| 意味 | 例文 |
active layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7476件
While forming the two access transistors in the one active layer, a pair of memory cells belonging to the memory-cell rows and memory-cell columns adjacent to each other are coupled electrically to each corresponding source line by using a common contact CT.例文帳に追加
1つの活性層に2つのアクセストランジスタを形成して、隣接するメモリセル行であり、かつ隣接するメモリセル列の2つずつのメモリセルに対して共通のコンタクトCTを用いて対応するソース線と電気的に結合される。 - 特許庁
In the thin film transistor substrate, an active layer exposed on a channel region of the thin film transistor is protruded from the channel region to the outside, by a width of preferably 30% or less to the width of a source line.例文帳に追加
本発明の一つの観点による薄膜トランジスタ基板では、薄膜トランジスタのチャンネル領域に露出した活性層がチャンネル領域から外に、ソースラインの幅に対して好ましくは30%以下の幅まで突出している。 - 特許庁
An active material layer with excellent coupling property to the collector in the same way as sputtering film formation and with excellent productivity in the same way as wet plating can thereby be obtained to provide the negative electrode large in both capacity and capacity maintenance rate.例文帳に追加
これにより、スパッタ成膜同様に集電体との結合性が良好で、かつ湿式めっきと同様に生産性の良い活物質層が得られ、容量と容量維持率ともに大きな負極を提供することが出来る。 - 特許庁
Each of photosensible cells is formed with, inside one active region 100 surrounded with a device separation area, a photo-diode 101, a transfer gate 102, a floating spreading layer unit 103, an amplifying transistor 104 and a reset transistor 105.例文帳に追加
各感光セルでは、フォトダイオード101と、転送ゲート102と、フローティング拡散層部103と、増幅トランジスタ104と、リセットトランジスタ105とが、素子分離領域に囲まれた一つの活性領域100内に形成される。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser element which has no variance of polarization angle rotation even when mounted on a heat sink, etc., by a junction down joining system and does not generate a crack damaging an active layer even when cleaved.例文帳に追加
ジャンクションダウン接合方式でヒートシンク等にマウントしても、偏光角回転がばらつくようなことがなく、また劈開しても活性層に損傷を与えるようなクラックを発生させないような構成の半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
The graded layers 4 and 8 continuously increase in carrier density nearby the clad layers 3 and 9, so an energy band gap is deterred from being notched on their interfaces and a carrier can smoothly be injected into the active layer 6.例文帳に追加
グレーデッド層4,8のクラッド層3,9近傍において、キャリア濃度が連続的に増加しているので、これらの界面において、エネルギーバンドギャップにノッチが生じるのが抑制され、活性層6へのキャリアがスムーズに注入できる。 - 特許庁
Between the connection pad and the active element forming region, there is formed a reinforcement structure which is respectively provided on at least one wiring layer and consists of a dummy pattern that doesn't contribute to a logic function of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加
接続パッドと活性素子形成領域との間には、少なくとも1つの配線層のそれぞれに設けられた、半導体集積回路の論理機能に寄与しないダミーパターンからなる補強構造が形成されている。 - 特許庁
The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5.例文帳に追加
多結晶シリコン膜7の下に位置する側壁膜6は、活性領域2aと素子分離膜3との境界50にまたがって設けられ、且つ、側壁膜6の上部は、n型拡散層5の上面より上側に位置している。 - 特許庁
To provide a nitride semiconductor light-emitting element of superior electrostatic breakdown voltage whose light-emitting output is improved so that a range of application to various applied products is widened with the use of an active layer of a multiple quantum well structure.例文帳に追加
多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力がより向上し、静電耐圧が良好な窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁
An ion permeable insulation membrane 23 as a separator is installed between the positive-electrode active material layer 21B side of the positive electrode 21 and the negative electrode 22, while insulation is carried out between the other face of the positive electrode 21 and the negative electrode 22 by an insulation membrane 24.例文帳に追加
正極21の正極活物質層21B側と負極22との間にはセパレータとしてのイオン透過性絶縁膜23を設ける一方、正極21の他方の面と負極22との間は絶縁膜24により絶縁する。 - 特許庁
