「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

At this time, the electron beam repeats diffused reflection, because ruggedness 102a exist on the fluorescent layer 102 and ruggedness 100a on the screen panel 100.例文帳に追加

このとき、蛍光体層１０２には凹凸部１０２ａ、またスクリーンパネル１００には凹凸部１００ａが存在するため、電子ビームは乱反射を繰り返す。 - 特許庁

An n-type impurity is diffused into the n-type diffusion layer 17 with a concentration gradient provided in the direction connecting a source electrode 21 and a drain electrode 22.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７は、ソース電極２１とドレイン電極２２とを、結ぶ方向に濃度勾配を設けてＮ型不純物が拡散されている。 - 特許庁

The intermediate layer 18 may contain Zr diffused from the solid electrolyte 16, and the amount of diffusion is 40 atom% at the maximum.例文帳に追加

この中間層１８には、固体電解質１６から拡散したＺｒが含まれることがあるが、その拡散量は、最大でも４０原子％に抑制される。 - 特許庁

The p-type dopant diffused region becomes a p-type semiconductor layer 3, and this forms a p-n junction 17 between the two layers 4 and 3.例文帳に追加

これにより、ｐ型ドーパントが拡散された領域がｐ型半導体層３とされ、ｎ型半導体層４との間でｐ−ｎ接合部１７が形成される。 - 特許庁

After soft baking for vaporizing a solvent is carried out, a baking process in which acid is diffused to cause reaction with the bridging resin is performed to form a cured layer 14.例文帳に追加

溶剤を蒸発させるソフトベークを行った後、酸を拡散し、架橋性樹脂との反応を起こすベーキング処理を行い、硬化層１４を形成する。 - 特許庁

To improve mechanical strength by ensuring the wettability of solder to an electrode and by preventing Ni or the like in a barrier layer from being diffused into solder.例文帳に追加

電極への半田の濡れ性を確保するとともに、バリア層のＮｉ等の半田中への拡散を抑制して半田接合の機械的強度を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing impurities from being diffused from an epitaxial layer to a semiconductor substrate and then improving element characteristics.例文帳に追加

エピタキシャル層から半導体基板への不純物拡散を防止でき、これにより素子特性の向上を図ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer prober, capable of preventing impurities contained in a chuck top conductor layer or a ceramic board from being diffused into a silicon wafer.例文帳に追加

チャックトップ導体層中の不純物やセラミック基板中の不純物がシリコンウエハ中に拡散するのを防止することができるウエハプローバを提供すること。 - 特許庁

After termination of a predefined period of time the diffused copper and the tin from the liquid solder form a connection layer comprising intermetallic copper-tin phases.例文帳に追加

所定の時間が終了した後、この液状のはんだから拡散された銅および錫が、金属間化合物銅錫相を含む接続層を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a second dopant of a second conductivity type is implanted into the substrate 1 on the first main side and is diffused into the substrate 1 to form a base layer.例文帳に追加

その後で、第二の導電性タイプの第二のドーパントが、第一のメインサイドで基板１の中に注入され、基板１の中に拡散され、ベース層を形成する。 - 特許庁

After forming the oxide film 2 on the semiconductor substrate 1, a p^+-type diffused layer 3 is formed on the cortex of the semiconductor substrate 1 by ion injection.例文帳に追加

半導体基板１の上に酸化膜２を形成した後、半導体基板１の表層にＰ^＋型拡散層３をイオン注入により形成する。 - 特許庁

Animal excreta, slavers, sweats etc., are sealed in the gaps or channels of the fibers of the drying layer 6 and an allergy development factor is neither scattered nor diffused.例文帳に追加

乾燥層６の繊維の隙間または溝内に動物の排泄物、よだれ、汗などが封じ込められ、アレルギー発症因子が飛散・拡散しない。 - 特許庁

After a silicide step, an oxide film 23 is selectively deposited on a polysilicon gate electrode 17 and a source/drain diffused layer 19 of an nMOS 15.例文帳に追加

