「Side etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The gas diffusion layer for a fuel cell is formed by laminating at least two metal plates 3, 4, and 5 each having a plurality of through holes 6 for gas diffusion and a through hole 7 for alignment formed by photo-etching, while aligning the through holes 7 for alignment so that the through holes for gas diffusion continuously run from the separator side to the catalyst layer side.例文帳に追加

フォトエッチングにより複数のガス拡散用貫通孔６、および位置合わせ用貫通孔７が形成された少なくとも１つ以上の金属板３，４，５を、セパレータ側から触媒層側までガス拡散用貫通孔が連続するように、位置合わせ用貫通孔７を合わせて積層させて燃料電池用ガス拡散層を形成する。 - 特許庁

High vacuum is kept in the upper and lower chambers 2, 5 of an etching chamber through a highly heat insulating O-ring 4 and only the side wall of the upper chamber 2 is heated by a heating source 3 to set a temperature difference between the upper and lower chambers 2, 5 before a wafer 6 is placed on the upper chamber 2 side of higher temperature.例文帳に追加

エッチングチャンバーの上部チャンバー２及び下部チャンバー５内部を断熱性の高いＯリング４によって高真空に保持するとともに、加熱源３によって上部チャンバー２の側壁のみを加熱し、上部チャンバー２と下部チャンバー５とに温度差を設け、さらに温度の高い上部チャンバー２側にウェハー６を配置させるようにする。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and an apparatus thereof, which can suppress dispersion of treatment on the center side section and the peripheral side of a wafer, even without reaction making the weakened or the pressure and a gas flow rate in a chamber being restricted strictly by suppressing the occurrence of plasma at performing of plasma treatment, such as plasma etching and plasma CVD.例文帳に追加

プラズマエッチングやプラズマＣＶＤなどのプラズマ処理を行う場合、プラズマの発生を抑制して反応を弱くしたり、チャンバ内の圧力やガス流量などを厳しく制約しなくても、ウェハの中心部側と周辺部側とにおける処理のバラツキを抑制することができるプラズマ処理方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

A lower electrode 31 and the piezoelectric layer (PZT thin film) 32 are formed on the entire surface of one surface side of a support substrate (single-crystal MgO substrate) 1 before patterning, and an opening 4a partially exposing the piezoelectric layer 32 and an insulating layer 4 including an etching hole 5 are formed at one surface side of the support substrate 1, and then an upper electrode 33 is formed.例文帳に追加

支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。 - 特許庁

To prevent a silicon oxide film from decreasing by increasing the selection ratio of a titanium nitride film to a polysilicon film when a recess is formed by etching in the titanium oxide film and the polysilicon film formed, respectively, on an HfSiON film and a silicon oxide film arranged side by side, and to form the recess to have a good shape.例文帳に追加

横並びに配置されたＨｆＳｉＯＮ膜と酸化シリコン膜との上に夫々形成された窒化チタン膜とポリシリコン膜とに対してエッチングにより凹部を形成するにあたり、ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることにより、酸化シリコン膜の膜減りを抑えると共に、凹部を良好な形状となるように形成すること。 - 特許庁

The process for producing a nozzle plate having a nozzle hole for ejecting a liquid drop comprises a step for forming a nozzle hole 22 by etching a silicon substrate 10 from the other side in such a state that the silicon substrate 10 having one side bonded with a substrate 50 for supporting the silicon substrate 10 is supported by the supporting substrate 50.例文帳に追加

液滴を吐出するためのノズル孔を有するノズルプレートの製造方法であって、シリコン基板１０の一方の面に、シリコン基板１０を支持するための支持基板５０を接合して、シリコン基板１０を支持基板５０により支持した状態で、シリコン基板１０の他方の面からエッチングを施して、ノズル孔２２を形成するノズル孔形成工程を有する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 11 of n-GaAs, a lower side cladding layer 12 of n-AlGaInP, a non-doping active layer 13 having a window region, an intermediate cladding layer 14 of p-AlGaInP, an etching stop layer 15, and a stripe-like upper side cladding layer 16 of p-AlGaInP, are sequentially formed.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓからなる半導体基板１１の上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰからなる下側クラッド層１２と、窓領域を有するノンドープの活性層１３と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなる中間クラッド層１４と、エッチングストップ層１５と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなるストライプ状の上側クラッド層１６とが順次形成されている。 - 特許庁

