「c interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, by providing a function for outputting a busy signal ϕb to the interface circuit 25, a RTL(resistor transfer language) of the private circuit 20 can automatically be composed form a C language.例文帳に追加

さらに、インターフェイス回路２５にビジー信号φｂを出力する機能を設けることにより、専用回路２０のＲＴＬをＣ言語から自動合成することができる。 - 特許庁

The contents of these telegraphic response message data are extracted on the basis of the C/S interface document, edited into a format easy to watch by a user and outputted toward a dummy server 3.例文帳に追加

この応答電文データの内容をＣ／Ｓインタフェースドキュメントをに基づいて抽出し、ユーザに見やすいフォーマットに編集して擬似サーバ３に向けて出力する。 - 特許庁

The method generates software components that include an outer shape for each hardware unit, a fixing method, interface specifications, dynamic simulation software, a source of supply, and a price (S301), and registers them in a distribution server C (S201).例文帳に追加

各ハードウェアユニットの外形，固定方法，インタフェース仕様，動作模擬ソフトウェア，購入先，価格を含むソフトウェア部品を作成し(S301)、配布サーバＣに登録する（S201）。 - 特許庁

As described above, C is prevented from piling up, thereby suppressing the formation of a high resistance layer in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

このようにＣのパイルアップを抑制することで、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。 - 特許庁

A functional menu, a tool bar, a short-cut key, etc., of the user interface part of the document processing program c are set as unusable to the functions set to be OFF (S13).例文帳に追加

ＯＦＦに設定された機能に対し、文書処理プログラムｃのユーザインターフェース部分の機能メニュー、ツールバー、ショートカットキー設定等を使用不可能に設定する（Ｓ１３）。 - 特許庁

The facsimile machine F is provided with an exclusive interface 1 that connects the facsimile machine F and the digital camera C and transfers the image data transmitted by facsimile, to the digital camera.例文帳に追加

ファクシミリ装置Ｆは、ファクシミリ装置ＦとデジタルカメラＣとを接続し、ファクシミリ送信されて来た画像データを、デジタルカメラに転送する専用インターフェース１を設けている。 - 特許庁

The interface oxide layer in the order of about 2-3 nm is dissolved and removed by, for example, high temperature annealing at 1,300-1,330°C only for 1-5 hours.例文帳に追加

約２ｎｍから約３ｎｍのオーダーの界面酸化物層が、例えば、１時間−５時間だけ１３００℃−１３３０℃で高温アニール処理により溶解して除去される。 - 特許庁

A solder having a Pb content of 75% or more and a sold-liquid phase line temperature difference of 20°C or higher is heated into a solid-liquid coexisting state to solder the interface in this state.例文帳に追加

Ｐｂが７５％以上で、かつ固液相線温度差が２０℃以上のはんだを固液共存状態とするように加熱し、この状態で界面をはんだ付けする。 - 特許庁

The method provides for the mapping of Java to C++ objects and invoking the Java Native Interface, mapping C++ objects to Java and returning a corresponding Java object, retrieving and returning a class factory by class name, and collecting garbage in both the C++ and Java environments.例文帳に追加

この方法は、ＪａｖａをＣ＋＋オブジェクトへマッピングしてＪａｖａネイティブインタフェースを呼び出し、Ｃ＋＋オブジェクトをＪａｖａへマッピングして対応したＪａｖａオブジェクトを返却し、クラス名によりクラスファクトリを取得し返却し、Ｃ＋＋環境とＪａｖａ環境の両方でガーベッジコレクションを実行する。 - 特許庁

The region C has a decreasing SiO_2 component density ratio and an increasing MgF_2 component density ratio gradually from the region mainly of SiO_2 to the region mainly of MgF_2, and the region D is opposite to the region C, so that there is no clear interface between the regions C and D.例文帳に追加

領域ＣはＳｉＯ_2を主とする領域からＭｇＦ_2を主とする領域にかけて徐々にＳｉＯ_2の成分濃度比率が小さく、同時にＭｇＦ_2の成分濃度比率が大きくなり、領域Ｄでは領域Ｃと逆の関係となり、これらの領域Ｃ〜Ｄ間には明確な界面は存在しない。 - 特許庁