シリサイド工程後に、ｎＭＯＳ１５のポリシリコンゲート電極１７上とソース、ドレイン拡散層１９上とに酸化膜２３が選択的に析出される。 - 特許庁

In the floating gate nonvolatile semiconductor memory device equipped with a sidewall 8, a drain diffused layer 7 is partially overlapped with a floating gate electrode 3.例文帳に追加

サイドウォール８を備えた浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置において、ドレイン拡散層７が浮遊ゲート電極３と部分的にオーバーラップしている。 - 特許庁

The flexible adhesion layer 130 suppresses diffused reflection due to fine surface inflection to reduce image distortion.例文帳に追加

流動性粘着層１３０によって、表面の微細な屈曲による乱反射を抑制することができ、映像の歪曲現象を減らすことができる。 - 特許庁

The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１上にＮ型のエピタキシャル成長層２が設けられ、ＦＥＴ形成部を電気的に独立させるため、ＦＥＴ形成部周囲のエピタキシャル成長層２にＰ^+型の分離拡散層４が設けられ、そのエピタキシャル成長層２の表面側にＰ^++型のゲート拡散層５が設けられている。 - 特許庁

An Ni layer 32 and a Cr layer 33 are formed to touch each other by wet plating method and heat treated in non-oxidizing atmosphere so that Ni and Cr are diffused mutually and alloyed on the interface of the Ni layer 32 and the Cr layer 33 thus forming an NiCr alloying layer 34.例文帳に追加

Ｎｉ層３２とＣｒ層３３とが互いに接するようにそれぞれ湿式めっき法により形成し、非酸化性雰囲気中で熱処理することによりＮｉ層３２とＣｒ層３３の界面においてＮｉとＣｒを相互拡散させて合金化し、ＮｉＣｒ合金化層３４を形成する。 - 特許庁

The iron based parts are provided with an iron based base material 13X, a surface modification layer 12X in which at least a nitrogen element is diffused as a surface modification diffusing element and formed on the upper layer of the base material 13X, and an oxide layer 11X formed on the upper layer of the surface modification layer 12X and consisting of lithium-iron compound oxide.例文帳に追加

鉄系の基材１３Ｘと、少なくとも窒素元素が表面改質拡散元素として拡散されるとともに、基材１３Ｘの上層に形成された表面改質層１２Ｘと、表面改質層１２Ｘの上層に形成されたリチウム・鉄複合酸化物よりなる酸化物層１１Ｘと、を備える。 - 特許庁

After a defect-introduced layer 3 is formed in a substrate by injecting Si or an inert gas into the substrate through ion implantation IPI, an impurity-injected layer 4 is formed by injecting impurity into the layer 3 through ion implantation IP2, and the impurity in the layer 4 is thermally diffused along the defect-introduced layer 3.例文帳に追加

Ｓｉまたは不活性ガスのイオン注入ＩＰ１を行うことにより、欠陥導入層３を形成した後、不純物のイオン注入ＩＰ２を行うことにより、不純物注入層４を形成し、不純物注入層４の不純物を欠陥導入層３に沿うようにして熱拡散させる。 - 特許庁

A semiconductor device has a structure comprising a first and second layer insulation films 9, 10 using oxide films between a charge storing lower electrode (P-doped polysilicon) 14 and a diffused layer region 2 and a nitride film 11 to be a wet etching stop layer laminated on the second layer insulation film 10 being an upper layer.例文帳に追加

半導体装置は、電荷蓄積用下部電極（リンドープポリシリコン）１４と、拡散層領域２との間の層間膜である第１層間膜９、第２層間膜１０に酸化膜を用い、上層の第２層間膜１０上に、ウエットエッチングストップ層となる窒化膜１１が積層された構造を有するものである。 - 特許庁