The etching method is designed to process an Au film (processed layer) 5 formed on a crystal substrate (substrate) 2 into a predetermined shape, wherein the Au film 5 is etched into a plurality of SAW patterns 3 as the predetermined shape, and during the etching, the crystal substrate 2 is arranged with the side of the Au film 5 down in a state wherein the crystal substrate 2 is dipped in an etchant 21.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、水晶基板（基板）２に形成されたＡｕ膜（被加工層）５を所定の形状に加工するための方法であって、Ａｕ膜５は、所定の形状である複数のＳＡＷパターン３にエッチング加工され、このエッチング加工時において、水晶基板２をエッチング液２１に浸漬した状態では、水晶基板２のＡｕ膜５の側が下方へ向いて配置されていることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a polysilicon layer 3 on a silicon substrate 1, forming a photoresist mask 5 on the polysilicon layer 3, dry etching the polysilicon layer 3 with the use of the photoresist mask 5 as a mask, and depositing a by-product 6 produced in the act of dry etching the polysilicon layer 3 on and on the side of the photo resist mask 5.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン基板１上にポリシリコン層３を形成する工程と、ポリシリコン層３上にフォトレジストマスク５を形成する工程と、フォトレジストマスク５をマスクにしてポリシリコン層３をドライエッチングするとともに、ポリシリコン層を３ドライエッチングしている最中に生成される副生成物６を、フォトレジストマスク５の上面および側面の上に堆積する工程とを有する。 - 特許庁

This method includes the steps of forming a film 2 on a semiconductor substrate 1 and forming an interlayer insulating film 3 thereon, subjecting the film 3 through photolithography to a patterning process to form a hole 4, subjecting the film 3 to wet etching process with use of an etchant having a etching rate larger than that of the film 2 to the film 3, and observing the hole 4 from an open side thereof.例文帳に追加

半導体基板１上に膜２を形成し膜２の上に層間絶縁膜３を形成する工程と、層間絶縁膜３をフォトリソグラフィ法によりパターニングしてホール４を形成する工程と、層間絶縁膜３に対する膜２のエッチング速度の比が大きいエッチング液を使用して層間絶縁膜３をウェットエッチングする工程と、ホール４を開口側から観察する工程とを有する。 - 特許庁

This dry etching method repeatedly executes a step of generating plasma in a vacuum tank to etch a substrate and a step of sputtering a sold material disposed oppositely to the substrate to form a protective film on the side wall of an etching pattern, wherein a mixed gas obtained by adding a reaction gas for forming a protective film to a noble gas is used as a sputter gas in the protective film forming step.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置された固体材料をスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うドライエッチング方法であって、保護膜の形成工程では、スパッタガスとして、希ガスに保護膜形成用の反応ガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁

A method includes the steps of: preparing a substrate; sequentially forming a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer on the substrate; forming a photoresist pattern on the upper semiconductor layer so that its side wall is inclined to an upper surface of the substrate; and sequentially etching the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer by using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

In this shadow mask, while plural feeding pipes 11 are rocked to center their center axes by a rocking mechanism 20, an etching solution is fed from a spray nozzle 12 of each of the plural feeding pipes 11 toward the large-hole side surface (lower surface) of a shadow mask material W.例文帳に追加

揺動機構２０によって複数本の供給パイプ１１がその中心軸を中心に揺動されつつ、その複数本の供給パイプ１１のスプレイノズル１２からシャドウマスク材Ｗの大孔側表面（下面）に向けてエッチング液が供給される。 - 特許庁

