「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

In the case of performing the shaft enlarge-working method for forming the desirable enlarged part to the optional position in a work W by holding the work W as the shaft material with a pair of holding parts 2, 2 and at least imparting compression pressure, bending and rotation around the axial center of the work W to the work W between the holding parts 2, 2; the work W is heated.例文帳に追加

一対の保持部２，２にて軸材であるワークＷを保持させ、少なくともその保持部２，２間のワークＷに圧縮圧力と曲げ及び該ワークＷの軸心回りの回転を付加して、該ワークＷの任意の位置に所望の肥大部を成形する軸肥大加工方法を行うにあたり、ワークＷを加熱するようにする。 - 特許庁

The processing system for processing a substrate W comprises a processing section for processing the substrate W; a mount table 40 for mounting a storage vessel C for storing a plurality of substrates W; and a substrate carrier 60 for carrying the substrates W into or out of the storage vessel C via an opening 20 in the storage vessel C, while holding the substrates W in a nearly horizontal attitude.例文帳に追加

基板Ｗを処理する処理システムに，基板Ｗを処理する処理部と，複数枚の基板Ｗを収納する収納容器Ｃを載置する載置台４０と，基板Ｗを略水平な姿勢で保持し，前記収納容器Ｃの開口２０を介して収納容器Ｃ内に対して基板Ｗを搬入出させる基板搬送装置６０とを備えた。 - 特許庁

To make relative speed for a treatment liquid L for a workpiece W adjustable in dip coating in which the workpiece W is dipped in the treatment liquid L in a treatment tank T and advanced in the treatment liquid L.例文帳に追加

被塗物Ｗを処理槽Ｔ内の処理液Ｌに浸漬させて処理液Ｌ中を進行移動させる塗装用浸漬処理において、被塗物Ｗに対する処理液Ｌの相対速度を調整可能にする。 - 特許庁

The shock absorber 8 has a larger width W than the clearance 3 in the normal state and is curved in a circular in the horizontal direction of the article 1 and is placed in the clearance 3 decreasing the width w in the state.例文帳に追加

緩衝体８は、通常の状態では隙間３よりも大きい幅寸法Ｗを有し、物品１の水平方向で円弧状に湾曲させ、その状態での幅寸法ｗを小さくして隙間３に配設する。 - 特許庁

When the substrate W is subjected to a predetermined processing with the processing tool 2 while carrying the substrate W, there is performed the processing of the substrate W with the processing tool 2 while moving the processing tool 2 in the same direction as a carrying direction of the substrate W at a lower speed than a carrying speed of the substrate W.例文帳に追加

基板Ｗを搬送しつつ処理ツール２によって基板Ｗに対し所定の処理を施す場合において、処理ツール２を、基板Ｗの搬送方向と同一方向へ基板Ｗの搬送速度より遅い速度で移動させながら、処理ツール２による基板Ｗの処理を行う。 - 特許庁

This workpiece fixing device to position and fix the workpiece W by using a positioning mechanism 12 to position the workpiece W on a horizontal surface and a pressurizing and fixing mechanism 13 to pressurize and fix the workpiece W positions the workpiece in the horizontal direction of the workpiece W by the positioning mechanism 12 and pressurizes and fixes the workpiece W.例文帳に追加

ワークＷの水平面における位置決めをなす位置決め機構１２と、ワークＷを押圧・固定する押圧・固定機構１３とを用いてワークＷを位置決め固定するものであって、位置決め機構１２によりワークＷの水平方向における位置決めをなし、ついでワークＷを押圧・固定する。 - 特許庁

The article W is oscillated thereafter to lower an end part in the stacker crane passage 1 side by a dead weight of the article W using a transfer free-roller 17 as a fulcrum, and the unit conveyer 30 is driven to pull the article W in to an elevation table 23 side after the end part of the article W in the crane passage 1 side is mounted on the unit conveyer 30.例文帳に追加

その後、渡し用フリーローラー１７を支点として物品Ｗが自重でスタッカークレーン通路１側の端部を下げるように揺動して、物品Ｗのスタッカークレーン通路１側の端部が単位コンベア３０に載ると、物品Ｗを昇降台２３側に引き込むように単位コンベア３０が駆動する。 - 特許庁