A first fading compensation circuit which extends from a low C/N fading detection part 21 to a charge pump current control part 6 through an IC interface 24 improves a C/N ratio by reducing the phase noise of an output signal generated by a VCO3.例文帳に追加

低Ｃ／Ｎフェージング検出部２１からＩＣインターフェース２４を経てチャージポンプ電流制御部６に到る第１のフェージング補償回路部は、ＶＣＯ３で生成する出力信号の位相雑音を低減させることにより、Ｃ／Ｎを向上させる。 - 特許庁

The structure provides a similar trend of the refractive index, which continuously varies from the region C to the region D without a junction interface, to eliminate light reflection generated at an interface of different refractive indices.例文帳に追加

このような構成とすることにより、屈折率にも同様の傾向が現れ、屈折率が領域Ｃから領域Ｄにかけて連続的に変化し、その接合部に界面が存在しないため、屈折率の異なる界面で発生する光の反射が生じない。 - 特許庁

To suppress the degradation of the withstand voltage and reliability of a gate insulating film resulting from C (carbon) in a SiC substrate and an increase of a charge amount in the gate insulating film, and to suppress an increase of interface level density on an interface between the gate insulating film and the SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板中のＣ（炭素）に起因するゲート絶縁膜の絶縁耐圧や信頼性の低下、及びゲート絶縁膜中の電荷量の増大を抑制し、更に、ゲート絶縁膜／ＳｉＣ基板界面における界面準位密度の増大を抑制する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device adopts, as means for suppressing the movement of electrons making up an interface carrier layer SCL, providing an electrode layer EL between MISFETQ_N1 and MISFETQ_N2 thereby forming a capacitive element C between the electrode layer EL and interface carrier layer SCL.例文帳に追加

界面キャリア層ＳＣＬを構成する電子の移動抑制手段として、ＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ１とＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ２の間に電極層ＥＬを設けて電極層ＥＬと界面キャリア層ＳＣＬとの間に容量素子Ｃを形成する手段をとっている。 - 特許庁

The interface of the sealing resin 3 is formed in an uneven pattern such as the light intensity distribution (c) being inverted and transferred upside down, for providing characteristics of the light intensity distribution (a).例文帳に追加

光強度分布（ａ）の分布特性を得るために、封止樹脂３の境界面は光強度分布（ｃ）を上下反転させて略転写した形状の凹凸パターンに形成されている。 - 特許庁

The repeater/switch changeover circuit 14 switches the connection of a data input output line A from an Ethernet interface section 16, from a data input output line C to a data input output line B.例文帳に追加

リピータ／スイッチ切替回路１４は、イーサネットインターフェイス部１６からのデータ入出力線Ａの接続をデータ入出力線Ｃからデータ入出力線Ｂ側に切り替える。 - 特許庁

The layer is heat treated in a range from 70 to 130°C so as to form an appropriate a mixture layer 4 in an interface between the cores 2A and 2B and the photosensitive resin layer 3.例文帳に追加

そして、７０〜１３０℃の範囲内で加熱処理することにより、上記コア２Ａ，２Ｂと上記感光性樹脂層３Ａとの界面部分を、適正な混合層４に形成する。 - 特許庁

A positive potential is put on the electrode layer EL making an upper electrode of the capacitive element C, whereby electrons in the interface carrier layer SCL opposed to the electrode layer EL are fixed.例文帳に追加

そして、この容量素子Ｃの上部電極となる電極層ＥＬに正電位を印加することにより、電極層ＥＬに相対する界面キャリア層ＳＣＬの電子を固定している。 - 特許庁

As a metal 25 for forming an alloy interface, an Au-Ge 12% alloy, with a melting point of 350°C or less, an Au-Sn 20% alloy or an alloy consisting mainly of Sn is used.例文帳に追加

合金界面形成用金属２５として、融点が３５０℃以下の金属であるＡｕ−Ｇｅ１２％合金やＡｕ−Ｓｎ２０％合金やＳｎを主成分とする合金を用いる。 - 特許庁

Mobile terminals 5A, 5B, 5C, 5D in an interface fox 4 are used is terminals corresponding to respective carriers A, B, C, D of an external mobile terminal 70 that is a called party.例文帳に追加

