「active layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(129ページ目) - Weblio英語例文検索

A wound-around body 1 made by winding a laminate 2 at least containing a cathode, an anode having an anode active material layer containing Si or Sn, and a separator intercalated between these with a core material 3 at the center.例文帳に追加

正極、Ｓｉ又はＳｎを含む負極活物質層を有する負極及びこれらの間に介在配置されたセパレータを少なくとも含む積層体２が、芯材３を中心にして捲回されてなる捲回体１を備えている。 - 特許庁

Because the titanium nitride film is formed using the titan target from which the surface nitride film was removed in advance, a natural oxide film on an active layer can be effectively reduced by Ti during the heat treatment thereby ensuring for the normal siliciding to take place.例文帳に追加

表面の窒化膜があらかじめ除去されたチタンターゲットを用いて，窒化チタン膜を形成することにより，熱処理の際にアクティブ層上の自然酸化膜をチタンが効果的に還元して，正常なシリサイド化を起こすことが出来る。 - 特許庁

To provide an active layer energy band for a laser diode by which a conduction band gap differential value between a quantum well and a well barrier of the laser diode is improved up to 300 meV or 450 meV and a characteristic temperature of the laser diode is improved.例文帳に追加

レーザダイオードの量子井戸と井戸障壁との間の伝導帯ギャップ差値が、３００ｍｅＶ乃至４５０ｍｅＶまで向上され、レーザダイオードの特性温度が向上されるレーザダイオードの活性層エネルギー帯を提供する。 - 特許庁

The method for bonding the light emitting device comprising a multilayer semiconductor layer having an active region to the transparent lens comprises a step for raising the temperature of the lens and the multilayer and pressing them by applying a pressure.例文帳に追加

活性領域を有する半導体層の積層体を備える発光デバイスに透明レンズを接着するための方法は、レンズと積層体の温度を上げ、圧力を加えてレンズと積層体を一緒に押しつけることからなる。 - 特許庁

An optical fiber 3c, constituted by a core 3ca and a clad layer 3cb having a laser active substance is wound into a disc form and disposed, and sealed with a sealing resin 3d to constitute an optical fiber structure 3.例文帳に追加

レーザ活性物質を有するコア３ｃａ及びクラッド層３ｃｂによって構成された光ファイバ３ｃを円盤状に巻きつけて配置し、封止樹脂３ｄによって封止して板状の光ファイバ構造体３を構成する。 - 特許庁

To provide a new compound that bears polyfunctional (meth)acryloyl groups that can give cured film layer having high sensitivity, flexibility, solvent resistance and hardness by irradiation with high-energy active rays, e.g. ultraviolet rays or electron beams.例文帳に追加

紫外線や電子線等の活性エネルギー線を照射することにより、高感度で可撓性、耐溶剤性や硬度に優れた硬化膜を与えることができる多官能（メタ）アクリロイル基を有する新規化合物を提供すること。 - 特許庁

The present invention is characterized in that when data wiring lines and thin film transistors are fabricated on an array substrate for the liquid crystal display device, an active layer is not exposed beyond the data wiring line and beyond the gate electrode.例文帳に追加

本発明は、液晶表示装置用アレイ基板にデータ配線と薄膜トランジスタを構成する時、アクティブ層がデータ配線の外側及びゲート電極の外側へと露出されないように構成することを特徴とする。 - 特許庁

An annular band region 5a surrounding a central emission area of the active layer 5 is formed as a carrier restraining structure for restraining carrier production or propagation based on the absorption of spontaneous emission from the emission area.例文帳に追加

活性層５の中央部の発光領域を包囲する輪帯領域５ａは、発光領域からの自然放出光の吸収に基づくキャリアの発生または伝播を抑制するキャリア抑制構造として形成されている。 - 特許庁

To realize an edge face window structure without generating manufacture yield due to the oxidization of Al or the deterioration of reliability in a semiconductor optical element in which an active layer is formed by using Al system III-V group compound semiconductor materials.例文帳に追加