A liquid crystal panel 150 is an active matrix type TFT liquid crystal panel having a lower polarizing plate 135, a lower glass substrate 130, a liquid crystal layer 125, an upper glass substrate 115, a CF barrier 110, and an upper polarizing plate 105.例文帳に追加
液晶パネル150は、下部偏光板135、下部ガラス基板130、液晶層125,上部ガラス基板115,CFバリア110、上部偏光板105を有するアクティブマトリクス方式のTFT液晶パネルである。 - 特許庁
Similarly, a source 42SB and a gate 44B of the active layer 42 are connected to a second power supply line 102 on the other N-channel type thin film transistor TRB, and its drain 42D is connected to one end of a resistor element 45B.例文帳に追加
同様に、他方のNチャネル型薄膜トランジスタTRBでは、能動層42のソース42SBとゲート44Bが第2の電源線102に接続されており、そのドレイン42Dは抵抗素子45Bの一方の端に接続されている。 - 特許庁
On the roughened surface, the maximum height of a convex part from the average height of a concave part and the convex part is in a range of 5% or more and 30% or less of the average thickness of the active material layer having the roughened surface.例文帳に追加
前記粗面化された表面において、凹部及び凸部の平均高さからの凸部の最大高さは、前記粗面化された表面を有する活物質層の平均厚さの5%以上30%以下の範囲内である。 - 特許庁
To provide an active energy ray-curable white resin composition which has a high degree of reflection and a high degree of whiteness and excels in light resistance and heat resistance and a printed wiring board having an insulating layer composed of a cured product of the composition.例文帳に追加
反射率及び白色度が高く、且つ、耐光性及び耐熱性に優れた活性エネルギー線硬化性白色樹脂組成物及び、該組成物の硬化物からなる絶縁層を有するプリント配線板を提供すること。 - 特許庁
In the semiconductor device, the active element 10 is approximately as high as the conductive post 25, and the area of an opening 30 formed on the first insulating layer 26 is smaller than the area of the top face of the conductive post 25.例文帳に追加
この半導体装置において、能動素子10の高さと、導電性ポスト25の高さが略同一であり、第1の絶縁層26に形成される開口部30の面積が導電性ポスト25の上面の面積よりも小さい。 - 特許庁
To mainly provide an electrode layer that prevents the peel-off of an electrode material which is caused by a volume change of an active material caused by discharge and charge, and prevents an increase in battery resistance and the deterioration of a discharge capacity.例文帳に追加
本発明は、充放電に伴う活物質の体積変化による電極材料の剥離を防止でき、電池抵抗の増加および放電容量の低下を抑制した電極層を提供することを主目的とする。 - 特許庁
An insulating protective layer 24 is arranged so as to cover an outer peripheral surface 25 of the electrode group 10 including a positive electrode 21, the negative electrode 22 containing the negative electrode active material bringing forth a volume change, and a separator 23 interposed between them.例文帳に追加
正極21と、体積変化を起こす負極活物質を含有する負極22と、これらの間に介在するセパレータ23とを含む電極群10の外周面25を覆うように絶縁性保護層24を配置する。 - 特許庁
To provide an active matrix liquid crystal display element with which an excellent display quality and a high-speed response is obtained by reducing liquid crystal layer thickness without generating display defect due to gathering of impurities inside a pixel part.例文帳に追加
画素部内に不純物の集まりによる表示欠陥を発生させること無く液晶層厚を小さくし、良好な表示品質と高速応答性を得ることができるアクティブマトリックス型液晶表示素子を提供する。 - 特許庁
An negative electrode active material layer 22B of the negative electrode 22 contains a material which not only can store and discharge lithium but also have at least one kind out of metallic elements and semimetal elements.例文帳に追加
この負極22の負極活物質層22B(負極活物質)は、リチウムを吸蔵および放出することが可能であると共に金属元素および半金属元素のうちの少なくとも1種を有する材料を含有している。 - 特許庁
To provide a nonaqueous new undercoat agent which can form an undercoat layer in which adhesion between both of a cured coating made of an active energy ray curing type material and a plastic film and moisture resistance are excellent in a relatively short period of time.例文帳に追加
活性エネルギー線硬化型材料からなる硬化皮膜とプラスチックフィルムの双方との密着性及び耐湿性に優れるアンダーコート層を比較的短時間で形成できる、非水系の新規なアンダーコート剤を提供すること。 - 特許庁
To form a polysilicon layer of a large crystal particle size in a channel region, related to a thin-film element used as a switching element of an active matrix liquid-crystal display.例文帳に追加
