「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

There are laminated, on a plug 11a composed of polysilicon, a titanium layer 13 silicified by silicon diffused from the plug 11a, a lower layer 141 composed of titanium silicide, a middle layer 142 composed of titanium silicide oxidized, an upper layer 143 obtained by further nitriding the oxidized titanium silicide, a capacitor lower electrode 15 composed of platinum, and an oxide dielectric 17, in this order.例文帳に追加

ポリシリコンからなるプラグ１１ａ上には、プラグ１１ａから拡散したシリコンによってシリサイド化されたチタン層１３と、チタンシリサイドからなる下層１４１と、酸化されたチタンシリサイドからなる中層１４２と、酸化されたチタンシリサイドに更に窒化を施して得られる上層１４３と、白金からなるキャパシタ下部電極１５と、酸化物誘電体１７とが、この順に積層される。 - 特許庁

In the obtained electronic material with the tin based plating, with the lapse of time or under reflowing at ≥210°C, the flash copper plating layer is mutually diffused with the nickel plating layer as a substrate, so as to be changed into a barrier layer composed of a copper-nickel alloy layer, and prevents the growth of acicular or columnar crystals caused by intermetallic compounds in the tin or tin alloy plating film.例文帳に追加

得られた錫系めっき付き電子材料は、経時中、または２１０℃以上の温度でのリフロー中に、フラッシュ銅めっき層が下地のニッケルめっき層と相互拡散して、銅−ニッケル合金層からなるバリア層に変化して、錫もしくは錫合金めっき皮膜中に金属間化合物による針状もしくは柱状晶が成長するのを防止する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which a current diffusion layer is formed by using a material capable of making the formation of the diffusion layer easier than a conventional material, so that a current supplied from an upper electrode is diffused sufficiently sideways by an easier method to improve light extraction efficiency.例文帳に追加

従来よりも実現が容易な材料を用いて電流拡散層を構成し、上部電極から注入された電流をより容易な方法で横方向へと十分に拡散させ、光取出し効率を向上させた発光素子を提供することにある。 - 特許庁

In an electric connector having a connector contact, the contact has a metal base and a surface finish layer formed on the metal base, and the surface finish layer has an electroplated synthetic having a composition of a noble metal in which wear resistant grains have been diffused.例文帳に追加

コネクタ接点を有する電気コネクタにおいて、前記接点は金属ベースと前記金属ベース上に形成された表面仕上げ層とを有し、前記表面仕上げ層は、耐摩耗性の粒子を拡散させた電気メッキした貴金属組成の合成物を有することを特徴とする。 - 特許庁

High density and high oxygen concentrated water 19 obtained by the constitution is supplied on the bottom 24 from a bottom blowing device 10 and is diffused to supply oxygen to the bottom layer 27 on the bottom 24, water quality in the bottom layer is improved, and soil on the bottom 24 is sludged because of excessive organic matter is purified.例文帳に追加

このようにして得られた高密度高酸素濃度水１９を水底吹き込み装置１０から水底２４に供給し拡散して水底２４の底層２７に酸素を供給し、底層２７の水質を改善し、有機物が過多でヘドロ化した水底２４の土壌を浄化する。 - 特許庁

With such a manufacturing method, the semiconductor device in which the PN junction 17 generated in an interface between the substrate 1 and the diffused layer 6 is separated from the first electrode 15 by the second N-type semiconductor layer 7 while reducing the sectional area of the PN junction, is obtained.例文帳に追加

このような製造方法によって、ＰＮ接合部１７の断面積を小さくしながら、Ｐ型半導体基板１と第１Ｎ型半導体拡散層６との境界に生ずるＰＮ接合部１７と第１電極１５とを第２Ｎ型半導体層７によって分離した半導体装置を得る。 - 特許庁

The touch panel is stuck to the display overall by a diffusion adhesive layer for refracting and reflecting visible light from the display, and visible light from the display is diffused in multiple directions before made incident on the touch panel by fillers in the diffusion adhesive layer.例文帳に追加

ディスプレイからの可視光を屈折及び反射させる拡散粘着剤層により、タッチパネルとディスプレイとを全面的に接着し、この拡散粘着剤層中のフィラーによってディスプレイからの可視光をタッチパネル内に入射する前にあらかじめ多方向に散乱させる。 - 特許庁

In this way, an n-type semiconductor whose electric conductivity is comparatively high, light absorptivity is comparatively low and impurities are hardly diffused, is used as the clad layers formed on and under the optical waveguide layer 103, further a semi-insulating layer is provided between the n-type clad layers 102 and 104.例文帳に追加

