「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

An upper electrode 313 of a capacitance element 321 formed on a semiconductor substrate 300 is electrically connected to an upper wiring 318 formed above through a first conductive film 315 of a connection structure 331, a first contact plug 306, a second impurity diffused layer 303, and a third contact plug 317, which are formed on the semiconductor substrate 300 similarly.例文帳に追加

半導体基板３００の上に形成された容量素子３２１の上部電極３１３が、同じく半導体基板３００の上に形成された接合構造体３３１の第１導電膜３１５、第１コンタクトプラグ３０６、第２不純物拡散層３０３及び第３コンタクトプラグ３１７を介して、上方に形成された上部配線３１８と電気的に接続している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where semiconductor circuit wiring is provided in the form of multilayer wiring structure through via holes provided one over the other in plural stages, and upper wiring, lower wiring, and a diffused layer are electrically continuous, and the device which has multilayer wiring structure which does not cause trouble concerned with voids occurring at formation of a wiring plug embedded in a lower via hole.例文帳に追加

基板上に複数段に重なて設けるビアホールを介して、半導体回路配線が多層配線構造で設けられ、上層配線、下層配線及び拡散層とが電気的に導通され、下部ビアホールの埋込み配線プラグ形成時に生ずるボイドに係わる障害を発生させない多層配線構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

In the device for removing nitrogen oxides in the air, air is passed through a narrow gap between a pair of parallel plates, the nitrogen oxides in the air are diffused on the inside surface of the parallel plates during the air is passed and are adsorbed on the inside surface provided with a coating layer composed of a titanium oxide superfine particle photocatalyst and a hydroxyl apatite fine particle adsorbent.例文帳に追加

１対の平行板の狭い隙間に空気を流し、平行板内を流れる間に空気中の窒素酸化物が平行板内壁に拡散し、酸化チタン超微粒子光触媒とヒドロキシアパタイト微粒子吸着剤からなる塗布層を設けた内壁表面で吸着除去されることを特徴とする大気中の窒素酸化物の除去処理装置。 - 特許庁

In the super calender having a metal roll, the metal roll RM has a core body part 5 having a cylindrical circumferential surface, a hard circumferential surface layer 6 by the hydrostatic pressure hot press of alloy powder is diffused/bonded on/to the cylindrical circumferential surface of the core body part 5 in an area corresponding at least to the calender working surface of the cylindrical circumferentiaI surface 5p of the core body part 5.例文帳に追加

金属ロールを有するスーパーカレンダー装置であって、その金属ロールＲ_M が、円筒周面を有する芯体部５を有し、この芯体部５の円筒周面５ｐの少なくともカレンダー作業面に相当する領域に粉末合金の熱間静水圧プレスによる硬質周面層６が芯体部５の円筒周面に拡散接合された構成とする。 - 特許庁

In a cylindrical reaction vessel having an inlet for introducing raw gas and an outlet for discharging the processed gas, a method of manufacturing a spherical semiconductor device for forming a diffusion layer wherein the impurities in the raw gas are diffused in the surface of a spherical semiconductor is carried out such that a spherical semiconductor may be flowed/rotated by rocking or rotating the reaction vessel.例文帳に追加

本発明は、処理ガスを導入する導入口およびガスを排出する排出口を有する円筒状の反応容器内において、球状の半導体の表面に処理ガス中の不純物を拡散させた拡散層を形成する球状半導体素子の製造方法において、反応容器を揺動または回転させることにより、球状の半導体を流動・回転させる。 - 特許庁

To solve such a problem that, when Cu-plated solid lubricant is mixed with Cu-Sn alloy powder and sintered, the solid lubricant is firmly joined with a copper alloy matrix since Sn in the alloy powder is diffused into the Cu plated layer in a process where the ordinary sintering phenomena such vacancy elimination and grain boundary migration are developed however the conformability of the sintered copper alloy is deteriorated.例文帳に追加

