「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The stress relaxing treatment is an ion implantation 12 to the nitride film 11 to be a wet etching stop layer, before opening capacitance contacts 7 for connecting the charge storing lower electrode 14 to the diffused layer region 2.例文帳に追加

応力緩和処理は、電荷蓄積用下部電極１４と拡散層領域２を接続する容量コンタクト７の開口に先立ち、ウェットエッチングストップ層となる窒化膜１１に、イオン注入１２を行う処理である。 - 特許庁

A dislocation loop defective layer 19 is provided in a position shallower than the implantation range of the impurity ions of a p-type extension high concentration diffused layer 16, in the region at the side of the gate electrode 13 in an n-type well 11a.例文帳に追加

Ｎ型ウエル１１ａにおけるゲート電極１３の側方の領域で、Ｐ型エクステンション高濃度拡散層１６の不純物イオンの注入飛程よりも浅い位置に転位ループ欠陥層１９を設けている。 - 特許庁

A fluorine resin powder is added and diffused to a material for an inner layer 1, whereby beverage such as syrup carried in the hose is hardly left in the horse due to the high water repellency of the fluorine resin power in the inner layer 1.例文帳に追加

内層１の材料にフッ素樹脂粉末を添加して分散させることにより、内層１中のフッ素樹脂粉末が有する高い撥水性で、ホースを流れるシロップなどの飲料がホース内に残り難くなる。 - 特許庁

The region 3 of the second conductivity type is diffused in such a manner that it reaches the highly doped region 1, with an upward diffusion of doping from a highly doped substrate layer 1 to a weakly doped layer 2 of the same conductivity type concurrently.例文帳に追加

第２の伝導型の領域３は、当該領域が高ドーピング領域１に達するように拡散し、同時に高ドーピング基板層１から同じ伝導型の弱ドーピング層２へのドーピングの上方拡散を行う。 - 特許庁

Therefore, since the impurity is diffused broadly at the second diffusion layer 16 forming time, the second diffusion layer 16 can enlarge a part superposed with the gate electrode 13 relatively, and the transfer efficiency of the charge can be improved.例文帳に追加

このため、第２拡散層１６の形成時に不純物が広範囲に拡散するため、第２拡散層１６がゲート電極１３と重なる部分を比較的大きくすることができ、電荷の転送効率を向上できる。 - 特許庁

To improve the service life of an electrode for a corona discharge by enabling a diffused layer between a W core and a noble metal cover layer to be formed fully and easily, thereby enhancing adhesion therebetween.例文帳に追加

コロナ放電用電極において、Ｗ芯材と貴金属被覆層との間の拡散層を十分にかつ容易に形成することを可能とすることによって、それらの密着性を高めて寿命の向上を図る。 - 特許庁

The interfacial surface between the organic EL layer 51 and the hole transport layer 52 is brought into a state where the organic EL material and the PEDOT are appropriately mixed and diffused; and both the layers 51 and 52 exhibit preferable adhesion and contact properties.例文帳に追加

有機ＥＬ層５１と正孔輸送層５２との界面は、有機ＥＬ材料とＰＥＤＯＴとが適度に混合、拡散された状態となっており、両層５１，５２は好適な密着性、接触性を示す。 - 特許庁

The interfacial surface between the organic EL layer 51 and the hole transport layer 52 is brought into a state where the organic EL material and the PEDOT are appropriately mixed and diffused; and both the layers 51 and 52 have preferable adhesion and contact properties.例文帳に追加

有機ＥＬ層５１と正孔輸送層５２との界面は、有機ＥＬ材料とＰＥＤＯＴとが適度に混合、拡散された状態となっており、両層５１，５２は好適な密着性、接触性を有する。 - 特許庁

Thus, the particulates are diffused to the deep bed part of the layer 17 and collected in the reducing order of the size of the particulate, collection by efficiently using the capacity of the layer 17 is performed as a result.例文帳に追加

このようにすれば、粒子の大きなパティキュレートから順にフィルタ層１７の深層部分に分散して捕集されていくことになり、フィルタ層１７の容積を効率良く利用した捕集が成されることになる。 - 特許庁

An amount of powder required for forming two successive layers is deposited on one side of a treatment chamber, the second layer powder is conveyed to the opposite side of a parts bed of the treatment chamber and, at the same time, the first layer is diffused.例文帳に追加

２つの連続した層の成形に必要な量の粉体を処理チャンバーの１つの側にデポジットし、第２層の粉体を処理チャンバーの部品ベッドの反対側に搬送すると同時に第１の層を拡散する。 - 特許庁

After that, the quartz crystal substrate with the electrode formed is heated at the temperature range of not less than 200°C nor more than 400°C, and the chrome composing the first metal layer is diffused into the second metal layer (P7).例文帳に追加

