「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Resist liquid is applied to a wafer W with a solvent gas atmosphere maintained in the casing 17a, and the wafer W is rotated for the formation of a resist film on the wafer W.例文帳に追加

このようにケーシング１７ａ内を溶剤気体の雰囲気に維持した状態で，ウェハＷにレジスト液が吐出され，ウェハＷが回転されてウェハＷ上にレジスト膜が形成される。 - 特許庁

The substrate treatment apparatus 10 is provided with a chamber 11 for housing a wafer W and applying RIE treatment to the wafer W, and a focus ring 25 is arranged around the wafer W housed in the chamber 11.例文帳に追加

基板処理装置１０は、ウエハＷを収容してＲＩＥ処理を施すチャンバ１１を備え、該チャンバ１１内に収容されたウエハＷの周りにはフォーカスリング２５が配置される。 - 特許庁

The flatness of the wafer W is improved as the foreign substance sinks in the coating layer 3 even when the foreign substance is interposed between the wafer W and the suction surface when the wafer W is sucked.例文帳に追加

ウエハＷが吸着された際に、ウエハＷと吸着面との間に異物が介在しても、異物がコーティング層３内に埋没するので、ウエハＷの平坦度が高まる。 - 特許庁

A work W is held in a vacuum chamber 11, a source gas introduced intermittently to the vacuum chamber 11 is ionized to generate plasma, and a bias voltage V is applied between an electrode 14 inside the work W and the work W, while causing the plasma to exist in the work W.例文帳に追加

ワークＷを真空槽１１内に保持し、真空槽１１に導入する原料ガスを間欠的に電離させてプラズマを生成し、ワークＷ内にプラズマを存在させながら、ワークＷ内の電極１４とワークＷとの間にバイアス電圧Ｖを印加する。 - 特許庁

An ultrasonic vibration apparatus 6 for making the twisted steel wires W co-vibrate by applying constant ultrasonic waves to the wires W while tension is applied to the wires W by applying press force to the wires W is installed just in front of the coating apparatus 4 for the rubber material G in the conveyance process 3.例文帳に追加

搬送工程３のゴム材料Ｇの被覆加工装置４の直前に、撚り線スチールワイヤＷに押圧力Ｆを付与して張力を与えた状態で、かつ一定の超音波を与えて共振させる超音波振動装置６が設置してある。 - 特許庁

The surface of a grinding wheel 10 is divided into each interval of the set unit width dw on the cross-section in the direction of the rotary axis so as to calculate machining efficiency Q' (w, t) of the set unit width dw at each surface position w in each moment during machining on the basis of a machining program 31.例文帳に追加

砥石車１０の表面を回転軸方向断面において設定単位幅dw間隔に分割し、加工プログラム３１に基づいて加工中の各瞬間における各表面位置wでの設定単位幅dwの加工能率Q'(w,t)を算出する。 - 特許庁

The carbon dioxide absorbent, characterized in that calcium hydroxide, water, calcium chloride of 0.3 to 1.4 w/w%, further preferably sodium chloride of 0.3 to 1.4 w/w% are contained, and a method of removing carbon dioxide in respiratory gas or anesthetic gas using the same.例文帳に追加

水酸化カルシウムと水と０.３〜１.４ｗ／ｗ％の塩化カルシウム、更に好ましくは０.３〜１.４ｗ／ｗ％の塩化ナトリウムとを含有することを特徴とする炭酸ガス吸収剤、及びこれを用いた呼吸ガスや麻酔ガス中の二酸化炭素除去方法。 - 特許庁

In a pixel unit 11, W pixels, R pixels, G pixels, and B pixels having color filters of W, R, G, and B disposed in the photoelectric conversion element are disposed in two dimensions in a matrix form to output the W signal, an R signal, a G signal, and a B signal.例文帳に追加

画素部１１には光電変換素子にＷ、Ｒ、Ｇ、Ｂの色フィルタがそれぞれ配置されたＷ画素、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素が行列状に２次元に配置され、Ｗ信号、Ｒ信号、Ｇ信号、Ｂ信号が出力される。 - 特許庁

