「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a liquid crystal display panel having a diffuse reflection film wherein a reflection layer does not float and a diffused layer has no damage.例文帳に追加

反射層が浮き上がらず、さらに拡散層に損傷がない拡散反射膜を有する液晶表示パネルを得る。 - 特許庁

Impurities in the diffusion source layer 12 are diffused into the predetermined region to disorder the active layer 5 in the region.例文帳に追加

拡散源層１２中の不純物を所定の領域に拡散させてその領域の活性層５を無秩序化させる。 - 特許庁

Alternatively, within 168 hours after forming the diffused joining layer on the joining surfaces of the members for joining and performing a rust preventing treatment, the members for joining are joined via the diffused joining layer.例文帳に追加

または接合用部材の接合面に拡散接合層を形成し、防錆処理をしたのち１６８時間以内に、前記拡散接合層を介して接合用部材を接合させる。 - 特許庁

Along the gate length of the cell 10, an N-type diffused layer 15 is formed on the side of the power terminal 11 and a P-type diffused layer 16 is formed on the side of the ground terminal 12 with mutual intervals inbetween.例文帳に追加

セル１０のゲート長方向には、電源端子１１側にＮ型拡散層１５が、グランド端子１２側にＰ型拡散層１６が互いに間隔をおいて形成されている。 - 特許庁

The upper interface of the first P+ diffused layer 10 and that of the second P+ diffused layer 10 are at deeper level that than of an emitter region 23 of a vertical NPN transistor.例文帳に追加

第１のＰ^+ 拡散層１０の上界面及び第２のＰ^+ 拡散層１０の上界面は、それぞれ、縦型ＮＰＮトランジスタのエミッタ領域２３の上界面より深い位置にある。 - 特許庁

Furthermore, the concentration of a diffused layer SP is set higher than that of a source area S within a range not exceeding the solid solubility of conductive impurities relating to the diffused layer SP.例文帳に追加

しかも、この拡散層ＳＰの濃度は、該拡散層ＳＰに係る導電型不純物の固溶度を超えない範囲で、ソース領域Ｓの濃度よりも大きくなるように設定する。 - 特許庁

Impurities for forming an intrinsic base diffused layer and impurities having conductivity type reverse to that of impurities for forming intrinsic base diffused layer are implanted in a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

真性ベース拡散層を形成するための不純物および真性ベース拡散層をなす不純物の導電型とは逆導電型の不純物が半導体基板１に注入される。 - 特許庁

Thus, a fourth metallic layer 22 made of Ti, Al, and Si is formed on the boundary of the Ti layer and the Al layer, and the Pd is diffused (added) in the Al layer.例文帳に追加

これにより、Ｔｉ層とＡｌ層との界面に、ＴｉとＡｌとＳｉとからなる第４の金属層２２が形成されるとともに、Ａｌ層にＰｄが拡散（添加）される。 - 特許庁

The layer has a first composite magnetic layer 6 having a function for preventing Mn of a material composing the antiferromagnetic layer 5 from being diffused to the tunnel insulating layer 9.例文帳に追加

そして、反強磁性層５を構成する材料のＭｎがトンネル絶縁層９へ拡散することを防止する機能を有する第１複合磁性層６を備える。 - 特許庁

Further, a p^+ diffused layer 10 and a silicide film 8b are formed as an external base layer at the outside of a region acting as an internal base layer out of the SiGe alloy layer 4.例文帳に追加

さらにＳｉＧｅ合金層４のうち内部ベース層として働く領域の外側に、外部ベース層としてｐ^＋拡散層１０およびシリサイド膜８ｂを形成する。 - 特許庁

A wiring layer 35 is laid under an emitter electrode wiring layer 33, and a voltage corresponding to a reverse-bias voltage applied to a collector diffused layer 27 is applied to a wiring layer 35.例文帳に追加

エミッタ用電極配線層３３の下に配線層３５を敷設し、コレクタ拡散層２７に印加される逆バイアス電圧に応じた電圧を配線層３５に印加する。 - 特許庁

A resistance element is constituted by connecting the diffused silicide pattern 21, polycide layer pattern 19, the diffused silicide pattern 21,... in series through wiring 26.例文帳に追加