The bubble generator 1 includes: a container body 2 for storing washing liquid W; an air supply means 15 for supplying air in the washing liquid W in the container body 2 to generate bubbles B1 of the washing liquid W; and a dispensing pipe 20 for passing the bubbles B1 of the washing liquid W generated in the container body 2 to dispensing them.例文帳に追加

泡発生装置１は、洗剤Ｗを収容する容器本体２と、容器本体２内の洗剤Ｗ内に空気を供給して洗剤Ｗの泡Ｂ１を発生させる空気供給手段１５と、容器本体２内に発生した洗剤Ｗの泡Ｂ１を通過させて吐出させる吐出管２０が設けられている。 - 特許庁

The oil-in-water (O/W) and water-in-oil (W/O) emulsions and microemulsions containing silanes or siloxanes having quaternary ammonium groups are made by reacting organic quaternary ammonium compounds having epoxide groups or halohydrin groups, with silanes or siloxanes having amino groups in the molecule.例文帳に追加

エポキシド基またはハロヒドリン基を分子中に有する有機第四級アンモニウム化合物を、アミノ基を分子中に有するシランまたはシロキサンと反応させる工程を実行することにより、第四級アンモニウム基を有するシランまたはシロキサンを含む、水中油型（O/W）及び油中水型（W/O）エマルジョンまたはミクロエマルジョンを調製する。 - 特許庁

The side face of the container W is photographed while rotating the container W with the clutch 10 kept in the state of connection within the width of the visual field of a camera.例文帳に追加

カメラの視野幅内において、クラッチ１０を接続状態として容器Ｗを自転させながら、容器Ｗの側面を撮像する。 - 特許庁

The lower part of a circumferential end surface of a wafer W is in point-contact with the fixing/supporting members 10a-10f, and the wafer W is held by the substrate-holding/rotating member 2.例文帳に追加

ウエハＷは、その周端面の下方部が固定支持部材１０ａ〜１０ｆに点接触して、基板保持回転部材２に保持される。 - 特許庁

The interval (b) between transported substrates W is set longer than the lengths (a) of the substrates W in the substrate transporting direction corresponding to one of control blocks 32a-32e.例文帳に追加

搬送される基板同士の間隔ｂを、制御ブロックの１つに対応する基板搬送方向における長さａより大きく設定する。 - 特許庁

The inner wall of a lower side container 2 is provided, as a wick structure, with a graphite substrate 4 in which a rough structure having an interval W of 10 μm or less is formed.例文帳に追加

下側コンテナ２の内壁には、間隔Wが10μm以下の凹凸構造を形成したグラファイト基板４をウィック構造として設けてある。 - 特許庁

In the second spindle 1b, the second machining B is performed for the n-th work W, and the first machining A is performed for the (n+1)-th work W.例文帳に追加

第２の主軸１ｂではｎ番目のワークＷに第２の加工Ｂを行い、ｎ＋１番目のワークＷに第１の加工Ａを行う。 - 特許庁

In addition, the wafer W can be uniformly heated and a part of the wafer W on which an epitaxial growth film is to be formed can be increased.例文帳に追加

ウエハＷを均一に加熱することができるし、ウエハＷにおいてエピタキシャル成長膜が形成される部分を多くすることができる。 - 特許庁

The substrate W is cleaned by making the cleaning tool 5 act on the surface of the substrate W through the liquid film of the treating liquid existing in the clearance G.例文帳に追加

この間隙Ｇに介在する処理液の液膜を介して洗浄具５を基板表面に作用させて基板Ｗを洗浄する。 - 特許庁

When the wafer W is stuck, even if the foreign matter is interposed between the wafer W and the sticking surface, the foreign matter is embedded in the soft layer 3.例文帳に追加

ウエハＷが吸着された際に、ウエハＷと吸着面との間に異物が介在しても、異物が軟質層３内に埋没する。 - 特許庁

Thereafter, the product part WP in the casting W can be disposed at near the hooks 20 and the disposing space of the product part W can be widened.例文帳に追加

したがって、フック２０の近くまで鋳物Ｗの製品部ＷＰを配置することができ、製品部ＷＰの配置スペースを広くできる。 - 特許庁

The fluorescent lamp 7 is the one with a rated power consumption of 55 W or more and 120 W or less, and housed in a translucent cover 8.例文帳に追加

