「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In this case, the light which is not absorbed by the dyes and has transmitted the electron capture-dye layer 30 and reached the catalyst layer 60 is diffused and reflected by a rough surface of the catalyst layer 60 and a part of the reflection light is absorbed by the dyes.例文帳に追加

このとき、色素に吸収されず、電子捕集−色素層３０を透過して触媒層６０に到達した光は、触媒層６０の粗面で拡散反射し、反射光の一部は色素に吸収される。 - 特許庁

A steel matrix layer and a nitrogen diffused layer excellent in the adhesion to this layer and having abrasion resistance, thermal shock resistance, fatigue resistance and impact resistance are formed on the surfaces of the parts related to a pressure head by a brilliant nitrogen diffusion method.例文帳に追加

光輝窒素拡散法を用いて加圧ヘッド関係部品の表面に鋼母層と密着性に優れ、耐摩耗性、耐熱衝撃性、耐熱疲労性、耐衝撃性を有する窒素拡散層を形成させる。 - 特許庁

Sources and drains of the transistors Q are constituted of N+ type diffusion layers 31 which are diffused upward from the buried straps 23 to the P-type silicon layer 13 and an N+ type diffusion layer 32 on an upper surface of the P-type silicon layer 13.例文帳に追加

トランジスタＱのソース、ドレインは、埋め込みストラップ２３からｐ型シリコン層１３への上方拡散によるｎ^+型拡散層３１とｐ型シリコン層１３の上面のｎ^+型拡散層３２により構成する。 - 特許庁

Then, the Pd is diffused through the Ti layer in the surface area of the semiconductor substrate 12 in order to leave the Pd on the Ti layer by heat treatment so that a first metallic layer 19 made of Pd silicide can be formed.例文帳に追加

次いで、熱処理により、Ｔｉ層を介して半導体基板１２の表面領域にＰｄをＴｉ層上にＰｄが残存するように拡散させ、Ｐｄシリサイドからなる第１金属層１９を形成する。 - 特許庁

In an element manufactured in a third crystal growing stage, a dopant is diffused from the p-type cap layer 109 to the p-side clad layer 105, resulting in a clad layer 114 forming a part of the p-side clad layer 105 directly under a mesa clad layer 107 is a p-type one and the clad layer 105 locating around it forms an undoped structure.例文帳に追加

３回の結晶成長により作製された素子は、ｐ型キャップ層１０９からのドーパントの拡散により、ｐ側のクラッド層１０５において、メサ部クラッド層１０７の直下に位置するクラッド層１０５の一部であるクラッド層１１４がｐ型で、その周辺に位置するクラッド層１０５がアンドープの構造となる。 - 特許庁

The method comprises a step of forming a first metal layer 3 on a semiconductor substrate 1 having a diffused layer 2 on the surface, a step of heating it to form an alloy layer 4 on the interface of the semiconductor substrate and the first metal layer and a step of forming a second metal layer 5 on the first metal layer, after the alloy layer is formed.例文帳に追加

表面に拡散層２の形成された半導体基板１上に、第1のメタル層３を形成する工程と、これを加熱して前記半導体基板と前記第1のメタル層の界面に合金層４を形成する工程と、前記合金層を形成した後、前記第1のメタル層上に第2のメタル層５を形成する工程とを備える。 - 特許庁

An element region EA is zoned in a lattice shape, and also to each region zoned in the lattice shape, a source cell SC forming the source diffused layer and a drain cell DC forming the drain diffused layer are allocated with regard to a column and a row of the same lattice alternately, respectively.例文帳に追加

素子領域ＥＡが格子状に区画されるとともに、それら格子状に区画された各領域には、同格子の縦列および横列についてそれぞれ交互に、ソース拡散層が形成されるソースセルＳＣとドレイン拡散層が形成されるドレインセルＤＣとが割り当てられる。 - 特許庁

An interval 12a, between a first N-type embedded diffused layer 2 and a second N-type diffused layer 3 formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 1, is adjusted so that the fluctuations of a punch-through voltage becomes smaller according to the impurity concentration of the substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の表面に形成された第１のＮ型埋め込み拡散層２と第２のＮ型埋め込み拡散層３との間隔１２ａは、Ｐ型半導体基板１の不純物濃度に応じてパンチスルー電圧のばらつきが小さくなるように調整される。 - 特許庁

The degree of epitaxial growth of the silicide film (109) on the N type diffused layer to the substrate and that of the silicide film (110) on the P type diffused layer thereto are equalized at higher degree to prevent coagulation, thereby improving heat resistance of the metal plug against the silicide film.例文帳に追加