To enable formation of a dummy pattern into a suitable shape so that it is contained in the edge of a wafer, to maintain uniform etching amount on the wafer side, and to prevent a resist peel off from the edge of a wafer, by obtaining an aligner which can transform exposure field into various shapes.例文帳に追加

本発明は、露光フィールドを種々の形に変形することができる露光装置を提供し、ウェハ端部に収まる適当な形状のダミーパターンの形成を可能とし、ウェハ面のエッチング量を均一に保ち、また、ウェハ端部のレジスト剥がれを防止する。 - 特許庁

In a process S106, oxygen gas oxygen plasma is used to supply a high-frequency power P3 to the inductively coupled coil 14 without supplying any high-frequency power to the bias-side electrode 13, and plasma ashing of oxygen gas G_O2 is performed to remove an etching deposit.例文帳に追加

工程Ｓ１０６では、酸素ガス酸素プラズマを用いて、バイアス側電極１３に高周波電力を供給すること無く誘導結合コイル１４に高周波電力Ｐ３を供給して、酸素ガスＧ_Ｏ２のプラズマアッシングを行ってエッチング堆積物を除去する。 - 特許庁

The desired and optimum shape is selected by manufacturing a cover 300 to cover a main surface on the part loading side of a circuit substrate 200 by isotropic etching from a metal material, and the small and thin cover 300 is provided.例文帳に追加

回路基板２００の部品搭載側の主面を被う蓋３００を、金属材料からの等方性エッチングによって作製することで、高い自由度で最適な形状を選定することができ、高強度で、小型薄型の蓋３００を得ることができる。 - 特許庁

At the time of removing a part of the silicon film 8 contacted with one of both side surface of the gate electrode 3, the parts of the film 8 other than the part to be removed are covered with a resist mask 11 and then subjected to a chemical dry etching process.例文帳に追加

多結晶シリコン膜８のうち、ゲート電極３の両側面のうちの一方の側面に接触する部分を除去する際、多結晶シリコン膜８の除去すべき部分以外の部分をレジストマスク１１で覆い、ケミカルドライエッチングによるエッチングを行う。 - 特許庁

The dry etching of a conductive film is performed by plasma generated through the ECR resonance of an electromagnetic wave and a magnetic field which are generated by supplying UHF power to a micro strip line 4 installed on the face on the atmospheric side of a dielectric 2 to separate the inside and outside of a vacuum.例文帳に追加

真空の内外を分離する誘電体２の大気側の面に設置されたマイクロストリップライン４にUHF電力を供給することによって発生した電磁波と磁場のECR共鳴によってプラズマを生成し、このプラズマにより導電膜のドライエッチングを行う。 - 特許庁

After a photosensitive resin pattern is formed on a copper seed film on an insulating substrate and a buried wiring pattern of copper is formed at an opening part thereof, a peak part and a side face part of the buried wiring pattern are exposed from the photosensitive resin film through selective etching by a wet blast method.例文帳に追加

絶縁基板上に銅シード膜上に感光樹脂パターンを形成し、その開口部へ銅の埋め込み配線パターンを形成した後、ウエットブラスト法での選択的エッチングで、埋め込み配線パターンの頂部及び側面部を感光性樹脂膜から露出させる。 - 特許庁

A heater with relatively small critical dimensions (CD) which has a sloped linear side wall is provided through a process of adjusting one or more physical parameters (for example, pressure, high frequency (RF) power 1010 and/or temperature) during etching and/or deposition.例文帳に追加

エッチングおよび／または堆積の間、一つ以上の物理的パラメータ（例えば圧力、高周波（ＲＦ）電力１０１０および／または温度）を調整するプロセスにより、傾斜した直線側壁を有する比較的小さい限界寸法（ＣＤ）のヒーターを実現できる。 - 特許庁