本発明は、アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイにおけるスイッチング素子として用いられる薄膜素子の製造方法に関し、チャネル領域に結晶粒径の大きなポリシリコン層を形成できる薄膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nitride semiconductor laser which is free of deterioration due to end surface optical damage, even at a high light-output operation, by simultaneously forming an active layer structure having a short wavelength for the transition wavelength into a light-emitting end surface.例文帳に追加
窒化物半導体レーザにおいて、光出射端面近傍に遷移波長が短波長である活性層構造を同時に作り込むことにより、高光出力動作においても端面光学損傷による劣化を起こさない。 - 特許庁
In the method for producing a planographic printing plate, the photosensitive layer of the photosensitive planographic printing plate is imagewise exposed with active light of ≥700 nm wavelength and the exposed parts are dissolved in an alkaline developing solution and removed.例文帳に追加
また、平版印刷版の作成方法では、上記の感光性平版印刷版の感光層を、波長700nm以上の活性光線によって画像露光した後、露光した部分をアルカリ性現像液で溶解して除去する。 - 特許庁
An edge terminal structure comprises one conductivity-type of well 34, surrounding an active cell under a polysilicon layer 26, the reverse conductivity-type of well 30 surrounding perfectly the well 34, and a metallization 42 contacting the well 30.例文帳に追加
エッジ終端構造は、ポリシリコン層26の下側でアクティブなセルを包囲する第1の導電型式のウェル34と、ウェル34を完全に包囲する逆の導電性のウェル30と、ウェル30と接触するメタライゼーション42とを含む。 - 特許庁
In such constitution, a channel region in a zigzag shape is formed on an Si layer 5 in an active region, for example, in a square or rectangular shape, and the channel width of the MOSFET diode is efficiently widened.例文帳に追加
このような構成であれば、例えば正方形或いは長方形のアクティブ領域のSi層5に、蛇行形状のチャネル領域を形成することができ、MOSFETダイオードのチャネル幅を効率良く広げることができる。 - 特許庁
To provide an acrylic resin composition in which thick painting coating is possible, and which is used for manufacturing a solvent based acrylic adhesive of an active energy ray thermosetting type which can obtain an adhesive layer having a beautiful surface of a coating film.例文帳に追加
厚塗り塗工が可能であり、綺麗な塗膜表面の粘着剤層を得ることが可能な活性エネルギー線硬化タイプの溶剤系アクリル系粘着剤の製造に用いられるアクリル系樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide an ink composition which does not deteriorate adhesion with base materials even when applied to the base materials for thin type display substrates and cured using active energy beams, and which forms a hard coat layer providing display substrates with curling suppressed.例文帳に追加
薄型のディスプレイ基板用基材に塗布し、活性エネルギー線を用いて硬化させても、基材との密着性を損なうことなく、カール化を抑制したディスプレイ基板が得られるハードコート層を形成するインキ組成物を提供すること。 - 特許庁
Since the backup areas 42A and 142A maintain an active state by the power supply voltage (about 4.5 V) supplied from an electric double layer capacitor during the power failure, the information is held after the power failure restoration.例文帳に追加
このバックアップエリア42A、142Aは、停電中に電気二重層コンデンサ230から供給される電源電圧(約4.5V)によって、アクティブ状態を維持することができるため、前記情報を停電復帰後まで保持しておくことができる。 - 特許庁
When using the time division drive method, a data signal side drive circuit 102 and a gate signal side drive circuit 103 are respectively configured by TFTs each having an extremely rapid operation speed and using a semiconductor film having an active layer showing an electron beam diffraction image corresponding to [110] orientation.例文帳に追加
また、時分割駆動方式を用いる際、データ信号側駆動回路102及びゲート信号側駆動回路103を、特異な結晶構造を有するシリコン膜を用いた極めて動作速度の速いTFTで形成する。 - 特許庁
To suppress a material cost without consuming time in manufacturing, and furthermore realize to sufficiently secure electric conductivity and corrosion resistance by sufficiently securing thickness of a nitride layer formed in an active region which contributes to power generation.例文帳に追加
製造時に手間が掛からず素材コストも抑えることを可能とし、さらに発電に寄与するアクティブ領域に形成される窒化層の厚みを十分に確保して電気伝導性及び耐食性を十分に確保することを実現する。 - 特許庁
