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dielectric methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4150



例文

To provide a method for removing one or more kinds of dielectric body coating and metal coating from the surface of a highly ground nickel base material.例文帳に追加

ニッケル基材の高度に研磨された表面から、その研磨面を損傷せずに、一種またはそれ以上の誘電体被覆および金属被覆を除去する方法を提供する。 - 特許庁

To secure low dielectric constant and mechanical strength of a trench formation layer or via formation layer and to prevent film peeling with respect to a method of manufacturing a semiconductor apparatus.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、トレンチ形成層或いはビア形成層の低誘電率性と機械的強度を確保するとともに、膜剥がれを防止する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for producing semiconductor, with which the yield of a semiconductor can be improved by detecting the destruction of insulation on the dielectric film of an electrostatic chuck.例文帳に追加

静電チャックの誘電膜の絶縁破壊を検知し、半導体の歩留まりを向上できる半導体製造方法及び製造装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic capable of being advantageously used in a laminated ceramic electronic part having an extremely thin ceramic layer having a thickness of 1 μm or less, and its manufacturing method.例文帳に追加

1μm以下の極めて薄いセラミックス層を備える積層セラミック電子部品において有利に用いられ得る、誘電体セラミックスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a method of forming a high dielectric film in which a hydrogen-containing component hardly remains in the film even in a low-temperature film deposition condition using an organic metal material.例文帳に追加

有機金属材料を用いた低温成膜条件下であっても、膜中に水素含有成分が残留し難い高誘電体膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁


例文

To provide a manufacturing method for simply and accurately forming recessed parts, in a PDP composed by forming the recessed parts in a dielectric layer for covering discharge electrodes.例文帳に追加

放電電極を被覆する誘電体層に凹部を設けるPDPにおいて、この凹部を簡易でありながら精度よく形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric ceramics which shows a large amount of displacement and is superior in the temperature dependency of a dielectric constant, a laminated piezoelectric ceramic element, and a manufacturing method for the laminated piezoelectric ceramic element.例文帳に追加

大きな変位量を示すことができると共に、誘電率の温度依存性に優れた圧電セラミックス、積層圧電セラミック素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An electric conductive thin film 16 is formed by sputtering or vacuum vapor deposition method on the joint face 121A of a first dielectric body 12 having a lens part 122.例文帳に追加

レンズ部122を有する第1誘電体12の接合面121Aに電気伝導性薄膜16をスパッタリング法または真空蒸着法により形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming on a semiconductor substrate a silicon-containing insulation film having a dielectric constant of 2.9 or less, and a diffusion coefficient of 250 μm^2/min or less.例文帳に追加

半導体基板上に、誘電率が2.9またはそれ以下でかつ拡散係数が250μm^2/minまたはそれ以下のシリコン含有絶縁膜を形成する方法を与える。 - 特許庁

例文

LEAD (II) CHELATE COMPLEX, METHOD FOR SYNTHESIZING THE SAME, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE COMPLEX AND HIGH-DIELECTRIC THIN FILM PRODUCED BY USING THE COMPLEX OR THE SOLUTION RAW MATERIAL例文帳に追加

鉛(II)キレート錯体及びその合成方法並びに該錯体を含む溶液原料、該錯体又は該溶液原料を用いて作製された高誘電体薄膜 - 特許庁

例文

The manufacturing method is to manufacture the electronic component including at least a pair of internal electrode layers 14, 16 and the dielectric layer 10 formed between the internal electrode layers.例文帳に追加

少なくとも一対の内部電極層14,16と、内部電極層の間に形成される誘電体層10とを有する電子部品を製造する方法である。 - 特許庁

To provide a method of joining GRIN(graded index) lenses effective for stabilization of the optical characteristics and mechanical strength of optical parts and multilayered dielectric films or capillaries.例文帳に追加

光部品の光学特性および機械的強度特性の安定化に有効なグリンレンズと誘電体多層膜またはキャピラリを接合する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus for stably forming a low specific dielectric const. polymer film for layer insulation films, and a method of stably forming a polymer film.例文帳に追加