After the crystal condition on the surface of a substrate 1 has been brought into a turbulent state, impurity ions for the formation of a source/ drain diffused layer 6 are implanted to a depth equal to or deeper than the layer whose crystal condition is disturbed.例文帳に追加

基板表面の結晶状態を乱した後、ソース／ドレイン拡散層のための不純物を結晶状態が乱された層と同等もしくはそれ以上の深さまでイオン注入する。 - 特許庁

After formation of lower layer film 35 of polysilicon film on the substrate 32 of Si etc., the lower layer film 35 is doped with impurity such as P and thermally diffused so as to make continuity.例文帳に追加

Ｓｉ等の基板３２の上にポリシリコン薄膜からなる下層膜３５を形成した後、下層膜３５にＰ等の不純物をドープして熱拡散させることにより下層膜３５を導通化させる。 - 特許庁

Then, the polycrystalline silicon film is patterned, a booster plate 22 is formed, and an etching stop layer 22a is formed on the upper face of each diffused layer region 16b of the drain side selection gate 16A.例文帳に追加

そして、その多結晶シリコン膜をパターニングして、ブースタープレート２２を形成するとともに、ドレイン側選択ゲート１６Ａの各拡散層領域１６ｂの上面にエッチングストップ層２２ａを形成する。 - 特許庁

Particulates 20 different in refractive index from the refractive index of a synthetic resin forming the light diffusion layer 6 are included into the light diffusion layer 6, by which the reflected light from the outside is diffused.例文帳に追加

また、光拡散層６内部には、光拡散層６を形成している合成樹脂の屈折率とは異なる微粒子２０が混入されており、これによって、外部からの反射光を拡散する。 - 特許庁

An external base diffused layer 8, formed on the N^- epitaxial layer 2, slopes upward from a side of the field oxide film 3 to the sidewall of the opening 25, which is exposed.例文帳に追加

そのＮ^−エピタキシャル層２の表面に形成される外部ベース拡散層８は、フィールド酸化膜３の側から開口部２５の側壁に向かって上りの傾斜がつけられ、開口部２５の側壁に露出している。 - 特許庁

In the aperture layer 203, an insular diffusion region 204 where p-impurities such as Zn, etc., are diffused is formed, and an insulation film 205 is accumulated on the aperture layer 203 other than the diffusion region 204.例文帳に追加

窓層２０３には島状にＺｎ等のｐ不純物が拡散された拡散領域２０４が形成され、拡散領域２０４以外の窓層２０３上には絶縁膜２０５が堆積されている。 - 特許庁

The surface layer consists of a metal, Au, Ag, Pd, etc., which is hard to oxidize within the in-use temperature range, has small diffusion to the electrode metal layer, and is easily diffused in the solder during soldering.例文帳に追加

表面層は、使用される温度範囲で、酸化されにくく、電極金属層との拡散が少なく、ハンダ付け時にハンダ中に拡散しやすい金属、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどで構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device in which impurities, such as Li etc., with a high activation rate, are restrained from being diffused into an active layer whose main component elements are Zn and O so as to improve the active layer in characteristics.例文帳に追加

Ｚｎ及びＯを主要な構成元素とする活性層へのＬｉ等の活性化率の大きい不純物拡散を抑え、活性層の特性を改善する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Thus, the connecting part can be formed without involving the layer 5, and the reliability of its electrical connection can be improved by forming the good solid phase diffused layer.例文帳に追加

それにより、熱硬化性樹脂層５を噛み込むことなく接合部を形成することができるとともに、良好な固相拡散層を形成して電気的接続の信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

A third N-type semiconductor layer 18 having a large diffusion coefficient is diffused on and near one surface of a first N-type semiconductor layer 2, which is highly doped with an impurity having a small diffusion coefficient.例文帳に追加

