「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Introduction of H_2 is stopped for a short time, and nitrogen is sufficiently diffused into the steel member in a subsequent soaking step to ensure a nitrided layer of the desired thickness.例文帳に追加

一方、Ｈ_2の導入は短時間で停止して、その後の均熱過程で鋼部材の内部へ窒素を十分に拡散させ、所望の厚さの窒化層を確保する。 - 特許庁

In the second heat treatment, a high-temperature short-time heat treatment is performed such as spike annealing or flash annealing, so that the impurity is diffused into each of the crystal grains in the polysilicon layer.例文帳に追加

次に、第２の熱処理として、ポリシリコン層中の各グレイン内への不純物の拡散が生じるような高温短時間の熱処理、スパイクアニール，フラッシュアニール等を行なう。 - 特許庁

Adhesives 40 are coated on the entire face of a side of this diffused metal layer 16, and a copper foil 12 is etched on a face on the reverse side to form a conductor circuit 18.例文帳に追加

この拡散金属層１６側の面には接着剤４０を全面に塗布し、反対側の面は銅箔１２をエッチングして導体回路１８を形成する。 - 特許庁

The CMOS is constituted such that p-type impurity diffused electrodes 310 constituting source and drain regions of pMOSs are electrically connected to a metal wiring layer 600 through a p-type polycrystalline silicon- made leading layer 300, and n-type impurity diffused electrodes 410 constituting source and drain regions of nMOSs are electrically connected to the metal wiring layer 600 through an n-type silicon-germanium mixed crystal-made leading layer 400.例文帳に追加

ｐＭＯＳのソース、ドレイン領域を構成するｐ型不純物拡散層電極３１０と金属配線層６００とがｐ型多結晶シリコンからなる引き出し層３００を介して電気的に接続され、ｎＭＯＳのソース、ドレイン領域を構成するｎ型不純物拡散層電極４１０と金属配線層６００とがｎ型シリコン・ゲルマニウム混晶からなる引き出し層４００を介して電気的に接続されたＣＭＯＳである。 - 特許庁

The laminated structure for metal wiring includes a substrate, the barrier layer formed directly or indirectly on the substrate for preventing copper from being diffused over the substrate, and the copper layer mainly composed of copper as a base layer of a copper layer for wiring, and the barrier layer contains at least either TaSiN or WSiN.例文帳に追加

金属配線のための積層構造は、基板と、該基板上に直接又は間接的に形成された、前記基板への銅の拡散を防止するためのバリア層と、該バリア層上に形成された、配線用銅層の下地層としての銅層であって銅を主成分とする銅層とを含み、前記バリア層はＴａＳｉＮ及びＷＳｉＮの少なくとも一方を含む。 - 特許庁

The impurity concentration in an oxide semiconductor layer is reduced in such a way that a silicon oxide layer including many defects typified by dangling bonds is formed in contact with the oxide semiconductor layer, and an impurity such as hydrogen or moisture (a hydrogen atom or a compound including a hydrogen atom such as H_2O) included in the oxide semiconductor layer is diffused into the silicon oxide layer.例文帳に追加

未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化シリコン層を、酸化物半導体層に接して形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、上記酸化シリコン層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 - 特許庁

The method for manufacturing the capacitor, in which the brazing materials are coasted on at least one surfaces of electrodes formed on both surfaces of a ceramic board comprises a step of laminating and forming an Au layer and an Sn layer on the surface of each of the electrodes, and a step of diffusing the Au layer and the Sn layer to each other by heating to form an AuSn diffused layer.例文帳に追加

セラミック板の両主面に形成された電極の少なくとも一方の表面に、ロウ材が被着されたコンデンサの製造方法であって、ロウ材は、電極の表面にＡｕ層とＳｎ層を積層形成する工程と、加熱によりＡｕ層とＳｎ層を相互に拡散させて、ＡｕＳｎ拡散層を形成する工程とを用いて形成される。 - 特許庁

