｉ４５を埋め込み（図２（ｄ））、エッチバックすることで、トレンチ５の内部に、側壁ＳｉＯ_2膜に向かうにつれ膜厚が徐々に薄い形状のひさし部７ａを有するＰｏｌｙＳｉ層７を形成する（図２（ｅ））。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a stamper, in which the stamper is formed by controlling the width of a projecting part pattern as desired while estimating an amount of side etching during pattern transfer by an imprinting method and satisfactory mold release characteristic is obtained when applying a mold release agent.例文帳に追加

インプリント法によるパターン転写時のサイドエッチング量を見込んで凸部パターンの幅を所望の通りに制御して形成できるとともに、離型剤を塗布したときに良好な離型性が得られるスタンパの製造方法を提供する。 - 特許庁

This etching system is arranged on plural hollow rollers (206b) for supporting both side boards (204) and is provided with plural 1st etchant nozzles (214), plural solid rollers (222a to f), plural second etchant nozzles (224a to c) and plural air nozzles (226a, b).例文帳に追加

エッチング装置は、両面ボード（２０４）支持用の複数の中空ローラ（２０６ｂ）上に配置され、複数の第１エッチャントノズル（２１４）、複数の中実ローラ（２２２ａ〜ｆ）、複数の第２エッチャントノズル（２２４ａ〜ｃ）、複数のエアーノズル（２２６ａ，ｂ）を備えている。 - 特許庁

The eaves portion is formed as follows: a stacked-layer structure in which a conductive layer, an insulating layer and a semiconductor layer are stacked in this order is etched collectively to determine a pattern of a gate electrode; and a pattern of the semiconductor layer is formed while side-etching is performed.例文帳に追加

庇部は、導電層、絶縁層、半導体層が順次積層された積層構造を一括でエッチングしてゲート電極のパターンを確定した後、半導体層のパターンを形成するとともにサイドエッチングを行うことによって形成する。 - 特許庁

To form the side face of an excellent forward tapered shape by efficiently etching the aluminum-based conductive thin film of a low resistance value or a laminated conductive thin film having the aluminum-based conductive thin film and a molybdenum-based conductive thin film.例文帳に追加

低抵抗値のアルミニウム系導電性薄膜、あるいは該アルミニウム系導電性薄膜やモリブデン系導電性薄膜を備えた積層導電性薄膜を、効率よくエッチングして、良好な順テーパ形状の側面が形成されるようにする。 - 特許庁

A silicon oxide membrane made of TEOS with a CVD method and thin membrane 13 made of NSG are formed on one surface of a substrate 11, and a space 12 is formed from the other surface side of the substrate 11 by etching so as to remain the thin membrane 13.例文帳に追加

基板１１の一方面にＣＶＤ法によりＴＥＯＳを原料とするシリコン酸化膜やＮＳＧからなる薄膜１３を形成し、基板１１の他方面側から薄膜１３が残るように空間１２をエッチングで形成する。 - 特許庁

A nitride film sidewall is formed on a side wall of a gate electrode, and a gate oxide film on a source/drain formation-predetermined-region is removed by a wet etching to form an undercut under the nitride film sidewall but no undercut under the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の側壁に窒化膜サイドウォールを形成し、ウエットエッチングにより、ソース・ドレイン形成予定領域上のゲート酸化膜を除去することにより、窒化膜サイドウォール下方にアンダーカットが入るが、ゲート電極下方にはアンダーカットは入らない。 - 特許庁

A single crystal silicon substrate 21 having a heavily doped P type impurity layer 22 formed on one side thereof is subjected to anisotropic etching with potassium hydroxide added with surfactant to leave the heavily doped P type impurity layer 22 thus forming a diaphragm 10.例文帳に追加

片面に高濃度Ｐ型不純物層２２が形成された単結晶のシリコン基板２１を、界面活性剤を添加した水酸化カリウム水溶液で異方性エッチングして、高濃度Ｐ型不純物層２２を残留させて振動板１０を形成した。 - 特許庁

Furthermore, a second material film serving as a second mask is formed on the whole surface of the substrate including the surface of the first mask, and then the second material film is subjected to etching so as to leave the second material film on the side of the first mask for the formation of the second mask.例文帳に追加

更に、第１マスク表面を含む基板全面に、第２マスクの材料膜である第２材料膜を形成した後、第１マスクの側面に第２材料膜を残すようにして、第２材料膜をエッチングして、第２マスクを形成する。 - 特許庁

The substrate 21-1 is connected to the p-well regions 21-2 by side-etching a buried oxide film 21-3 from the inside of each deep trench 22 and burying polysilicon or forming a conductive layer by an epitaxial growth.例文帳に追加

埋め込み酸化膜２１−３を溝２２内からサイドエッチングし、ポリシリコンを埋め込むかまたはエピタキシャル成長で導電層を形成することにより、基板２１−１とＰウェル領域２１−２を電気的に接続することを特徴としている。 - 特許庁

A process for irradiating a mesa-side face with a laser beam 111 is added between a process for accumulating a passivation film 18 on a mesa-structure on a wafer formed by etching and a process for forming an electrode 19 covering the passivation film.例文帳に追加

エッチングにより形成したウェーハ上のメサ構造にパッシベーション膜１８を堆積する工程と、パッシベーション膜を覆う電極１９の形成を行う工程の間に、メサ側面に向けてレーザ光１１１を照射する工程を追加する。 - 特許庁

A II-VI semiconductor superlattice 1 is formed on a substrate 2 by a molecular beam epitaxy method, part of the substrate 2 is removed by etching to expose the semiconductor superlattice 1 to the substrate 2 side and an optical antireflection film 3 is formed on the exposed face.例文帳に追加

分子線エピタキシー法を用いて基板２上にII−VI族半導体超格子１を形成し、基板の一部をエッチングにより除去して半導体超格子１を基板２側に露出させ、この露出面に光反射防止膜３を形成した。 - 特許庁

A side etching hole 22 is formed on a resist 20 so that at least a part used as an external output terminal 17 for the fixing part is separated from a part, excluding the part in a metal layer 19 in a domain enclosed by an opening part 21 for the fixing part.例文帳に追加

固定部用開口部２１で囲まれた領域内で金属層１９のうち固定部用外部出力端子１７となる部分と該部分を除いた部分とが少なくとも離間するようにレジスト２０にサイドエッチングホール２２を形成する。 - 特許庁