W-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11340件
The set angles of the wafers W of each type are previously written in their recipes in accordance with categoris the wafter W, and the orientation of the wafer W is set up by selection of the recipe.例文帳に追加
ウエハWの設定角度については、予めレシピの中にウエハWの種別毎に書き込んでおき、レシピの選択によりウエハWの向きが設定される。 - 特許庁
As a binder for a woody material W, a thermoplastic resin melt R is sprayed on the woody material W in a mist- or dot-like state to be uniformly dispersed in and mixed with the woody material W.例文帳に追加
木質材料Wの結着剤として、木質材料Wに熱可塑性樹脂溶融物Rを霧状またはドット状に噴霧して均一に分散混合させる。 - 特許庁
A washing liquid is sprayed on the work W while forward and rearward rotating the rotary drum 3 in a state the work W is captured in the work capturing pocket 40 to wash the work W.例文帳に追加
ワーク捕捉用ポケット40にワークWを捕捉した状態で回転ドラム3を正逆回転させながら洗浄液を吹き付けてワークWを洗浄する。 - 特許庁
To provide a W/O/W multiphase emulsion which is excellent in stability with time and to provide a W/O/W multiphase emulsion which is excellent in stability, safety and utility without using a surfactant.例文帳に追加
経時安定性に優れたW/O/W型多相エマルジョンを提供し、さらには界面活性剤を用いずに安定性、安全性および使用性に優れたW/O/W型多相エマルジョンを提供すること。 - 特許庁
To provide an F/W exchanging device capable of exchanging the F/W of integrated equipment set in a remote place without mounting any special H/W.例文帳に追加
特別なH/Wを装備することなしに遠隔地に設置された組込機器のF/Wを入れ替えることができるF/W入替装置を提供する。 - 特許庁
Therefore, the drying of the substrates W can be performed suitably, because other substrates W can be transported above the chamber 37 even when the substrates W are dried in the chamber 37.例文帳に追加
したがって、乾燥処理中であってもチャンバー37の上方で基板Wの搬送を行うことができ、好適に乾燥処理を行うことができる。 - 特許庁
When the substrate W is transfered in and out, the substrate W is positioned at a height TH which is approximately the same as the inlet/ outlet of the substrate W.例文帳に追加
基板Wの搬出入の際には基板搬出入口10aとほぼ同じ高さの搬出入高さTHに基板Wを位置させる。 - 特許庁
The punched rectangular electromagnetic steel plates are laminated and bonded together, in the direction of the width W for the formation of the leg cores 3, and W and H are so as to satisfy the relation H/W>1.例文帳に追加
脚鉄心3は、矩形に打ち抜かれた電磁鋼板を幅W方向に積層接着し、高さHと幅Wの比がH/W>1である。 - 特許庁
The polymer compound thus obtained is dissolved in physiological saline or the like at 5-7.5 w/w% to make a vitrified liquid containing 6-7.5 M of ethylene glycol and 0.75 M of sucrose.例文帳に追加
このようにして得た高分子化合物を、生理的食塩水などに5〜7.5w/w%溶解させ、エチレングリコール6〜7.5M、スクロース0.75Mを含有した溶液としたガラス化液とする。 - 特許庁
In addition, AC% is an abbreviation for atomic concentrate % and is the percentage of the number of atoms of the oxide of W with respect to the total number of atoms of W and the oxide of W.例文帳に追加
なお、AC%とはatomic concentrate % の略で、Wの酸化物の原子数のWおよびWの酸化物の総原子数に対する%をいう。 - 特許庁
As described above, in a state of retaining the substrate W, the substrate W is rotated and the end face of the substrate W is cleaned by an end face cleaning brush 41.例文帳に追加
このように基板Wを保持した状態で基板Wを回転させて基板Wの端面を端面洗浄ブラシ41で洗浄処理する。 - 特許庁
The one side grinding device make the roughly conical shaped or roughly semi-spherical shaped work W pass through a gap between the grinding surface 10a of a grinding wheel 10 and a fixed work holding member 20 opposing the grinding surface 10a with a carrier 30 housing the work W in a pocket 31 and rotating, and grinds the bottom surface of the work W.例文帳に追加
片面研削装置は、略円錐状または略半球状をなすワークWを、ワークWをポケット31に収容して回転するキャリア30により、研削砥石10の研削面10aと、研削面10aに対向する固定状のワーク押え部材20との間に通して、ワークWの底面を研削するものである。 - 特許庁
