「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

When the non-reducing saccharide is a disaccharide it is present in the solution at a concentration of from 5% (w/v) to 50% (w/v), and when it is a monosaccharide it is present in the solution at a concentration of from 2.5% (w/v) to 25% (w/v).例文帳に追加

この非還元糖が二糖である場合、この非還元糖は、５％（ｗ／ｖ）〜５０％（ｗ／ｖ）の濃度でこの溶液中に存在し、そしてこの非還元糖が単糖である場合、この非還元糖は、２．５％（ｗ／ｖ）〜２５％（ｗ／ｖ）の濃度でこの溶液中に存在する。 - 特許庁

The pusher 31 pushes the plurality of the green compacts W onto the belt conveyor 5 in the state that the green compacts W are held respectively engaged with an engaging section 41, and thereby, the adjacent green compacts W, W are held spaced from each other and are placed in this state on the mesh belt conveyor 5.例文帳に追加

複数の圧粉体Ｗをそれぞれ係合部41に係合した状態で、押出体31がメッシュベルトコンベヤ５上に圧粉体Ｗを押し出して渡すことにより、隣り合う圧粉体Ｗ，Ｗの間隔が保たれた状態でメッシュベルトコンベヤ５上に圧粉体Ｗ，Ｗが載置される。 - 特許庁

Difference in balance of load due to difference in length of contact parts of the work W and the dies 1 and 2 is generated, but since the work W is formed, while rotating, for example the work W is rotated at 190°, and a part different from the condition wherein the work W is rotated at 0° is formed, load balance changes.例文帳に追加

ワーク（Ｗ）とダイス（１，２）の接触部分長さの違いによる荷重のバランスの差は、生じるが、ワーク（Ｗ）が回転しながら成形されるので、仮に、ワーク（Ｗ）が１９０°回転してきた時を考えてみると、０°のときと違う箇所が成形されるために、荷重のバランスが変化する。 - 特許庁

Subsequently, after one part of the retaining article W is only placed on the stacking article W, inclination of the retaining article W relative to the stacking article W is eliminated in plan view, and thereafter, the lower surface support is moved to stack the retaining article on the stacking article in the state that they are fitted to each other.例文帳に追加

次いで保持物品Ｗの一部のみを積付物品Ｗ上に載せた後、平面視で保持物品Ｗの積付物品Ｗに対する傾斜をなくし、その後、下面支持体を移動させて保持物品を積付物品上に互いに嵌合した状態に積み付ける。 - 特許庁

To provide a high-pressure discharge lamp having luminous efficiency at least higher than around 110 lm/W, capable of providing luminous efficiency higher than 120 lm/W as desired, having an average color rendering index Ra higher than 80, high in efficiency and color rendering, and small in chromaticity deviation, and to provide a luminaire using it.例文帳に追加

発光効率が少なくとも約110lm/W以上で、所望により120lm/W以上を得ることができ、しかも平均演色評価数Raが80以上になり、高効率、かつ高演色であるとともに、色度偏差の少ない高圧放電ランプおよびこれを用いた照明器具を提供する。 - 特許庁

In this device for drawing the article W on a main body by bringing the bottom part of the article W into contact with a conveyor 40, the belt conveyor 40 is brought into contact with the article W in a state of the carrying surface having a downward slope toward the article W.例文帳に追加

物品Ｗの底部にコンベヤ４０を接触させることにより該物品Ｗを本体上に引き込むようにしたベルト式移載装置であって、ベルトコンベヤ４０を、その搬送面が物品Ｗに向けて下り傾斜となる状態で物品Ｗに接触するようにした。 - 特許庁

Japan stated in its proposal (S/CSS/W/42)submitted in December 2000, that it shares with other Members, for example Hong Kong, China (S/CSS/W/6), the idea of eliminating all registered MFN exemptions by the end of 2004, or at the conclusion of the current negotiations, whichever comes earlier.例文帳に追加

我が国は、昨年１２月に提出した交渉提案(S/CSS/W/42)の中で、現在登録されている全てのＭＦＮ免除措置が、２００４年末或いは今次交渉の終結時の何れか早い時期に、撤廃されているべきとの香港提案(S/CSS/W/6)を支持することを明確にしている。 - 経済産業省

