「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce the amount of impurities being diffused from a lower clad layer to a luminous layer by stabilizing the Vf of an LED, and suppressing the diffusion of the impurities contained in a DBR layer to the lower clad layer, to prevent the luminous intensity of the LED from decreasing.例文帳に追加

ＬＥＤのＶｆの安定化を達成し、またＬＥＤの発光強度が低下するのを防ぐために、ＤＢＲ層に含有される不純物が下部クラッド層に拡散するのを抑制し、下部クラッド層から発光層に拡散する不純物の量を低減する。 - 特許庁

By forming dielectric separation films 122 and 132 in the form of closed loops, respectively, on a silicon layer, first semiconductor layer regions 123 and 133 on the silicon layer are insulated and separated, and diffused resistors 124 and 134 are formed on the inside thereof.例文帳に追加

シリコン層上に誘電体分離膜１２２、１３２を閉ループ状に形成することによりシリコン層上の第一の半導体層領域１２３、１３３を絶縁分離し、その内側に拡散抵抗１２４、１３４を形成する。 - 特許庁

More specifically, effective current diffusion, reduction in working voltage and high optical output can be realized because the dopant is not diffused into the active layer 14 even if the current diffusion layer 16 or a p-type clad layer 15 has a high carrier density.例文帳に追加

すなわち、電流拡散層１６やｐ型クラッド層１５を高キャリア濃度にしてもドーパントが活性層１４に拡散しないため、効果的な電流拡散と、動作電圧の低減と、高光出力化が実現できる。 - 特許庁

The ceramic joined body of aluminum nitride sintered compact includes: a joining layer including YAG and aluminum oxide; and a diffusion layer in which a yttrium component in the joining layer is diffused in an insular shape.例文帳に追加

窒化アルミニウム焼結体同士のセラミックス接合体であって、ＹＡＧと酸化アルミニウムを含む接合層を有し、前記接合層のイットリウム成分が島型に拡散した拡散層を備えることを特徴とするセラミックス接合体。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3, a contact part 2, an counter- silicon diffused conductive layer 4, and a lower electrode layer 5 of Ru film are formed on a silicon substrate 1, and a hard mask layer 7 of SiO2, that is subjected to patterning, is formed on it using a photoresist 8.例文帳に追加

シリコン基板１上に、層間絶縁膜３、コンタクト部２、対シリコン拡散導電層４、Ｒｕ膜の下部電極層５を形成し、この上に、フォトレジスト８を用いてパターンニングしたＳｉＯ_2 のハードマスク層７を形成する。 - 特許庁

The mold for molding the plastic product comprises a coating layer 14 containing molybdenum sulfide, molybdenum disulfide or tungsten disulfide as a main component or a diffused layer formed partly or entirely on the surface of the mold brought into contact with the layer 14.例文帳に追加

プラスチック製品を成形する金型の一部または全部に、硫化モリブデン、二硫化モリブデン又は二硫化タングステンを主成分とするコーティング層１４、またはコーティング層１４に接する金型表面に拡散層が形成されている。 - 特許庁

To solve a problem where a current diffusion layer of GaP or AlGaAs hardly becomes excellent in surface morphology when it is formed at a low temperature, but a semiconductor light emitting device deteriorates in device characteristics when the current diffusion layer is formed at a high temperature because impurities are apt to be diffused into a light emitting layer.例文帳に追加

ＧａＰやＡＩＧａＡｓから成る電流拡散層を低温で形成すると表面モホロジーが良好に得られないので、高温で形成すると、不純物の発光層への拡散が生じ、素子特性が劣化する。 - 特許庁

As the excretion liquid absorbed in the liquid capturing layer 18 is attracted to a second compressed recess 24, in which the liquid capturing layer 18 is compressed, and diffused, the liquid capturing layer 18 located under the liquid penetration holes 23 is hardly saturated with the liquid.例文帳に追加

また液獲得層１８に吸収された排泄液は、液獲得層１８を圧縮した第２の圧着凹部２４に引き付けられて拡散するため、液透過孔２３の下に位置する液獲得層１８が液で飽和し難くなる。 - 特許庁