Ｃｕめっきを施した固体潤滑剤をＣｕ−Ｓｎ合金粉末と混合して焼結すると、空孔の消滅、粒界移動などの通常の焼結現象が起こる過程で、被覆のＣｕめっき層に合金粉末中のＳｎが拡散する結果、固体潤滑剤は銅合金マトリックスに強固に接合されるが、焼結銅合金のなじみ性を劣化させる問題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺部分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

After forming an insulated adhesive material resin on the resin circuit board, the projection electrode of the semiconductor device and the wiring pattern of the resin circuit board are abutted and thermally press-fixed, a diffused junction layer is formed and a mounting body is formed.例文帳に追加

半導体装置の突起電極の表面材料と、樹脂回路基板の配線パターンの表面材料を、前記樹脂回路基板の耐熱温度より低い温度で拡散接合ができる二つの金属により構成し、樹脂回路基板上に絶縁性接着剤樹脂を形成した後に、半導体装置の突起電極と樹脂回路基板の配線パターンを当接させて熱圧着して拡散接合層を形成して実装体を形成する。 - 特許庁

The reflection type projection screen 1 is equipped with a linear Fresnel member 4 whose shelf surface 8 turned upward is made a light absorbing surface and whose inclined surface 10 turned downward is made a reflection surface, and an anisotropic diffusion layer 12 arranged to cover the Fresnel surface of the linear Fresnel member and having anisotropic diffusion characteristic that incident light at a larger incidence angle than a predetermined angle is not diffused.例文帳に追加

本発明の反射型プロジェクションスクリーン１は、上方に向けられた棚面８が吸光面とされ、下方に向けられた傾斜面１０が反射面とされたリニアフレネル部材４と、リニアフレネル部材のフレネル面を覆って配置され、所定角より大きな入射角の入射光は拡散させない異方性の拡散特性を有する異方性拡散層１２とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

When voltage impression from a DC power supply 37 is stopped by opening a selector switch 38, a combustible gas in the measured gas diffused within the diffusion layer 33 from the opening end 33A side in an arrow B direction is oxidatively reacted near the outside electrode 32, and a current detector 40 detects a pump current Ip1 flowing through the electrodes 32 and 30 to oxidate gaseous hydrogen.例文帳に追加

そして、直流電源３７からの電圧印加を切換スイッチ３８の開成により停止したときに、ガス拡散層３３内を開口端３３Ａ側から矢示Ｂ方向に拡散してくる被測定ガス中の可燃性ガスを、外側電極３２の近傍で酸化反応させ、このときに水素ガスを酸化するために電極３２，３０間を流れるポンプ電流Ｉｐ１を電流検出器４０により検出する。 - 特許庁

A semiconductor device is the PMOS transistor formed on an active region 104 of a semiconductor substrate 101 isolated by an element isolation region 102, and the PMOS transistor has a gate insulating film 105b formed on the active region 104, a gate electrode 106b formed on the gate insulating film, a sidewall 108b, and a source/drain diffused layer region 107b.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１における素子分離領域１０２によって分離された活性領域１０４上に形成されたＰＭＯＳトランジスタであって、このＰＭＯＳトランジスタは、活性領域１０４上に形成されたゲート絶縁膜１０５ｂと、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１０６ｂと、サイドウォール１０８ｂと、ソース・ドレイン拡散層領域１０７ｂとを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the magnetic powder includes at least a first heating process of heating first powder containing at least a carbon element and an iron element to increase perlite structure contained in the first powder, and a second heating process of mixing second powder containing at least a silicon element with the first powder after the first heating process to make the silicon element to permeate a surface layer of the first powder to be diffused.例文帳に追加

本発明の磁性粉末の製造方法は、少なくとも炭素元素と鉄元素を含む第１粉末を加熱し、その第１粉末に含まれるパーライト組織を増加させる第１加熱工程と、第１加熱工程後に、少なくとも珪素元素を含む第２粉末と第１粉末を混合して加熱し、珪素元素を第１粉末の表層に浸透拡散させる第２加熱工程を少なくとも備えている。 - 特許庁