Ａｌ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を用いて活性層を形成する半導体光素子において、Ａｌの酸化による製造歩留まりや信頼性の低下を引き起こすことなく、端面窓構造を実現する。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor device 10 has a conductive area 32 which is opposed to a portion of the semiconductor active layer 24 existing between the p^+-type semiconductor area 41 and semiconductor substrate 22 through an insulating film 34.例文帳に追加

半導体装置１０はさらに、半導体活性層２４のうちのｐ^＋型半導体領域４１と半導体基板２２の間に存在する部分に絶縁膜を３４介して対向している導電体領域３４を備えている。 - 特許庁

The antidazzle layer is formed of an active energy ray-curable resin, translucent fine particles for forming the uneven part on the surface, and a cured product of a composition containing polymers having conformability to living body-derived lipid components.例文帳に追加

防眩層は、活性エネルギー線硬化型樹脂、表面に凹凸部を形成するための透光性微粒子及び生体由来脂質成分になじみ性を有する重合体を含む組成物の硬化物により形成される。 - 特許庁

There is provided the composition for forming the layer to be plated which contains a polymer having a radically polymerizable group, a functional group having an active hydrogen directly bonded with a carbon atom of 10≤pKa≤16, and an ionizable adsorption group, and the like.例文帳に追加

ラジカル重合性基、１０≦ｐＫａ≦１６の炭素原子に直接結合した活性水素を有する官能基、及びイオン性吸着基を有するポリマーを含有する被めっき層形成用組成物等を提供する。 - 特許庁

Using the semiconductor film 265a in the approximately single crystal state in the active layer of the semiconductor device (source region, drain region and channel region), the excellent semiconductor device is formed with a small off-current value and large mobility.例文帳に追加

この略単結晶状態の半導体膜２６５ａを半導体装置の能動層（ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域）に用いることで、オフ電流値が小さく移動度の大きな優良な半導体装置を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the hydrogen storage alloy electrode is such that an active material layer containing hydrogen storage alloy particles and a binder is formed in a belt-like conductive substrate and rolling treatment is conducted to an obtained rolling target material 64.例文帳に追加

水素吸蔵合金電極の製造方法では、帯状の導電性基板に対して、水素吸蔵合金粒子及び結着剤を含む活物質層を形成し、これにより得られた被圧延材６４に圧延処理を施す。 - 特許庁

A mass ratio of the lithium-cobalt composite oxide of the first positive electrode layer 12 to the mass of the whole positive electrode active material is 20-60 mass%, and surface resistance of the positive electrode 10 is 155 Ω or more.例文帳に追加

第１正極層１２のリチウム−コバルト複合酸化物の質量比率は全正極活物質の質量に対して２０質量％以上６０質量％以下で、正極１０の表面抵抗は１５５Ω以上である。 - 特許庁

The active matrix substrate 10 has a plurality of source bus lines 12, a plurality of gate bus lines 14 crossing the plurality of source bus lines 12 across an insulating layer 13, gate bypasses 14a, a plurality of TFT elements 15, and pixel electrodes 20.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１０は、複数のソースバスライン１２と、絶縁層１３を介して複数のソースバスライン１２と交差する複数のゲートバスライン１４と、ゲートバイパス１４ａと、複数のＴＦＴ素子１５と、画素電極２０とを備えている。 - 特許庁

Electrons are supplied to the active layer of the semiconductor light emitting element by the entered electron beam, holes are implanted from an anode electrode, and the electrons and the holes are recombined with each other, and light having a predetermined wavelength is emitted.例文帳に追加

半導体発光素子の活性層には、入射した電子線により電子が供給され、アノード電極からホールが注入され、これら電子とホールは活性層において再結合して所定の波長光が放出される。 - 特許庁

This electrode 32 includes a collector member 322 made of metal, a conductive intermediate film 323 provided on its surface, and an active material layer 324 held by the collector member through the intermediate film.例文帳に追加

本発明により提供される電極３２は、金属製の集電部材３２２と、その表面に設けられた導電性中間膜３２３と、該中間膜を介して上記集電部材に保持された活物質層３２４とを備える。 - 特許庁