蛍光ランプ７は定格消費電力が５５Ｗ以上１２０Ｗ以下のものであり、透光性のカバー８内に収容されている。 - 特許庁

At the time of polishing, a silicon wafer W is housed in a template 14 and the silicon wafer W is sucked on a suction pad 15 by the surface tension of water.例文帳に追加

研磨時、シリコンウェーハＷをテンプレート１４に収納し、シリコンウェーハＷを水の表面張力で吸着パッド１５に吸着する。 - 特許庁

In addition, the wire harness W is inserted into the multiple woven part 34a (34b) and the inserted wire harness W is hung and held on the fabric 34.例文帳に追加

そして、この多重織部３４ａ（３４ｂ）にワイヤーハーネスＷを挿入し、この挿入したワイヤーハーネスＷを織物３４に掛け留めている。 - 特許庁

To provide a substrate carrier 3 which can support a substrate W without bending the substrate largely even in the case of a large and thin substrate W.例文帳に追加

大きく薄い基板Ｗであっても、大きく撓ませることなく、基板Ｗを支持することができる基板搬送装置３を提供する。 - 特許庁

Simultaneously with the turning, the nozzle 27 of a burner is moved in the axial direction of the steel pipe W rearward from the front of the steel pipe W.例文帳に追加

回動と同時に鋼管Ｗの前方から後方に向かって鋼管Ｗの軸方向に沿ってバーナーのノズル２７を移動させる。 - 特許庁

The second barrier (126) is a barrier of low conductivity such as Ta, Ti, Mo, W, TaN, WN, MoN or TiN so that the second barrier remains in the bottom of the via or contact.例文帳に追加

第２のバリア（126）はビアまたはコンタクトの底に残っているので、第２のバリア（126）は、Ta, Ti, Mo, W, TaN, WN, MoNまたはTiNのような低い抵抗率のバリアを有する。 - 特許庁

A heat plate 25 for mounting and heating the wafer W is provided in the chamber 23, to heat the wafer W to a high temperature of 450°C.例文帳に追加

高温加熱室２３には，ウェハＷを載置して加熱する熱板２５を設け，ウェハＷを高温の４５０℃まで加熱できるようにする。 - 特許庁

A development advancing degree of the outer edge of the wafer W is regulated by this operation, and hence the circuit pattern of uniform line width in the wafer W is formed.例文帳に追加

この操作により，ウェハＷ外縁部の現像進度が調節され，ウェハＷ面内に均一な線幅の回路パターンが形成される。 - 特許庁

On the other end side, an electric wire W is extracted from a side surface, and a sealing member 22 is molded in a part for extracting this electric wire W.例文帳に追加

他端側は側面から電線Ｗが引き出されるとともに、この電線Ｗが引き出される部分はシール部材２２が成形される。 - 特許庁

The W film 48 is etched back so that the upper surface of the silicon oxide film 44 is exposed, and a W plug 50 is formed in the contact hole 46.例文帳に追加

Ｗ膜４８をエッチバックしシリコン酸化膜４４の上面を表出させて、コンタクトホール４６内にＷプラグ５０を形成する。 - 特許庁

In this way, a wafer W holding position can be changed without rotating the wafer W relatively to the chuck 221.例文帳に追加

これにより、周縁部保持チャック２２１に対するウエハＷの相対回転を生じさせることなく、ウエハＷの挟持位置を変更できる。 - 特許庁

The lamp operates at a frequency of 50 kHz-200 MHz and an RG power of 5 W-2000 W even without using a ferrite in the recessed portion.例文帳に追加

このランプは、凹部内にフェライトが無くても、周波数５０ｋＨｚ〜２００ＭＨｚ、ＲＦ電力５Ｗ〜２０００Ｗの範囲で動作する。 - 特許庁

The feeding rollers 11 and 12 hold a sheet W, and rotate to feed the sheet W out toward the downstream direction in accordance with rotation of the feeding rollers 11 and 12.例文帳に追加

駆動送りローラ１１と従動送りローラ１２によるシートＷの把持点の下流側近傍には、分岐案内ブロック２０が設けてある。 - 特許庁

A peripheral edge portion of a wafer W is put between the first and second cleaning surfaces 29 and 30 and in this state, the wafer W is rotated.例文帳に追加