The active material layer 2 that covers the grid body 1 is installed so that the thickness becomes gradually smaller from one end part side of the grid body toward the other end part side, while thickness of the electrode is arranged to be nearly the same either on one end side of the grid body and on the other end side.例文帳に追加
格子体1を覆う活物質層2は、格子体の一端側から他端側に向かって徐々に厚みが小さくなるように設け、極板の厚みは、格子体の一端側でも他端側でもほぼ同じにする。 - 特許庁
The hard coat layer includes 75 to 99 parts by mass of an active energy-ray curable resin, 0.5 to 10 parts by mass of a photoinitiator, and 0.5 to 20 parts by mass of metal oxide particles, and has a thickness of 8 to 14 μm and an average roughness Ra of 0.08 to 0.12 μm.例文帳に追加
ハードコート層は、活性エネルギー線硬化型樹脂75〜99質量部、光重合開始剤0.5〜10質量部、金属酸化物粒子0.5〜20質量部含み、厚み8〜14μm、Ra0.08〜0.12μmである。 - 特許庁
To prevent a circuit from malfunctioning, by suppressing the occurrence of a displacement current for charging and discharging parasitic capacity composed by an insulation film, such as BOX, disposed between a support substrate and an active layer by dv/dt surge.例文帳に追加
dv/dtサージにより、支持基板と活性層との間に配置される絶縁膜(例えば、BOX)にて構成される寄生容量を充放電する変位電流が発生することを抑制し、回路の誤動作を防止する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a thin film transistor and a method for manufacturing a liquid crystal display unit which can decrease steps of forming an LDD region which mitigates an electric field in the vicinity of a drain of an active layer of the thin film transistor.例文帳に追加
薄膜トランジスタの活性層のドレイン近傍の電界を緩和するLDD領域を作成のための工程を減らすことのできる薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an active energy ray-curable composition that is transparent and little in optical distortion and excellent in heat deformation resistance, and to provide a cured film comprised of the same and an optical disk containing the cured film layer as a part of the component member.例文帳に追加
透明で、光学的に歪みが小さく、耐熱変形性に優れた活性エネルギー線硬化性組成物、該組成物からなる硬化フィルム、及び該硬化フィルム層を構成部材の一部として含む光ディスクを提供する。 - 特許庁
A hard-coated layer is formed by irradiating an amorphous polyolefin resin base with active energy radiation after treating the surface of the base to make it hydrophilic and applying a hard coat solution containing (A) a polyfunctional acrylate, (B) an aminosilane and (C) colloidal silica.例文帳に追加
非晶質ポリオレフィン樹脂基材の表面を親水化処理し、次いで(A)多官能アクリレート、(B)アミノシランおよび(C)コロイダルシリカを含有するハードコート液を塗布した後、活性エネルギー線を照射してハードコート層を形成させる。 - 特許庁
While the source region 24a and the drain region 24b are in a state of being covered, an active layer 25 made of a polycrystalline semiconductor thin film is formed by the reactive thermal CVD method, by utilizing the reactive energy of the plurality of different gases.例文帳に追加
ソース領域24aおよびドレイン領域24bを覆う状態で、複数の異なるガスの反応エネルギーを利用する反応性熱CVD法によって、多結晶性の半導体薄膜からなる活性層25を形成する。 - 特許庁
In the semiconductor laser, an active layer 4 is provided inside an element body 5, a first electrode 6 is formed on an upper surface of the element body 5, and a second electrode 7 and a third electrode 8 are formed on a lower surface of the element body 5.例文帳に追加
素子本体5の内部に活性層4が設けられると共に、素子本体5の上面には第1の電極6が形成され、素子本体5の下面には第2の電極7、及び第3の電極8が形成されている。 - 特許庁
The active layer is constituted by an amorphous oxide semiconductor containing In, Ga, and Zn, and has a Zn concentration lower than 20%, an In concentration equal to or higher than 40%, and a Ga concentration equal to or higher than 37%.例文帳に追加
この活性層は、In、GaおよびZnを含むアモルファス酸化物半導体で構成されるものであり、かつZn濃度が20%未満であり、In濃度が40%以上であり、Ga濃度が37%以上である。 - 特許庁
In the electrode for electrochemical element, an electrode composition layer containing an electrode active material, a conductive agent, a binding agent, and a high molecular material of which solubility parameter is 12-17 (cal/cm^3)^1/2 is formed on a collector.例文帳に追加
集電体上に、電極活物質、導電剤、結着剤および溶解度パラメータが12〜17(cal/cm^3)^1/2である高分子物質を含んでなる電極組成物層が形成されてなる電気化学素子用電極。 - 特許庁