Furthermore, a p-type stopper layer 64, whose conductivity type is reverse to that of an epitaxial layer 62, is diffused into the surface of the epitaxial layer 62 near a gap between the tips of the gate extension parts 67a of transistors 10 and 20, to shut off a leakage current nearly completely.例文帳に追加

さらに、両トランジスタ１０と２０のゲート延在部６７ａの先端間の隙間付近のエピタキシャル層６２の表面にストッパ層６４をそれとは逆のｐ型で拡散して漏れ電流をほぼ完全に遮断する。 - 特許庁

An n^+-type source area diffused layer 11 for a source of the power MOSFETQ is electrically connected with a source electrode 24S through a plug 23b.例文帳に追加

このパワーＭＯＳＦＥＴＱのソース用のｎ^＋型ソース領域拡散層１１はプラグ２３ｂを通じてソース電極２４Ｓに電気的に接続されている。 - 特許庁

On a surface of a P well 22, a source 27 and a drain 29 of an NMOS transistor composed of an N^+ diffused layer is formed, and a gate 28 is formed.例文帳に追加

Ｐウエル２２の表面に、Ｎ^＋拡散層からなるＮＭＯＳトランジスタのソース２７及びドレイン２９が形成され、ゲート２８が形成されている。 - 特許庁

On a p-type substrate 101 are provided p-wells 102, n-wells 103, an isolation oxide film 104, a diffused layer 105 and gates 106 to form transistor elements.例文帳に追加

Ｐ型基板１０１上にＰウェル１０２、Ｎウェル１０３、分離酸化膜１０４、拡散層１０５、ゲート１０６を設けてトランジスタ素子が形成される。 - 特許庁

To remedy the junction leakage current of a MOSFET against which the depth reduction of a diffused layer is contrived.例文帳に追加

本発明は、拡散層の深さの低減が図られるＭＯＳＦＥＴにおいて、接合リーク電流を改善できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

To enhance a semiconductor device in capacity to absorb a surge current, without enlarging a high-concentration diffused layer which is electrically connected to an input pad in area.例文帳に追加

入力パッドと電気的に接続される高濃度拡散層の面積を大きくすることなく、サージ電流を吸収する能力を向上させる。 - 特許庁

To accurately control a region where an electric current flows from an energized electrode to a return path electrode layer and to prevent heat from being diffused in an energized exothermic ribbon film.例文帳に追加

通電発熱リボンフィルムにおいて通電電極から帰路電極層へ電流が流れる領域を正確に制御し、熱拡散の防止を図る - 特許庁

After exposure, a treatment process is used to neutralize the effect of undesirable elements that are diffused into the resist layer 14 during immersion exposure.例文帳に追加

露光の後で、液浸露光中にレジスト層１４中に拡散した望ましくない成分による影響を中和するのに、処理ステップが使用される。 - 特許庁

An N-type impurity is injected into a P-type semiconductor substrate 21 at a relatively low dose amount and high energy, embedding an N-diffused layer 35.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板２１に、比較的低ドーズ量及び高エネルギーでＮ型不純物が注入されて、Ｎ拡散層３５が埋め込まれて形成されている。 - 特許庁

To efficiently remove foreign substances and the like that are stuck on the surface or diffused into the surface layer of a silicon material without using nitric acid containing nitrogen.例文帳に追加

窒素を含む硝酸を用いずに、シリコン原料の表面に付着した異物又は表層に拡散した異物等を効率良く除去する。 - 特許庁

Boron is diffused inward on a polished wafer (14) by supplying a diborane (B_2H_6) gas onto the polished wafer (14) to form a diffusion layer (12).例文帳に追加

ポリッシュト・ウェーハ（１４）上にジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガスを供給して該ポリッシュト・ウェーハ（１４）上にボロンを内方拡散させて拡散層（１２）を形成する。 - 特許庁

This impurity is diffused due to heat, thereby forming a p-type pillar layer 14 in which diffusion layers 14A1 to 14A3 are coupled in a depthwise direction.例文帳に追加

