「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The web W printed in a printing unit is wound around the winding shaft S1.例文帳に追加

図２（ａ）において、印刷部で印刷されたウエブＷは、巻取軸Ｓ１に巻取る。 - 特許庁

In the middle of the Heian period/h/ became unified with/w/ when not used at the beginning of words, so in the medieval period it was voiced when followed by/a/ and/o/ but not voiced before the other vowels. 例文帳に追加

語頭以外の/h/は平安時代中期に/w/と統合したため、中世には/a/・/o/が後に続くときには音になるが、その他の母音の前では発音されない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The bias voltage V accelerates ions in the plasma toward the inner surface of the work W.例文帳に追加

バイアス電圧Ｖは、プラズマ中のイオンをワークＷの内面に向けて加速する。 - 特許庁

And in the second process, the resist liquid R is diffused to the end of the wafer W.例文帳に追加

そして第２の工程でレジスト液ＲをウェハＷの端まで拡散させる。 - 特許庁

A diaphragm 70 for separating the plating liquid in the semiconductor substrate W side and the plating liquid in the anode 30 side from each other is provided between the semiconductor substrate W and the anode 30.例文帳に追加

半導体基板Ｗとアノード３０との間に半導体基板Ｗ側のめっき液とアノード３０側のめっき液とを分離する隔壁７０を設ける。 - 特許庁

Thereafter, carrying work is performed to carry the workpiece W into the appointed tool in S12.例文帳に追加

その後、Ｓ１２で、特定機へ、ワークＷを搬入する搬入作業を行なう。 - 特許庁

A wafer W subjected to ion implantation processing is carried in the UV processing chamber 7, first.例文帳に追加

イオン注入処理後のウエハＷは、まず、ＵＶ処理室７に搬入される。 - 特許庁

Thereafter, the rotation of the spin chuck is accelerated to perform spin-dry treatment in the substrate W.例文帳に追加

その後は、スピンチャックの回転を加速し、基板Ｗのスピン乾燥処理を行う。 - 特許庁

In this case, width W of the separation web 11 is smaller than width b of the spacer 102.例文帳に追加

この場合、分離ウェブ１１の幅Ｗは、スペーサ１０２の幅ｂよりも小さい。 - 特許庁

The cement paste is obtained by mixing cement C and water W in a prescribed ratio.例文帳に追加

セメントペーストは、セメントＣと水Ｗとを所定の比率で混合したものである。 - 特許庁

The microcapsule is obtained by removing the organic solvent in the o/w type emulsion.例文帳に追加

前記ｏ／ｗ型エマルション中の有機溶媒を除去して得られるマイクロカプセル。 - 特許庁

Since the liquid level moves up and down along the surface of a semiconductor substrate W, in-plane uniformity of the semiconductor substrate W is further improved in treatment.例文帳に追加

これにより、液面レベルが半導体基板Ｗの面に沿って上下するので、処理における半導体基板Ｗの面内均一性をさらに高めることができる。 - 特許庁

Variation in the capability for W/C pressure boosting is thereby suppressed, and the differential pressure of the W/C pressures between the right and left front wheels FR, FL is also suppressed in the certain range.例文帳に追加

これにより、Ｗ／Ｃ圧の昇圧性能のばらつきを抑制することができ、左右前輪ＦＲ、ＦＬのＷ／Ｃ圧の差圧を一定範囲に抑えることが可能になる。 - 特許庁

A hyperthin metal plate W is held in a high tension state to a fitting frame 11 in a state where either end part of the hyperthin metal plate W is fixed to a movable member 12 moved by a cylinder 16.例文帳に追加

取付枠１１に極薄金属板Ｗの一方の端部をシリンダ１６で移動する可動部材１２に固定して極薄金属板Ｗを緊張保持する。 - 特許庁

The World Cup finals will be held in Brazil from June 12 to July 13, 2014.例文帳に追加

W杯本大会は2014年６月12日から７月13日までブラジルで開催される予定だ。 - 浜島書店 Catch a Wave

She appeared in the Women's World Cup six times, the most appearances by any player.例文帳に追加