しかる後、前記電極の形成された水晶基板を２００℃以上、４００℃以下の温度範囲で加熱して、前記第１の金属層を構成するクロムを前記第２の金属層内に拡散させる（Ｐ７）。 - 特許庁

An epitaxial layer formed on a substrate 21 is isolated to form plurality of insular regions and P-type diffused regions 30, which respectively have a body part 30a and a channel part 30b, are formed in the surface of the epitaxial layer.例文帳に追加

基板２１上に形成したエピタキシャル層２２２を分離して複数の島領域を形成し、エピタキシャル層表面にボディ部３０ａとチャンネル部３０ｂとを有するＰ型拡散領域３０を形成する。 - 特許庁

Oxygen diffused from an overoxygen portion in the center of the high resistance layer 3A does not reach the ion source layer 3B during subsequent annealing, and variation in characteristics resulting from hot annealing in a subsequent step can be controlled.例文帳に追加

その後の熱処理により高抵抗層３Ａの中心の酸素過剰部分からの拡散酸素がイオン源層３Ｂに達するようなことがなく、後工程での熱処理による特性変化が抑制される。 - 特許庁

A cobalt intermediate layer 18 is formed on a silicon substrate 16 of a (100) face, nickel atoms are diffused through the cobalt intermediate layer 18, and the nickel atoms are uniformly made to grow on the silicon substrate 16 of the (100) face.例文帳に追加

本発明は、（１００）面のシリコン基板１６上にコバルト中間層１８を形成し、ニッケル原子をコバルト中間層を通じて拡散させ、（１００）面のシリコン基板１６上にニッケル原子を均一に成長させる。 - 特許庁

The golden film 10 is removed, and the golden silicon alloy layer 10a and the semiconductor substrate 1 are heated in accordance with a lamp anneal process, so that a gold of the golden silicon alloy layer 10a is diffused to a desired region of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

金膜１０を除去し、ランプアニール法に従って金シリコン合金層１０ａ及び半導体基板１を加熱して金シリコン合金層１０ａの金を半導体基板１の所望領域に拡散させる。 - 特許庁

Zn is diffused in a surface layer portion to the depth of ≥ 60 μm from uppermost outer circumferential surfaces of the inlet pipe 6 and the outlet pipe 7, and the Zn concentration of the surface layer portion is set to be, by mass, 0.20-0.70%.例文帳に追加

入口管６および出口管７の外周面の最表面から６０μｍ以上の深さまでの表層部にＺｎを拡散させるとともにこの表層部のＺｎ濃度を０．２０〜０．７０質量％とする。 - 特許庁

A fluorescent pattern forming layer containing a fluorescent dye and a color pigment and an opaque layer for concealing the fluorescent pattern forming layer are formed from the side near to a material to be recorded on which the fluorescent pattern is formed and only the fluorescent dye in the fluorescent pattern forming layer is diffused into the opaque layer or through the opaque layer.例文帳に追加

蛍光絵柄を形成される被記録材に近い側から、蛍光染料と着色顔料とを含有する蛍光絵柄形成層と、該蛍光絵柄形成層を隠蔽する不透明層とを形成し、前記蛍光絵柄形成層の蛍光染料のみを前記不透明層中に、または前記不透明層中を通って拡散させることを特徴とする蛍光絵柄形成方法。 - 特許庁

In a horizontal bipolar transistor, containing thermally diffused impurities provided on the upper part of a base region, contains a semiconductor layer, and has a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer juxtaposed, and a semiconductor device that has such a transistor, the semiconductor layer is laid down to further implant impurities, and then, subjected to heat treatment, to make a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer.例文帳に追加

ベース領域の上部に設けた不純物を含有する半導体層の前記不純物を熱拡散させてコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを並設してなる横型バイポーラトランジスタ、およびそれを有する半導体装置において、半導体層を横断させて不純物をさらにイオン注入した後に熱処理することによってコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを設ける。 - 特許庁

A p^--type silicon layer 13 becoming a p^--type region 12 is formed and n-type impurities are solid-phase diffused from the sidewall of a first trench 22 formed in the p^--type silicon layer 13 into the p^--type silicon layer 13 thus forming an n^--type region 11.例文帳に追加

ｐ^-型領域１２となるｐ^-型シリコン層１３を形成し、ｐ^-型シリコン層１３に形成された第１トレンチ２２の側壁からｐ^-型シリコン層１３にｎ型の不純物を固相拡散することにより、ｎ^-型領域１１を形成している。 - 特許庁

A steel base layer and a nitrogen diffused layer excellent in adhesiveness are formed on the surface of a pump part using a bright nitrogen diffusing method, and a high-hard ceramic layer formed of CrN, TiN and the like excellent in wear resistance is formed on the surface of the pump part using an AIP method.例文帳に追加