The electrical circuit 50 becomes conductive in the mounting mode when the workpiece W held by the hand section 3 comes in contact with the workpiece W placed in the workpiece storage site 4, and the hand section 3 releases the workpiece W in response to the conduction of the electrical circuit 50 as a trigger.例文帳に追加

載置モードにおいては、ハンド部３に把持されたワークＷがワーク置き場４に既に置かれているワークＷに接触することにより、電気回路５０が導通し、電気回路５０の導通をトリガーとして、ハンド部３がワークＷを解放する。 - 特許庁

In a cleaning system which cleans wafers W of a substrate treating system, a wafer counter 31, which detects the number of wafer W housed in a carrier C which can house 25 wafers W is provided to a carrier carrying-in/out section 5 in and from which the carrier C, is carried.例文帳に追加

ウェハＷを洗浄処理する洗浄システムにおいて，２５枚のウェハＷを収納できるキャリアＣを搬入出させるキャリア搬入出部５に，キャリアＣ内に収納されたウェハＷの枚数を検出するウェハカウンタ３１を設けた。 - 特許庁

In the heat treatment device, the inside of a furnace is partitioned into a plurality of regions so that an atmosphere around a workpiece W is different in each of the regions, and the workpiece W is advanced to the partitioned regions in order, and heat treatment is applied to the workpiece W.例文帳に追加

ワークＷの周囲の雰囲気が領域毎で異なるように炉内が複数の領域に区画され、区画された各領域を順にワークＷが進行し当該ワークＷを熱処理する熱処理装置である。 - 特許庁

In this X-ray foreign matter detector 1, an examined object W is irradiated with an X-ray, and the presence of a foreign matter F in the object W is detected based on a transmission amount of the X-ray transmitted through the object W in accompaniment to the X-ray irradiation.例文帳に追加

Ｘ線異物検出装置１は、被検査物ＷにＸ線を曝射し、このＸ線の曝射に伴って被検査物Ｗを透過してくるＸ線の透過量から被検査物Ｗ中の異物Ｆの有無を検出する。 - 特許庁

Each of the outer conductor layers includes wiring parts 11 W, 16 W and conductor patch parts 11 P, 16 P installed at the tips of the wiring parts, and the conductor patch parts 11 P, 16 P have longer parts than the lengths of the wiring parts 11 W, 16 W in directions orthogonal to the extension directions of the wiring parts 11 W, 16 W.例文帳に追加

一対の外側導体層の各々は、配線部１１Ｗ、１６Ｗと、配線部の先端に設けられた導体パッチ部１１Ｐ、１６Ｐと、をそれぞれ含み、導体パッチ部１１Ｐ、１６Ｐは配線部１１Ｗ、１６Ｗの延在方向と直交する方向において、配線部１１Ｗ、１６Ｗの長さよりも長い部分を有する。 - 特許庁

In advance of the application of the punch machining to the workpieces W, a through-hole Wa is punched through the stacked workpieces W by a punching mechanism 16.例文帳に追加

ワークＷに対するパンチ加工に先立って、打ち抜き機構１６により積層ワークＷに貫通孔Ｗａを打ち抜く。 - 特許庁

Water drops W falling down from the young sardines F fall down in the first slits 5 and the water drops W do not stay on the upper face of the bottom plate 2.例文帳に追加

しらすＦから落下した水滴Ｗは、第１スリット５を落下し、底板２の上面には水滴Ｗは溜まらない。 - 特許庁

A finish-grinding wheel 3 formed of a cup type grinding wheel larger in diameter than a wafer W is rotated to finish-grind one side of the wafer W.例文帳に追加

ウェーハＷよりも大径のカップ型砥石からなる仕上砥石３を回転させてウェーハＷの片面を仕上研削する。 - 特許庁

In accordance with the number of rotations of the wafer W, the form of the holding member 85 holding the wafer W is changed to suppress the occurrence of treatment nonuniformity.例文帳に追加

ウエハＷの回転数に応じて保持部材８５によるウエハＷの保持形態を変化させ、処理ムラの発生を抑制する。 - 特許庁

The wafer carry-in/out station 4 can hold a plurality of the wafers W and carries the wafers W continuously to/from the imprint unit 3.例文帳に追加