As electrode material, W-based electrode material such as W-Ag, W-Cu and W-Au is formed in through-holes 2, so that a board material, having W-based electrodes 3 which is dense and superior in thermal resistance and has small working step-difference to a board, is obtained.例文帳に追加
電極材としてW−Ag,W−Cu,W−AuなどのW系電極材をスルーホール2に形成することにより、緻密で基板1との加工段差の小さい耐熱性にすぐれたW系電極3を有する基板材料を得る。 - 特許庁
In a step S4, the half value width W is evaluated by an optional threshold S(W) and the judgment processing is ended in the case of No.例文帳に追加
ステップS4は任意の閾値S(W)による半値幅Wの評価を行い、Noの場合は判断処理を終了する。 - 特許庁
In this case, a semiconductor wafer W is arranged on the stage 11.例文帳に追加
そして、ステージ11上に半導体ウェハWが配置される。 - 特許庁
To provide a method of obtaining a W-type ferrite sintered compact high in the existing ratio of W phase in the whole range of the sintered compact.例文帳に追加
W相の存在割合が焼結体の全域で高いW型フェライト焼結体を得る手法を提供する。 - 特許庁
The substrate 5 with the coil is dipped in the water W for storage.例文帳に追加
続いて、コイル付き基板5を保管用水Wに浸漬させる。 - 特許庁
A transfer unit 5 transfers the wafer frame W in such an inverted position.例文帳に追加
移動部5は、ウェーハフレームWをその状態で搬送する。 - 特許庁
In a short L and wide W (only 2G) memory cell, "H:L" is obtained.例文帳に追加
短L広W(2Gのみ)のメモリセルでは、「H:L」が得られる。 - 特許庁
In a long L and narrow W (only 2G) memory cell, "L:H" is obtained.例文帳に追加
長L狭W(2Gのみ)のメモリセルでは、「L:H」が得られる。 - 特許庁
Japan will make its third consecutive appearance in the World Cup. 例文帳に追加
日本はW杯に3大会連続で出場することになる。 - 浜島書店 Catch a Wave
It is the first World Cup held in Germany since the reunification of the country. 例文帳に追加
それはドイツ統一後に初めてドイツで開催されるW杯だ。 - 浜島書店 Catch a Wave
I remember the 2006 World Cup in Germany well because it was my first World Cup and I scored a goal in a match against Brazil. 例文帳に追加
2006年のW杯ドイツ大会は,僕にとっては初めてのW杯でしたし,ブラジル戦でゴールを決めたこともあってよく覚えています。 - 浜島書店 Catch a Wave
In a support rod 86 for supporting the wood material W, an elastic member 88 is arranged in a contact part with the wood material W.例文帳に追加
更に、木材Wを支持するための支持桿86に、木材Wとの接触部に弾性部材88を配設してある。 - 特許庁
In this instance, the power E4 per unit area of a joining face, in a work used for press fitting, is secured at or above 1.0×10^7 W/m^2.例文帳に追加
この時、圧入に使用される仕事の、接合面の単位面積当りの仕事率 E4 を、1.0×10^7 W /m^2 以上に確保する。 - 特許庁
Especially, the defeat in the second match seemingly gave President George H. W. Bush a shock. 例文帳に追加
特に2回目の敗北はブッシュにとってショックだったらしい。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
In the cooling unit CP, inert gas is sprayed to the substrate W when the substrate W is carried in and out.例文帳に追加
冷却ユニットCPにおいては、基板Wの搬入時および搬出時に、基板Wに不活性ガスが吹き付けられる。 - 特許庁
the unlucky prisoner was again put in irons- W.H.Prescott 例文帳に追加
その不運な囚人はまたもや足かせをはめられた−W・H・プレスコット - 日本語WordNet
Specifies the window whose event uou are interested in.例文帳に追加
w 1i注目しているイベントを所有しているウィンドウを指定する。 - XFree86
The screw conveyor 20 conveys the bearing W in a conveying direction along an axis line while holding the bearing W in a screw groove 22 one by one.例文帳に追加
スクリューコンベア20は、スクリュー溝22にベアリングWを1個ずつ保持しながら軸線に沿った搬送方向に搬送する。 - 特許庁
Watabe Akito Comes in 2nd at Nordic Combined World Cup Event例文帳に追加
渡(わた)部(べ)暁(あき)斗(と)選手がノルディック複合W杯で2位 - 浜島書店 Catch a Wave
In this case, the blades W in the region R are so set as to tilt downward in the right and the blades W in the region T are so set as to tilt upward in the right while being kept at the angle θa to the line Q.例文帳に追加
ここで、領域Rの羽根Wは右下がりに、領域Tの羽根Wは右上がりに、線Qに対して角度θaを有して形成されている。 - 特許庁
In this case, a direction of each beam is to be moved by changing a core W of a space DFT in a beam forming unit 101 as shown in Fig.1.例文帳に追加
本発明では図1に示すように、ビーム形成部101における空間DFTの核Wを変更することにより、各ビームの方向を移動させる。 - 特許庁