インタフェースボックス４内の各携帯端末５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄをそれぞれ発信対象の外部携帯端末７０の各キャリアＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄに応じた携帯端末として設ける。 - 特許庁

To increase the nitriding rate of an oxide film while holding the inside of a processing chamber at a temperature of ≤800°C, and to suppress localization of nitrogen atoms nearby an interface between the oxide film and a substrate.例文帳に追加

処理室内の温度を８００℃以下に保持しつつ酸化膜の窒化速度を向上させると共に、酸化膜と基板との界面付近における窒素原子の局在を抑制する。 - 特許庁

The cup-like body 10A has a projecting section for holding a large amount of the cement C of cement armoring in a peripheral interface location between the liner 11 and the body 10A.例文帳に追加

カップ状本体１０Ａは、セメント外装の大量のセメントＣをライナー１１と本体１０Ａとの間の周辺界面位置で保持するための突出部を周辺に有している。 - 特許庁

When the data recovery has been selected, a user interface screen to urge the user to reinsert the memory card dismounted (extracted) from a card insertion part 123 is displayed (Figure 7(c), 7(d)).例文帳に追加

データ修復を行うことが選択されたとき、カード装着部１２３から取り外された（抜き取られた）メモリカードの再装着を促すユーザインタフェース画面を表示する（図７（ｃ），（ｄ））。 - 特許庁

Highly dense defects (threading dislocation) 12 are introduced into the Ge epitaxial film 11 from the interface with the Si substrate 10, and the threading dislocation 12 is converted into Rupe rearrangement defects 12' in the vicinity of the Si substrate interface by applying a heat treatment to the Ge epitaxial film 11 at a temperature of 700-900°C.例文帳に追加

Ｇｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥（貫通転位）１２が導入されるが、Ｇｅエピタキシャル膜１１に７００乃至９００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

The inside of an interface station S3 located between a processing station S2, at which a development process is carried out and an exposure system S4 is cooled down to a temperature of 10 to 15°C at which a resolution reaction hardly proceeds, and a heating section 31 promoting a resolution reaction in resist is provided inside the interface station S3.例文帳に追加

現像処理等を行う処理ステ−ションＳ２と露光装置Ｓ４との間のインターフェイスステーションＳ３内をレジストの解像反応の進行を抑える程度の温度例えば１０〜１５℃程度に冷却すると共に、ここにレジストの解像反応を促進させる加熱部３１を設ける。 - 特許庁

The problem is solved by providing a communication control device for facilitating the control of the videodisk reproducing device and editing operation by using an existing system such as image editing software originally provided for the VCR as its target by using an IEEE1394 interface, an AV/C command protocol, and a method for it.例文帳に追加

ＩＥＥＥ１３９４インターフェース、AV/Cコマンドプロトコルを使用し、もともとVCRを対象として提供されている画像編集ソフト等、既存のシステムによりビデオディスク再生装置の制御、編集作業を容易にするための通信制御装置、および方法を発明することによって解決する。 - 特許庁

As shown in figure 1 (c), anode electrodes 4a and 4b are pressed and hit with the tips of a pair of probes PI and P2 so that a pulse current is applied between the anode electrodes 4a and 4b, forming an ohmic junction at the junction interface between a P-type semiconductor layer 3 and the anode electrodes 4a and 4b.例文帳に追加

図１(c)に示すように、アノード電極４ａ，４ｂに一対のプローブＰ１，Ｐ２の先端が押し当てられて、アノード電極４ａ，４ｂ間にパルス電流が印加されることにより、Ｐ型半導体層３およびアノード電極４ａ，４ｂの接合界面におけるオーミック接合が形成される。 - 特許庁

The position information on the process 1a-1c are received from the process 7 (S10-c) and the substitute objects 13a, 13b, 13c and 13d are produced for every interface (S10-d).例文帳に追加

ゲートウェイプロセス７から上記各サーバプロセス１ａ、１ｂ、１ｃの位置情報を受けて(Ｓ１０−ｃ)、上記各インタフェース単位で代理オブジェクト１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄを作成する(Ｓ１０−ｄ)。 - 特許庁

Upon receiving a forwarding command from an intercom master set A, the intercom forwarding device M makes a telephone interface unit 3 call external call terminal C at the telephone number previously stored in a memory .例文帳に追加