In such a configuration, since the Au surface layer conductor 16 is held between the Ag via conductor 14 and the Ag surface layer conductor 17, Ag atoms are diffused from both the upper and lower surfaces of the Au surface layer conductor 16 into the Au surface layer conductor 16, and the concentration gradient of Ag atoms in the Au surface layer conductor 16 is reduced.例文帳に追加

この構成では、Ａｕ系表層導体１６がＡｇ系ビア導体１４とＡｇ系表層導体１７との間に挟まれるため、Ａｕ系表層導体１６の上下両面からＡｇ原子がＡｕ系表層導体１６中に拡散して、Ａｕ系表層導体１６中のＡｇ原子の濃度勾配が小さくなる。 - 特許庁

To provide a transistor which has a structure having a high flexibility in a design regarding a gate wiring even when an element region where a source diffused layer and a drain diffused layer are alternately formed is increased in an area, and can preferably suppress the reduction of a surge resistance caused by a charge variation (unbalance) of each gate in the same region.例文帳に追加

ソース拡散層とドレイン拡散層とが交互に形成される素子領域を大面積化する場合であれ、ゲート配線にかかる設計に関して自由度の高い構造を有し、同領域内の各ゲートの充電ばらつき（アンバランス）に起因するサージ耐量の低下についてもこれを好適に抑制することのできるトランジスタを提供する。 - 特許庁

By providing a well 8, which is of the conductivity type the same as that of an emitter impurity diffused layer 3, under the emitter impurity diffused layer 3 of a lateral bipolar input-output protecting device, a parasitic bipolar action can be grown easily, and sufficient static electricity resistance can be secured without lowering overcurrent protecting power.例文帳に追加

ラテラルバイポーラ型入出力保護装置のエミッタ不純物拡散層３下に、エミッタ不純物拡散層と同導電型のウェル８を設置することにより、寄生バイポーラ動作が容易に起こり、ＳＴＩ分離構造を適用して半導体集積回路を微細化しても、保護能力を低下させることなく、充分な静電気耐性を確保できる。 - 特許庁

A planar light source 1 comprises a semiconductor light-emitting element of emission wavelength 360-400 nm, a first layer where a first phosphor 80 is diffused to convert the light from the semiconductor light-emitting element into blue group light, and a second layer where a second phosphor 81 is diffused to convert the blue group light into yellow or yellow-green group light.例文帳に追加

発光波長３６０ｎｍ〜４００ｎｍの半導体発光素子と、半導体発光素子からの光を青色系の光に変換する第１の蛍光体８０を分散させた第１の層と、青色系の光を黄色ないし黄緑色系の光に変換する第２の蛍光体８１を分散させた第２の層とにより、面状光源１を構成する。 - 特許庁

When the dielectric ceramic powder is calcined, the first additive diffused in the surface layer of the composition powder effects to inhibit solid solution of the second additive, so that the core-shell structure composed of the core part where the second additive is not diffused and the shell part where the second additive is diffused, can be surely achieved the particle of the sintered body.例文帳に追加

この誘電体セラミック原料粉末を焼成したとき、基本組成物粉末の表面層に拡散された第１の添加成分は、第２の添加成分の固溶を抑制するように作用し、得られた焼結体の個々の粒子において、第２の添加成分が拡散していないコア部と第２の添加成分が拡散しているシェル部とからなコアシェル構造を確実に実現することができる。 - 特許庁

In the outer layer 1 and the intermediate layer 2 which are larger in a rise of temperature, the heat input from the material to be rolled is positively and effectively diffused in the axial direction of the roll, so that the absolute values of the quantities of thermal expansion of the outer layer 1 and the intermediate layer 2 and the steep variation of the thermal crown profile in the axial direction of the roll are suppressed.例文帳に追加

温度上昇の大きい外層１と中間層２において被圧延材からの入熱をロール軸方向に積極的かつ効率的に拡散させ、外層１と中間層２の熱膨張量の絶対値とロール軸方向での急峻なサーマルクラウンプロフィル変化を抑制することができる。 - 特許庁

A current constriction layer 54 provided with an insulating part and a conductive part is formed inside a free magnetic layer 26, so that a sense current constricted by the current constriction layer 54 can be less diffused, and the sense current flowing through the free magnetic layer 26 can be surely locally kept high in current density.例文帳に追加