On one side of a base material film 24 constituted of a transparent resin, a barrier layer 23 containing a metal or a metal compound, an etching protective layer 22 having resistance to acid or alkali, and a transparent conductive layer 21 constituted of an inorganic compound are formed in turn.例文帳に追加

透明樹脂で構成された基材フィルム２４の一方の面に、金属又は金属化合物を含むバリア層２３、酸又はアルカリに対して耐性を有するエッチング保護層２２、無機化合物で構成された透明導電層２１をこの順序で順次形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming metal wiring of a favorable sectional configuration with no undercut by side-etching, without affecting the characteristic of a semiconductor device even with a wiring part occupying area far smaller than the area of the semiconductor device.例文帳に追加

配線部の占有面積が半導体装置の面積に比べ非常に小さい場合においても半導体装置の特性に影響を与えることなく、サイドエッチなどによるアンダーカットなどの無い、良好な断面形状を有する金属配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

In forming a first spacer insulation film 108' wrapping both side walls of a gate electrode 102, an anisotropical etching runs to consume a part of the gate electrode 102 so that the topmost part of the first spacer insulation film 108' is higher than the gate electrode 102.例文帳に追加

ゲート電極１０２の両側壁を包む第１スペーサ絶縁膜１０８’を形成する場合、第１スペーサ絶縁膜１０８’の最上部がゲート電極１０２より高くなるようにゲート電極１０２の一部が消耗される異方性エッチングを進める。 - 特許庁

The resist pattern 11 is removed, and the entire surface of the silicon oxide film 3 is etching-processed until the remaining silicon oxide film 3 is completely removed, thus thinning the thickness of the silicon oxide film 3 covered with the resist pattern 11 and forming a side wall spacer 7.例文帳に追加

レジストパターン１１を除去して、残ったシリコン酸化膜３が完全に除去されるまで、シリコン酸化膜３の全面をエッチング処理することにより、レジストパターン１１で覆われていたシリコン酸化膜３の厚みを薄くするとともにサイドウォールスペーサ７を形成する。 - 特許庁

The formation of the AlN layer 1013 at the end portion of the Al alloy layer 1011 can prevent the formation of an inversely tapered cross section of the scan line which is caused by side-etching of the Al alloy layer 1011 due to alkali formed from peeling liquid and water during a resist-peeling process.例文帳に追加

Ａｌ合金層１０１１の端部にＡｌＮ層１０１３が形成されているので、レジスト剥離を行う際に、剥離液と水で形成されるアルカリによって、Ａｌ合金層１０１１がサイドエッチされて走査線断面が逆テーパとなることを防止できる。 - 特許庁

Further, according to the present invention, a microchip is provided for which the modification with the use of a laser is performed, then, a flow channel including an aperture provided on a surface or on the side surface of a transparent substrate inside thereof by isotropic etching.例文帳に追加

また、本発明によると、レーザによって改質された後、等方性エッチングによって一つの透明な基材の内部に形成され、且つ基材の表面又は側面に開口部を有する流路を有することを特徴とするマイクロチップが提供される。 - 特許庁

In the method for producing a photomask, a photosensitive resin is disposed on the resulting photomask blank comprising the glass substrate and the electrically conductive light shielding film formed on the whole surface of one side of the substrate and exposure with an electron beam exposure system, development and etching are carried out.例文帳に追加

また、ガラス基板とその片面の表面全面に導電性遮光膜が設けられているフォトマスクブランクの上に感光性樹脂を載せ、電子ビーム露光装置により露光、現像、エッチングする事を特徴とするフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

An alicyclic group is given to a side chain part for ensuring etching resistance, and transparency of absorption coefficient 3.0 μm^-1 or less is ensured with respect to light of wavelength 157 nm by fluorinating hydrogen atoms on the ring of the alicyclic group at a high level.例文帳に追加

耐エッチング性を確保するために側鎖部分に脂環式基を持たせるとともに、この脂環式基の環上の水素原子を高度にフッ素化することによって、波長１５７ｎｍの光に対して吸収係数３．０μｍ^−１以下の透明性を確保する。 - 特許庁