The backup areas 42A and 142A can retain their active states by a power voltage (approximately 4.5 V) fed from an electric double layer capacitor 230 during the power failure, thereby retaining the information until the power recovers.例文帳に追加

このバックアップエリア４２Ａ、１４２Ａは、停電中に電気二重層コンデンサ２３０から供給される電源電圧（約4.5Ｖ）によって、アクティブ状態を維持することができるため、前記情報を停電復帰後まで保持しておくことができる。 - 特許庁

The utilization device for the organic gas is constituted with a reaction vessel 50 provided with the contacting layer 52 for bringing the organic gas into contact with the water and the active gas and the base bed 6a for subjecting the treated gas discharged from the reaction vessel 50 to the microorganismic decomposition.例文帳に追加

また有機ガスに水と活性ガスを接触させる接触層５２を備えた反応槽５０と、該反応槽５０から取り出した処理ガスを微生物分解させるベース床６ａとからなる有機ガスの利用装置としている。 - 特許庁

An active pixel sensor is formed as a structure of plural optical sensors, an interconnecting layer 210 is formed adjacent to a substrate 200 and a first pixel electrode 222 of a first optical sensor is electrically connected with the substrate 200 through a first interconnecting part 230.例文帳に追加

複数光センサ構造とし、相互接続層２１０が基板２００に隣接して形成され、第１の光センサの第１のピクセル電極２２２は第１の相互接続部２３０を通して基板２００に電気的に接続される。 - 特許庁

The nitride ceramic member has a fracture toughness K1c of ≥4.5 MPa.m1/2, and a segregated layer of the active metal in the brazing material having a thickness of 4 to 7 μm is present in the joined interface at the nitride ceramic member side.例文帳に追加

窒化物系セラミック部材の破壊靭性値Ｋ_ICは４．５ＭＰａ・ｍ^1/2 以上で、窒化物系セラミック部材側の接合界面には、ろう材中の活性金属が偏析した層が４μｍ〜７μｍ程度の厚さで連続して存在している。 - 特許庁

To improve the low-noise characteristics of a semiconductor laser element and to reduce its operating current and improve its temperature characteristics and reliability, by adding silicon, selenium, zinc, beryllium, sulphur or carbon into an active layer as an impurity at a predetermined concentration.例文帳に追加

低雑音特性が向上され、動作電流が低減されるとともに、温度特性および信頼性が向上された半導体レーザ素子、それを備えた投受光ユニットおよび光ピックアップ装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stuck wafer in which even formation of a blister due to an air bubble on a sticking interface is suppressed even when an active layer is thin and when an oxide film is thin.例文帳に追加

本発明の目的は、活性層が薄い場合や酸化膜が薄い場合においても、貼り合わせ界面の気泡によるブリスターの発生についても抑制することのできる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To suppress occurrence of distortions and cracks in the periphery of a contact part with constant potential wiring of a light shielding layer for shielding the light from the lower side of TFT in a liquid crystal display device of a TFT-driven active matrix driving system.例文帳に追加

ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴの下側からの光を遮光する遮光層の定電位配線とのコンタクト部周辺における歪みやクラックの発生を抑える。 - 特許庁

A first gate electrode 2 made of chromium, a gate insulating film, an active layer 4 which is made of polycrystalline silicon and has a source, a channel 7, and drain 6, are formed on an insulating substrate, and they are entirely covered with an interlayer dielectric.例文帳に追加

絶縁性基板１上に、Ｃｒからなる第１のゲート電極２、ゲート絶縁膜３、多結晶シリコン膜からなりソース５、チャネル７及びドレイン６を備えた能動層４を形成し、その全面に層間絶縁膜９を形成する。 - 特許庁

Even if the stress by expansion and contraction of the negative electrode active material layer 222 affects the negative electrode current collector 221, since folding of the folding part 221T is unfolded, the breakage of the negative electrode current collector 221 is prevented.例文帳に追加