フリー磁性層２６の内部に絶縁部と導電部を有する電流制限層５４を形成することにより、電流制限層５４によって絞りこまれたセンス電流の拡散を低減でき、フリー磁性層２６内に流れるセンス電流の電流密度の局所的な高密度化を確実に維持できる。 - 特許庁

The Mo material has a structure in which the outer most layer is composed of a dense welding preventive layer composed of the oxide of the constituting elements of the above metal powder, the lower part thereof is composed of an alloy layer in which the above constituting elements are diffused into the Mo or Mo alloy, and the lower part thereof is composed of an Mo or Mo alloy layer.例文帳に追加

このＭｏ材料は、最外層が前記金属粉末の構成元素の酸化物からなる緻密な溶着防止層であり、その下がＭｏあるいはＭｏ合金に前記構成元素が拡散した合金層からなり、その下がＭｏあるいはＭｏ合金層からなる構造を有する。 - 特許庁

Thus, since the ferromagnetic material diffused (migrated) from the TMR element 4 hardly reaches the semiconductor layer 6 by interposing the wiring layer 7 between the magnetic material layer 8 and the semiconductor layer 6, the diffusion of the ferromagnetic material to the drain region 32a and the source region 32c can be reduced.例文帳に追加

このように、磁性材料層８と半導体層６との間に配線層７を挟むことにより、ＴＭＲ素子４から拡散（マイグレーション）した強磁性材料が半導体層６へ達しにくくなるので、ドレイン領域３２ａ及びソース領域３２ｃへの強磁性材料の拡散を低減できる。 - 特許庁

The photoelectric conversion material has an impurity-diffused region with zinc and/or cadmium diffused formed in the surface layer portion of a semiconductor thin film, comprising a p-type chalcopyrite compound semiconductor containing sulfur and/or selenium, thereby forming a pn junction.例文帳に追加

光電変換材は、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる半導体薄膜の表層部分に、亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域が形成されており、これによってｐｎ接合が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To improve performance and reliability of components of a wiring layer composed of a diffused layer, etc., by forming impurity ion implanted regions in contract with the surface of an insulation film on a part of semiconductor regions formed on an SOI substrate surface, and thermally diffusing the impurity in the impurity ion implanted regions.例文帳に追加

半導体領域に不純物が拡散されている拡散層からなる配線層などの構成要素の高性能化および高信頼度化ができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with structure in which a semiconductor element is connected to a Cu or Ni electrode through a junction layer composed of Cu and the Cu junction layer and the Cu or a Ni electrode are joined to each other by diffused junction.例文帳に追加

半導体素子と、ＣｕまたはＮｉ電極がＣｕで構成された接合層を介して接続され、前記Ｃｕ接合層と前記ＣｕまたはＮｉ電極とが相互拡散接合している構造を備えた半導体装置。 - 特許庁

To provide an LED, which is enhanced in brightness and luminous performance by a method where an element drive current is uniformly diffused throughout an open light-emitting region, where the LED is equipped with a light-emitting layer, a window layer of oxide, and a wiring pedestal electrode.例文帳に追加

発光層、酸化物からなる窓層、および結線用台座電極を有する半導体発光ダイオードにおいて、素子駆動電流を開放発光領域に均一に拡散させ、高輝度、高発光効率のＬＥＤを提供する。 - 特許庁

Next, in a second diffusion step, the impurities are thermally diffused from the diffusion layer source 12 to inside the wafer, and a heavily-doped impurity diffusion layer 19, which increases a diffusion depth in the diametric direction of the wafer 11, is formed.例文帳に追加

次に、第２の拡散工程において、上記拡散層源１２からウェーハ内部に不純物を熱拡散させ、ウェーハ１１の上記径方向に拡散深さが増大する高濃度不純物拡散層１９を形成する。 - 特許庁

A p-type area 105 with diffused Zn is formed penetrating the n-InP window layer 104, thereby forming a pn junction in the n-InGaAs optical absorption layer 103 or adjacent thereto and making the area 105 as a light receiving part.例文帳に追加