光輝窒素拡散法を用いてポンプ部品の表面に鋼母層と密着性に優れた窒素拡散層を形成させ、その表面にＡＩＰ法を用いて耐摩耗性に優れた高硬度のＣｒＮ、ＴｉＮ等のセラミック層を形成させる。 - 特許庁

Impurities in the second conductivity type impurity region 13 are diffused to the first conductivity type semiconductor layer 30, and the second conductivity type impurity region 13 is extended to the first conductivity type semiconductor layer 30, and connected with the second conductivity type semiconductor layer 20.例文帳に追加

第２導電型不純物領域１３の不純物を第１導電型半導体層１３に拡散させ、第２導電型不純物領域１３を第１導電型半導体層３０まで拡張して第２導電型半導体層２０に接続させる。 - 特許庁

The n-type impurity injected before the wafer is adhered is diffused by a heat history when the structure 44 is manufactured to form a deeper field stop layer.例文帳に追加

表面構造４４を作製する際の熱履歴によって、ウェハの貼り合わせ前に注入されたｎ型不純物が拡散し、より深いフィールドストップ層が形成される。 - 特許庁

The secondary defect layers 15 and 15-1 trap a heavy metal being diffused from the element isolation insulating film 14 into the active layer 13, and prevent deterioration in the characteristics of an element.例文帳に追加

この２次欠陥層１５、１５−１は主に素子分離絶縁膜１４から活性層１３内に拡散する重金属をトラップし、素子の特性劣化を防止する。 - 特許庁

The titanium monosilicide part 106 has a curvature which is smaller than that of a titanium monosilicide part which is formed in conventional cases, and a junction leakage is not generated between the titanium monosilicide part 106 and the diffused layer 102.例文帳に追加

このチタンモノシリサイド１０６は、従来形成されていたチタンダイシリサイドよりも曲率が小さく、拡散層１０２との間接合リークを発生させない。 - 特許庁

In a second active region 102, silicide layers 115 are formed on the top surfaces of a logic gate electrode 112 and of a logic transistor impurity-diffused layer 114.例文帳に追加

第２の活性領域１０２においては、ロジックゲート電極１１２の上面及びロジックトランジスタの不純物拡散層１１４の上面にシリサイド層１１５が形成されている。 - 特許庁

The fourth wiring 34 electrically connects between the third wiring 23 and an impurity diffused layer in a portion equivalent to a node of the active area to which the control potential are applied.例文帳に追加

第４配線34は、第３配線と、活性領域の制御電位を印加されるノードに相当する部分内の不純物拡散層と、を電気的に接続する。 - 特許庁

Ni-P making up such a Ni-P layer 11 shows excellent adhesion for both Cu and Au, and can effectively prevent Au from being diffused.例文帳に追加

かかるＮｉ−Ｐ層１１を構成するＮｉ−Ｐは、ＣｕおよびＡｕの両者に対して優れた密着性を示し、また、Ａｕの拡散を効果的に防止することができる。 - 特許庁

The electrode 35 is provided in contact with the window layer on a substrate 13 and in such a way as to encircle a p+ diffused region 21.例文帳に追加

この半導体受光素子１１では、オーミック電極３５を基板１３上のウィンド層に接触した状態で、かつ、ｐ^+ 拡散領域２１を囲むように設ける。 - 特許庁

Impurities are introduced into the source and drain of a silicon active layer 3, and they are annealed by heat treatment for example to form impurity diffused layers 12 and 13.例文帳に追加

シリコン活性層３のソース、ドレイン領域の位置に不純物を導入し、例えば、熱処理によってアニールを行い、不純物拡散層１２、１３を形成する。 - 特許庁

In the concentration-changed part 20, the content of W or the like is lowest at the uppermost part side close to the diffused layer, thus the toughness in the uppermost part is made higher than that at the inside.例文帳に追加

この濃度変化部２０では、拡散層に近接する最上方側でＷ等の量が最も低く、このために該最上方の靱性が内部側に比して大きくなる。 - 特許庁

The right-handed circularly polarized light 31R projected to the screen 10-1 is diffused and reflected inside the polarized light selective reflection layer 11 and becomes diffuse reflected light 33.例文帳に追加

投影スクリーン１０−１に投射された右円偏光３１Ｒは、偏光選択反射層１１の内部で拡散反射され、拡散反射光３３となる。 - 特許庁

The method further includes a step of forming a first n-type diffused layer 6 with the gate electrode 5 as a mask, and then a step of forming a sidewall spacer 7 on the side face of the gate electrode 5.例文帳に追加

その後、ゲート電極５をマスクにして、第１のｎ型拡散層６を形成した後、ゲート電極５の側面上にサイドウォールスペーサ７を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing contamination due to the RIE treatment of the surface of a semiconductor substrate, and controlling the film thickness of an elevated source drain diffused layer.例文帳に追加

