「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A right-handed circularly polarized light beam 31R projected to the screen 10-1 is diffused and reflected inside the layer 11-1 and becomes diffused and reflected light beams 33-1 and 33-2.例文帳に追加

投影スクリーン１０−１に投射された右円偏光３１Ｒは、偏光選択反射層１１−１の内部で拡散反射され、拡散反射光３３−１，３３−２となる。 - 特許庁

Right-handed circularly polarized light 31R projected on the projection screen 10-1 is diffused and reflected inside the layer 11, then, the light 31R becomes diffused reflection light 33-1 and 33-2.例文帳に追加

投影スクリーン１０−１に投射された右円偏光３１Ｒは、偏光選択反射層１１の内部で拡散反射され、拡散反射光３３−１，３３−２となる。 - 特許庁

Further, after a p--type source/drain diffused layer is also formed on the side of a p-channel MISFET, a gate side wall insulation film is formed and n+-type and p+-type source/drain diffused layers are formed.例文帳に追加

以下、ｐチャネルＭＩＳＦＥＴ側にもｐ^-型ソース、ドレイン拡散層を形成した後、ゲート側壁絶縁膜を形成し、ｎ^+型及びｐ^+型のソース、ドレイン拡散層を形成する。 - 特許庁

A diffused layer 15a under a tunnel oxide film in a EEPROM forming region 1 and a diffused layer 15b for a control gate and a low- concentration diffused layer 16 of an offset portion in an NPG transistor forming region 2 are formed in a batch by implanting an n-type impurity 14 to a silicon substrate with a resist pattern 13 serving as a mask.例文帳に追加

レジストパターン１３をマスクとしてシリコン基板１１にＮ型不純物１４をイオン注入することにより、ＥＥＰＲＯＭ形成領域１におけるトンネル酸化膜下の拡散層１５ａ、コントロールゲート用拡散層１５ｂ及びＮＰＧトランジスタ形成領域２におけるオフセット部の低濃度拡散層１６を一括して形成する。 - 特許庁

Also, a diffused layer 115 of impurities of reverse conductive type, in which impurities contained in the semiconductor layer 114 are diffused through the side of the first groove 111 which functions as source/drain, is formed in an active region 102.例文帳に追加

また、活性領域１０２には第１の溝１１１の側部を通して半導体層１１４に含まれる不純物が拡散してソース・ドレインとして機能する逆導電型不純物の拡散層１１５が形成される。 - 特許庁

Left circular polarized light 31L projected from the projecting machine 21 is transmitted through the polarized light selecting reflective layer 11, then diffused by the recesses and projections of the diffusion layer 40, and an image with diffused light 33A is consequently displayed towards the observer 50A.例文帳に追加

投影機２１から投射された左円偏光３１Ｌは、偏光選択反射層１１を透過した後、拡散層４０の凹凸部で拡散され、観察者５０Ａ側に拡散光３３Ａによる映像を表示する。 - 特許庁

A first P+ diffused layer 10 constituting an emitter region of a horizontal PNP transistor and a second P+ diffused layer 10 constituting a collector region are formed on an embedded silicon oxide film 2 on the SOUI substrate, respectively.例文帳に追加

横型ＰＮＰトランジスタのエミッタ領域を構成する第１のＰ^+ 拡散層１０及びコレクタ領域を構成する第２のＰ^+ 拡散層１０は、それぞれ、ＳＯＩ基板上の埋込シリコン酸化膜２上に形成されている。 - 特許庁

An impurity diffused layer 14 becoming a bit line BL and a silicide layer 15 are formed on the substrate 10 adjacent to the control gate CG.例文帳に追加

また、コントロールゲートＣＧに隣接する基板１０上にはビット線ＢＬとなる不純物拡散層１４及びシリサイド層１５が形成されている。 - 特許庁

A base diffusion layer 6 and a high-density base diffused layer 7 are formed on the face of a semiconductor substrate 1, and an insulating film 8 is grown on the surface thereof.例文帳に追加

表面にベース拡散層６及び高濃度ベース拡散層７が形成された半導体基板１の表面上に絶縁膜８を成長させる。 - 特許庁

This silicide film 8b is formed over the side wall of the silicon film 5, the side wall of the SiGe alloy layer 4, and the surface of the p^+ diffused layer 10.例文帳に追加

このシリサイド膜８ｂは、シリコン膜５の側壁とＳｉＧｅ合金層４の側壁とｐ^＋拡散層１０の表面にまたがって形成されている。 - 特許庁

It is preferable that the thickness of the cap layer 4 is 30-70 Å, or the electrode 3 is composed of gold, or gold is diffused in the cap layer 4.例文帳に追加