Ｎ型拡散層上シリサイド膜（１０９）の基板へのエピタキシャル成長の度合いと、Ｐ型拡散層層上シリサイド膜（１１０）基板へのエピタキシャル成長の度合いを、強い側に揃えることによって凝集を抑制し、シリサイド膜への金属プラグの耐熱性を向上する。 - 特許庁

A gate insulation film 22 and a gate electrode 24 are provided oppositely to the channel area 12 with the gate insulation film 22 as a boundary, on the surface of the channel area 12, the source area 14, the drain area 16, the high-concentration impurity diffused layer 18 and the high-concentration impurity diffused layer 20.例文帳に追加

さらに、チャネル領域１２、ソース領域１４、ドレイン領域１６、高濃度不純物拡散層１８、及び高濃度不純物拡散層２０の表面上には、ゲート絶縁膜２２と、ゲート絶縁膜２２を境界として、チャネル領域１２と反対側にゲート電極２４とを有する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device main part 12 comprises a tunnel oxide film 2 laminated on the surface of the P well 9, a floating gate 3, a capacitance insulating film 5 and a control gate 4, and a drain diffused layer 6 and a source diffused layer 7 formed in the surface of the P well 9 in both side positions thereof.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置主部１２は、Ｐウエル９の表面に積層したトンネル酸化膜２、浮遊ゲート３、容量絶縁膜５および制御ゲート４と、これらの両側位置でＰウエル９の表面に形成したドレイン拡散層６およびソース拡散層７とからなる。 - 特許庁

The outer layer part 35 is adjacent to the internal electrode 20a and has a diffusion region 37 with a compound including Mn and Si diffused, and the internal electrode 20a is adjacent to the outer layer part 35 and has a diffusion region 22 with an Ni-Mn alloy diffused therein.例文帳に追加

外層部３５は、内部電極２０ａに隣接すると共にＭｎとＳｉとを含む化合物が拡散された拡散領域３７を有し、内部電極２０ａは、外層部３５に隣接すると共にＮｉ—Ｍｎ合金が拡散された拡散領域２２を有している。 - 特許庁

At this time, when the layer 31 is exposed to be etched, a reaction product containing phosphorus contained in the layer 31 is diffused inside an RIE chamber 42.例文帳に追加

このとき、終点検出層３１が露出して、エッチングされると、終点検出層３１に含まれるリンを含有する反応生成物がＲＩＥチャンバ４２の内部に拡散する。 - 特許庁

As for contact hole 16 for connecting the wiring 18 to a diffused layer 14, an aspect ratio is 3 or higher, and a polycrystalline silicon layer 17 is buried in this contact hole 16 flatly.例文帳に追加

配線１８を拡散層１４に接続するためのコンタクト孔１６は、アスペクト比が３以上であり、このコンタクト孔１６に多結晶シリコン層１７が平坦に埋め込まれる。 - 特許庁

A high conductivity region 18 that comprises the surface part of the drain region is diffused more deeply than a main diffusion layer 36 and channel diffusion layer 37, and its conductive resistance is kept at a low level.例文帳に追加

ドレイン領域の表面部分を構成する高導電領域１８は、主拡散層３６やチャネル拡散層３７よりも深く拡散されており、導通抵抗が小さくなっている。 - 特許庁

After an n-type buried diffused layer 101 is formed in the upper part of a substrate 100, a base opening 110 is formed by patterning an insulating film 108 and an undoped polysilicon layer 109.例文帳に追加

基板１００の上部にＮ型埋め込み拡散層１０１を形成し、絶縁膜１０８およびアンドープポリシリコン層１０９のパターニングを行ないベース開口部１１０を形成する。 - 特許庁

In the silicide region 8, a metal element contained in a transition layer 10 is diffused into the SOI layer 3 through heat treatment, and is subjected to gettering by the crystal defects for silicide.例文帳に追加

シリサイド領域８は、遷移層１０中に含まれている金属元素が熱処理によってＳＯＩ層３内に拡散し、結晶欠陥にゲッタリングされてシリサイド化されたものである。 - 特許庁

Further, condensed spot-like white light is radiated from the respective lens parts 9a of the light permeation layer 9 and diffused colored light is radiated from the light diffusion layer 8.例文帳に追加

そして、光透過層９の各レンズ部９ａからは集光されたスポット状の白色光が照射され、光拡散層８からは拡散された有色光が照射される。 - 特許庁

This configuration prevents oxygen from being diffused into the Hf-containing insulating film 5 and the principal surface of a semiconductor substrate 1 from the threshold adjusting layer 8a and the threshold adjusting layer 8b.例文帳に追加