彼女は女子W杯に他のどの選手よりも多い６回の出場を果たした。 - 浜島書店 Catch a Wave

The linear scan camera 2 is moved in the vertical direction and the horizontal direction relative to the wafer W while following up the position at the outer circumferential end of the wafer W in the vertical direction and the horizontal direction during rotation of the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷが回転している間におけるウエハＷの外周端の垂直方向及び水平方向の位置に追従して、リニアスキャンカメラ２を、ウエハＷに対して相対的に、垂直方向及び水平方向に移動させる。 - 特許庁

The hand section 11 has a supporting surface 13a inclined in the thickness direction of the born wafer W at a prescribed inclined angle and bears the wafer W in such a way that the peripheral edge of the wafer W is placed on the surface 13a.例文帳に追加

該ハンド部１１は、前記支承される半導体ウェハＷの厚み方向に所定の傾斜角で傾斜した支持面１３ａを有し、該支持面１３ａに半導体ウェハＷの周縁を載置して該半導体ウェハを支承する。 - 特許庁

In this composition, the roller 72 is rolled and moved on the surface of the work W by moving the machining table 4 while bringing the roller 72 into contact with the surface of the work W placed on the work mounting face 41, so that wrinkles in the work W are removed.例文帳に追加

この構成で、ローラ７２をワーク載置面４１に載置されたワークＷの表面に当接させつつ、加工テーブル４を移動させて、ローラ７２をワークＷの表面上を転動させることにより、ワークＷのしわを除去する。 - 特許庁

The outer periphery of the work is polished by holding the work W by the chuck device 20, advancing the table 2 forward in a state of rotating the work W and pressing the work W on the buffing wheel 4 to rotate it in one direction at high speed.例文帳に追加

チャック装置２０によってワークＷを挾持し、そのワークＷを回転させた状態でテーブル２を前進動させ、ワークＷを一方向に高速回転させるバフ車４に押し付けてワークの外周を研摩する。 - 特許庁

When the amount of use of the developer under an image forming condition in which the amount of use of the developer is maximum is 1[W], the amount of supply of the developer by the developer supply member 28 is in the range of 2[W] to 10[W].例文帳に追加

現像剤供給部材２８による現像剤の供給量は、現像剤の使用量が最大になる画像形成条件における使用量を１〔Ｗ〕としたとき、２〔Ｗ〕以上、１０〔Ｗ〕以下とする。 - 特許庁

On the other hand, the supporting means 15 prevents the cracking etc., of the wafer W which is extremely reduced in thickness in a back-grinding step by relieving the sticking pressure of the dicing tape T2 to the wafer W by allowing the downward displacement of the wafer table 13 at the time of sticking the tape T2 to the wafer W.例文帳に追加

この一方、ダイシングテープＴ２を貼付するときにウエハテーブルの下方への変位を許容し、バックグラインド工程で極薄化されたウエハへの貼付圧力を緩和して当該ウエハの割れ等を防止する。 - 特許庁

A wire winding machine is equipped with a forming equipment 14 which forms a wire W round in cross section into the wire W nearly polygonal in cross section, and a winding machine 19 which winds the wire W formed with the forming equipment 14 on a bobbin B through a series of processes.例文帳に追加

丸断面のワイヤＷを略多角形断面に成形する成形装置１４と、該成形装置１４で成形されたワイヤＷを一連の工程でボビンＢに巻回する巻回装置１９とを有する。 - 特許庁

In this way, wobbling on the peripheral edge when the wafer W rotates at a high speed can be suppressed by the air flow thus formed in the small gap between the casing 5 and the rear surface side of the wafer W, and the disturbance of the air flow on the surface of the wafer W is reduced.例文帳に追加

こうして筐体５とウエハＷの裏面側との狭い隙間に形成された気流によりウエハＷの高速回転時における周縁の振れを抑え、ウエハＷの表面の気流の乱れを少なくする。 - 特許庁

At this time, the diaphragm 221 is firmly attached to the wafer W with being deformed to the wafer W side by pressure of a working fluid 1 in a frame 211 to apply the pressure of the working fluid 1 to the wafer W in an uniformly dispersed manner.例文帳に追加