第１および第２洗浄面２９，３０の間にウエハＷの周縁部が導入され、その状態でウエハＷが回転される。 - 特許庁

The robot hand 3 is positioned to normally face against the work W at a normal position and is made to advance in the longitudinal direction of the support bar 1b toward the work W.例文帳に追加

ロボットハンド３を正規姿勢のワークＷに正対する姿勢にしてワークＷに向けて支持バー１ｂの長手方向に前進させる。 - 特許庁

To prepare a W/O/W multiple emulsion which prevents deterioration of a cobalamin sealed in an inner water phase and has stability with time.例文帳に追加

内水相に封入したコバラミン類が劣化するのを防止し、経時的に安定なＷ／Ｏ／Ｗ型複合エマルションを提供すること。 - 特許庁

A heater 23 is embedded in a placing table 24, on which a semiconductor wafer W is placed so as to heat up the semiconductor wafer W to a prescribed temperature.例文帳に追加

半導体ウエハＷを載置する載置台２４にヒータ２３を埋設して、半導体ウエハＷを所定温度に加熱可能に形成する。 - 特許庁

In the method for stabilization and the stabilized composition the additive concentration of saccharide is 0.05-500 times (W/W) with respect to the preservative.例文帳に追加

さらには、糖類の添加濃度が防腐剤に対して０．０５〜５００倍量（Ｗ／Ｗ）である上記安定化方法および安定化組成物。 - 特許庁

This electrolysis equipment is aimed at electrolysis of the substrate to be treated W in the electrolyte filled between the substrate W and an anode 38.例文帳に追加

被処理基板Ｗと陽極３８との間に電解液を満たして被処理基板Ｗの電解処理を行う電解処理装置である。 - 特許庁

In that case, inert gas is supplied to the inside of the golf shaft W to prevent the hardening coil 310 from entering into the inner part of the golf shaft W.例文帳に追加

この際、ゴルフシャフトＷ内に不活性ガスを供給し、ゴルフシャフトＷの内部に焼入油３１０が侵入しないようにする。 - 特許庁

Beware, that if you have opened the file in "w" write mode this will clear any previous data of that file. 例文帳に追加

注意しなければならないのは、ファイルを "w" モードでオープンした場合はそのファイルにこれまで書かれていたデータがすべて消えてしまうということです。 - PEAR

Rakuto Tour: Daigo/ Higashiyama (W course): Nanzen-ji Temple, Daigo-ji Temple, Shoren-in Temple, Kodai-ji Temple, Nene no michi (Nene's road) (free time), lunch at Rihga Royal Hotel Kyoto 例文帳に追加

洛東探訪　醍醐・東山(Wコース)南禅寺・醍醐寺三宝院・青蓮院・高台寺・ねねの道(自由散策)リーガロイヤルホテルにてランチバイキング - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The coating head 10 is provided with a slit 16 for discharging the coating liquid F from an aperture part on the opposite to the support W in the width direction of the support W.例文帳に追加

塗布ヘッド１０は、支持体Ｗの幅方向において支持体と対向し、開口部より塗布液Ｆを塗出するスリット１６を備える。 - 特許庁

A finish grindstone 41 is rotated to cause a wafer W to move toward right side in X-direction, without making the wafer W rotate.例文帳に追加

仕上砥石４１を回転させ、ウェーハＷを回転させることなく、Ｘ方向右側に向けてウェーハＷを直線的に移動させる。 - 特許庁

To provide an oil in water (O/W) type emulsion ink for a mimeograph, having less viscosity change with the lapse of time and always affording a stable printed material.例文帳に追加

経時による粘度変化が少なく、常に安定した印刷物が得られる孔版印刷用油中水(W/O)型エマルションインキを提供する。 - 特許庁

This movable unit material 231 is placed in a way that it is in a diametric direction of the substrate W, and is further outside than an opposite area FR where the spin base 21 is opposed to the substrate W.例文帳に追加

この可動本体部材２３１は、スピンベース２１が基板Ｗと対向する対向領域ＦＲよりも基板Ｗの径方向外側に配置される。 - 特許庁

A loader unit 12 is disposed in the right side of the widthwise direction W of a bonding unit 11.例文帳に追加

ボンディングユニット１１の横幅方向Ｗ右側にローダユニット１２を配置する。 - 特許庁