ウェハ搬入出ステーション４は、複数のウェハＷを保有可能で、インプリントユニット３に連続的にウェハＷを搬入出する。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation film of a semiconductor element which prevents a plasma damage W to occur in the element isolation film forming process.例文帳に追加

素子分離膜形成工程で発生するプラズマ損傷Wを防止する半導体素子の素子分離膜形成方法を提供。 - 特許庁

A ratio W/T of the radial directional width W of the particular solid material in relation to the intermediate layer thickness T is set to 0.3-1.0.例文帳に追加

粒状固形物の半径方向幅Ｗの、中間層厚みＴに対する比（Ｗ／Ｔ）は、０．３以上１．０以下である。 - 特許庁

To provide a W type ferrite sintered compact which has high existence ratio of a W phase in the entire area of the sintered compact and to provide its production process.例文帳に追加

Ｗ相の存在比率が焼結体の全域で高いＷ型フェライト焼結体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The second conveyance unit 14 is of contact type and holds the substrate W by being in contact with the substrate W.例文帳に追加

第２搬送ユニット１４は、被処理基板Ｗに接触することにより当該被処理基板Ｗを保持する接触式のものである。 - 特許庁

As a result, the heat transfer gas can be uniformly diffused in the rear of the material W and a heat responsibility to the material W can be maintained.例文帳に追加

これにより、被処理体の裏面に伝熱ガスを均一に拡散でき、また、被処理体に対する熱応答性を高く維持する。 - 特許庁

In the formula 1, 0<a<1, w+x+y+z=1, 0≤w≤1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, and A is a metallic element.例文帳に追加

前記式中、０＜ａ＜１、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｗ≦１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、Ａは金属元素である。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head which has a significantly narrow track width without ATE problems and excellent in O/W properties with fast switching speed.例文帳に追加

ATEの問題がなく、極めて狭いトラック幅を持ち、しかも、O/W特性に優れ、スイッチングスピードの速い薄膜磁気ヘッドを提供すること。 - 特許庁

In this titanium welded tube, the ratio of a weld bead width W (mm) of a weld zone to the thickness t (mm) satisfies inequalities 6.5>t/W≥1/3.例文帳に追加

溶接部の溶接ビード幅Ｗ（mm）と板厚ｔ（mm）の比が６.５＞ｔ／Ｗ≧１／３であることを特徴とするチタン溶接管。 - 特許庁

While the hydrofluoric acid vapor is being supplied to the surface of the substrate W, the temperature of the substrate W is adjusted appropriately as in the following.例文帳に追加

基板Ｗの表面にフッ酸蒸気が供給されている間、以下のようにして基板Ｗの温度を適切に調節する。 - 特許庁

This oil-in-water emulsion comprises an oil and fat having ≥80 (W/W)% content of the allyl isothiocyanate based on the amount of the oil and fat, and water.例文帳に追加

油脂中のイソチオシアン酸アリル含有量が８０（Ｗ／Ｗ）％以上である油脂と、水よりなる水中油型乳剤。 - 特許庁

In succession, slave chips 2 are arranged on the wafer W by a suction collet 13 as its active surface 2a keeps facing downward and facing the wafer W (Figure (a)).例文帳に追加

続いて、子チップ２が吸着コレット１３により、活性面２ａを下方に向けられてウエハＷに対向配置される（図２（ａ））。 - 特許庁

The load size detector 41 has a plurality of optical axes in a region through which the load W passes to detect the size of the load W.例文帳に追加

荷大きさ検出器４１は、荷物Ｗが通過する領域に複数の光軸を有し、荷物Ｗの大きさを検出する。 - 特許庁

The control unit reads out an execution command group stored in a storage unit, and transmits a command corresponding to the execution mode to the R/W device unit.例文帳に追加

制御部は記憶部に格納されている実行コマンド群を読み出し、R/Wデバイス部に前記実行モードに対応したコマンドを送信する。 - 特許庁

The graphite material W to be treated is heated to 2,000°C to volatilize impurities contained in the graphite material W to be treated.例文帳に追加