好ましくは、キャップ層４の厚さが３０−７０オングストロームであり、あるいは、電極３が金からなり、あるいは、キャップ層４内に金が拡散している。 - 特許庁

In other words, the depth of the junction of the source/drain diffused layer 6 can be controlled with the depth of the crystal confused layer, and a shallow junction can be obtained easily.例文帳に追加

即ち、結晶状態が乱された領域の深さでソース／ドレイン拡散層の接合の深さを制御することができ、容易に浅い接合が得られる。 - 特許庁

Humors, which are first absorbed and diffused into the fiber layer 20, are free from concentration at one place and transfer to the polymeric compound layer 21.例文帳に追加

排泄液はまず、繊維層２０において吸収、拡散されるため、高分子化合物層２１へは、排泄液が一個所に集中して移行することがない。 - 特許庁

This barrier layer 5 prevents the dye from being diffused and a coating liquid or an adhesive from infiltrating into the dye recording layer 3 and the like, when forming the protective coating film 4.例文帳に追加

この障壁層５は、保護被膜４の成膜時における色素の拡散や、塗液又は接着剤の色素記録３への浸透などを防止する。 - 特許庁

The silicon nitride film 6 and the diffused layer 3 partially overlap vertically, while an offset part 11 provided between the silicon nitride film 6 and the diffusion layer 2.例文帳に追加

シリコン窒化膜６と拡散層３とは、上下方向が一部オーバーラップしており、シリコン窒化膜６と拡散層２との間にはオフセット部１１が設けられる。 - 特許庁

Elements reducing the piezoelectric characteristic of the piezoelectric layer 4 are diffused into a non-opening area A2 separating from a opening 16A of a pressure chamber 16 at the piezoelectric layer 4.例文帳に追加

圧電層４において圧力室１６の開口部１６Ａを外れる非開口領域Ａ２に、圧電層４の圧電特性を低下させる元素を拡散する。 - 特許庁

To form silicide layers on the top surfaces of memory transistor gate electrodes without forming a silicide layer on the top surface of a memory transistor impurity-diffused layer.例文帳に追加

メモリトランジスタの不純物拡散層の上面にシリサイド層を形成することなく、メモリトランジスタのゲート電極の上面にシリサイド層を形成できるようにする。 - 特許庁

At that time, the gold from the gold plating layer 14 is diffused and mixed with the alloy plating layer 16, which is sealed and bonded airtight as a welding member 22 of hypoeutectic composition.例文帳に追加

その際に金めっき層１４からの金を合金めっき層１６に拡散混入し、亜共晶組成の溶着部材２２として気密封着される。 - 特許庁

The semiconductor device is annealed so that dopants are outwardly diffused from the metal-contained layer within the semiconductor layer to thereby form an ohmic contact.例文帳に追加

半導体デバイスをアニールして、金属含有層から半導体層内にドーパントを外方拡散させことにより、その間にオーム接触部を形成させる。 - 特許庁

Thereby, the oxygen in the surface layer of the wafer is diffused from the wafer surface to the outside, the oxygen- precipitation core is stabilized (more than a critical core), and the DZ layer is produced.例文帳に追加

よってウェーハ表層の酸素がウェーハ表面から外方拡散され、酸素析出核が安定化（臨界核以上）し、ＤＺ層１１が現出する。 - 特許庁

A contact layer 4 for a diffused layer and a contact layer 5 for an epitaxially growing layer are formed, aluminum electrodes 12 for respective pads are formed on the layers 4 and 5, and an output can be obtained from the layer 1 and the layer 2.例文帳に追加

そして、拡散層用のコンタクト層４とエピタキシャル成長層用のコンタクト層５とが形成され、コンタクト層４，５上に各々パッド用のアルミ電極１２が形成され、拡散層１と第１のエピタキシャル成長層２とから出力を得ることができる。 - 特許庁

A MOS thyristor 100 comprises a p+ type anode layer (first semiconductor layer) 10, an n- type base region (second semiconductor layer) 14, a p+ type base region (third semiconductor layer) 16, and an n+ type impurity diffused layer (fourth semiconductor layer) 18 functioning as a source region.例文帳に追加

ＭＯＳサイリスタ１００は、ｐ^+型アノード層（第１半導体層）１０、ｎ^-型ベース領域（第２半導体層）１４、ｐ^-型ベース領域（第３半導体層）１６、およびソース領域として機能するｎ^+型不純物拡散層（第４半導体層）１８を有する。 - 特許庁