The fine bubble generation apparatus includes gas dissolving means X for dissolving a gas A in a liquid W stored in a tank 1 and steam spraying means Y for spraying steam S obtained by boiling the liquid W in the liquid W stored in the tank.例文帳に追加

槽１内に貯留されている液体Ｗに対して気体Ａを溶解させる気体溶解手段Ｘと、液体Ｗを沸騰させて得たスチームＳを槽内に貯留されている液体Ｗ中に噴射させるスチーム噴射手段Ｙとを備えた。 - 特許庁

In the ring gear 10 (gear) in which the part is immersed in the lubricant W, and the lubricating oil W is splashed by rotating movement, a number of spaces 12a are provided to generate a number of air bubbles in the lubricant W.例文帳に追加

潤滑油Ｗ内にその一部を浸漬し、回転動作によって潤滑油Ｗを跳ね上げるように設置されたリングギヤ１０（歯車）において、潤滑油Ｗ内に多数の気泡を発生させる多数の空隙１２ａが設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

On the scattering, the vibration is given to the substrate 15 in the vertical direction by a vibrator 23 in such a manner that the amplitude W is in the range of (D/10)<W<(D×10) and the vibration frequency is in the range of 5 to 200 Hz.例文帳に追加

散布時に加振機２３により支持体１５に上下方向で振幅Ｗを（Ｄ／１０）＜Ｗ＜（Ｄ×１０）の範囲で、振動周波数を５〜２００Ｈｚの範囲として振動を与える。 - 特許庁

After the substrates W are subjected to the necessary treatment in the units 11-13, the substrates W are temporarily carried in the carrying-in/out chambers 15 and 16 by means of a transporter 10 and successively housed in the cartridges CA.例文帳に追加

処理ユニット１１〜１３での必要な処理が終了した基板Ｗは、搬送装置１０を経て一旦搬出入室１５、１６に搬入され、カートリッジＣＡに順次収納される。 - 特許庁

The apparatus body 1 also comprises a support hole 11 having a small diameter part 11a in which the suspension bolt B is inserted and the support washer W is inserted, and a large diameter part 11b in which the support washer W is inserted and in which the support washer W is locked.例文帳に追加

器具本体１には、吊下げボルトＢを挿通可能かつ支持ワッシャＷを挿通不可能な小径部１１ａと、支持ワッシャＷを挿通可能な大径部１１ｂとを有して支持ワッシャＷが係止される支持穴１１が設けられている。 - 特許庁

When a substrate W is transferred in or out of one or at least two processing apparatuses 30-34 which process substrates, trays 1, 2 supporting the substrate W are transferred in or out of the processing apparatuses 30-34 in order to transfer the substrate W.例文帳に追加

基板を処理する１又は２以上の処理装置３０〜３４に対して基板Ｗを搬入，搬出させるに際し，基板Ｗを保持したトレー１，２を処理装置３０〜３４に対して搬入，搬出することにより基板Ｗを搬送する。 - 特許庁

A manager of the warehouse S operates the managing device 21 for managing the cargo W in the warehouse S to set zones A to H in the warehouse S in accordance with kind of the cargo W to be stored.例文帳に追加

倉庫Ｓの管理者は、倉庫Ｓの荷物Ｗを管理する管理装置２１を操作し、格納する荷物Ｗの種類等に応じて倉庫ＳにゾーンＡ〜Ｈを設定する。 - 特許庁

The linear projecting part 12 has a protrusive surface 120 and extends in the lateral direction W on the surface, by which the in-plane of the surface is divided in the longitudinal direction L intersecting with the lateral direction W.例文帳に追加

線状凸部１２は、突出面１２０を有し、一面の横方向Ｗに沿って延び、一面の面内を横方向Ｗに交差する縦方向Ｌに区切っている。 - 特許庁

The wafer W is held in the means 70, lowered by the cylinder 72, and only the surface S of th wafer W is dipped in the liquid in the container 61.例文帳に追加