拡散係数の小さい不純物が高濃度に有する第１Ｎ型半導体層２の一方の表面とその近傍に，拡散係数の大きい第３Ｎ型半導体層１８を拡散させる。 - 特許庁

Thereafter, a polysilicon emitter electrode is so formed as to fill in an opening of the etching stopper layer 12, and impurities are diffused from the emitter electrode to form an emitter region in a prescribed area of the base layer 8.例文帳に追加

その後、エッチングストッパ層１２の開口を埋めるようにポリシリコンのエミッタ電極を形成し、エミッタ電極から不純物を拡散させて、ベース層８の所定領域にエミッタ領域を形成する。 - 特許庁

A light emitting diode array EDA 101 is provided with a P- electrode layer 111 having the shape corresponding to the zonal difference of the quantity of the light emitted from a p-type impurity diffused layer 107.例文帳に追加

発光ダイオードアレイＥＤＡ１０１は，Ｐ型不純物拡散層１０７から射出される光量の領域格差に対応した形状を有するＰ電極層１１１を備えている。 - 特許庁

In the impurity diffusion layer 110, impurities which show acceptor properties to the AlGaN layer 104 are diffused, and an impurity level obtained through coupling nitrogen holes of the AlGaN layer 104 with the impurities is formed nearby a conduction band end of the AlGaN layer 104.例文帳に追加

不純物拡散層１１０は、ＡｌＧａＮ層１０４に対しアクセプタ性を示す不純物が拡散し、且つ、ＡｌＧａＮ層１０４における窒素空孔と不純物とが結合してなる不純物準位が、ＡｌＧａＮ層１０４の伝導帯端の近傍に形成される。 - 特許庁

The method for coating a nickel alloy in which zinc is diffused, comprises the step of forming a nickel or nickel-alloy layer 14 on a substrate 12, the step of applying a zinc layer 18 onto the nickel or nickel-alloy layer 14, and the step of thermally diffusing zinc into the layer 14.例文帳に追加

亜鉛が拡散されたニッケル合金コーティングの方法は、基材１２上にニッケルまたはニッケル合金の層１４を形成するステップ、ニッケルまたはニッケル合金の層１４の上に亜鉛層１８を施すステップ、および層１４内に亜鉛を熱拡散させるステップから構成される。 - 特許庁

On a first impurity diffused layer 24 which serves as one of the source/drain regions and also serves as a bitline, a first semiconductor layer 11, a channel semiconductor layer 12, and a second electrically conductive layer 13 which serves as the other of the source/drain regions and also serves as a storage node 26, are formed.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域の一方になり、かつビット線にもなる第１の不純物拡散層２４の上に、第１の半導体層１１、チャネル半導体層１２、ソース／ドレイン領域の他方になり、かつストレージノード２６にもなる第２の導電層１３が設けられている。 - 特許庁

An oxide film existing on a surface of the first layer and an oxide film existing on a surface of the second layer are resolved at a temperature less than a temperature at which a metal configuring the first electrode is solid-phase diffused and less than a temperature at which a metal configuring the second electrode is solid-phase diffused (step S2).例文帳に追加

前記第１の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満、かつ前記第２の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満の温度で、前記第１の層の表面に存在する酸化膜及び前記第２の層の表面に存在する酸化膜を還元する（ステップＳ２）。 - 特許庁

An n+ type floating emitter region (sixth semiconductor layer) 22 is formed on the surface part of the base region 16 and a first channel region (fifth semiconductor layer) 20a is formed between the impurity diffused layer 18 and the floating emitter region 22.例文帳に追加

ベース領域１６の表面部にはｎ^+型フローティングエミッタ領域（第６半導体層）２２が形成され、不純物拡散層１８とフローティングエミッタ領域２２との間に第１のチャネル領域（第５半導体層）２０ａが形成されている。 - 特許庁

An electrode 4 for a corona discharge has a core 1 using W as its base material, a cover layer 2 made of a noble metal to cover the surface of the core 1, and a diffused layer 3 formed near the boundary face between the core 1 and the cover layer 2.例文帳に追加

