「dielectric method」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a film-forming composition having excellent processability and capable of forming a film which is excellent in heat resistance, low in dielectric constant and excellent mechanical strengths, and also a film-forming method and a film.例文帳に追加

加工性に優れるとともに、耐熱性、低誘電性、及び機械的強度に優れた塗膜を形成し得る膜形成用組成物、膜の形成方法、及び膜を提供する。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor which is provided with an insulating separation layer with superior mass-productivity and has a small leak current and high dielectric strength, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

量産性の優れた絶縁分離層を設け、漏れ電流が小さく、耐電圧の高い固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a method of working and a thin glass plate to be used for dielectric film for plasma address liquid display device, wherein the thin glass plate is etching worked for preventing it from breaking.例文帳に追加

プラズマアドレス液晶表示装置の誘電膜に用いる薄板硝子を極薄加工する際に薄板硝子が破損しない様にエッチング加工する加工方法及びその薄板硝子を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film transistor circuit board in which threshold voltage variation or dielectric breakdown short circuit of a thin film transistor due to static electricity can be minimized, and to provide the thin film transistor circuit board.例文帳に追加

静電気による薄膜トランジスタの閾値電圧変動や絶縁破壊短絡を抑制できる薄膜トランジスタ回路基板の製造方法及び薄膜トランジスタ回路基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the reliability of wiring is raised, a parasitic capacity between the wirings by a low dielectric constant insulating film is reduced, and rapidity is assured.例文帳に追加

配線の信頼性を高め、かつ、低誘電率絶縁膜による配線間の寄生容量を低減化し、高速性を確保した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of depositing, on a substrate, a metal-containing dielectric film containing a compound of formula (I): (Zr_1-aM^2_a)O_bN_c, wherein 0≤a<1, 0<b≤3, preferably 1.5≤b≤2.5, 0≤c≤1, and M^2 is a metal atom.例文帳に追加

式(I)：(Zr_1-a M^2_a)O_bN_c（ここで、0≦a＜1、0＜b≦3、好ましくは1.5≦b≦2.5、0≦c≦1、M^2は金属原子を示す）の化合物を含む金属含有誘電体フィルムを基板上に堆積する方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein mixing of boron into a high dielectric constant film is suppressed while damage to an internal wall of a processing chamber etc., and a substrate processing apparatus is suppressed.例文帳に追加

処理室内壁等へのダメージを抑制しつつ、高誘電率膜中へのボロンの混入を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To improve the performance of low dielectric materials and films including the same when used as interlevel dielectrics in integrated circuits and to make clear a method for manufacturing the same.例文帳に追加

集積回路において階間誘電体として用いる場合の低誘電率材料及びそれを含む膜の性能の改良、並びにその製造方法について明らかにする。 - 特許庁

To provide a formation method for a film having high dielectric constant and good insulating characteristics which copes with finer and highly integrated semiconductor element, as well as a semiconductor element which utilizes it.例文帳に追加

半導体素子の微細化，高集積化に対応しうる比誘電率の高いかつ絶縁特性の良好な膜の形成方法及びこれを利用した半導体素子を提供する。 - 特許庁

To attain improvement of productivity of a PDP by devising a manufacturing method of a dielectric protecting membrane while maintaining a life, threshold value voltage, a writing speed or the like as the PDP superbly.例文帳に追加

誘電体保護膜の製造方法の工夫により、ＰＤＰとしての寿命、閾値電圧、書き込み速度等を良好に維持しながら、ＰＤＰの生産性の向上を実現する。 - 特許庁

This manufacturing method is for laminating combined layers of two types of dielectric thin films 8a and 8b of different etching rates, each having at least two layers and combined with metal electrodes 1a, alternatively and repeatedly.例文帳に追加

エッチング速度が異なる２つの誘電体薄膜８ａ、８ｂを２層以上連続して形成した金属電極１ａとの組み合わせ層をくり返し交互に積層する。 - 特許庁

To provide an improved method of forming a dielectric layer on a substrate in a board processing chamber, and besides cleaning and removing the stacked material on the wall inside the chamber and the surface.例文帳に追加

基板処理チャンバの中に配置される基板の上に誘電層を形成し且つチャンバの内部の壁及び表面の堆積材料をクリーニングして取り去る改良された方法。 - 特許庁

To provide a radio wave absorber that can obtain absorption effect at a target frequency, without being affected by the precision of the thickness of a dielectric or the incident angle of radio waves, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

誘電体の厚み精度や電波の入射角度に影響されず、目的の周波数に吸収効果を得ることができる電波吸収体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric multilayered film filter and its manufacturing method by which production yield is high, production cost is low and further a filter of large area and an optional shape can be formed.例文帳に追加