A reverse-surface electrode type photoelectric conversion element which is provided with a semiconductor laser and an electrode for collecting carries only on the reverse surface side of a semiconductor substrate is provided with a semiconductor thin film including elements given the same or different conductivity from the semiconductor substrate and the elements are diffused to form a diffusion layer on the top surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層及び電極を設けた裏面電極型の光電変換素子において、半導体基板の受光面側に半導体基板よりもバンドギャップが大きく、かつ、半導体基板と同一の又は異なる導電性を付与する元素を含む半導体薄膜を設け、この元素の拡散により半導体基板の表面に拡散層を形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, this semiconductor device has a resistance portion 13, made of polysilicon where impurities are diffused, a first insulating film (SIN film) 14 formed on the resistance portion 13, a second insulating film (SIN film) 15 formed on the first insulating film 14 and an impurity-containing layer (BPSG film) 16 formed on the second insulating film 15.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された、不純物が拡散されたポリシリコンからなる抵抗部１３と、該抵抗部１３上に形成された、第１の絶縁膜（ＳｉＮ膜）１４と、該第１の絶縁膜１４上に形成された、第２の絶縁膜（ＳｉＮ膜）１５と、該第２の絶縁膜１５上に形成された、不純物含有層（ＢＰＳＧ膜）１６とを有する半導体装置または半導体記憶装置および半導体装置の製造方法。 - 特許庁

An appearance inspection device for detecting defects occurred in a construction layer (barrier rib 3) of the substrate by illuminating the surface of the substrate, detecting a reflected light from the surface of the substrate by a line sensor S (or an area sensor) and treating variations in the intensity with a specific algorithm comprises an illumination utilizing a parallel incident light at a specific angle to the substrate or a diffused light.例文帳に追加

基板の表面に照明を当て、その基板の表面からの反射光をラインセンサーＳ（或いはエリアセンサー）で検出し、その輝度変化を特定のアルゴリズム処理を行うことにより、その基板の構成層（バリヤーリブ３）に発生している欠陥を検出する外観検査装置において、照明として、基板に対してある特定の角度で入射する平行光を用いるようにするか、或いは、拡散光を用いるようにする。 - 特許庁

The method for manufacturing an aluminum foil roughed and anodized as a support and a silver complex diffused transfer reversal material containing photosensitive silver halide emulsion coating comprises the step of corona treating the roughed and anodized foil in a corona station having a roller and at least one electrode coated by using a dielectric coating before the foil is coated with a photosensitive layer.例文帳に追加

本発明に従えば、支持体としての粗面化され且つ陽極酸化されたアルミニウム箔ならびに感光性ハロゲン化銀乳剤コーティングを含む銀錯体拡散転写反転材料を製造する方法であり、該粗面化され且つ陽極酸化されたアルミニウム箔を、該箔が感光層によりコーティングされる前に、ローラー及び誘電コーティングを用いてコーティングされている少なくとも１つの電極を含むコロナステーションでコロナ処理することを特徴とする方法が提供される。 - 特許庁

The diffused layer 205b, gate electrode 204 and lower electrode 210 are connected by a common contact 208 which is formed in the interlayer insulating film 207.例文帳に追加

半導体基板２０１に形成された拡散層２０５ａ，２０５ｂと、半導体基板２１０の上にゲート絶縁膜２０３を介して形成されたゲート電極２０４と、半導体基板２０１上にゲート電極２０４を被覆して形成された層間絶縁膜２０７と、層間絶縁膜２０７上に形成されて、下部電極２１０、誘電体膜２１１および上部電極２１２の積層構造からなるキャパシタとを有し、拡散層２０５ｂ、ゲート電極２０４および下部電極２１０が、層間絶縁膜２０７に形成された共通のコンタクト２０８によって接続された構造を有する。 - 特許庁