層間絶縁膜用の低比誘電率高分子膜を安定して形成する半導体製造装置および高分子膜を安定して形成する方法の開発。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for the capacitor of a semiconductor element, capable of preventing a defective dielectric film deposited on the lower electrode and a step coverage on the upper electrode of the capacitor.例文帳に追加

キャパシタ下部電極上に蒸着される誘電膜及び上部電極のステップカバレッジの不良を防止し得る半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a dielectric oxide film formed of an SiCyOx film of which the transmissivity is controlled, with a dual-cathode magnetron sputtering apparatus using an SiC target.例文帳に追加

SiCターゲットを用いたデユアルカソードマグネトロンスパッタリング装置により透過率が制御されたSiCyOx膜から成る酸化物誘電体膜の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a BaRe_2Ti_5O_14 or BaRe_2Ti_4O_12 based dielectric ceramic obtained by combustion synthesis and having excellent sintering characteristics and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

燃焼合成法により得られ、優れた焼結特性を有するBaRe_2Ti_5O_14 、BaRe_2Ti_4O_12 系の誘電体セラミックスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic such as BaRe_2Ti_5O_14 and BaRe_2Ti_4O_12 obtained by combustion synthesis and having excellent sintering characteristics and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

燃焼合成法により得られ、優れた焼結特性を有するBaRe_2Ti_5O_14、BaRe_2Ti_4O_12等の誘電体セラミックスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic such as BaNd_2Ti_5O_14 and BaNd_2Ti_4O_12 obtained by combustion synthesis and having excellent sintering characteristics and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

燃焼合成法により得られ、優れた焼結特性を有するBaNd_2Ti_5O_14、BaNd_2Ti_4O_12等の誘電体セラミックスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

ZIRCONIUM (IV) CHELATE COMPLEX, METHOD FOR SYNTHESIZING THE SAME, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE COMPLEX AND HIGH-DIELECTRIC THIN FILM PRODUCED BY USING THE COMPLEX OR THE SOLUTION RAW MATERIAL例文帳に追加

ジルコニウム(IV)キレート錯体及びその合成方法並びに該錯体を含む溶液原料、該錯体又は該溶液原料を用いて作製された高誘電体薄膜 - 特許庁

To provide a fine dielectric particles having a uniform particle diameter and particle characteristics, especially a precursor material capable of manufacturing a barium titanate particle, and its manufacturing method.例文帳に追加

微細かつ粒径、粒子性状の均一な誘電体粒子、特にチタン酸バリウム粒子を製造しうる前駆体物質ならびのその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device improving a heat resistance property and a dielectric constant, inhibiting the generation of a leakage current, and having a nitrogen-added hafnium silicate film.例文帳に追加

耐熱性および誘電率を向上させて、かつリーク電流の発生を抑制した窒素添加ハフニウムシリケート膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent deterioration of a ferro-dielectric film in a capacitor when forming an insulation film covering a capacitor, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

キャパシタを覆う絶縁膜を形成する際、キャパシタ中の強誘電体膜の劣化を防ぐことができる半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the crystallinity of a capacitor dielectric film of a ferroelectric capacitor can be improved, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

強誘電体キャパシタが備えるキャパシタ誘電体膜の結晶性を向上させることが可能な半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic device using multiple layers of a pre-porous dielectric material that is made porous subsequent to etching and metal filling in an aperture.例文帳に追加

エッチングおよび開口の金属充填の後に多孔性にされる予備多孔性誘電材料の複数の層を使用した電子デバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound metal titanate being excellent in dielectric characteristics and having a composition expressed by BaTiO_3-CaZrO_3-SrTiO_3.例文帳に追加

BaTiO_3−CaZrO_3−SrTiO_3で表わされる組成を有し、かつ誘電特性に優れた複合チタン酸金属塩を製造する方法を得る。 - 特許庁

To provide the laminating method of an atomic layer capable of forming a metal oxide film having excellent step coverage characteristics and high dielectric constant at a high deposition speed.例文帳に追加