このように、光導波路層１０３の上下に形成するクラッド層として、導電率が比較的高く、光吸収が比較的小さく、不純物が比較的拡散しにくいｎ型の半導体を用い、更にｎ型クラッド層１０２及び１０４間に半絶縁性の層を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein there is no possibility of shortcircuiting between source and drain because impurities of a cap insulation layer are diffused and a gate electrode layer and a cap insulation can made be surely and stably at a specified thickness, and to provide its manufatcuring method.例文帳に追加

本発明の課題は、キャップ絶縁層の不純物が拡散してチャネル領域まで達し、ソース−ドレイン間をショートさせるおそれがなく、所定厚さのゲート電極層およびキャップ絶縁層が確実に安定して得られる半導体装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

When laser light is radiated to the recording layer (laminated recording layer) 18, main component metals contained in the first and second subsidiary recording layers 18A and 18B are diffused and mixed by irradiation, and a recording mark which has had the reflection factor unreversibly changed is formed by this mixture.例文帳に追加

レーザ光を記録層（積層記録層）１８に対して照射すると、第１及び第２副記録層１８Ａ、１８Ｂに含まれる主成分金属が照射により拡散して混合され、この混合によって反射率が不可逆的に変化した記録マークが形成される。 - 特許庁

P-type dopant in a semiconductor constituting a reflecting mirror is diffused on outer parts of side wall faces of the reflecting mirror formed of an alternate lamination layer of air gaps 114 and p-InP type semiconductor layers 117, which are formed on a laser active layer 104 in a mesa shape, and p-type conduction regions 110 are installed.例文帳に追加

レーザ活性層１０４上にメサ状に形成された、エアギャップ１１４とｐ−ＩｎＰ型半導体層１１７との交互積層からなる反射鏡の側壁面外部に、反射鏡を構成する半導体中のｐ型ドーパントを拡散させ、ｐ型導電領域１１０を設ける。 - 特許庁

Raw material particles of fermenting organic fertilizer are brought into contact with air at a relative contacting speed and a carbon dioxide gaseous layer and a salt-containing water layer oozed from inside of the raw material particle to its surface by fermentation are exfoliated by friction with air at relative contacting speed and are diffused in air.例文帳に追加

発酵中の有機肥料の原料粒子と空気を相対的な接触速度で接触させ、発酵により原料粒子の内部から表面に滲出した炭酸ガス層と塩分含有水分層を、空気との相対接触速度による摩擦で剥離し空中に発散させる。 - 特許庁

Consequently, zinc as a p-type impurity can be prevented from being activated and diffused up to an active layer 15 to make the active layer 15 operate as a non-luminescence center, and the dosage of zinc can be increased to 2×10^18/cm^3 to 3×10^18/cm^3.例文帳に追加

これにより、ｐ型不純物である亜鉛が活性化されて活性層１５にまで拡散して活性層１５が非発光センター化するのを防ぐことができると共に、亜鉛のドープ量を２×１０^18／ｃｍ^3 以上３×１０^18／ｃｍ^3 以下の範囲まで増加させることができる。 - 特許庁

By containing 9% or more Cr, the wear resistance of the Fe-N layer 20 and the nitrogen-diffused layer 21 is increased, and by setting the porosity 15% or less, the dimensional deformation is reduced, the possibility of occurrence of the lowering the the strength by nitriding is reduced, and the possibility of brittleness is also reduced.例文帳に追加

Ｃｒ量を９％以上としたことにより、Ｆｅ−Ｎ層２０、窒素拡散層２１の耐摩耗性が向上し、また空孔率を１５％以下にしたことにより、寸法歪みが小さくなり、窒化による強度低下の発生が低減され、脆化も低減される。 - 特許庁

A field oxide film 2, isolating the active region of a MOSFET is formed in a region on the surface of a p-type silicon substrate 1, a gate electrode is formed via a gate oxide film, ions are implanted into an arsenic ion implantation layer 5, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a n-type diffused layer 6.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上の表面の領域にＭＯＳＦＥＴの活性領域を分離するフィールド酸化膜２を形成し、ゲート酸化膜を介してゲート電極を形成し、ヒ素イオン注入層５にイオン注入し熱処理を行いｎ型拡散層６を形成する。 - 特許庁

A basic cell includes a capacity element which is made up of: a first well diffusion layer into which a first conductive impurity is diffused in a region from a surface of a substrate to a prescribed depth; an insulation film which is provided on the first well diffusion layer; and a first dummy pattern which is provided on the insulation film.例文帳に追加

基板の表面から所定の深さまでの領域に第１の導電性不純物が拡散された第１のウェル拡散層と、第１のウェル拡散層の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた第１のダミーパターンとからなる容量素子を有する。 - 特許庁