配線２６により拡散シリサイド層パターン２１、ポリサイド層パターン１９、拡散シリサイド層パターン２１、……と直列に連結されて抵抗素子が構成されている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF DIFFUSED REFLECTING PLATE FOR REFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND PHOTOSENSITIVE ELEMENT FOR FORMING DIFFUSED REFLECTIVE GROUND LAYER FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

反射型液晶表示装置用拡散反射板の製造方法及びこれを製造するための拡散反射下地層形成用感光性エレメント - 特許庁

At this time, by mutual diffusion, nickel is diffused into the film, moreover, zinc or the like is diffused into the nickel layer, and they are mutually supplemented to improve its corrosion resistance.例文帳に追加

この際、相互拡散により、ダクロ皮膜にニッケルが拡散すると共に、ニッケル層に亜鉛等が拡散して、相互に補完して、耐蝕性を向上する。 - 特許庁

Then, a p-type isolation diffused region 5, which reaches the p-type semiconductor substrate from the surface of the n^--type semiconductor layer 2, is made in the periphery of the first diffused region 3 and the second diffused region 4, and the first diffused region 3 and the isolation diffused region 5 are electrically connected by a connecting electrode 6.例文帳に追加

そして、第１拡散領域３および第２拡散領域４の外周部にｎ^−形半導体層２の表面からｐ形半導体基板に達するｐ形のアイソレーション拡散領域５が形成され、第１拡散領域３とアイソレーション拡散領域５とが接続電極６により電気的に接続されている。 - 特許庁

By conducting a heat treatment thereafter, arsenic is diffused from the silica glass 26 to form a plate diffusion layer 5.例文帳に追加

その後、熱処理することでシリカガラス２６から砒素を拡散しプレート拡散層５を形成する。 - 特許庁

As a result, a diffused layer and a concentration-changed part 20 are formed on the surface of the small-sized part 16.例文帳に追加

その結果、小径部１６の表面に拡散層及び濃度変化部２０が形成される。 - 特許庁

Zn is diffused into a window layer 20 via the diffusion mask to simultaneously form a photosensitive portion and the guard ring.例文帳に追加

拡散マスクを経てZnを窓層２０に拡散し、受光部とガードリングとを同時に形成する。 - 特許庁

An emitter forming contact hole 9 is formed in the insulating film 8, on a base diffused layer 6.例文帳に追加

次に、ベース拡散層６上における絶縁膜８に、エミッタ形成用コンタクトホール９を設ける。 - 特許庁

The N type diffusion layer 8 is diffused in a γ-shape at least under a gate electrode 9.例文帳に追加

Ｎ型の拡散層８は、少なくともゲート電極９下方で、γ形状に拡散している。 - 特許庁

A control gate 14 is formed by patterning the polysilicon layer 12 containing phosphorus which is diffused therein.例文帳に追加

リンが拡散されたポリシリコン層１２をパターニングすることにより、コントロールゲート１４を形成する。 - 特許庁

In the metal-adhered layer (10) formed in this way, the metal is diffused in the surface layer portion of the substrate (2a) by the brazing heating to form a sacrificial corrosive layer.例文帳に追加

このようにして形成された金属付着層(10)は、ろう付加熱によって前記金属が基材(2a)の表層部に拡散して犠牲腐食層となる。 - 特許庁

At this time, the p-type impurity contained in the p^+-type impurity layer 22 is diffused into the p-type epitaxial layer 10 and, as a result, a p^+-type impurity layer 11 is formed.例文帳に追加

このとき、ｐ^+ 型不純物層２２中のｐ型不純物がｐ型エピタキシャル層１０に拡散して、ｐ^+ 型不純物層１１が形成される。 - 特許庁

After forming a source/drain extension layer 8 more deeply than the p-type counter layer 6A, a source/drain diffused layer 7 is formed and activated by annealing.例文帳に追加

このｐ型カウンタ層６Ａよりも深くソース・ドレインエクステンション層８を形成した後、ソース・ドレイン拡散層７を形成して、アニールして活性化する。 - 特許庁

The light-receiving body 3 is a diffused layer consisting of a p-type single crystal silicon layer, which is used as a second conductivity type semiconductor layer, and is buried in the surface of the base body 2.例文帳に追加