そして，ウェハＷがこの保持手段７０に保持され，シリンダ７２により下降され，上述した貯留容器６１内の混合液にウェハＷ処理面Ｓのみが浸漬される。 - 特許庁

Before the substrate W is exposed in the aligner, the substrate W is subjected to cleaning and drying processings in a cleaning unit in the cleaning/developing processing block 12.例文帳に追加

露光装置において基板Ｗに露光処理が行なわれる前に、洗浄／現像処理ブロック１２の洗浄処理ユニットにおいて基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。 - 特許庁

In the first treatment, the substrate W is dipped into a treatment liquid in a treatment tank 1, thus preventing the substrate W from being adversely affected in terms of the process even if pressure is reduced quickly.例文帳に追加

第１の処理では基板Ｗが処理槽１内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板Ｗはプロセス的な悪影響を受け難い。 - 特許庁

A container 2 in which a cassette 1 housing wafers W is enclosed in such a way that the wafers W can be carried out of and in the cassette 1 is airtightly clamped on an airtight chamber 20 by means of clamps 7 or pressing members 8.例文帳に追加

ウエハＷを収納するカセット１を搬出入可能に封入するコンテナ２を、クランプ７又は押圧部材８をもって気密室２０上に気密に締結する。 - 特許庁

An apex part P1 of the projecting first abutting surface 211 is formed in a position offset in a width direction W from a centerline C1 in the width direction W of the rocker arm 2.例文帳に追加

凸状第１当接面２１１における頂点部Ｐ１は、ロッカアーム２の幅方向Ｗにおける中心線Ｃ１からこの幅方向Ｗにオフセットした位置に形成されている。 - 特許庁

In this case, the respective spot welded portions W formed between the pallet 1 and the repairing member 3 are formed in an interval in which the adjacent spot welded portion W are continuous.例文帳に追加

この際、パレット１と補修部材３との間に形成されるスポット溶着部Ｗのそれぞれを、隣り合うスポット溶着部Ｗどうしが連続する間隔で形成する。 - 特許庁

The transfer mechanism 5 transfers the substrate W in-between the carrying-in/carrying-out mechanism 4 at a transfer position P3 while transferring the substrate W in-between the first/second horizontal conveyance mechanisms 6, 7.例文帳に追加

移載機構５は、移載位置Ｐ３において、搬出入機構４との間で基板Ｗを授受し、第１および第２水平搬送機構６，７との間で基板Ｗを授受する。 - 特許庁

While a wafer W is being rotated at a first rotational speed R_1, a resist liquid is dripped nearly at the center of the wafer W from a resist nozzle for coating while spreading toward the outside in the radial direction of the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷを第１の回転速度Ｒ_１で回転させながら、レジストノズルからウエハＷの略中央にレジスト液を滴下してウエハＷの径方向外方に拡げながら塗布する。 - 特許庁

Positioning of a wafer W by means of the positioning mechanism 40 is achieved by contacting the three pieces of positioning pins 42 to an end face of outer periphery of the wafer W such that the three pieces of positioning pins push the wafers W in coordination with each other.例文帳に追加

位置決め機構４０によるウエハＷの位置決めは、３本の位置決めピン４２をウエハＷの外周端面に当接させて、そのウエハＷを互いに押し合うことにより達成される。 - 特許庁

A wafer W is supported by a plurality of supporting pins 7 with the undersurface of the wafer W and an opposite surface of a spin base 5 spaced apart from each other, and the spin base 5 is rotated in support of the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷの下面とスピンベース５の対向面とを離間させた状態で複数本の支持ピン７によってウエハＷを支持すると、ウエハＷを支持したスピンベース５を回転させる。 - 特許庁

The semiconductor wafer W is etched and treated under the state in which the covering CR is placed at the peripheral section of the wafer W and the peripheral section of the wafer W is covered.例文帳に追加

そして、半導体ウエハＷの周縁部にカバーリングＣＲが載置され、半導体ウエハＷの周縁部がカバーリングＣＲで覆われた状態で、半導体ウエハＷのエッチング処理が行われる。 - 特許庁