熱によりこの不純物が拡散することにより、拡散層１４Ａ１〜３が深さ方向に結合されたｐ型ピラー層１４が形成される。 - 特許庁

The left side is a non-used region between the cell region and an I/O region, where no integrated circuit pattern of a diffused layer is designed as a base material.例文帳に追加

左側が該セル領域及びＩ／Ｏ領域の間にある、下地として拡散層の集積回路パターンが設計されていない不使用領域である。 - 特許庁

A heat insulation film system includes an upper layer ceramic heat insulation film containing a diffused bonding coat on a base metal substrate and yttria stabilization zirconia material.例文帳に追加

断熱皮膜システムは、ベース金属基体上の拡散ボンディングコートとイットリア安定化ジルコニア材料を含む上層セラミック断熱皮膜とを含む。 - 特許庁

To make surroundings of a material to be treated as a thin oxygen (air) atmosphere by a simple means, and form an oxygen-diffused layer on the surface so as not to form oxides.例文帳に追加

簡単な手段で被処理材の周囲を酸素（空気）希薄雰囲気とし、表面に酸化物を生成させずに酸素拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide a vapor phase doping apparatus and a method with which in-plane uniformity in an impurity diffused layer having a shallow joint can be improved.例文帳に追加

浅い接合の不純物拡散層の面内均一性を向上させることができる気相ドーピング装置および気相ドーピング方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a high current drive capability by lowering the resistance of an offset-drain diffused layer.例文帳に追加

オフセットドレイン拡散層の抵抗値を低く抑えることで高い電流駆動能力を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A protective film 10 is formed on an N type silicon substrate 1 whereon an isolation regions 3 and N type diffused layer 4 to be a channel region are formed.例文帳に追加

分離領域３及びチャネル領域となるＮ型拡散層４が形成されたＮ型のシリコン基板１上に、保護膜１０を形成する。 - 特許庁

In one region of the N-type diffused layer 15 about a gate electrode 14, an in-cell power line 11a extending from the power terminal 11 is formed.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１５のゲート電極１４に対する一方の領域には、電源端子１１から延びるセル内電源線１１ａが形成されている。 - 特許庁

In the epitaxial layer 3, N-type diffusion layers 4, 5 as cathode regions are formed, which are diffused so as to be coupled with the substrate 2.例文帳に追加

エピタキシャル層３には、カソード領域としてのＮ型の拡散層４、５が形成され、Ｎ型の拡散層４、５は基板２と連結するように拡散されている。 - 特許庁

Furthermore, Zn is thermally diffused selectively into the light receiving region until the n-type InP avalanche multiplication layer 6 is reached, thus forming a p-type conductive region 10.例文帳に追加

さらに、前記受光領域に、Ｚｎを選択的にｎ型ＩｎＰアバランシェ増倍層６に至るまで熱拡散し、ｐ型導電領域１０を形成する。 - 特許庁

Thus, it is possible to realize circuit simulation under the consideration of the diffused layer length dependency of the drain currents of the MOS transistors, and to realize highly precise simulation.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのドレイン電流の拡散層長依存性を考慮した回路シミュレーションが可能となるので高精度のシミュレーションが可能となる。 - 特許庁

The capture metal layer satisfying these standards captures oxide atoms when the oxide atoms pass through a gate electrode, to be diffused toward the high-k gate dielectric.例文帳に追加

これらの基準を満たす捕捉金属層は、酸素原子がゲート電極を通って高ｋゲート誘電体に向け拡散するときに該酸素原子を捕捉する。 - 特許庁

Thus, a source/drain diffusion layer 16 is diffused so as to activate, and also damages to the gate oxide film 14 are relaxed in a preceding ions implantation process.例文帳に追加

これにより、ソース／ドレイン拡散層１６の活性化拡散がなされると共に、先のイオン注入工程におけるゲート酸化膜１４のダメージが緩和される。 - 特許庁

This silver-containing layer is formed from a silver diffused coating material obtained by carrying out annealing after spraying, coating or dipping on the outer surface of the reflector.例文帳に追加