To provide a fuel cell capable of efficiently supplying substances, such as reaction gas and water, or electrons to a catalyst layer as a whole, free from fear of clogging of pores in a diffused layer, even if an electrolyte film is humidified with mist, and having high output and high energy efficiency.例文帳に追加

触媒層全体に反応ガスや水等の物質、あるいは電子を効率よく供給することができ、また、電解質膜をミストで加湿した場合であっても、拡散層の気孔が閉塞するおそれがなく、しかも高出力、高エネルギー効率が得られる燃料電池を提供すること。 - 特許庁

The electrode films 12a and 14a which are laminated via the buffer layer 40 are baked, thereby the dielectric composite which is contained in the electrode films 12a and 14a is diffused into portion between electrode films 12a and 14a, and therefore the dielectric layer 10 is formed between the electrode films 12a and 14a.例文帳に追加

バッファ層４０を介して積層された電極膜１２ａ，１４ａを焼成し、電極膜１２ａ，１４ａに含まれる誘電体組成物を、電極膜１２ａ，１４ａの間に拡散させ、電極膜１２ａ，１４ａの間に誘電体層１０を形成する。 - 特許庁

In the laminated structure film of the first Mo, MoOx, and second Mo films 10, 10A and 11, an Al atom in a foundation layer cannot be easily diffused to the surface side, and the diffusion of Au, such as a surface wiring layer on the lamination structure film to the Al film of foundation, is restrained effectively.例文帳に追加

又、第１Ｍｏ膜１０／ＭｏＯ_ｘ膜１０Ａ／第２Ｍｏ膜１１の積層構造膜は、下地層のＡｌ原子が表面側へ拡散しにくく、積層構造膜の上の表面配線層等のＡｕが下地のＡｌ膜へ拡散することを有効に抑制する。 - 特許庁

To markedly lessen a polysilicon gate electrode and a diffusion layer in sheet resistance and to prevent a leakage current from drastically increasing at a diffused layer junction in a salicide process, through which a semiconductor device is formed.例文帳に追加

半導体装置の形成方法であるサリサイドプロセスにおいて、PolySiゲート電極、拡散層のシート抵抗を大幅に低減し、かつ、拡散層の接合リーク電流増加を大幅に防止する半導体薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

As irregularities (creases) are formed on the surface of the shrinkage printed layer 16, incident light Li coming in from the substrate 20 side is irregularly refracted in the shrinkage printed layer 16, and turned into randomly diffused light Lo, causing irregular clustering of light quantity (light and shade).例文帳に追加

縮み印刷層１６の表面には不規則な凹凸（皺）が形成されているので、基板２０側からの入射光Ｌｉは、縮み印刷層１６において不規則に屈折させられてランダムな方向への拡散光Ｌｏとされ、不規則な光量の偏り（明暗）が生じる。 - 特許庁

Then, impurities of first and second conductivity types are implanted into the surface of the substrate in respective regions by using the first sidewall and the gate electrode as masks to form a first impurity diffused layer, and impurities of second and first conductivity types are implanted to form an impurity diffusion preventing layer.例文帳に追加

そして、第１側壁及びゲート電極をマスクとして、各領域の基板表面にそれぞれ、第１、第２導電型の不純物を注入し、第１不純物拡散層を形成し、それぞれ、第２、第１導電型の不純物を注入して、不純物拡散防止層を形成する。 - 特許庁

To make it possible to handle a specified region as a floating diffused layer, without depending upon the on-off control of the gate of a transistor in a semiconductor device constituted into a structure, wherein a plurality of regions, such as n-type regions and a p-type region, are provided on a semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型やｐ型といった複数の領域を備えてなる半導体装置において、特定の領域をトランジスタのゲートのオン／オフによらずに浮遊拡散層として取り扱い得るようにする。 - 特許庁

By using the cover body 7 without forming the light-transmission layer 7d thereon as it is, the light from the light-emitting diode 6 is diffused by the rough surface 7c, and thereby the cover body can be shared with a diffusion type luminaire.例文帳に追加

光透過層７ｄを形成しないカバー体７をそのまま用いることによって、発光ダイオード６からの光が粗面７ｃによって拡散されるので、拡散タイプの照明器具に共用することができる。 - 特許庁

Since the gumdrop is transparent, light radiated from a side light source passes through the thin gumdrop fingerprint layer, and even the light receiving element farthest from the light source detects the diffused light.例文帳に追加