インターホン転送装置Ｍでは、インターホン親機Ａから転送コマンドを受け取ると、予めメモリに格納されている宅外通話端末Ｃの電話番号に対して電話インタフェース部３により発呼する。 - 特許庁

The method for producing the ink-jet recording ink comprises producing the ink-jet recording ink so that the temperature rate [(dG'/dt)/dTemp] of [the time rate (dG'/dt) of the interface rigidity (G')] of the ink-jet recording ink satisfies a range of 0 to 1 μN/m-s-°C.例文帳に追加

さらに、インクジェット記録用インクの“界面剛性率（Ｇ’）の時間変化率（ｄＧ’／ｄｔ）”の温度変化率（（ｄＧ’／ｄｔ）／ｄＴｅｍｐ）が０〜１μＮ／ｍ・ｓ・℃の範囲を満たすようにする。 - 特許庁

Here, the MgO(100) face is grown on the Si(100) face, and as shown in Figure 2(c), on the interface, the Si(100)[110] direction is parallel to the MgO(100)[100] direction.例文帳に追加

ここでは、Ｓｉ（１００）面上においてＭｇＯ（１００）面が成長し、図２（ｃ）に示されるように、界面においてＳｉ（１００）［１１０］方向とＭｇＯ（１００）［１００］方向とが平行となっている。 - 特許庁

To provide a magnetic tape which controls the thickness of a magnetic layer and interface fluctuations in an interface between the magnetic layer and an intermediate layer-combined layer just under the magnetic layer as a simultaneous layer-overlapping coated magnetic tape, consequently reduces PW 50 values of a solitary waveform and modulation noise and shows an excellent C/N characteristic.例文帳に追加

同時重層塗布型の磁気テープとして、磁性層の厚みと、磁性層と直下の中層結合層との界面における界面変動を制御することができ、その結果、孤立波形のＰＷ５０値の低減と変調ノイズの低減とが図られて良好なＣ／Ｎ特性を示す磁気テープを提供する。 - 特許庁

The number of C atoms per 1 cm^3 in an interface between the group III nitride substrate and the epitaxial layer is ≥2×10^16 and ≤5×10^17, and the number of atoms of a p-type metal element per 1 cm^3 in the interface is ≥2×10^16 and ≤1×10^17.例文帳に追加

III族窒化物基板とエピタキシャル層との界面における１ｃｍ^３当たりのＣ原子の個数が２×１０^１６個以上５×１０^１７個以下であり、当該界面における１ｃｍ^３当たりのｐ型金属元素の原子の個数が２×１０^１６個以上１×１０^１７個以下である。 - 特許庁

The part 4 can report information on the output of a reception frame counter, the output of a transmission frame counter, the output of a timer, etc., and a charging value to an exchange station C from a signal line 7 via a line interface part 6.例文帳に追加

課金処理部４は、受信フレームカウンタの出力と、送信フレームカウンタの出力と、タイマーの出力等の情報や、課金値を、信号線７から回線インタフェース部６を介して、交換局Ｃへ報告してもよい。 - 特許庁

On these extension function modules, because their interfaces are the same, the client replaces the module A' for an existing module A, and newly installs a module C which uses an available interface.例文帳に追加

クライアントでは、それら拡張機能モジュールについて、インターフェースがモジュールＡ’と既存のモジュールＡとが同一であるので、これについてはモジュールの置換をし、空きインターフェースを用いるモジュールＣについては新規にインストールする。 - 特許庁

The temperature maintained in the area from the solidification interface to 300 mm is preferably 1,280°C or above since a higher conversion efficiency can be expected when the polycrystal silicon is used as a substrate to constitute a solar cell.例文帳に追加

凝固界面から３００ｍｍまでの領域の保持温度が１２８０℃以上であれば、当該多結晶シリコンを基板として太陽電池を構成したときにより高い変換効率が期待できるので、望ましい。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device flat on the surface, low in an interface level and providing a metal oxidation film with good quality hardly having defects as a gate insulation film without containing H and C in the film.例文帳に追加