半導体基板表面のＲＩＥ処理による汚染を防止し、エレベーテッド・ソース、ドレイン拡散層の膜厚の制御が可能な半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

The variable resistance layer 63 is equipped with: a carbon nanostructure 631 stacked to have many gaps G; and metal atoms 632 diffused into the gaps G.例文帳に追加

可変抵抗層６３は、多数の間隙Ｇをもつように積層されたカーボンナノ構造体６３１と、間隙Ｇ中に拡散された金属原子６３２とを備える。 - 特許庁

The discharge lamp 3 has a reforming layer 18 in which boron (germanium) is diffused formed on the inner face 10a of the arc tube 10 consisting of quartz glass.例文帳に追加

本発明の放電ランプ３は、石英ガラスからなる発光管１０の内面１０ａに、ホウ素（ゲルマニウム）が拡散されてなる改質層１８が形成されている、 - 特許庁

Titanium silicide layers 15a and 15b are made on the surface of the silicon substrate 1 on the diffused layer 13, the topside of the gate electrode 9a, and the topside of the island-shaped gate electrode 9b.例文帳に追加

拡散層１３上のシリコン基板１表面、ゲート電極９ａ上面及び島状ゲート電極９ｂ上面にチタンシリサイド層１５ａ，１５ｂが形成されている。 - 特許庁

In a portion of an inner wall of a wiring groove T1 excepting for an upper end portion thereof, a barrier metal film is formed for preventing copper forming Cu wiring from being diffused over the layer insulating film.例文帳に追加

配線溝Ｔ１の内壁の上端部を除く部分に、Ｃｕ配線を形成する銅が層間絶縁膜へ拡散することを防止するバリアメタル膜が形成される。 - 特許庁

The lower end of the opening 25 of the external base diffused layer 8 is at about the same deep position as the bottom of the opening 25 or at a position shallower than the bottom.例文帳に追加

外部ベース拡散層８の開口部２５の側壁における下端は、開口部２５の底とほぼ同じ深さの位置かそれよりも浅いところに位置している。 - 特許庁

The second conductivity- type diffused layer 3e which is selectively formed on one face of the substrate 2c is constituted so that it is not electrically connected to other elements.例文帳に追加

基板２ｃの一主面に選択的に形成された第２導電型の拡散層３ｅは、電気的に他の素子と接続されていないように構成されている。 - 特許庁

An element isolating part is formed in the P-type silicon substrate 1 occupying a part of the trench region 6, and furthermore an N-type source/ drain diffused layer 14 is formed.例文帳に追加

また、Ｐ型シリコン基板１中にはトレンチ領域６の一部にかけて、素子分離１０が形成され、さらに、Ｎ型のソース・ドレイン拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

In the heat-treatment step, the p-type impurities are solid-layer diffused into a drift region 2 in the area surrounding the oxide film 12 so as to form a p-type impurity-containing region.例文帳に追加

熱処理工程において、酸化膜１２を囲む範囲のドリフト領域２内にｐ型不純物が固層拡散して、ｐ型の不純物含有領域が形成される。 - 特許庁

By using this method, the substrate is obtained for the discrete element made of a two layer structure having the high concentration impurity diffused layer on one side surface, and the low concentration impurity diffused layer on the other surface of the substrate in which impurities are diffused on both the surfaces of the low concentration impurity semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの両表面に高濃度不純物拡散層を形成する工程と、前記ウエハを厚さ半分の位置で切断し、該切断面を研削および鏡面加工する工程と、前記鏡面加工面に低濃度不純物拡散層を形成する工程とを備えている製造方法を用いて、低濃度不純物半導体ウエハの両面に、不純物が拡散された基板であって、片面が高濃度不純物拡散層、他面が低濃度不純物拡散層である２層構造からなるディスクリート素子用基板を得る。 - 特許庁

Air bubbles contained in the coating solution are floated to the air layer part 23 to be diffused and discharged through an exhaust passage 25 to effectively remove air bubbles in the coating solution.例文帳に追加

塗液に含まれる気泡を気層部２３に浮上させて拡散させ、排気通路２５を介して排出することにより、塗液中の気泡を効果的に除去できる。 - 特許庁

As for a contact hole 6 for connecting wiring 8 to a diffused layer 4, an upper part A has a sequence taper configuration and a lower part B is processed to have an approximately perpendicular side wall.例文帳に追加

配線８を拡散層４に接続するためのコンタクト孔６は、上部Ａが順テーパ形状を有し、下部Ｂは略垂直側壁を持つように加工されている。 - 特許庁

In this invention, the amount of zinc comprised in the zinc diffused phase is desirably 1 to 100% by mass compared with the amount of zinc comprised in the plated layer.例文帳に追加

本発明において、前記亜鉛拡散相に含まれる亜鉛量が、前記めっき層に含まれる亜鉛量と比べて、質量％で１〜１００％であることが望ましい。 - 特許庁