負極活物質層２２２の膨張および収縮による応力が負極集電体２２１に及んでも、折り重ね部２２１Ｔの折り重ねがほどかれることにより、負極集電体２２１の破断が防止される。 - 特許庁

To provide an organic EL element obtained by a reduced number of production man-hour, of an active matrix system so structured as to take out light generated at an organic layer to an opposite side of a TFT, and its manufacturing method, an organic EL display, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明の主たる目的は、有機層において生じた光をＴＦＴとは反対側へ取り出す構造の、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ素子を、全体として低減された製造工数によって得ることにある。 - 特許庁

The transparent organic thin-film transistor is constituted by using a p-type organic semiconductor material in a semiconductor active layer, in which the maximum absorbance in the range of 400 to 700 nm, which is visible region, is 0.2 or less, when the thickness of a thin film is made to be 30 nm.例文帳に追加

半導体活性層に、膜厚３０ｎｍの薄膜としたときに可視域である４００〜７００ｎｍの範囲の最大吸光度が０．２以下であるｐ型有機半導体材料を用いた透明有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

In this nonaqueous electrolyte second battery, a fine negative electrode current collector exposed portion, on which lines are provided having a width of not more than 100 μm, or lines having a width of not more than 100 μm and intersected each other is formed on a negative electrode active material layer coated on a negative electrode current collector.例文帳に追加

負極集電体上に形成された負極活物質層に、１００μｍ以下の幅を持つ線、もしくは１００μｍ以下の幅を持つ線が交差複合された微細な負極集電体露出部を設ける。 - 特許庁

This deodorizing device 1 is constituted by installing a paper filter 5, an antimicrobial ceramic filter 6 and a filter layer unit packed with active carbon 7 in this order in series into a hermetic case 4 provided with an inflow pipe 2 and an outflow pipe 3 before and behind the case.例文帳に追加

脱臭器１は、前後に流入管２と流出管３を設けた密閉ケース４内に、紙フィルター５、抗菌性セラミックスフィルター６、活性炭７を充填した濾過層ユニット８の順に直列に設置して構成されている。 - 特許庁

The surface of the gate insulating film 120 is thus surface-treated by means of the nitride gas, thereby preventing leakage current from occurring in the active layer A by light and further improving the display quality of the image.例文帳に追加

このように、ゲート絶縁膜１２０の表面を窒化ガスを利用して表面処理することにより、光によって活性層Ａで漏洩電流が発生することを防止して、画像の表示品質をより向上させることができる。 - 特許庁

The optical disk unit is composed so that a joined surface of an active layer 13 of the semiconductor laser 8 and a generating line of an optical element 5 which is elastically deformed into a shape of almost cylindrical surface or a toroidal surface become almost right-angled by an elastic supporting member 7.例文帳に追加

半導体レーザ８の活性層１３の接合面と、弾性支持部材７によって、略シリンドリカル面状または略トロイダル面状に弾性変形した光学素子５の母線とが略垂直になるように配置する。 - 特許庁

This field-effect transistor having an active layer formed of the composition not only improves electrical characteristics, but also allows a low-temperature process, and is economical because expensive material substances such as indium and gallium are not used.例文帳に追加

前記組成物で形成された活性層を備えた電界効果トランジスタは、電気的特性の改善だけでなく、低温工程も可能であり、インジウムやガリウムのような高価の原料物質を使用しないので、経済的である。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having a GaInNAs-based quantum well active layer with its improved temperature characteristics and lowered threshold by decreasing hydrogen (H) to be taken into the GaInNAs-based material.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓ系量子井戸活性層を用いた半導体発光素子において、ＧａＩｎＮＡｓ系材料への水素（Ｈ）の取り込まれを低減して、温度特性が良く低しきい値である半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

An oxide silicon film 7a is formed on the surface of a substrate 1, and applied with a nitriding process which uses a nitrogen active radical generated by plasma, so that the surface of oxide silicon film 7a is changed into a nitride layer 7b.例文帳に追加