生産の歩留まりが高く、生産コストが低い、しかも、大面積や任意の形状のフィルタを形成することが可能な誘電体多層膜フィルタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for plasma which can suppress a rise in the temperature of an object to be treated by decreasing the quantity of radiation energy from a dielectric window to the object and an apparatus therefor.例文帳に追加

誘電体窓から被処理物への放射エネルギ量を削減することにより、被処理物の温度上昇を抑制することのできるプラズマ処理方法とその装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming a buried wire for removing etching residuals without increasing a dielectric constant, and cleaning a wire-exposed surface without corroding metal.例文帳に追加

埋込配線の形成方法に関し、比誘電率の増加をもたらすことなくエッチング残渣を除去するとともに、金属の浸食をもたらすことなく配線露出表面の清浄化を行う。 - 特許庁

To provide a film-removing method and a device for removing unwanted parts of a dielectric film formed on a substrate through the use of a remote plasma source.例文帳に追加

基板上に形成された誘電被膜のような不所望の部分をエッチングで取り去るために遠隔プラズマ源を利用する、基板からの被膜除去方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a PDP capable of effectively preventing or alleviating cracks which may occur in forming of a dielectric layer and preventing deterioration of brightness after completion of the PDP.例文帳に追加

誘電体層形成に際して生じ得るクラックを効果的に防止または軽減できると共に、ＰＤＰ完成後の輝度劣化を防止したＰＤＰの製造法を提供すること。 - 特許庁

To provide an aging method of an image display device showing stable discharge characteristics with dielectric breakdown inside a panel restrained, through restraint of an electric power volume and a calorific volume at aging treatment.例文帳に追加

エージング処理時の電力量および発熱量を抑制し、安定した放電特性を示し、かつパネル内部の絶縁破壊を抑制した画像表示装置のエージング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high strength dielectric porcelain which is suitable for high frequency components and whose temperature characteristics can be controlled with high accuracy, and to provide a method for manufacturing the same and a wiring board using the porcelain.例文帳に追加

高周波部品に適し、高精度な温度特性の制御が可能な高強度の誘電体磁器およびその製造方法、並びに、それを用いた配線基板を提供する。 - 特許庁

To simplify a manufacturing process of a capacitor, improve reliability, and increase withstand voltage of the capacitor by forming an anode having a coating layer serving as a good dielectric layer, and improving the anode of a solid electrolytic capacitor and its formation method.例文帳に追加

固体電解コンデンサの陽極体、およびその形成方法を改良することで、コンデンサの製造工程の簡略化、信頼性の向上を図り、コンデンサ耐電圧をあげる。 - 特許庁

To obtain a wafer treatment method and a device, where an improved MOS gate dielectric film uniform in thickness and superior in reliability and barrier diffusion properties than a silicon dioxide film can be formed.例文帳に追加

均一な厚さでニ酸化ケイ素より優れた信頼性とバリヤ拡散特性を有する改良されたＭＯＳゲート誘電体成膜を可能にするウエハ処理の方法と装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a porous insulating layer with which depth control of a wiring groove is facilitated, a dielectric constant is low, and a leak current hardly increases; and to provide manufacturing method thereof.例文帳に追加

配線用溝の深さ制御が容易で、誘電率が低く、かつリーク電流が増加しにくい多孔質の絶縁層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive method for manufacturing a vinyl compound, with its content of ionic impurities greatly reduced, capable of producing a hardened article excellent in heat resistance and in dielectric property.例文帳に追加

耐熱性および誘電特性に優れる硬化物が得られるビニル化合物を、イオン性不純物の含有量が著しく少なく、安価に製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which removes an effect to an alignment mark of CMP of an interlayer dielectric film surface, and can accurately and securely carry out the detection of alignment mark.例文帳に追加

層間絶縁膜表面のＣＭＰのアライメントマークへの影響を排除し、アライメントマークの検出を精度良く確実に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving dielectric voltage, of obviating advanced planarization for eliminating recesses in a connecting plug, and of having highly integrated memory, and to provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

絶縁耐圧を向上し、接続プラグのリセスをなくすための高度な平坦化を不要にし、メモリの高集積化も可能にした、半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a solid-state electrolytic capacitor which evades damage to a dielectric layer while evading the production of NOX and is suitably employed in terms of environment.例文帳に追加

ＮＯ_Xの発生を回避して、誘電体層の損傷を回避するとともに、環境的な側面からも好適に採用できる固体電解質コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a three dimensional photonic crystal effectively which has a periodic structure comprised of plurality of dielectric materials (photonic material) whose refractive indexes are sufficiently different from each other.例文帳に追加

屈折率が十分に異なる複数の誘電体材料（フォトニック材料）からなる周期構造を有する三次元フォトニック結晶を、効率良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a piezoelectric film, which is capable of manufacturing the piezoelectric film which is environmentally friendly and has a high dielectric constant; a piezoelectric element; a liquid ejection head; and a liquid ejection device.例文帳に追加