Ｚｎが拡散されたｐ型領域１０５を、ｎ−ＩｎＰ窓層１０４を貫通する様に形成する事で、ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３中あるいは近傍にｐｎ接合が形成され、受光部となる。 - 特許庁

Such a film as above has not only high adhesiveness to a silicon and a glass, etc. but low specific resistance, and the Cu is hardly diffused into a silicon layer, so that the film is suitable for especially an electrode and a metal wiring, etc. formed on the silicon layer and a glass substrate surface, etc.例文帳に追加

このような膜はシリコンやガラスに対する密着性が高いだけでなく、比抵抗も低く、Ｃｕがシリコン層に拡散し難いので、シリコン層やガラス基板表面に形成される電極や金属配線に特に適している。 - 特許庁

As a result, emitted light from the organic layer 32 of the organic EL layer 30 travels to a light-emitting surface 22 of the transparent base material 20 as diffused light, and the angle dependence of a spectrum is reduced in the organic EL element 10.例文帳に追加

これにより、有機ＥＬ層３０の有機層３２からの発光光が、拡散光として透明基材２０の光放出面２２に向かうようにし、有機ＥＬ素子１０におけるスペクトルの角度依存性を軽減している。 - 特許庁

Incident light Li is reflected at the reflection layer 20, reflected light Lr is irregularly refracted by creases on the surface of the irregular diffusion layer 16 and turned to diffused light Lo in random directions and thus irregular light quantity bias (brightness and darkness) is generated.例文帳に追加

入射光Ｌｉが反射層２０で反射され、反射光Ｌｒは、乱拡散層１６の表面の皺で不規則に屈折させられてランダムな方向への拡散光Ｌｏとなり不規則な光量の偏り（明暗）が生じる。 - 特許庁

Afterwards, the resist mask Re1 and the Al mask 22 are removed, and ion is injected into a high resistance SiC layer 2 at a high temperature of 150°C or higher, by using the silicon dioxide mask 21, so that a p-well region 3 being an impurity diffused layer can be formed.例文帳に追加

その後、レジストマスクＲｅ１，Ａｌマスク２２を除去し、二酸化珪素マスク２１を用いて、１５０℃以上の高温で高抵抗ＳｉＣ層２内にイオン注入して、不純物拡散層であるｐウェル領域３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of performing a uniform thermal treatment in a semiconductor layer including impurities without increasing the number of processes and allowing metallic atoms to be excessively diffused into the semiconductor layer, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

工程数の増加や金属原子が半導体層中へ過度に拡散することなく、不純物を含む半導体層の均一な熱処理を可能とする半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The nonmagnetic layer 15 comprises an oxide film and a damage of magnetic characteristics due to the element exhibiting ferromagnetism is suppressed by bonding oxygen preferentially to boron even if oxygen is diffused from the nonmagnetic layer 15.例文帳に追加

そして、非磁性体層１５が酸化膜からなり、その非磁性体層１５からの酸素の拡散があっても、酸素をホウ素と優先的に結合させることで、強磁性を示す元素による磁気特性が損なわれるのを抑制する。 - 特許庁

An N- layer 32 having an N-type impurity diffused to a low concentration is provided right below the insulating layer 14, and a second P+ region 34 formed by implanting ions etc., and a second N+ region 36 are formed in the N- layer 32 to obtain a second photodiode 30.例文帳に追加

絶縁層１４の直下にＮ型不純物を低濃度に拡散させたＮ−層３２が設けられ、Ｎ−層３２中にイオン等を注入して形成された第２のＰ＋領域３４および第２のＮ＋領域３６が形成され、第２のフォトダイオード３０とされている。 - 特許庁

Ni is prevented from being diffused upward by the diffusion stop layer 30, whereby the surface of the land 26 is hardly oxidized, and the gold layer 32 can be made thin through a flash plating method, so that a rigid and fragile layer of Au-Sn alloy or the like is hardly formed on a solder joint surface.例文帳に追加