受光体３は、第２導電型半導体としてのｐ型単結晶シリコンからなる拡散層であり、基体２の表面に埋設されている。 - 特許庁

A p+-type impurity-diffused high concentration buried layer 3 is formed on an n-type silicon substrate 10, a p-type first epitaxially grown layer 2 is formed on the layer 3, and an n-type impurity diffused layer 1 is formed on the layer 2.例文帳に追加

ｎ型のシリコン基板１０に不純物を拡散したｐ＋型の高濃度の埋込層３を形成し、埋込層３上にｐ型の第１のエピタキシャル成長層２を形成し、第１のエピタキシャル成長層２にｎ型の不純物を拡散した拡散層１を形成する。 - 特許庁

The electroless metal plating layer presents a function of preventing nickel atoms within the electroless nickel plating layer from being diffused into the solder bump.例文帳に追加

無電解金属メッキ層は、無電解ニッケルメッキ層内のニッケル原子がハンダバンプ内へ拡散するのを防止する機能を果たす。 - 特許庁

A part of at least tin and/or tin alloy is diffused in the copper particle layer and/or copper plating layer.例文帳に追加

前記錫又は／及び錫合金の少なくとも一部が前記銅粒子層又は／及び前記銅めっき層に拡散されている。 - 特許庁

According to the material 2, since the layer 22 is provided between the material 4 and the layer 6, even when a component of the layer 6 is diffused in the layer 20, adhesion of the layer 6 is assured.例文帳に追加

このガラス被覆体２によれば、基材４とガラス層６との間に、拡散層２２を備えるため、ガラス層６の成分が中間層２０に拡散しても、ガラス層６の密着性が確保される。 - 特許庁

The impurities diffused into the second upper clad layer 106 are diffused again into the active layer 102, and a part 102B out of the active layer 102 located along the light exiting end face 150 and just under the ridge 105 is turned into mixed crystals (second annealing).例文帳に追加

第２上クラッド層１０６に拡散された上記不純物を、活性層１０２まで再拡散して、活性層１０２のうち光出射端面１５０に沿い、かつリッジ１０５直下の部分１０２Ｂを混晶化する（第２アニール）。 - 特許庁

An inductor is provided in a specified region and a high concentration n+ type diffused layer is formed beneath an isolating oxide film of that specified region, thereby forming a p-n junction with the n+ type diffused layer and a p- type semiconductor substrate.例文帳に追加

インダクターを設けた所定領域の分離酸化膜下に高濃度Ｎ^+形拡散層を形成して、そのＮ^+形拡散層とＰ^-形半導体基板からなるＰＮ接合を設けている。 - 特許庁

After cleaning the surface of the diffused joining layer formed on the joining surfaces of the members for joining by using acid or alkali before the joining, the members for joining are joined via the diffused joining layer.例文帳に追加

接合用部材の接合面に形成した拡散接合層の表面を、接合に先立って酸またはアルカリによって洗浄した後、前記拡散接合層を介して接合用部材を接合させる。 - 特許庁

Even if elements in the bias electrode layer 6 are diffused in minute amounts into the X-ray photoconductive film 5, it is just that the lead in the bias electrode layer 6 is diffused into the lead iodide in the X-ray photoconductive film 5.例文帳に追加

バイアス電極層６中の元素がＸ線光導電膜５中に微量に拡散しても、Ｘ線光導電膜５のヨウ化鉛中にバイアス電極層６の鉛が拡散するに過ぎない。 - 特許庁

Phosphorus atoms 26b for forming an Noffset diffused layer is implanted at a deep level, to enable making the diffusion depth of the Noffset diffused layer large, and the electrostatic breakdown strength can be improved.例文帳に追加

また、Ｎｏｆｆｓｅｔ拡散層形成のリン原子２６ｂを深く打ち込むことで、Ｎｏｆｆｓｅｔ拡散層の拡散深さを深くすることができて、静電破壊耐量を向上させることができる。 - 特許庁

The copper - titanium clad brazing material 1 includes a copper layer 2, a titanium layer 3 and a diffused layer 4 which has a thickness smaller than the aggregated thickness of the copper layer 2 and the titanium layer 3 and is formed by diffusion of copper and titanium between the copper layer 2 and the titanium layer 3.例文帳に追加