グミは透明度が高いので、側方の光源から光が照射されると、光は、このグミ指紋からなる薄い層を透過し、光源から最も遠く配置された受光素子においても拡散光が検出される。 - 特許庁

First conductivity impurities of large mass are diffused under the extension high-concentration impurity diffusion layers 15, by which a P-type pocket impurity diffusion layer 16 is formed under the impurity diffusion layers 15.例文帳に追加

エクステンション高濃度不純物拡散層１５の下側には、質量の大きい第１導電型の不純物が拡散されることにより形成されたｐ型のポケット不純物拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

The discharge lamp has a reforming layer in which boron is diffused formed on the inner face of the arc tube consisting of quartz glass and the filling material filled into the arc tube is a hydrogen-free material.例文帳に追加

本発明の放電ランプは、石英ガラスからなる発光管の内面にホウ素が拡散された改質層が形成されており、前記発光管内に封入されている封入物質が水素フリーの物質である。 - 特許庁

Thus, the Kirkendall effect, that Ag atoms are diffused from the Ag via conductor 14 to the Au surface layer conductor 16, is reduced and a void is prevented from being generated in the Ag-Au bonding part by the Kirkendall effect.例文帳に追加

これにより、Ａｇ系ビア導体１４からＡｇ原子がＡｕ系表層導体１６に拡散するカーケンドール効果が少なくなり、Ａｇ−Ａｕ接合部にカーケンドール効果による空隙が生じることが防止される。 - 特許庁

To provide a water absorptive fabric in which moisture in a liquid form is absorbed instantly without pressure and diffused and moved to the surface layer on the atmosphere side so as to keep a comfortable feeling even with profuse perspiration, and to provide clothing using the water absorptive fabric.例文帳に追加

圧力がかからなくても瞬時に液体の水分は吸収され、大気側の表面層に拡散・移動し、多量発汗時にも快適な吸水性生地及びこれを用いた衣類を提供する。 - 特許庁

As a result, the incident light on the included defective beads 2A is diffused at the boundary of the transparent layer 12 and is made incident thereon and is condensed by the lens effect of the defective beads 2A and, therefore, the occurrence of the light escape is averted.例文帳に追加

これにより混入した不良ビーズ２Ａへの入射光も透明層１２の界面で光が拡散して入射し、不良ビーズ２Ａのレンズ効果により集光されるため光抜けが生じない。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element including an electrode capable of preventing a component of a metal reflecting layer from being diffused, and to provide a method for manufacturing the semiconductor light-emitting element, a lamp, an electronic apparatus, and a mechanical apparatus.例文帳に追加

金属反射層の構成材料の拡散を防止することが可能な電極を備えた半導体発光素子、その製造方法、ランプ、電子機器及び機械装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device having stable electrical characteristics where aluminum contained in a collector electrode can be prevented from being diffused into a collector layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、コレクタ電極に含まれるアルミニウムがコレクタ層へ拡散することを防止でき、かつ安定した電気特性を有する電力半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a separator for a fuel cell which makes a superposed part of the separator for the cell and a diffused layer tight and which raises productivity of the separator for the cell and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

燃料電池用セパレータと拡散層との重ね合わせ部を密にすることができ、さらに燃料電池用セパレータの生産性を上げることができる燃料電池用セパレータ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

One diode DNCH is allowed to have an area which is half of the gate area of the MOSFET, and the other diode DNOV is allowed to have an area obtained by multiplying the overlap length of the gate and source/drain diffused layer by the gate width.例文帳に追加

一つのダイオードＤＮＣＨは、ＭＯＳＦＥＴのゲート面積の半分の面積を持ち、他の一つのダイオードＤＮＯＶはゲートとソース・ドレイン拡散層のオーバーラップ長にゲート幅を乗じた面積を持つ。 - 特許庁

A first dopant of the first conductivity type is implanted into the substrate 1 on the first main side with the gate electrode layers 3 and 3' as a mask and is diffused into the substrate 1 to form an enhancement layer.例文帳に追加

第一の導電性タイプの第一のドーパントが、前記ゲート電極層３，３’をマスクとして用いて、第一のメインサイドで基板１の中に注入され、基板１の中に拡散され、エンハンスメント層を形成する。 - 特許庁

In this solid-state image pickup device, a fuse 13 that melts down when a prescribed voltage is applied between electrodes 27 and 29 is provided between the semiconductor substrate 18, the P-type diffused layer 25 or a ground and the electrodes 27 and 29.例文帳に追加

この固体撮像素子では、半導体基板１８、Ｐ型拡散層２５又はグランドと、電極２７、２９との間に、電極２７、２９に所定の電圧が印加されたときに溶断するヒューズ１３が配設されている。 - 特許庁