基板１の表面に酸化シリコン膜７ａを形成した後、この酸化シリコン膜７ａにプラズマによって生成した窒素の活性基を用いた窒化処理を施して、酸化シリコン膜７ａの表面を窒化層７ｂに変える。 - 特許庁

An active region 15 is prevented from deteriorating, and a threshold current is reduced, so that a wavelength 780 nm band InGaAsP well layer semiconductor laser device which operates stably for a long hours, outputting a high power of 100 mW or above can be obtained.例文帳に追加

こうして、活性領域１５の劣化を防ぐと共に閾値電流を下げることによって、１００mＷ以上の高出力時でも安定して長時間動作が可能な波長７８０nm帯ＩnＧaＡsＰ井戸層半導体レーザ素子を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which reduces deterioration in the electrical characteristics of a semiconductor layer due to the floating effect of a substrate and which exhibits superior electrical characteristics, as well as to provide a manufacturing method for such a semiconductor device, an active matrix substrate, an electro-optic device, and an electronic apparatus.例文帳に追加

基板浮遊効果に起因する半導体層の電気的特性の劣化を抑制し、優れた電気的特性を示す半導体装置とその製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a ZnO semiconductor light emitting device of Mg_xZn_1-xO oxide (0≤x≤1) whose active layer can be surely formed with high quality and furthermore a blue light emitting device.例文帳に追加

Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ型酸化物（０≦ｘ≦１）よりなるＺｎＯ系半導体発光素子において、活性層を高品質にて確実に形成でき、ひいては高性能で安価な青色発光型の発光素子を提供する。 - 特許庁

A laser element 100 is provided with a columnar part formed of the laminated structure of compound semiconductor layers including an active layer 16, and laser beams are emitted from the opposite side of the columnar part to an InP substrate 10 to an orthogonal direction.例文帳に追加

本レーザ素子１００は、活性層１６を含む化合物半導体層の積層構造で形成された柱状部を備え、柱状部の反対側からＩｎＰ基板１０に対して直交方向にレーザ光を放出する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic component module capable of manufacturing an electronic component module in a structure where a passive element and an active element are built into the same base wiring layer by a simple manufacturing process.例文帳に追加

受動素子と能動素子とが同一のベース配線層に内蔵された構造の電子部品モジュールを簡略な製造プロセスで製造することができる電子部品モジュールの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

At the end parts in axial direction of an electrode body 30 which composes a cylindrical battery 10, protruding parts 46, 66 are formed which are nonforming parts of an active material layer in electrode sheets 40, 60 protruding from a winding core part 32 and wound around.例文帳に追加

筒型電池１０を構成する電極体３０の軸方向端部には、電極シート４０，６０の活物質層非形成部が捲回コア部分３２からはみ出して捲回されたはみ出し部４６，６６が形成されている。 - 特許庁

When the semiconductor layers of a nitride laser are formed through a crystal growth method, an In-containing multi-quantum well structure active layer 107 is formed keeping a substrate at a temperature of 750°C.例文帳に追加

本方法では、少なくともＩｎを含む第１の窒化物半導体層を形成し、次いで第２の別の窒化物半導体層を形成しながら基板を昇温し、次にＩｎを含まない第３の窒化物半導体層を形成する。 - 特許庁

To provide means capable of preventing decrease in volume energy density, minimizing the generation of wrinkles in a current collector, and enhancing adhesion between an active material layer and the current collector, in a nonaqueous solvent secondary battery.例文帳に追加

非水溶媒二次電池において、体積エネルギ密度の減少を防止しつつ、集電体における皺の発生を最小限に抑制し、さらには活物質層と集電体との間の密着性を向上させうる手段を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the positive active material for the lithium secondary battery has an ion exchange process in which a sodium-manganese composite oxide having P2 type layer structure is ion-exchanged in a solution containing lithium chloride.例文帳に追加

また，Ｐ２型層状構造を有するナトリウム−マンガン複合酸化物を塩化リチウムを含む溶液中でイオン交換するイオン交換工程を有することを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。 - 特許庁