To provide the cabling shape analyzing device of wire harness (W/S) for allowing a status of a W/S twisted and deformed to be confirmed on a screen in the cabling work of the W/S constrained by a constraint tool.例文帳に追加

拘束具で拘束されるワイヤハーネス（Ｗ／Ｓ）の配索作業に際して、Ｗ／Ｓが捩れ変形する状態を画面上で確認可能にするＷ／Ｓの配索形状解析装置を提供する。 - 特許庁

Herein, the following relations are satisfied: 0.5 mm<D<5 mm, D<W<4×D, and W<2×T, in which W represents a width of the groove 12a, D represents a depth of the groove 12a, and T represents a thickness of the foamed resin 11.例文帳に追加

前記溝１２ａの幅Ｗと、前記溝１２ａの深さＤと、前記発泡樹脂１１の厚さＴとが、０．５ｍｍ＜Ｄ＜５ｍｍ、Ｄ＜Ｗ＜４×Ｄ、Ｗ＜２×Ｔ、の式を満たす。 - 特許庁

Both the two holding pins 601 and 602 are brought into contact with the periphery part of the substrate W, the periphery part of the substrate W is pushed in the direction which directs to the center of the spin chuck 501, and the substrate W is held.例文帳に追加

２つの保持ピン６０１，６０２はともに基板Ｗの周縁部に当接し、基板Ｗの周縁部をスピンチャック５０１の中心に向かう方向に押圧して、基板Ｗを保持する。 - 特許庁

A ratio (D/W) of a diameter D to the width W is constituted to be in the range of 0.4-0.8, where D is a diameter of a cylindrical virtual iron core having the width W and whose cross section is equal to that of the armature.例文帳に追加

幅Ｗと電機子の断面積と等しい断面積を有する円柱状の仮想鉄芯の直径Ｄとして、直径Ｄと幅Ｗとの比（Ｄ／Ｗ）は０．４〜０．８の範囲とされる。 - 特許庁

The apparatus for heat treatment installs the substrate W on an installing surface 99 by approaching the lower surface of the substrate W and an installing surface 99 for installing the substrate W in a non-parallel state with each other.例文帳に追加

本発明に係る熱処理装置は、基板Ｗの下面と、基板Ｗを載置する載置面９９とを、互いに非平行な状態で近接させて、載置面９９上に基板Ｗを載置する。 - 特許庁

When a screwing height in the male screw cylinder 21 of a middle container 3 is defined as Ho, and the outer diameter of a lower container 2 and the middle container 3 is defined as W, the stackable lunch box is formed so that W/3>Ho>W/8 is satisfied.例文帳に追加

中段の容器３の雄螺子筒21における螺合高さをＨｏとし、下段の容器２及び中段の容器３の外径をＷとしたとき、Ｗ／３＞Ｈｏ＞Ｗ／８に形成する。 - 特許庁

A heater unit 11 for supporting and heating a wafer W is provided in the reaction chamber 11, and the wafer W is treated by performing evacuation of the reaction chamber exhaust system 61 while feeding reaction gas to the wafer W.例文帳に追加

反応室２内にはウェハＷを支持して加熱するヒータユニット１１を有し、ウェハＷに反応ガスを供給しつつ反応室排気系６１から排気してウェハＷを処理する。 - 特許庁

A liquid film of developer is formed in the surface of a wafer W by supplying developer on the wafer W while moving a developer supply nozzle 70 on the wafer W at a prescribed speed.例文帳に追加

現像液供給ノズル７０が所定の速度でウェハＷ上を移動しながら，ウェハＷ上に現像液を供給することによって，ウェハＷ表面に現像液の液膜が形成される。 - 特許庁

When the surface temperature of the cooking material reaches 98°C in stewing, the setting output of a magnetron falls from 800 W to 100 W, and the magnetron is continuously driven at a heating output of 100 W.例文帳に追加

煮込み調理時に調理物の表面温度が９８°Ｃに達すると、マグネトロンの設定出力が８００Ｗから１００Ｗに下がり、マグネトロンが加熱出力１００Ｗで連続駆動される。 - 特許庁