被処理用黒鉛材料Ｗは２０００℃まで加熱され、被処理用黒鉛材料Ｗ中に含まれる不純物が揮散される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which fabrication cost is reduced as compared with that of a conventional wafer level chip size package (W-CSP), and also to provide its fabrication process.例文帳に追加

従来のウエハレベル・チップサイズパッケージ（W-CSP）よりも製造コストを低く抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises giving the artificial feed to the silkworm during a period of first instar to cocooning, so as to raise the silkworm, wherein the artificial feed for raising the silkworm is given by adding chitosan in an amount of 0.1 percent to several percents thereto.例文帳に追加

0.1%〜数%(w/w)のキトサンを添加した蚕用人工飼料を、１令から繭化するまで蚕に与えて飼育する。 - 特許庁

In a method for forming a mask on a substrate, a mask for treating a substrate W is formed by sticking a patterned seal 14 on the surface of the substrate W.例文帳に追加

予めパターンニングされたシール１４を基板Ｗの表面に貼付けて基板処理のためのマスクを形成するものである。 - 特許庁

A signature W is folded in parallel by pushing a chopper blade 52 from above to the conveyed signature W.例文帳に追加

搬送されてきた折り丁Ｗに対して上方からチョッパブレード５２を押しつけることによって折り丁Ｗを平行に折り込む。 - 特許庁

COSMETIC AND DERMATOLOGICAL LIGHT SCREENING PREPARATION IN FORM OF O/W MACROEMULSION OR O/W MICROEMULSION COMPRISING INSECT REPELLENT例文帳に追加

昆虫忌避剤を含むＯ／Ｗマクロエマルション又はＯ／Ｗミクロエマルションの形態の化粧品及び皮膚科学的光線遮蔽調製物 - 特許庁

Prescribed liquid for forming a dam in an outer edge part of a wafer W is supplied before resist solution is supplied to the wafer W.例文帳に追加

ウェハＷにレジスト液が供給される前に，ウェハＷの外縁部に堰を形成するための所定の液体を供給する。 - 特許庁

When cooling water W is supplied to the cold water tank 12, a funnel is fixed in place of a cap 35 and cooling water W is poured.例文帳に追加

冷水タンク１２へ冷却用水Ｗを補給する場合は、キャップ３５に代えて漏斗を付け、冷却用水Ｗを注入する。 - 特許庁

The wire W nearly polygonal in cross section is wound on the bobbin B, so that the wire W can be wound densely enough on the bobbin B.例文帳に追加

略多角形断面のワイヤＷをボビンＢに巻回することでワイヤＷを十分に高密度で巻回することができる。 - 特許庁

When first/second arms push-press the work W to the width direction, the position of the work W is regulated in the front/ rear direction.例文帳に追加

第１および第２のアーム１４ａ，１４ｂがワークＷをその幅方向に押圧する際ワークＷを前後方向に位置規制する。 - 特許庁

This can make the write pulse signal transmit and receive between the R/W signal processing circuit 3 and the R/W amplifier 2 in a low frequency.例文帳に追加

これにより、Ｒ／Ｗ信号処理回路３とＲ／Ｗアンプ２との間でライトパルス信号を低周波で受け渡しできる。 - 特許庁

Injection electron quantity Q_μB (W) in an arbitrary retention deterioration occurrence rate (W) can be obtained from the relation of β_μB, Q_μB.例文帳に追加

βμ_B、Qμ_Bとの関係から、任意のリテンション劣化発生率（Ｗ）における、注入電荷量Qμ_B（Ｗ）を求めることができる。 - 特許庁

First holding rollers 1A-1C are in contact with the end face of a substrate W and are rotated, thus holding and rotating the substrate W.例文帳に追加

第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃが基板Ｗの端面に当接しつつ回転することで基板Ｗを保持しながら回転させる。 - 特許庁

When the N/W number data does not exist, the inputted N/W number data is stored in the memory table (S112).例文帳に追加

またＮ／Ｗ番号データが存在しなければ、入力されたＮ／Ｗ番号データをメモリテーブルに記憶するしておくようにする（S112）。 - 特許庁