The MOS transistor has a high density source layer N^+S, a high density drain layer N^+D, a low density source layer N^-S and/or a low density drain layer N^-D both of which are diffused deeper than the high density source layer N^+S and the high density drain layer N^+D.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタは、高濃度ソース層Ｎ＋Ｓ及び高濃度ドレインＮ＋Ｄ層と、高濃度ソース層Ｎ＋Ｓ及び高濃度ドレイン層Ｎ＋Ｄより深く拡散された低濃度ソース層Ｎ−Ｓ又は／及び低濃度ドレイン層Ｎ−Ｄを有する。 - 特許庁

An interlayer insulating layer is formed on a main surface 1S of a substrate 1 and a contact hole 30 is formed so as to pass through an exposed surface of the interlayer insulating layer and reach a diffused layer 2.例文帳に追加

基板１の主面１Ｓ上に層間絶縁層を形成し、当該層間絶縁層の露出表面から基板１内の拡散層２に至るコンタクトホール３０を形成する。 - 特許庁

Furthermore, after the counter-silicon diffused conductive layer 4 is etched, a Ta2O5 film and Ru film are deposited as a dielectric layer 9 and an upper electrode layer 10, respectively, thus obtaining a thin-film capacitor.例文帳に追加

さらに、対シリコン拡散導電層４をエッチングした後、誘電体層９としてＴａ_2Ｏ_5 膜、上部電極層１０としてＲｕ膜を堆積して薄膜キャパシタを得る。 - 特許庁

A non-doped first polysilicon layer 20 is formed covering the inner side of the trench 18 formed in a semiconductor layer 14, and, for example, an N-type impurity is diffused thereafter in the first silicon layer 20.例文帳に追加

半導体層１４に形成されたトレンチ１８内を覆ってノンドープの第１のポリシリコン層２０を形成し、その後、第１のポリシリコン層２０に例えばＮ型の不純物を拡散する。 - 特許庁

The glass coated material 2 comprises a glass layer 6 on a surface of a metal base material 4 through an intermediate layer 20 containing a diffused layer 22 of a diffusible metal atom at the material 4 side.例文帳に追加

金属基材４の表面に、基材４側に拡散可能な金属原子の拡散層２２を含む中間層２０を介してガラス層６を備える、ガラス被覆体２とする。 - 特許庁

The stock steel in which nonmetallic inclusions are present on the surface or the surface layer part is provided with a fatigue strength reinforcing layer diffused by heating a Ni layer previously plated on the steel surface.例文帳に追加

鋼表面または表層部に非金属介在物が存在する素材鋼の表層に、予めメッキされたＮｉ層の加熱によりディフュージョンした疲労強度強化層を設ける。 - 特許庁

Since Zn doped in the heavily doped p-type first clad layer 8 can be diffused to the first undoped layer 7 and the second undoped layer 9, thickness of the first undoped layer 7 can be reduced.例文帳に追加

このため、高濃度ｐ型第１クラッド層８にドープされたＺｎの拡散を第１アンドープ層７と第２アンドープ層９とに分散させることができるので、第１アンドープ層７の厚みを小さくすることができる。 - 特許庁

The barrier layer 13 prevents titanium atoms constituting the adhesive layer 12 from being diffused in the copper wiring layer 14 when the wiring structure 10 is heat-treated, so that the copper wiring layer 14 does not increase in the resistance value.例文帳に追加

バリア層１３は、配線構造１０を熱処理したときに、接着層１２を構成するチタン原子が銅配線層１４内に拡散しないようにして、銅配線層１４の抵抗値が大きくならないようにする。 - 特許庁

Then, an N-type epitaxial growth layer 15 is formed on the surface of the P-type substrate, and a P-type diffusion layer 16 is diffused and formed on the P-type first embedded diffusion layer and the P-type second embedded diffusion layer.例文帳に追加

次に、Ｐ型基板の表面上にＮ型エピタキシャル成長層１５を形成し、Ｐ型第一埋込み拡散層とＰ型第二埋込み拡散層との上にＰ型拡散層１６を拡散形成する。 - 特許庁

The reaction gas flows from the through holes of each guiding passage layer to the adjoining diffusion passage layer and is diffused in the surface direction in the diffusing passage layer and again flows into the through holes of the adjoining guiding passage layer.例文帳に追加