To provide a composition for semiconductor cleaning with which side wall deposits and resist residues can be cleaned and removed without damaging, for example, etching an aluminum alloy wiring layer, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the composition for semiconductor cleaning.例文帳に追加

アルミニウム合金配線層にエッチングなどのダメージを与えることなく、側壁堆積物やレジスト残渣を洗浄除去できる半導体洗浄用組成物並びに、その半導体洗浄用組成物を用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Irradiation with a second converged ion beam 102 from the direction parallel to the side wall of the leaf is performed simultaneously with preparation of the leaf by a sputtering/etching processing using a first converged ion beam 101 to observe the leaf by a scanning ion microscope and the thickness of the leaf is measured.例文帳に追加

第一の集束イオンビーム１０１のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁と平行な方向から第二の集束イオンビーム１０２の照射を行って走査イオン顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。 - 特許庁

Since the deposition substances D formed by the first plasma processing function as protective films and the etching rates of the silicon substrate 101 are lowered near the side walls of the groove 110, shoulders 120a of the formed trench 120 are formed into curved-surface shapes having roundness.例文帳に追加

第１のプラズマ処理によって形成された堆積物Ｄが保護膜として機能し、溝１１０の側壁付近ではシリコン基板１０１のエッチングレートが低下するので、形成されたトレンチ１２０の肩部１２０ａは丸みを持つ曲面形状に形成される。 - 特許庁

Then the device substrate 1 is etched from the surface side where the groove patterns 13 are formed up to the etching preventive patterns 4 to make the device substrate 1 on which the counter substrate 5 is stuck thin, and the device substrate 1 is divided in the groove pattern 13 parts.例文帳に追加

その後、溝パターン１３が形成された面側からエッチング防止パターン４に達するまでデバイス基板１をエッチングすることにより、対向基板５を貼り合わせたデバイス基板１を薄膜化すると共に、デバイス基板１を溝パターン１３部分において分割する。 - 特許庁

Then, an electrode forming region is exposed within the upper side surface of a heterostructure layer by wet etching using a room-temperature ammonia water as an etchant with a resist pattern as a mask to remove a part of the amorphous AlN thin film corresponding to the electrode forming region.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとし、室温アンモニア水をエッチャントとして用いたウェットエッチングを行うことにより、電極形成領域に対応するアモルファスＡｌＮ薄膜の部分を除去して、ヘテロ構造層の上側表面内の電極形成領域を露出させる。 - 特許庁

An electrode substrate 2 comprises a recess forming film 12 where an SiN film 13, an SiO2 film 14, an SiON film 15 and a phosphorus doped P-Si film 16 are deposited sequentially on a basic material 11 from the low etching rate side and a recess 17 having an inclining face 17a is made therein.例文帳に追加

電極基板２は、基材１１上にエッチレイトの低い側からＳｉＮ膜１３、ＳｉＯ_2膜１４、ＳｉＯＮ膜１５及びリンドープＰ−Ｓｉ膜１６を順次積層した凹部形成膜１２を設けて、傾斜面１７ａを有する凹部１７を形成した。 - 特許庁

The etching liquid is injected from an opening 25 into a storage space defined by the ring 10 and the upper-side sheet material 20, and a surface layer portion of the plate-like body sample 40 is dissolved to collect dissolved liquid, and the metal or ion in the collected dissolved liquid is analyzed quantitatively.例文帳に追加

開口２５からエッチング液をリング１０と上側シート材２０で画定された貯留空間に注入し、板状体試料４０の表層部分を溶解させ、溶解液を採取し、採取した溶解液中の金属またはイオンを分析定量する。 - 特許庁

When the surface irregular layer 12 and the protrusion forming film 11 are etched continuously by anisotropic dry etching, irregularities corresponding to those on the surface of the surface irregular layer 12 are formed on the upper surface side of the etched protrusion forming film 11.例文帳に追加