表面が平坦で界面準位が低くしかも膜中にＨやＣを含まず、欠陥の少ない良質な金属酸化膜をゲート絶縁膜として具備する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The light-emitting layer can make polarization formed reversed from a conventional wurtzite group III nitride layer so that, across an interface between the light-emitting layer and the p-type region, a wurtzite c-axis is oriented toward the light-emitting layer.例文帳に追加

発光層は、発光層とｐ型領域の間の界面にわたってウルツ鉱ｃ軸が発光層の方向に向くように、従来のウルツ鉱ＩＩＩ族窒化物層とは極性形成を逆転させることができる。 - 特許庁

To provide an electrode structure for a fuel cell which has high durabil ity even in a temperature cycle from below zero degrees up to more than 85°C with prevention of peel off of an interface between an electrolyte membrane M and an electrolyte catalyst layer 1.例文帳に追加

電解膜Ｍと電極触媒層１との界面の剥離を防止して、かつ氷点下から約８５℃以上の温度サイクルにおいても耐久性の高い燃料電池用電極構造体を提供する。 - 特許庁

The process for forming a trench isolation region comprises a step for performing annealing in NO atmosphere at 850°C for about 30 min after a rounding oxide film is formed, wherein the interface level of the rounding oxide film is reduced through doping of N.例文帳に追加

この界面準位は、その後に形成するトランジスタのＰＮ接合と接するため、界面準位を介した逆バイアス時の接合リークを発生させ、電荷保持特性などの特性劣化の原因となっていた。 - 特許庁

A silicon substrate 1 covered with the film 5a is subjected to a thermal oxidation treatment in an oxygen atmosphere at a temperature of 900 to 1100°C, whereby the interface 7 between a silicon thermal oxide film 6 and the substrate 1 is roughened.例文帳に追加

多結晶シリコン膜５で被覆されたシリコン基板１に、温度９００〜１１００℃、酸素雰囲気の下で熱酸化処理を施すことにより、シリコン熱酸化膜６とシリコン基板１との界面７を凹凸状にする。 - 特許庁

The voltage at a point (c) which varies with a phototransistor turned on is converted by an A/D converter IC of the input interface circuit IF from data on an analog quantity to data on a digital quantity and the data is sent to a processor such as a CPU.例文帳に追加

フォトトランジスタがオンになることにより変化したｃ点の電圧を、入力インターフェース回路ＩＦのＡ／Ｄ変換器ＩＣでアナログ量のデータからデジタル量のデータに変え、ＣＰＵ等の処理装置に送る。 - 特許庁

Metals 90a-90e having standard formation free energy of an oxide of 170 kcal/g*molO_2 or less at 1,000°C are dispersed in the vicinity of a joint interface 80 between the electrode base material 40 and the noble metal tip 60.例文帳に追加

電極母材４０と貴金属チップ６０との接合界面８０近傍に、１０００℃における酸化物の標準生成自由エネルギーが−１７０ｋｃａｌ／ｇ・ｍｏｌＯ_2以下の金属９０ａ〜９０ｅを分散させる。 - 特許庁

The oxidation step includes heating the base wafer to a temperature in a range of 800 to 1,300°C, at a rate of temperature increase in the range from 1 to 300°C under an oxidizing atmosphere; and the lamination step is carried out so as to arrange the oxide film formed in the oxidation step, at an interface of the two wafers.例文帳に追加

前記酸化工程は、前記ウェーハを、酸化性雰囲気下で１〜３００℃／秒の昇温速度で８００〜１３００℃の範囲の温度に加熱することを含み、前記貼り合わせ工程は、２枚のウェーハの界面に前記酸化工程において形成された酸化膜が配置されるように行われる。 - 特許庁

The nitride semiconductor lamination structure part 4 includes sequentially laminated an n^--type GaN layer 5 and an n^+-type AlGaN layer 6 having a different lattice constant from that of the n^--type GaN layer 5 with its parallel face 7 and faces parallel to a +c axial side inclination face 8 and an -c axial side inclination face 9 as a lamination interface 15.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部４は、その平行面７、＋ｃ軸側傾斜面８および−ｃ軸側傾斜面９に平行な面を積層界面１５として順に積層されたｎ^−型ＧａＮ層５およびｎ^−型ＧａＮ層５と格子定数の異なるｎ^＋型ＡｌＧａＮ層６を備えている。 - 特許庁