このとき、ダイヤフラム２２１は、フレーム２１１内の作動流体１の圧力によってウェハＷ側に変形しつつウェハＷと密着し、ウェハＷに作動流体１の圧力を均一に分散して印加する。 - 特許庁

The steel sheet has a composition containing, by weight, ≤0.1% C, 0.01 to 1.5% W and 0.02 to 0.2% Ti, and in which carbides containing Ti and W are dispersedly precipitated in a range satisfying Ti/W≥0.1 by the atomic ratio into a substantially ferritic structure.例文帳に追加

重量％で、Ｃ≦０．１％、Ｗ：０．０１〜１．５％、Ｔｉ：０．０２〜０．２％を含み、実質的にフェライト組織に、原子比でＴｉ／Ｗ≧０．１を満たす範囲でＴｉおよびＷを含む炭化物が分散析出してなる。 - 特許庁

A spin cleaner is provided with a treating chamber 4 in which spin cleaning is performed on the substrates W, a chuck 5 which horizontally holds the substrates W in the chamber 4, and a motor 6 which rotates the substrates W held by the chuck 5.例文帳に追加

スピン洗浄処理装置は、基板Ｗのスピン洗浄処理が行われる処理室４と、処理室４内で基板Ｗを水平に保持するチャック５と、チャック５にて保持された基板Ｗを回転させるモータ６とを備える。 - 特許庁

In this woven material-cutting device, a storage part 1 constituted so as to store plural woven materials W and enable selection of a desired woven material W and a cutting part 3 measuring the selected woven material W and cutting the woven material in a desired length are connectedly installed and arranged.例文帳に追加

複数の反物Ｗを保管するとともに所望の反物Ｗを選定し得るようにした保管部１と、選定された反物Ｗを測長して所望長さに切断する裁断部３とが連設配置される。 - 特許庁

In the vacuum oil-quenching method in which a work W heated in a heating chamber 2 is immersed in quenching oil 6 in an oil tank 5 of a quenching chamber 3 and cooled in oil, the work W is reciprocally moved in a predetermined direction (the vertical direction) in the quenching oil 6.例文帳に追加

加熱室２で加熱した処理品Ｗを、焼入室３の油槽５内の焼入油６に浸漬して油冷する真空油焼入方法において、処理品Ｗを焼入油６内において所定の方向（上下方向）に往復移動させる。 - 特許庁

Heat insulating materials 5 are disposed between the water W received in a seismic isolation pit 2 and the seismic isolation pit 2, and between the water W and a floating structure body 3, respectively, and a heat insulating closing member 6 is disposed near a water level of the water W to achieve heat insulation at the circumference of the water W.例文帳に追加

免震ピット２内に収容された水Ｗと免震ピット２との間及び水Ｗと浮体構造物本体３との間に断熱材５設置し、水Ｗの水面付近に断熱ふさぎ部材６を設置して水Ｗの周囲に断熱を施す。 - 特許庁

A W-film 2 is deposited on the substrate 1 to be treated by CVD (Chemical Vapor Deposition) using gaseous W(CO)_6 (stage 1), and a part or the whole of the W-film 2 deposited in this way is subjected to nitriding by plasma comprising gaseous N_2 (stage 2), so that the W-based film is obtained.例文帳に追加

被処理基板１上にＷ（ＣＯ）_６ガスを用いたＣＶＤによりＷ膜２を成膜し（工程１）、そのようにして成膜したＷ膜２の一部または全部をＮ_２ガスを含むプラズマで窒化してＷＮ膜３とし（工程２）、Ｗ系膜を得る。 - 特許庁

Also, the support pin 22 is provided with a position control part 24 controlling the position of the substrate W by being abutted to the end face of the substrate W and a support part 23 extended in a horizontal direction supporting the substrate W by being abutted to the lower surface near the end edge of the substrate W.例文帳に追加

また、支持ピン２２は、基板Ｗの端面と当接することにより基板Ｗの位置を規制する位置規制部２４と、基板Ｗの端縁付近の下面と当接することにより基板Ｗを支持する水平方向に延びる支持部２３とを備える。 - 特許庁