The cutting device cuts a work W by fixedly pressing the work W set on a horizontal ruler plate 4, on an almost perpendicular table 3 and moving a traveling circular saw 9 fitted to a cutting unit B in a vertical direction.例文帳に追加
水平定規板4上の加工材Wを、ほぼ垂直状のテーブル3に押圧固定し、この加工材Wを切断ユニットBに備えた丸鋸9の立方向の走行移動によって切断加工する。 - 特許庁
At the time of working the substrate W, the substrate W gripped by the gripping means 4 is moved by a moving means for moving the substrate W between a plurality of substrate set sections in which the substrate W is set.例文帳に追加
この基板搬送装置には、基板Wの外周部を少なくとも3点で挟み込んで、基板Wを周方向に回転自在で、かつ着脱自在に把持する把持手段4を備えている。 - 特許庁
The dustproof net 1 is provided with the net fabric 2 in which the filling-up rate W(%) of the net fabric 2 and the fineness d (dtex) the net yarn 21 of the net fabric 2 satisfy a relation of 40≤(W/100)×d^0.5≤100.例文帳に追加
網地2の充実率W(%)と、網地2の網糸21の繊度d(dtex)とが、40≦(W/100)×d^0.5≦100の関係を満たす網地2を備えた防塵ネット1とする。 - 特許庁
While a mark readout optical system (102b) is set up in a high position opposed to the periphery of the semiconductor wafer W, the periphery of the semiconductor wafer W is illuminated with a higher illuminance than that for mark readout by an illuminating means (102a).例文帳に追加
半導体ウェハW の周縁部にマーク読取り光学系(102b)を対峙させ、照明手段(102a)により前記半導体ウェハW の周縁をマーク読取り時よりも高い照明強度をもって照明する。 - 特許庁
Thereafter, the wafer W is rotated at such a proper rotation speed as not to scatter the coating liquid on the wafer W from the wafer W and accordingly, the uniformity of the thickness-in-plane of the coating film on the wafer W is improved.例文帳に追加
この後ウエハW上の塗布液がウエハWから飛散しない回転数で当該ウエハWを回転させることにより、ウエハW上の塗布膜の膜厚の面内均一性を向上させる。 - 特許庁
The fillet portion (3) has a metal organizing structure wherein tungsten particles (W) comprising the same metal as the tungsten particles (W) of the electrode (1) are dispersed in a base material comprising the same metal as the nickel powder (Ni) contained inside the electrode (1).例文帳に追加
隅肉部(3)は、電極(1)内のニッケル(Ni)と同一の金属から成る基材中に電極(1)のタングステン粒子(W)と同一の金属から成るタングステン粒子(W)を分散した金属組織構造を有する。 - 特許庁
When the low-position sensor (12) interferes with the work (W) to block the light, a work (W) which is shorter than the arrangement height of the intermediate-position sensor (122) is determined, and a second muting area (98 (intermediate)) which is intermediate in height is set.例文帳に追加
低位センサ(12)がワーク(W)と干渉して遮光した場合には、中位センサ(122)の配設高さよりも低いワーク(W)であるとして、高さが中程度の第2のミューティングエリア(98(中))が設定される。 - 特許庁
The grinding wheel 7 E1 rotates in response to the rotation of the work W and chamfers the proximity of an edge of the work W.例文帳に追加
この砥石車E1は、ワークWの回転に従って回転しつつ、ワークの縁辺付近を面取りする。 - 特許庁
In this operation expression, according to characters of the finite group, an arithmetic result surely becomes M_1 if the values of the variables (t), (u) and (w) are correct.例文帳に追加
この演算式は、有限群の性質により、変数t,u,wの値が正しければ必ず演算結果がM_1となる。 - 特許庁
The composition and the composite material may have a thermal conductivity in the range of about 20 W to about 35 W/m×K.例文帳に追加
組成物または複合材は、約20ワット〜約35W/m・Kに及ぶ熱伝導性を有してもよい。 - 特許庁
The width (w) (width viewed from cutting face 3 side) of the flat drag 13 is in the range of 0<w≤1.5 mm.例文帳に追加
このさらい刃13の幅w(すくい面3側から見た幅)は、0<w≦1.5mmの範囲である。 - 特許庁
After the substrate W is cleaned, a liquid layer L in the rinse liquid is formed so that one surface of the substrate W is covered.例文帳に追加
基板Wの洗浄後、基板Wの一面を覆うようにリンス液の液層Lが形成される。 - 特許庁
At this time, the regulation of the height in holding the wafer W controls cooling speed of the wafer W.例文帳に追加
このときウエハWを保持する高さ位置を調整することによりウエハWの冷却速度を制御する。 - 特許庁
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