これにより、しきい値調整層８ａおよびしきい値調整層８ｂからＨｆ含有絶縁膜５および半導体基板１の主面に酸素が拡散することを防ぐ。 - 特許庁

The Ti being diffused on the surface of the Pt layer 30 reacts to surplus Pd in the PZT layer 35 for forming lead titanate PbTiO3 with relatively low crystallization temperature.例文帳に追加

Ｐｔ層３０の表面に拡散したＴｉは，ＰＺＴ層３５における余剰Ｐｂと反応して，比較的結晶化温度の低いチタン酸鉛ＰｂＴｉＯ_３が形成される。 - 特許庁

After the coating, the preform 32 is heat-treated, thus a layer-having Fe based alloy having a diffused layer 20 formed by the diffusion of the carbide of the metal into a base material can be obtained.例文帳に追加

塗布後、予備成形体３２を熱処理すれば、前記金属の炭化物が母材中に拡散することによって形成された拡散層２０を有する有層Ｆｅ基合金が得られる。 - 特許庁

Thus, among photons generated in the p-type layer 27, electrons diffused toward the substrate are reliably caught in the substrate p+ layer 26 and recombined to disappear.例文帳に追加

これにより、Ｐ型層２７で発生した光電子のうち基板方向へ拡散した電子は、基板Ｐ^+層２６において確実に捕捉され再結合により消滅するようにする。 - 特許庁

The organic dye 57R of the dye layer 42R can be switch diffused to high polymer light emitting layer 32 by pressing and heating if a heater 64R of a thermal pad 62.例文帳に追加

この染料層４２Ｒの有機染料５７Ｒはサーマルヘッド６２の発熱体６４Ｒの加圧及び加熱により高分子発光層３２に移行拡散させることができる。 - 特許庁

To control p-type conversion through p-type impurities diffused from a p-type nitride semiconductor layer in a current constriction layer formed in its interior, thus obtaining a good current constriction characteristic.例文帳に追加

内部に形成した電流狭窄層において、ｐ型窒化物半導体層から拡散されるｐ型の不純物によるｐ型転化を抑制して良好な電流狭窄特性を得る。 - 特許庁

Then, the indium ions in the In ion implanted layer 12 are diffused to form an In deposition layer 13 near an interface between the TiN film 10 and the gate insulation film 9.例文帳に追加

次に熱処理によりＩｎイオン注入層１２中のインジウムを拡散させ、ＴｉＮ膜１０のゲート絶縁膜９との界面付近にＩｎ析出層１３を形成する。 - 特許庁

To ionize Cu diffused into a low-permittivity insulating layer and reduce the drift of Cu^+ ions in a semiconductor device having Cu wires and the low-permittivity insulating layer.例文帳に追加

Ｃｕ配線および低誘電率絶縁膜を有する半導体装置において、低誘電率絶縁層中に拡散するＣｕのイオン化、並びにＣｕ^+イオンのドリフトを抑制する。 - 特許庁

On an inter-layer insulating film 35 formed in the semiconductor substrate 10, a shared contact plug 24 connected with the first gate wiring 19A and impurity diffused layer 14B is formed.例文帳に追加

半導体基板１０の上に形成された層間絶縁膜３５には、第１のゲート配線１９Ａ及び不純物拡散層１４Ｂと接続されたシェアードコンタクトプラグ２４が形成されている。 - 特許庁

Accordingly, the drug supplied to the injection well 1 is diffused within the aquifer 12 toward the pumping well 2 and reaches an oil adsorption layer, thereby separating oil in the adsorption layer from soil.例文帳に追加

このため、注入井戸１に供給された薬剤は、揚水井戸２に向って帯水層１２内を拡散し、油吸着層に到達し、該吸着層の油を土壌から分離する。 - 特許庁

An emitter extraction electrode 9 for burying the emitter opening 7a is provided, phosphor in the emitter extraction electrode 9 is diffused to the Si cap layer 5, and an emitter diffusion layer 5a is formed.例文帳に追加

エミッタ開口部７ａを埋めるエミッタ引き出し電極９が設けられ、エミッタ引き出し電極９中のリンがＳｉキャップ層５に拡散されてエミッタ拡散層５ａが形成されている。 - 特許庁

The thickness of the barrier film 20 held between a via plug 11 of upper-layer wiring and lower-layer wiring 5 is set to film thickness where Cu atoms can be mutually diffused up and down.例文帳に追加