拡散阻止層３０によりＮｉの上層拡散が阻止され、これによりランド部２６表面が酸化されにくくなる一方で、金層３２をフラッシュメッキ法等により薄くできるので、例えばＡｕ−Ｓｎ合金等の固くて脆い層がハンダ接合面に形成されにくくなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a defect of a barrier metal film having a multilayer wiring structure is interpolated with a diffused barrier film by self-formation reaction between Mn of a CuMn layer and an interlayer insulating film, the specific resistance of a Cu layer on the CuMn layer being reduced.例文帳に追加

多層配線構造のバリアメタル膜の欠陥を、ＣｕＭｎ層のＭｎと層間絶縁膜との自己形成反応による拡散バリア膜で補間する半導体装置の製造方法において、ＣｕＭｎ層上のＣｕ層の比抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate for wiring boards comprises a carbonaceous substrate 10, an insulating electrolytic deposition layer 20 that is formed in the carbonaceous substrate 10 while an inorganic filler 201 is being diffused to polyimide 202 due to electrolytic deposition, and a metal layer 30 that is provided on the insulating electrolytic deposition layer 20.例文帳に追加

炭素質基板１０と、電着によって無機フィラー２０１がポリイミド２０２に分散した状態で前記炭素質基板１０に形成された絶縁性電着層２０と、前記絶縁性電着層２０に設けられた金属層３０とから構成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film in which adhesion of copper to a lower layer is improved without increasing a thickness of an adhesive layer so as to prevent copper from being diffused to the lower layer, and to provide metal wiring for a display panel, a thin film transistor display panel including the same, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A backside sealing material 1A for the solar cell includes a light diffusion resin layer 2 containing a transparent resin 2a and a light diffusion particle 2b diffused in the transparent resin 2a, and a transparent resin layer 3 which contains a transparent resin 3a and is stacked on each side of the light diffusion resin layer 2.例文帳に追加

透明樹脂２ａ及び透明樹脂２ａに分散された光拡散粒子２ｂを含有する光拡散樹脂層２と、透明樹脂３ａを含有し、光拡散樹脂層２の両面側にそれぞれ積層される透明樹脂層３と、を有する太陽電池用裏面側封止材１Ａ。 - 特許庁

The first organic pigment 42R is contained in the first pigment layer 40R and the first organic pigment 42R in the first pigment layer 40R can be translated and diffused to a polymeric luminous layer 32 by heating with a laser beam 50 selectively.例文帳に追加

第１の有機色素４２Ｒは第１の有機層４０Ｒに含まれ、第１の有機層４０Ｒを選択的にレーザ光５０で加熱することにより、第１の色素層４０Ｒの第１の有機色素４２Ｒを高分子発光層３２に移行拡散させることができる。 - 特許庁

A DMOS (double diffused metal oxide semiconductor) transistor 23 and the pn junction diode 22a are formed on one SOI layer 13b surrounded by trench separation 15 in a shape that they are insulated electrically by a p-type diffusion layer 20 formed in a state of being levitated electrically on the SOI layer 13b surrounded by the trench separation 15.例文帳に追加

トレンチ分離１５で囲まれた１つのＳＯＩ層１３ｂには、ＤＭＯＳトランジスタ２３と温度検出用ＰＮ接合ダイオード２２ａとが、電気的に浮いた状態で形成されるＰ型拡散層２０によって電気的に絶縁される形で形成されている。 - 特許庁

For the control of the threshold of the MOS transistor, phosphorus is used for DDD impurity layer formation, the phosphorus is diffused to a channel region as well at the time of the thermal diffusion of the DDD impurity layer, and the threshold control of the MOS transistor and the DDD impurity layer are both carried out in a single process.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのしきい値制御の為に、ＤＤＤ不純物層形成にリンを用い、ＤＤＤ不純物層の熱拡散時にリンをチャネル領域にも拡散させ、ＭＯＳトランジスタのしきい値制御とＤＤＤ不純物層を一つの工程で兼ねる事が出来るようにする。 - 特許庁

That is, the diffusion of copper from the copper conductor layer 3 is inhibited while the relative change of a copper content is reduced even when copper is diffused and intrudes to the resistance layer 2 and an effect on a resistance value can be lowered by previously mixing copper to the resistance layer 2.例文帳に追加