To provide a capacitor which can completely prevent hydrogen from being diffused to a ferroelectric thin film or a high-dielectric thin film and which comprises an easily workable hydrogen barrier layer, to provide a memory element and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加

強誘電体または高誘電体薄膜へ水素の拡散を完全に防止することができ、且つ加工しやすい水素バリア層を有するキャパシタとメモリ素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of N-type diffused layers 2 are provided separately from each other, and the layers adjacent to each other through contact holes 4 provided in insulating films 3 on the layers 2 are connected with each other through the first wiring metal layers 5 (Al-Si-Cu alloy layer).例文帳に追加

Ｎ型拡散層２が離間して複数設けられその上の絶縁膜３のコンタクトホール４で互いに隣り合うものどうし第一層の配線金属５（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金）で接続する。 - 特許庁

With this configuration, heat generated from the light-emitting device 20 is laterally diffused by the first interconnection layer 14 for conducting to the metal substrate 12, thus improving the heat radiation properties of the entire module.例文帳に追加

この構成により、発光素子２０から発生した熱は、第１配線層１４により横方向に拡散された後に、金属基板１２に伝導されるので、モジュール全体の放熱性を向上させることができる。 - 特許庁

After forming a separated insulating area 24 in the trench, As and P are diffused into the semiconductor substrate 11 by heat treatment and the storage node electrode is connected to the diffusion layer of the transfer gate transistor.例文帳に追加

次に、トレンチに分離絶縁領域２４を形成した後、熱処理によりＡｓとＰを半導体基板１１内に拡散させて、前記ストレージノード電極と前記トランスファーゲートトランジスタの拡散層とを接続する。 - 特許庁

Common contacts 29, 30 are needed for connecting gate electrodes 23, 24, diffused layers 21, 22 and potential supply layer, and hence protrusions 25, 26 are provided at first ends of the gate electrodes 23, 24.例文帳に追加

共通コンタクト２９、３０は、ゲート電極２３、２４及び拡散層２１、２２及び電位供給層を接続するために必要であり、そのため上記の突出部２５、２６がゲート電極２３、２４の一端に設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for effectively preventing fluorine from being diffused from an interlayer insulating film containing fluorine to a wiring layer or the like without adding any complicated manufacturing processes.例文帳に追加

複雑な製造工程を追加することなく、フッ素を含む層間絶縁膜からの配線層等へのフッ素の拡散を有効に防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An electrode film 109 in the lower part of a capacitor is left on a wiring layer 108c above a dummy transistor DTr, and when the capacitor is processed by removing an electrode film 111 and a ferroelectric film 110 at its top, the wiring layer 108c is prevented from being removed so as to ensure that a diffused layer 102c and a bit line of a selected transistor STr are connected.例文帳に追加

ダミートランジスタＤＴｒ上方の配線層１０８ｃ上にキャパシタ下部電極膜１０９を残しておき、キャパシタ上部電極膜１１１及び強誘電体膜１１０の除去によるキャパシタ加工の際に、配線層１０８ｃが除去されることを防止し、選択トランジスタＳＴｒの拡散層１０２ｃとビット線との接続を確保する。 - 特許庁

When the SiO_2 film 102 and a Zr implantation layer 103 are annealed subsequently, Zr ions implanted into the Zr implantation layer 103 are diffused and the SiO_2 film 102 and the Zr implantation layer 103 are entirely varied to produce a dielectric film 106 of Zr-Si-O (silicate) having a high dielectric constant.例文帳に追加

その後、ＳｉＯ_2 膜１０２及びＺｒ注入層１０３のアニール処理を行なうことにより、Ｚｒ注入層１０３内において注入されたＺｒが拡散して、ＳｉＯ_2 膜１０２及びＺｒ注入層１０３全体が、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｏ（シリケート）からなる比誘電率の高い高誘電体膜１０６に変化する。 - 特許庁

In the semiconductor device manufacturing method, a Cu containing TiN layer which functions as a cap layer 130 (310) is formed by using a Cu containing Ti target, and Cu contained in the Cu containing TiN layer is diffused by heat treatment to an Al-Cu wiring 120 (320) located in an electrical connection part with the interlayer wiring 200.例文帳に追加

キャップ層１３０（３１０）として働くＣｕ含有ＴｉＮ層がＣｕ含有Ｔｉターゲットを用いて形成され、Ｃｕ含有ＴｉＮ層に含有されたＣｕを、熱処理により、層間配線２００との電気的接続部に位置するＡｌ−Ｃｕ配線１２０（３２０）に拡散させることを特徴とする半導体装置製造方法。 - 特許庁