To enable process control alteration of electrophotography and alteration of F/W on the market even in case of any F/W trouble etc., so that the latest F/W can automatically be put on the market.例文帳に追加

最新のＦ／Ｗを市場に自動的に投入可能となるため、電子写真のプロセス制御変更や、Ｆ／Ｗ不具合等があった場合でも市場のＦ／Ｗの変更が可能となるようにする。 - 特許庁

The work W is moved along the surface of the work W with respect to the photomask so as to place the work W in the opposite side to the incident side of the light exiting from the light source 2.例文帳に追加

このときには、ワークＷが光源２から出射した光の入射側とは逆側に配置されるように、フォトマスクＭに対してワークＷをワークＷの表面に沿って移動させる。 - 特許庁

Further, while cooling a protection tape T is indirectly cooled via the wafer W cooled in a process for sticking the protection tape T to the wafer W, the protection tape T is made to stick to the surface of the wafer W.例文帳に追加

さらに、ウエハＷに保護テープＴを貼付ける過程で冷却されたウエハＷを介して保護テープＴを間接的に冷却しながらウエハＷの表面に保護テープＴを貼付けてゆく。 - 特許庁

In this way, the operation of centrifugal force acting on the work W is changed, the work W receives a swinging operation, and the contact position of the work supporting member 11 to the work W is changed.例文帳に追加

これにより、前記ワークＷに作用する遠心力の働きが変化し、前記ワークＷは揺動動作を受けてワークＷに対するワーク支持部材１１の接触位置が変更されるようになされる。 - 特許庁

The arms 113u, v, w are connected in parallel with a power supply 120 and motor windings 22u, v, w are connected to the points of the arms 113u, v, w where the switching elements 111a, b are interconnected.例文帳に追加

各アーム１１３ｕ，ｖ，ｗは電源１２０に並列接続され、各アーム１１３ｕ，ｖ，ｗにおけるスイッチング素子１１１ａ，ｂの相互接続点にモータ巻線２２ｕ，ｖ，ｗが接続される。 - 特許庁

Cleaning gas is injected into waste W to clean the inside of the waste, oil discharged from the waste W is recovered, and the cleaning gas in the waste W is recovered.例文帳に追加

洗浄ガスを廃棄物Ｗに注入して廃棄物内部を洗浄し、廃棄物Ｗより排出されたオイルを回収するとともに、廃棄物Ｗ内の洗浄ガスを回収するようにした。 - 特許庁

In addition, if each wafer W is mounted on plural-wafer mounting plate 3, the edge face of two or more wafers W can be protected easily and thereby two or more wafers W are processed effectively.例文帳に追加

また、複数枚のウエハ載置板３にそれぞれウエハＷを載置すれば、複数枚のウエハＷの端面を容易に保護できるので、複数枚のウエハＷを効率的に処理することができる。 - 特許庁

The storage and retrieval means feeds the work W to a grinding position where the work W is supported by the static pressure type axial supporting means in the state of non-contact with each other, and carries out the work W from the grinding position.例文帳に追加

搬入出手段は、静圧式軸方向支持手段によりワークＷが非接触支持される研削加工位置へワークＷを供給し、かつ研削加工位置からワークＷを搬出する。 - 特許庁

Such a slit nozzle 2221 injects the inert gas to the substrate W under pattern formation process from the downstream side in the conveyance direction of the substrate W toward the surface vicinity of the substrate W.例文帳に追加

このようなスリットノズル２２２１が、パターン形成処理が行われている基板Ｗに対して、基板Ｗの搬送方向の下流側から基板Ｗの表面近傍に向けて不活性ガスを噴射する。 - 特許庁

The braid 10 allows a difference in temperature between the front and the back of the wafer W to be smaller to reduce the warp of the wafer W since heat is radiated by the louvers 54 from the back of the wafer W.例文帳に追加

このブレード１０によると、ウェハＷの裏面からの熱が放熱穴５４によって放熱されるため、ウェハＷの表裏の温度差が小さくなり、ウェハＷの反りが低減される。 - 特許庁