すなわち、予め抵抗層２に銅を混入させることで、銅導体層３からの銅の拡散を抑制すると共に、たとえ銅が拡散して抵抗層２に侵入した場合でも相対的な銅含有量の変化が小さく、抵抗値に及ぼす影響を小さくすることができる。 - 特許庁

Heat generated in a recording layer is prevented from being diffused to an adjacent recording track and the adjacent track is prevented from being heated, even if the recording layer on the guide groove as a recording track is irradiated with recording light and heated when information is recorded, since there are no metal reflection layer between guide grooves.例文帳に追加

情報記録時に記録トラックとしての案内溝上の記録層に記録光を照射して加熱しても、案内溝間には金属反射層が存在しないので、記録層で発生した熱が隣接する記録トラックに拡散することが防止され、隣接トラックを加熱することが防止される。 - 特許庁

Furthermore, a pixel region is enclosed in the peripheral part of the silicon substrate 1, and a trench 21 is formed so as to separate the overflow barrier layer 11 into the pixel region and its outer peripheral part, and a conductive type impurity diffused layer 22 different from the overflow barrier layer 11 may be formed in the inner wall part of the trench 21.例文帳に追加

また、シリコン基板１の周辺部に、画素領域を囲むとともにオーバーフローバリア層１１を画素領域とその外周部とに分離するトレンチ２１を形成し、トレンチ２１の内壁部に、オーバーフローバリア層１１と異なる導電型の不純物拡散層２２を形成してもよい。 - 特許庁

Under the condition that the etching stop layer 104 keeps its function to stop etching for the second upper clad layer 106, laser beam absorption inhibiting impurities are diffused into the second upper clad layer 106 along a region where a light exiting end face 150 is provided (first annealing).例文帳に追加

エッチングストップ層１０４が第２上クラッド層１０６のためのエッチングを停止させる機能を維持する条件下で、レーザ光吸収抑制用の不純物を、光出射端面１５０を形成すべき領域に沿って第２上クラッド層１０６に拡散させる（第１アニール）。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a light-emitting element in which Zn in a p-type cap layer, consisting of GaAs, is prevented from being diffused into a cladding layer and an active layer, and thereby to provide a light-emitting element by which stable high output operation and high temperature operation can be performed and high reliability LED and LD can be obtained.例文帳に追加

ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層のＺｎをクラッド層や活性層に拡散させないようにした発光素子用エピタキシャルウェハ、従って、安定な高出力動作及び高温動作が可能で、且つ高信頼なＬＥＤ及びＬＤが得られる発光素子を提供すること。 - 特許庁

The method of forming the laminated structure for metal wiring includes a barrier layer formation step for forming the barrier layer containing at least either TaSiN or WSiN for preventing copper from being diffused over the substrate directly or indirectly on the substrate, and a copper layer formation step for forming the copper layer mainly composed of copper as the base layer of the copper layer for wiring.例文帳に追加

金属配線のための積層構造の形成方法は、基板上に直接又は間接的に、該基板への銅の拡散を防止するためのＴａＳｉＮ及びＷＳｉＮの少なくとも一方を含むバリア層を形成するバリア層形成ステップと、前記バリア層上に、配線用銅層の下地層としての銅層であって銅を主成分とする銅層を形成する銅層形成ステップとを含む。 - 特許庁

This shape is transferred to a film to form an uneven film and an uneven surface is further transferred to the thin film layer formed on a substrate and a reflecting film is formed to the transfer surface to obtain a diffused reflection plate.例文帳に追加

その形状を転写して凹凸フィルムとし、基板上に形成された薄膜層に、凹凸面をさらに転写し、その転写面に反射膜を形成して拡散反射板とする。 - 特許庁

Finally, a straight line is found by plotting the graph of various diffused layer lengths at a certain voltage Vgsc, and the sheet resistance of the diffusion layers are found from the inclination of the line (S6).例文帳に追加

その結果を用いて、ある電圧Ｖｇｓｃのときのさまざまな拡散層長によるグラフをプロットして直線を求め、その傾きから拡散層のシート抵抗を求める。 - 特許庁