反応ガスは、各誘導流路層の貫通孔から隣接する拡散流路層へと流入し、拡散流路層において面方向に拡散して、再び隣接する誘導流路層の貫通孔へと流入する。 - 特許庁

A p-type second drift layer 9 is formed, which is diffused into the epitaxial silicon layer 2 deeper than the first drift layer 6 and is extended to the lower left of the LOCOS film 4 from the lower portion of the first drift layer 6.例文帳に追加

第１のドリフト層６より深くエピタキシャル・シリコン層２の中に拡散され、第１のドリフト層６の下方からＬＯＣＯＳ膜４の左側下方へ延びるＰ型の第２のドリフト層９が形成されている。 - 特許庁

A photodiode small in junction capacity is made of an N-type epitaxial layer 6 and a P-type epitaxial layer 3, and the photodiode is surrounded by a P+-type buried isolated diffused layer 4 and a P-type isolated diffused layer 7 and electrically isolated from a signal processing circuit including a MOS structure of transistor.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層６とＰ型エピタキシャル層３とにより接合容量の小さいフォトダイオードが形成され、そのフォトダイオードが、Ｐ^+型埋め込み分離拡散層４およびＰ型分離拡散層７によって取り囲まれて、ＭＯＳ構造のトランジスタを含む信号処理回路と電気的に分離される。 - 特許庁

The Schottky structure to be formed on the gallium arsenide semiconductor is formed of the gallium arsenide semiconductor substrate, a titanium metal layer to form distributed Schottky contacts on the gallium arsenide semiconductor substrate, a diffused barrier layer to prevent diffusion of metal layer through distribution on the titanium metal layer, and cuprous metal layer distributed on the diffused barrier layer to form the Schottky structure.例文帳に追加

ヒ化ガリウム半導体基板と、該ヒ化ガリウム半導体基板上に分布してショットキー・コンタクトを形成するチタン金属層と、該チタン金属層上に分布して金属層の拡散を防ぐ拡散バリア層と、該拡散バリア層上に分布してショットキー構造を形成する第１銅金属層とによりヒ化ガリウム半導体上に形成されるショットキー構造を構成する。 - 特許庁

A heavily doped source/drain region is formed on the second insulating film so that it may be connected with the source/drain diffused layer.例文帳に追加

第２絶縁膜上にソース／ドレーン拡張層と連結されるように高濃度ソース／ドレーン領域が形成される。 - 特許庁

In an area of the larger layer thickness, the raw powder M is sufficiently diffused and dispersed by the oscillation and the air flow.例文帳に追加

層厚の厚い領域では粉体原料Ｍが振動及び空気流により十分に拡散及び分散される。 - 特許庁

To form a thin impurity-diffused layer in high concentration next to a gate electrode, in a silicide structure of semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド構造の半導体装置において、ゲート電極に隣接して薄く高濃度の不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

To evaluate displacement of alignment of a diffused layer and a gate electrode with high accuracy and rapidity by measuring it electrically.例文帳に追加

拡散層とゲート電極との合わせずれ量を電気的に測定し、高精度に且つ迅速に評価できるようにする。 - 特許庁

To form an impurity diffused layer where the impurity concentration is uniform on the side of a semiconductor fin in a fin-type transistor.例文帳に追加

フィン型トランジスタにおいて、半導体フィンの側面に不純物濃度が一様な不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

An N+ region 37 is formed as the contact of the N-diffused layer 35 in a partial region of the P-region 21a.例文帳に追加

Ｐ領域２１ａの一部の領域にＮ拡散層３５のコンタクトとしてＮ^+領域３７が形成されている。 - 特許庁

A gate insulating film and a gate electrode are formed on a substrate, and ions are implanted into the substrate for the formation of a diffused layer.例文帳に追加

基板に、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを形成した後、イオン注入をおこない拡散層を形成する。 - 特許庁

Such impurities are diffused, and the n-type semiconductor region 12 is formed with depth to the insulating layer 2 (Figure 1 (d)).例文帳に追加

この不純物を拡散させて絶縁層２に達する深さのｎ形半導体領域１２を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

Thereafter, a metal insulator semiconductor device is prepared by forming the P^+diffused layer 11 or the like on the backside of the substrate.例文帳に追加

その後，基板裏面にＰ^+ 拡散層１１等を形成することにより，絶縁ゲート型半導体装置が作製される。 - 特許庁

Furthermore, the trench lower part is surrounded by a diffused region 367, which results in higher dopant concentration of the epitaxial layer 365.例文帳に追加

さらに拡散領域によりトレンチ下部が取り囲まれており、これによってエピタキシャル層のドーパント濃度が高められる。 - 特許庁