また、上下配線界面のバリア膜を除去した構造においても、ビアホール側面のバリア膜とビアホールに埋め込まれたＣｕの界面の密着性が劣化して、ＥＭ寿命が劣化する。 - 特許庁

The second conductivity-type barrier layer 2a is provided in a range of the multiple quantum well 40 in which first conductivity-type dopants contained in the p-InP clad layer 22 are diffused.例文帳に追加

第２導電型バリア層２ａは、多重量子井戸４０においてｐ−ＩｎＰクラッド層２２に含まれる第１導電型のドーパントが拡散した範囲に設けられている。 - 特許庁

To allow the shapes of diffused source and drain layers to be made shallow in the depth direction and small in the lateral direction, and to allow redistribution of the impurity in a diffused extension layer to be suppressed, while suppressing manifestation of short channel effect accompanied with miniaturization.例文帳に追加

微細化に伴う短チャネル効果の顕在化を抑制しながら、ソース・ドレイン拡散層の形状を深さ方向で浅く且つ横方向で小さくできるようにし、エクステンション拡散層の再分布をも抑制できるようにする。 - 特許庁

The contact holes 12 and 13 which are different in depths are opened at the same time for conducting a diffused layer 3 and the capacitive polysilicon film 10.例文帳に追加

続いて、拡散層３及び容量ポリシリ膜１０と導通をとるための深さの異なるコンタクトホール１２、１３を同時に開口する。 - 特許庁

Boron is diffused on one surface of a Si substrate 2 and the Si substrate 2 is etched on the other side to expose an impurity diffusion layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の一方表面にボロンを拡散し、他方表面からＳｉ基板２をエッチングし、不純物拡散層１２を露出させる。 - 特許庁

Consequently, oxygen in the atmosphere is diffused on a surface of the substrate 1 to form a modified layer 5 which is easy to peel on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

これにより、雰囲気中の酸素が基板１の表面に拡散して基板１の表面に剥離しやすい改質層５が形成される。 - 特許庁

Thus, since an N-type well is not present under the P-type well, punch through between a diffused layer and the N-type well can be prevented.例文帳に追加

これにより、Ｐ型のウェル部分の下にＮ型のウェル部分が存在しない為、拡散層とＮ型のウェル部分間のパンチスルーを防止できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which improves the electric activation rate of impurities and uses an impurity-doped layer deterring impurities from being diffused.例文帳に追加

不純物の電気的活性化率を向上させ、不純物の拡散を抑制した不純物ドープ層を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

Then, the channel formation area 14 of the silicon active layer 3 is made smaller in thickness than the impurity diffused layers 12 and 13.例文帳に追加

その後、シリコン活性層３のチャネル形成領域１４の厚さを、不純物拡散層１２、１３の厚さよりも薄くなるように加工する。 - 特許庁

A first peripheral transistor 31 constitutes part of a peripheral circuit and has a third gate electrode 34 and a third source/drain diffused layer 35.例文帳に追加

第１周辺トランジスタ３１は、周辺回路の一部を構成し、第３ゲート電極３４と、第３ソース／ドレイン拡散層３５と、を有する。 - 特許庁

The upper electrode L2a is connected to the pad 5, while the ground potential is given to the lower electrode L1a via a p^+ diffused layer 11.例文帳に追加

上部電極Ｌ２ａはパッド５に接続され、下部電極Ｌ１ａには、ｐ＋拡散層１１を通して接地電位が供給される。 - 特許庁

In the surface layer of the substrate 1, impurity diffused regions 35 are formed on both sides of the gate electrodes 30 by adding an impurity to the regions.例文帳に追加

半導体基板の表面層のうちゲート電極の両側の領域に不純物を添加し、不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide a high output semiconductor light-emitting element with a light transmitting member that serves a small effect even though diffused to a semiconductor layer structure.例文帳に追加

半導体層構造へ拡散した場合にも影響が小さい光透過部材を有し、高出力の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for accurately identifying a defective contact location in a chain of contacts which are formed on a diffused layer connected to each other.例文帳に追加

拡散層にコンタクトが形成されて接続されたコンタクトチェーンのコンタクト不良箇所を正確に特定することのできる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having improved characteristics by reducing the number of atoms diffused from a GaAs substrate to an active layer.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板から活性層へ拡散する原子の数を低減することによって、優れた特性を有する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

In this case, the source and drain diffused layer, 42 and 43, of the peripheral transistor CT are grown sufficiently long to overlap with the gate electrode 41.例文帳に追加

この場合、周辺トランジスタＣＴのソース・ドレイン拡散層４２，４３はゲート電極部４１とオーバラップするほどに十分に成長する。 - 特許庁