環境に優しく且つ比誘電率が高い圧電体膜を製造することができる圧電体膜の製造方法、圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。 - 特許庁

To provide a terminal processing method for a super-extra-fine coaxial cable by which a thin-film shield is instantaneously melted and vaporized applying a low voltage by a single operation without damaging a dielectric layer.例文帳に追加

薄膜シールドを一回の操作で、瞬間的に、誘電体層へのダメージなしで、低電圧で溶融、蒸発させ得る超極細同軸ケーブルの端末加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a film deposition method of forming a thin film containing first metal such as Mn, for example, a thin film of MnOx on a surface of an insulating layer with a low relative dielectric constant.例文帳に追加

比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group-III nitride-based semiconductor element inexpensively manufacturable and having a high dielectric breakdown voltage, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低コストで製造することができ、かつ、高い絶縁破壊耐圧を有するＩＩＩ族窒化物系半導体素子、およびＩＩＩ族窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which contains CMOSFET having work functions suitable for PMOS and NMOS, using a gate insulating film of high dielectric constant, and to provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜を用い、ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳそれぞれに適した仕事関数を有するＣＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with an evaluation unit capable of evaluation dielectric characteristics between a gate and a drain on an apparatus for evaluating RF characteristics for a semiconductor on a wafer and its evaluation method.例文帳に追加

半導体オンウェハ用ＲＦ特性評価装置上でゲート・ドレイン間耐圧特性評価を実施することが出来る評価装置付半導体装置及びその評価方法を提供する。 - 特許庁

This invention is related to the method including a step to remove the selected portions of the capacitor by sandblasting or other means so that a ceramic dielectric may not contact acid etching liquid.例文帳に追加

本発明は、セラミック誘電体が酸エッチング液と接触しないように、サンドブラストまたは他の手段によってコンデンサの選択部分を除去するステップを含む方法に関する。 - 特許庁

To provide a processing method capable of removing the internal moisture while maintaining the relative permittivity or the leak current value at a low level when damage recovery processing of a low dielectric constant film is carried out.例文帳に追加

低誘電率膜のダメージ回復処理を行う際に、比誘電率やリーク電流値を低く維持しつつ内部の水分を除去することができる処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and a device for processing a fine cavity by the use of light, by which a long hole having a diameter of from several tens of micron to submicron can be formed in a transparent dielectric material.例文帳に追加

直径が数十ミクロンからサブミクロンの径で、長い孔を形成することができる光を用いた透明誘電体物体への微細空洞加工方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method for uniformizing the film thickness of an interlayer dielectric in the multi-layer fine wiring of a damascene structure and flattening the surface.例文帳に追加

ダマシン構造の多層微細配線における層間絶縁膜の膜厚が均一化されその表面が平坦化されている半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and method for image display that can improve the contrast while suppressing a decrease in luminance of the entire screen without lowering the dielectric strength of a driving semiconductor element.例文帳に追加

駆動用半導体素子の耐圧を上げることなく、画面全体の輝度低下を抑えつつコントラストを向上することができる画像表示装置および画像表示方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing it that uses a high dielectric material as a gate insulation film while formation of an interfacial oxide layer is restrained.例文帳に追加

高誘電材料をゲート絶縁膜として用いつつ、上述したような界面酸化層の形成を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus preventing a dielectric breakdown of a passivation film in a process of dry etching for forming a pad opening on the passivation film.例文帳に追加

パッシベーション膜にパッド開口部を形成するためのドライエッチング工程において、パッシベーション膜が絶縁破壊することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for plasma etching processing which reduces an amount of losses of a Poly-Si layer side wall etching or ground Si layer for constituting a gate module at high dielectric constant gate insulating film time.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜時のゲートモジュールを構成するＰｏｌｙ−Ｓｉ層側壁サイドエッチングや下地Ｓｉ層のロス量を低減させるプラズマエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a gate insulating film which has a high dielectric constant and in which an interface with a silicon substrate is stable, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

高い誘電率を有し、かつシリコン基板との界面が安定なゲート絶縁膜を備えた半導体装置およびその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method and device for plasma etching capable of preventing sticking of reactive products over the entire dielectric wall facing a work during an etching process.例文帳に追加

被加工体に対向する誘電体壁の全体に渡って、エッチング処理中に、反応生成物が付着することを防止できるプラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat-resistant bonding sheet excellent in heat resistance, adhesiveness, dimensional stability and low dielectric characteristics while having sufficient mechanical strength and a method for producing the same.例文帳に追加

充分な機械的強度を有しつつ、耐熱性、接着性、寸法安定性、低誘電特性に優れる耐熱性ボンディングシートおよびその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