この銀を含む層は、反射器の外面上に、吹き付け、塗り、または浸したあと焼き鈍しを行なって得られる銀拡散塗料から作られている。 - 特許庁

To provide a circuit simulation device and a model creation method capable of quickly and easily creating the models of MOS transistors whose diffused layer length is different.例文帳に追加

拡散層長が異なるＭＯＳトランジスタのモデルを短時間に容易に作成できる回路シミュレーション装置およびモデル作成方法を提供する。 - 特許庁

After forming a buried diffused layer 102 as sources/drains of cell transistors on a semiconductor substrate 100, a gate dielectric film 103 and gate pattern 104 are formed.例文帳に追加

半導体基板１００にセルトランジスタのソース／ドレインとして埋込み拡散層１０２を形成してから、ゲート誘電膜１０３とゲートパターン１０４を形成する。 - 特許庁

The diffused barrier layer is formed by sputtering or vacuum deposition of any material selected from fire-resistant metal materials such as tungsten, tungsten nitride, tantalum, tantalum nitride or molybdenum.例文帳に追加

該拡散バリア層はタングステン、窒化タングステン、タンタル、窒化タンタル又はモリブデンなどの耐火金属材料から選択し、スパッタリング又は蒸着によって形成する。 - 特許庁

Light made incident almost vertically on the incidence surface of the main diffusing layer is diffused in the diffusing direction by being reflected at the side planes of the rib.例文帳に追加

主拡散層の入射面に略垂直に入射される光は、前記リブの側面で反射されることによって、前記拡散方向において拡散される。 - 特許庁

Thus, it is possible to easily replace the correction value with the value of the original parameter, and to create the transistor models of MOS transistors whose diffused layer length DL is different.例文帳に追加

これにより補正値を元のパラメータの値と容易に置き換えでき、拡散層長ＤＬの異なるＭＯＳトランジスタのトランジスタモデルを作成できる。 - 特許庁

To provide a method for forming, without dependence on a pattern, a channel embedded-type element isolation region, having a high planarity without using a dummy diffused layer.例文帳に追加

ダミー拡散層を使用せずに、高い平坦性を有する溝埋め込み型素子分離領域を、パターン依存性なく形成する手法を提供すること。 - 特許庁

The diffused light Lo is colored by absorption when passing through the decoration printed layer 14 and reaches a player's eyes through the transparent film 12.例文帳に追加

拡散光Ｌｏは、装飾印刷層１４を通過する際の吸収によって着色され、透明フィルム１２を通過して遊技者の目に達する。 - 特許庁

Meanwhile, a luminous flux recording light radiated from a recording apparatus 10 is diffused before reaching the selective transmission layer 240 because it is transmitted through a plurality of layers.例文帳に追加

一方、記録装置１０から照射される記録光は、選択透過層２４０に到達するまでに、複数の層を透過するため光束が拡散する。 - 特許庁

To make it possible to easily control a color tone while making the state of diffused reflection of light uniform in spite of size of the surface area of a printing layer.例文帳に追加

印刷層の表面積の大小にかかわらず、光の乱反射状態を均一にすることが可能になるとともに、色調の調整が容易にできる。 - 特許庁

Since the GaAs layer 106 is semi-insulating, even if the p-type diffused region 107 is made, pn junction is not made in the vicinity of the surface of the substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ層１０６が半絶縁性なので、ｐ型拡散領域１０７を形成しても、基板表面付近にはｐｎ接合が形成されない。 - 特許庁

The field-effect transistor includes the surface of a diffused layer located at a relatively higher position than the surface of a channel of the field-effect transistor disposed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、半導体基板上の電界効果トランジスタのチャネル表面よりも比較的高い位置に拡散層の表面を備える。 - 特許庁

To prevent a p doptant from being diffused from a substrate to an active layer and to make luminance higher and stabler by suppressing the formation of a non-light-emission center.例文帳に追加

基板から活性層へのｐドーパントの拡散を防止することができ、非発光センターの形成を抑制してより一層の高輝度化及び安定化をはかる。 - 特許庁