優れたステップカバレージ特性及び高誘電率を有する金属酸化物の膜を、高い蒸着速度で形成することのできる原子層積層方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electron beam equipment which prevents dielectric breakdown between electrodes of an electron optics system, especially that in multiple beams, and a device manufacturing method using the electron beam equipment.例文帳に追加

電子光学系、特に、マルチビームでの電子光学系の電極間の絶縁破壊を防止した電子線装置と、この電子線装置を用いたデバイス製造方法を得る。 - 特許庁

In an ashing method, an ashing processing is performed on a substrate to be processed W, which has the organic low dielectric film and the resist film formed as the upper layer.例文帳に追加

有機系低誘電体膜とその上層として形成されたレジスト膜とを有する被処理基板Wに対してアッシング処理を施すためのアッシング方法である。 - 特許庁

To provide a method for producing nickel fine particles whose shrinkage starting temperature is increased by allowing its sintering behavior in high temperature firing to approach that of a ceramic dielectric.例文帳に追加

高温での焼成における焼結挙動をセラミック誘電体に近づけて、急激に収縮が始まる温度を高くしたニッケル微粒子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method, that can improve the relative dielectric constant of a low permittivity insulating film formed on a surface of a substrate.例文帳に追加

基板の表面に形成された低誘電率絶縁膜の比誘電率を向上させることができる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

DIELECTRIC MATERIAL FOR MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD WITH BUILT-IN CAPACITOR, MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD WITH BUILT-IN CAPACITOR MEMBER AND CAPACITOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD WITH BUILT-IN CAPACITOR例文帳に追加

キャパシタ内蔵多層プリント配線板用誘電体材料,キャパシタ部材とキャパシタ内蔵多層プリント配線板およびキャパシタ内蔵多層プリント配線板の製造方法 - 特許庁

The method for fractionating a strong dielectric, preferably a vinylidene fluoride polymer, uses a solvent having at least one polarizable functional group and a precipitation agent.例文帳に追加

少なくとも1つの分極性官能基を有する溶媒、および沈殿剤を使用する、強誘電体、好ましくはフッ化ビニリデンポリマーの分別方法が提供される。 - 特許庁

In one implementation, a method is provided that includes a step of plasma-etching a high-k dielectric material with a first plasma gas reactant mixture having BCl_3.例文帳に追加

一実施態様においては、BCl_3を有する第1プラズマガス反応種混合物で高k誘電材料をプラズマエッチングするステップを含む方法が提供される。 - 特許庁

The foregoing object is achieved by the method where the insulator includes at least one high-k layer of a material having high dielectric constant than silicon oxide.例文帳に追加

前記目的は、絶縁体が酸化シリコンより高い誘電率を有する材料の少なくとも1つの高k層を含むことを特徴とする前記方法によって達成される。 - 特許庁

In a method for manufacturing a dielectric device, an etching gas containing at least one type of a chlorine-based gas and a fluorocarbon-based gas is used as an etching gas.例文帳に追加

上記誘電体デバイスの製造方法においては、エッチングガスとして、塩素系ガス及びフッ化炭素系ガスの少なくとも一種を含むエッチングガスが用いられる。 - 特許庁

To accurately form wiring and a hole even when hydrocarbon resin is used as a film with a low dielectric constant for a process for forming a wiring layer by the dual-damascene method.例文帳に追加

デュアルダマシン法により配線層を形成する工程に関し、炭化水素系樹脂を低誘電率膜として用いる場合にも精度良く配線やホールを形成すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a short patch antenna device which can be made compact with resin (dielectric) by sealing using a metal mold even when having a simple structure.例文帳に追加

簡易な構造であっても、金型を用いた封止により、樹脂(誘電体)による小型化が可能であるショートパッチアンテナ装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing the stable polymer electrospray of a water soluble polymer and a water insoluble polymer using at least one solvent having a high dielectric constant.例文帳に追加

高誘電率を有する1以上の溶媒を使用して水溶性ポリマーおよび水不溶性ポリマーの安定なポリマーエレクトロスプレーを生産する方法を提供する。 - 特許庁

This method is for manufacturing the electronic part having at least one pair of internal electrode layers and a dielectric layer 10 formed between the internal electrodes.例文帳に追加