To provide a collector for all-solid-state secondary battery in which cracking and exfoliation occurring on the interface of an electrode active material layer and the collector due to temperature variation during use of the battery can be prevented.例文帳に追加
本発明は、電池使用時の温度変動により電極活物質層と集電体との界面で生じる亀裂および剥離を防止することが可能な全固体二次電池用集電体を提供することを主目的とする。 - 特許庁
The lithium battery electrode body 1 contains a current collector electrode 2 and an electrode mixture layer 3 in which a plurality of first particles 4 containing an electrode active material and a plurality of second particles 5 containing a solid electrolyte are mixed.例文帳に追加
集電極2と、電極活物質を含む複数の第1粒子4と固体電解質を含む複数の第2粒子5とが混合されてなる電極合材層3と、を含んでなるリチウム電池用電極体1である。 - 特許庁
In the state that all of the intervals between the split electrodes 46 are nonconductive, a piezoelectric layer part (active part) held between the split electrodes 46 and individual electrodes 42 are polarized by a driving IC 47 mounted on FPC.例文帳に追加
その上で、複数の分割電極46の間が全て非導通の状態で、FPCに実装された駆動IC47により各分割電極46と個別電極42との間に挟まれた圧電層部分(活性部)を分極する。 - 特許庁
To provide a lithium ion secondary battery which can prevent reduction of battery capacity by inhibiting transfer (diffusion) of lithium from a facing portion to a non-facing portion of a negative electrode active material layer, and a secondary battery system including the lithium ion secondary battery.例文帳に追加
負極活物質層の対向部から非対向部へのLiの移動(拡散)を抑制して、電池容量の低下を抑制可能なリチウムイオン二次電池、及び、このリチウムイオン二次電池を備える二次電池システムを提供する。 - 特許庁
To provide: a lithium ion secondary battery suppressing decrease in the battery capacity by suppressing diffusion of lithium ions to a portion not participating in discharge out of a negative electrode active material layer; and to provide a vehicle mounted with the lithium ion secondary battery; and battery mounting equipment.例文帳に追加
負極活物質層のうち放電に関与できない部位へのリチウムイオンの拡散を抑制して、電池容量の低下を抑制可能なリチウムイオン二次電池、これを搭載した車両及び電池搭載機器を提供する。 - 特許庁
Such a configuration results in an increased path length for charged particles 670 diffusing from one cell channel to an adjacent cell channel, compared to a configuration where the active dielectric stack and/or the semiconductor layer do not reside below cell channels.例文帳に追加
そのような構成は、活性誘電体スタックおよび/または半導体層がセルチャンネルの下に位置しない構成に比べて、あるセルチャンネルから隣接セルチャンネルに拡散する荷電粒子670に対して経路長の増大をもたらす。 - 特許庁
The multilayer wiring layer 120 of the semiconductor device 100 is formed on the surface of the semiconductor substrate 110 on the side of the active surface, and a part 122 positioned at the edge of the semiconductor substrate 110 is removed over the entire periphery.例文帳に追加
また半導体装置100の多層配線層120は半導体基板110の能動面側の面に形成されており、かつ半導体基板110の縁に位置する部分122が全周にわたって除去されている。 - 特許庁
As shown in chart (a) in Fig.3, a multimode VCSEL that has yet to suffer ESD damage exhibits an emission spectrum showing a number of peaks corresponding to the structure of an active layer (MQW) and upper and lower reflectors (DBR).例文帳に追加
図3(a)は、ESDダメージを受ける前のマルチモードVCSELの発光スペクトラムを示しており、活性層(MQW)及び上下の反射鏡(DBR)の構造に対応した数分のピークを示す発光スペクトラムが得られる。 - 特許庁
To provide an electrode structure for a battery electrode, formed of an electrode active material and a binder, which has sufficient adhesive strength between an electrode layer and a collector with a less amount of binder and superior flexibility.例文帳に追加
電極活性物質と結着剤からなる電池用電極において、少ない結着剤量でも十分な電極層と集電体との接着強度を持ち、柔軟性に優れた電極構造体を提供することを目的とする。 - 特許庁
SUPERCONDUCTOR ARTICLE WITH BUFFER LAYER HAVING TEXTURE IN TWO AXIAL DIRECTIONS, POWER CABLE, POWER SUPPLY TRANSFORMER, POWER GENERATOR, POWER NETWORK, AND ELECTRONIC ACTIVE ARTICLE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ARTICLE HAVING TEXTURE IN TWO AXIAL DIRECTIONS例文帳に追加
2軸方向にテクスチャを有するバッファ層を備えた超電導体物品、電力ケーブル、電源変圧器、発電機、電力網、及び電子的に活性な物品、並びに2軸方向にテクスチャを有する物品を製造する方法 - 特許庁
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