銅—チタンクラッドろう材１は、銅層２と、チタン層３と、銅層２とチタン層３との間に、厚さが銅層２とチタン層３との合計の厚さより薄い、銅とチタンとの拡散により形成された拡散層４と、を具備している。 - 特許庁

When the glass layer 4 is calcined, translucent alumina of the light guiding layer 3 and the glass layer 4 are mutually diffused to form an irregular reflection surface at the boundary portion 5, and the insulating substrate 2 and the glass layer 4 are mutually diffused to form an irregular reflection surface at the boundary portion 6.例文帳に追加

ガラス層４を焼成する際に、導光層３の透光性アルミナとガラス層４とが相互拡散することで、境界部５に乱反射面が形成され、絶縁基板２とガラス層４が相互拡散して境界部６に乱反射面が形成される。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 2 is provided on the surface of a p^+-type semiconductor substrate 1 by, for example, epitaxial growth, and a first diffused layer 3 and a second diffused layer 4 of p-type are provided at a specified interval at the surface of the n-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ^＋形半導体基板１の表面にｎ^−形半導体層２が、たとえばエピタキシャル成長により設けられ、そのｎ形半導体層２表面に所定間隔でｐ形の第１拡散領域３および第２拡散領域４が設けられている。 - 特許庁

A silicide layer-forming material film is formed at least on the surface of the diffused layer and on the surface of the gate electrode, and they are heated for the formation of a silicide layer through reaction between the surface of the diffused layer, Si in the surface of the gate electrode, and the material film.例文帳に追加

その後、少なくとも、拡散層表面と、ゲート電極表面とに、シリサイド層を形成するための材料膜を形成し、熱処理を加えて、拡散層表面及びゲート電極表面のＳｉと、前記材料膜とを反応させてシリサイド層を形成する。 - 特許庁

To provide a structure that never makes a step-cut of a barrier metal layer on a ridge-portion contact layer to prevent Au of an Au layer on the barrier metal layer from being diffused into a ridge from the step-cut portion.例文帳に追加

リッジ部コンタクト層上のバリアメタル層の段切れを発生しない構造とし、バリアメタル層上のＡｕ層のＡｕが上記段切れ部分からリッジ内部へ拡散するのを防止する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 formed with a power MOSFET, a P-type first diffused region 28, a second diffused region 29 and a third diffused region 30 formed on a surface of an N-type diffused region (drift layer) 22 for constituting a drain region of the power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの形成された半導体基板１２において、パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン領域を構成するＮ形拡散領域（ドリフト層）２２の表面にＰ形の第１拡散領域２８、第２拡散領域２９及び第３拡散領域３０を形成する。 - 特許庁

Zinc is thermally diffused from the surface of the composition fixed layer of the obtained epitaxial wafer to form a p-conductive (p) layer.例文帳に追加

そして、得られたエピタキシャルウエハの組成一定層の表面から亜鉛を熱拡散させ、導電型がｐ型のｐ層を形成する。 - 特許庁

Then when the N+ additional embedded layer 45 is diffused in combination with another process, the N+ additional embedded layer 45 is formed wider.例文帳に追加

そして、Ｎ^+型付加埋め込み層４５を他の工程と合わせて拡散するとき、Ｎ^+型付加埋め込み層４５はより幅広く形成される。 - 特許庁

Even if the decorating layer is the transparent decorating layer with a light color such as a tint color, the laser light is prevented from being transmitted and diffused.例文帳に追加

加飾層がチント色などの色の薄い透光性加飾層の場合であっても、レーザー光が透過拡散することがない。 - 特許庁

To enhance performance of a semiconductor device by shallow jointing of an impurity diffused layer and reducing the resistance.例文帳に追加

不純物拡散層の浅接合化と低抵抗化を可能にし、半導体装置の性能を向上する。 - 特許庁

The n-type guard ring 5 and the p-type diffused layer 6 are reverse biased to form a capacitor 7.例文帳に追加

さらに、Ｎ型ガードリング５とＰ型拡散層６とが逆バイアスされてコンデンサ７を形成している。 - 特許庁