少なくとも一対の内部電極層12,14と、内部電極層の間に形成される誘電体層10とを有する電子部品を製造する方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein switching loss is lowered, turn-on characteristic is improved, and higher dielectric strength is obtained while lower on-voltage is kept in the trench IGBT.例文帳に追加

トレンチIGBTにおいて、低いオン電圧を保ちつつ、スイッチング損失を低くし、ターンオン特性を改善し、かつ高い耐圧を得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

A system and method are presented for detecting molecular binding events and other environmental effects using unique dielectric properties of a bound molecular structure or structures.例文帳に追加

1又は複数の分子構造の固有の誘電特性を利用する分子結合現象及びその他の環境効果を検出するためのシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a paste composition which can be coated by a coating method as has been used so far, and can form a thin film-like dielectric layer.例文帳に追加

従来と同じ塗工方法を用いて塗布することが可能であり、かつ、薄膜状の誘電体層を形成することが可能なペースト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent resin composition which is a hardened material having high heat resistance, high strength, high elasticity and low dielectric characteristics and has a small linear expansion coefficient, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

耐熱性、高強度,高弾性、低誘電特性を有する硬化物であり、線膨張係数が小さく、透明性の樹脂組成物及びその製造方法。 - 特許庁

A method for etching the LSI device includes a step of etching a diffusion preventive film (SiC) 17 with a plasma for the low dielectric constant film (SiOC) 18 of a wafer 4 installed on a support base 5 of a plasma treating apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置の支持台5に載置されているウエハ4の低誘電率膜(SiOC)18に対して、拡散防止膜(SiC)17をプラズマでエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a resin composition with a nano-filler surely dispersed in a low dielectric constant resin and the resin composition superior in electric characteristics and mechanical properties.例文帳に追加

確実にナノフィラーを低誘電率樹脂中に分散させる樹脂組成物の製造方法および電気特性、機械特性に優れる樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a titanium electrolytic capacitor of a small size, a large capacitor and a small leak current through a method of forming a stable oxidized coating having a high dielectric constant on the surface of titanium.例文帳に追加

誘電率が大きく安定な酸化被膜をチタン表面に形成する方法を通して小型で大容量でかつ漏洩電流の小さいチタン電解コンデンサの提供。 - 特許庁

To provide a method capable of easily manufacturing a dielectric thin film having few cracks, stable quality, and an excellent close contacting property with a substrate, at low cost.例文帳に追加

クラックが少なく、基板との密着性に優れ、安定した品質の誘電体薄膜を低廉な製造コストで容易に作成することができる方法を提供する。 - 特許庁

A method of removing the sidewall polymer fence of a dielectric layer is a wet strip process using acid SC1 and CR solutions and the SC1 solution is used before the CR solution.例文帳に追加

誘電層の側壁ポリマフェンスを除去する方法は、酸性SC1,CR溶液を用いたウェット剥離プロセスであり、SC1溶液は、CR溶液の前に用いられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a space formed in a dielectric layer and a high-potential semiconductor region are stably adjusted to designated position relation by forming the semiconductor device by using a laminated structure constituted by laminating a substrate, the dielectric layer, and an upper semiconductor layer, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

基板と誘電体層と上部半導体層が積層構造体を利用して半導体装置を形成し、誘電体層に形成する空間と高電位半導体領域が安定して所定の位置関係に調整される半導体装置及びその製造法を提供する。 - 特許庁

例文

This method comprises a process for building up a dummy displacement gate, a process for carrying out high temperature treatment to elements, a process for removing a dummy gate 28A, and a process for building-up dielectric materials to be turned into the gate dielectric layer 32 and final gate materials in the gate area.例文帳に追加

この方法では、ダミー置換ゲートを堆積する工程と、素子を高温処理にかける工程と、ダミーゲート28Aを除去する工程と、その後に、ゲート領域内に、ゲート誘電体層32となる誘電体材料および最終的なゲート材料を堆積する工程とを含む。 - 特許庁




  
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