Ｗを基材とする芯材１と、この芯材１の表面に被覆形成された貴金属からなる被覆層２と、芯材１と被覆層２との界面近傍に形成された拡散層３とを具備するコロナ放電用電極４である。 - 特許庁

To provide a method for producing a nitrided quenched part where iron or an iron alloy is subjected to penetration treatment of nitrogen in a shorter time without generating a compound layer, a nitrogen-diffused layer with a desired depth is attained, and thereafter, quenching is performed, so as to obtain a hardened layer having a sufficiently high hardness.例文帳に追加

鉄又は鉄合金を化合物層を発生させないで、より短時間で窒素の浸透処理を行い、所望の深さの窒素拡散層を実現し、この後焼入れを行って十分に高い硬さの硬化層を得ること。 - 特許庁

To provide a transport roller for a substance with aqueous liquid stuck thereto, the roller that enables aqueous liquid in contact with the outermost layer surface of the roller to be uniformly diffused and held almost the entire area of the outermost layer surface without requiring roughening treatment of the outermost layer surface.例文帳に追加

最外層表面を粗面化処理する必要なく、最外層表面に接触する水性液体が最外層表面の略全域に一様に拡散して保持され得る、水性液体が付着した物体の搬送用ローラを提供する。 - 特許庁

Contacts 110a-110e piercing the inter-layer films 107, 109 are provided in contact with the side faces of the Al layer 108 on the gates 106 and the diffused layer 105 and a conductive substance is buried in these contacts.例文帳に追加

ゲート１０６及び拡散層１０５上には、層間膜１０７，１０９を貫通し、かつ第１のアルミニウム層１０８の側面に接するようにしてコンタクト１１０ａ〜１１０ｅが設けられ、これらコンタクト内には導電物質が埋設される。 - 特許庁

The p-type GaNAs diffusion preventing layer 504 prevents Se which are n-type impurities that the n-type AlGaAs emitter layer 505 is doped with from being diffused in the p-type GaAs base layer 503 during the crystal growth or processes.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４は、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５にドーピングされたｎ型不純物であるＳｅが、結晶成長中またはプロセス中にｐ型ＧａＡｓベース層５０３に拡散することを防止している。 - 特許庁

Then, impurity is introduced through self-alignment to a substrate, whose periphery is surrounded by the gate electrode material layer 54 by using the gate electrode material layer 54 as a mask, so that an impurity diffused layer 56 functioning as a resistance element can be formed.例文帳に追加

そして、上記ゲート電極材料層に周囲を囲まれた領域の基板中に、このゲート電極材料層をマスクにして不純物をセルフアラインで導入し、抵抗素子として働く不純物拡散層５６を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a diffused layer 25 of a P-type high concentration impurities formed on an N type well 21, a diffused layer 26 of a P-type intermediate concentration impurities, which is adjacent to this layer 25 and formed so as to enclose surroundings thereof, and an element isolation region 22 formed so as to enclose the layers 25, 26.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、Ｎ型のウェル２１表面に形成されたＰ型の高濃度不純物拡散層２５と、これに隣接しかつ周囲を囲むように形成されたＰ型の中濃度不純物拡散層２６と、高濃度Ｐ型不純物拡散層２５および中濃度Ｐ型不純物拡散層２６を囲むように形成された素子分離領域２２とを備える。 - 特許庁

Then, on both sides of polycrystalline silicon films 117 (= gate electrode layer), N^- type impurity diffused layers 118a and 118b and P^- type impurity diffused layers 119a and 119b (LDD regions) are formed.例文帳に追加

予め、シリコン基板１００に、シリコン酸化膜１０７、１０８を設け、その後、多結晶シリコン膜１１７（＝ゲート電極層）の両側に、Ｎ^-型不純物拡散層１１８ａ、１１８ｂ、及びＰ^-型不純物拡散層１１９ａ、１１９ｂ（以上、ＬＤＤ領域）を形成する。 - 特許庁