The wafer-holding mechanism 30 is provided with a pair of holding members 31a, 31b which hold the wafer W, when the respective members approach each other and detach the wafer W, when the respective members separate from each other, and the mechanism 30 is formed so as to be able to hold the other wafer W in a state of holding the wafer W.例文帳に追加

ウエハ保持機構３０は、各々が接近する際にウエハＷを保持し、各々が離隔する際にウエハＷを離す一対の保持部材３１ａ，３１ｂを具備し、かつ、ウエハＷを保持した状態で、他のウエハＷを保持可能に形成される。 - 特許庁

The substrate transfer mechanism 20 used for an exposing device 1 for exposing a pattern P of a mask M on a substrate W by directing an exposing light EL via the mask M to the substrate W lifts up and supports the substrate W and conveys the same in the X direction.例文帳に追加

基板搬送機構２０は、基板Wに対してマスクMを介して露光用光ＥＬを照射し、基板ＷにマスクＭのパターンＰを露光する露光装置１に適用され、基板Ｗを浮上させて支持すると共に、基板ＷをＸ方向に搬送する。 - 特許庁

In this method for removing the harmful material in the ground water W stored in a well 1 vertically provided in soil 2, the harmful material in the ground water W stored in the well 1 is decomposed by the oxidation action of ozone by aerating the ground water W with an ozone-containing gas G.例文帳に追加

本発明は、土壌２中に井戸１を立設し、井戸１内に貯留された地下水Ｗ中の有害物質を除去するための方法であって、井戸１内に貯留された地下水Ｗをオゾンを含有する気体Ｇで曝気し、地下水Ｗ中の有害物質を、オゾンの酸化作用により分解することを特徴としている。 - 特許庁

In addition, the device 50 measures a pattern formed on the wafer W through pattern matching in a technique based on scatterometry.例文帳に追加

また、キャテロメトリ（Ｓｃａｔｔｅｒｏｍｅｔｒｙ）技術によりウエハＷ上に形成されたパターンをパターンマッチングにより測定している。 - 特許庁

The work W is pulled in by a work pulling-in device 29 to be butted against an origin point of the gripper 11.例文帳に追加

ワーク引込み装置２９によりワークＷを引き込んでグリッパ１１の原点位置に突き当てる。 - 特許庁

A sheet-like work w in a state in which little tension is applied thereto is placed on a working table 6 (a).例文帳に追加

張力をほとんど付加しない状態のシート状ワークｗを加工テーブル６上に載置する（ａ）。 - 特許庁

The speed control part 45 controls a speed of the carrying-in conveyor 3 in placing the article W and moving.例文帳に追加

速度制御部４５は、物品Ｗを載置して移動中の搬入コンベア３の速度を制御する。 - 特許庁

The Si alloy contains, in addition to the above, 3% or less in total of one or two of Ta and W.例文帳に追加

また上記に加えて、Ｔａ，Ｗの１種または２種を合計で３％以下含有させたこと。 - 特許庁

In the plurality of projections 40, the length T is larger than the width W in each sectional shape.例文帳に追加

複数の突起４０は、断面形状において、長さ寸法Ｔが幅寸法Ｗよりも大きい。 - 特許庁

Plural almost planar workpieces (w) are arranged in piles along a guide 1 extending in the horizontal direction.例文帳に追加

水平方向に延びるガイド１に沿って複数枚の略平板状のワークｗを重ねて整列させる。 - 特許庁

In the press die 11, the punch 13 for working a work W is incorporated in a hollow cylinder 12.例文帳に追加

プレス型１１は、中空のシリンダ１２内にワークＷに加工を施すパンチ１３が内蔵されている。 - 特許庁

To provide an O/W type sunscreen cosmetic excellent in preservation stability and good in sense of use.例文帳に追加

保存安定性に優れ、良好な使用感を有するＯ／Ｗ型日焼け止め化粧料を提供する。 - 特許庁

The top two teams in the group automatically qualify for the World Cup finals in Germany next year. 例文帳に追加

グループの上位２チームが自動的に来年のW杯ドイツ大会決勝戦への出場権を得るのだ。 - 浜島書店 Catch a Wave