次に、表面凸凹膜１２および凸部形成用膜１１を、異方性ドライエッチングにより連続してエッチングすると、エッチングされた凸部形成用膜１１の上面側に、表面凸凹膜１２の表面の凸凹形状に応じた形状の凸凹が形成される。 - 特許庁

The method further includes the steps of forming second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) at an upper side of the second layer wiring 11 on the substrate 1, and removing by etching an unnecessary position including a pad forming region in the second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) by using a mask 16.例文帳に追加

基板１上での第２層目の配線１１の上側に第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）を形成し、マスク１６を用いて第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）におけるパッド形成領域を含む不要箇所をエッチング除去する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for an ArF excimer laser which excels in basic physical properties as a resist, such as transparency, sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern profile, in particular, excels in solubility in a resist solvent, and reduces the roughness on a pattern side wall after development.例文帳に追加

透明性、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れ、現像後のパターン側壁のラフネスを低減するＡｒＦエキシマレーザー用感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In order to increase the moment of inertia, the thickness of the center portion of the crown portion 2 is reduced by chemical etching, and a mass, including the portion of mass reduction, is positioned in the sole portion 3 on the side of the toe portion 5; moreover, the separation distance from the center of gravity 8 to the mass 3a is increased.例文帳に追加

慣性モーメントを大きくするために、クラウン部２の中央部分を化学エッチングで削ぎ落とし、ソール部３のトウ部５側に削ぎ落とし分を加味した質量体３ａを配置し、さらに重心８から質量体３ａまでの離間距離を大きくした。 - 特許庁

A second film (220) is formed from a first film (211) by subjecting the first film (211) to slice etching processing so as to eliminate a corner part (212) formed of a top surface (211t) of the first film (211) and a side surface (211s) of the first film (211) which crosses the top surface (211t).例文帳に追加

第１膜（２１１）の上面（２１１ｔ）と、上面（２１１ｔ）に交差する第１膜（２１１）の側面（２１１ｓ）とによって構成された角部（２１２）をなくすように、第１膜（２１１）にスライスエッチング処理を施し、第１膜（２１１）から第２膜（２２０）を形成する。 - 特許庁

In this way, reduction in the width of the side walls 6 is suppressed when a stopper film 7 is subjected to anisotropic etching and decrease in manufacturing yield of semiconductor devices due to junction leak current which is caused by exposure of an extension region can be suppressed.例文帳に追加

これにより、ストッパ膜７を異方性エッチングする際にサイドウォール６の幅が減少することを抑制し、エクステンション領域が露出することにより生じる接合リーク電流に起因する半導体装置の歩留まり低下を抑制することができる。 - 特許庁

The dry etching device is provided with a plasma source (ICP) 11 for generating a high-density plasma, a high frequency power source 12 for ICP for controlling the plasma density and a high frequency power source 13 provided on the side of a lower electrode in order to give a bias potential to the substrate.例文帳に追加

ドライエッチング装置は、高密度プラズマを生成するプラズマ源（ＩＣＰ）１１と、プラズマ密度を制御するＩＣＰ用高周波電源１２と、基板に対してバイアス電位を与えるために下部電極側に設けた高周波電源１３とを具備する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the side wall 2a of an oxide film 2 is prevented from being tapered inversely in a wet etching process for removing a natural oxide film in the case of forming contacts between a semiconductor substrate and a metal wiring.例文帳に追加

半導体基板と金属配線とのコンタクトを形成するとき、自然酸化膜を除去するためのウェットエッチング工程にて、酸化膜２の側壁２ａが逆テーパー形状となるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic recording layer 13 is etched with reactive ion etching under heating, by using a reaction gas composed of gaseous chlorine in a vacuum, and using the first mask layer 14a having a width corresponding to the width of a trailing side edge part of the magnetic recording head as a mask.例文帳に追加

真空中で塩素ガスからなる反応ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３をエッチングする。 - 特許庁