「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

In a substrate 1 for mounting a light-emitting element having a substrate body 2, a silver reflective layer 6 formed on the substrate body 2 and based on silver or a silver alloy, and a protective layer containing glass formed to cover the entire surface of the silver reflective layer 6, the protective layer 7 contains an alumina based filler, and the glass composing the protective layer 7 contains silver in diffused state.例文帳に追加

基板本体２と、基板本体２に形成された銀または銀合金を主体とする銀反射層６と、銀反射層６の全面を覆うように形成されたガラスを含む保護層を有する発光素子搭載用基板１であって、保護層７がアルミナ系フィラーを含有しており、かつ保護層７を構成するガラス中に銀が拡散された状態で含有されている発光素子搭載用基板１である。 - 特許庁

As a result, even if Ag of electrodes 12a_2 and 12b_2 consisting of Ag is ionized and diffused into the dielectric layer 13, ionized state can be maintained without turning into colloidal state due to coagulation.例文帳に追加

これにより、Ａｇからなる電極１２ａ２，１２ｂ２からＡｇがイオン化して誘電体層１３に拡散したとしても、Ａｇが凝集してコロイド化することなくイオン化した状態を保持することができる。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicide film having good electrical characteristics on a micro-miniaturized gate and diffused layer having high impurity concentration in a self-aligned manner, without generating 'biting in of silicide'.例文帳に追加

良好な電気特性を有するシリサイド膜を微細で不純物濃度が高いゲートおよび拡散層上に「シリサイドの食い込み」を生じることなく自己整合的に形成する手法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can easily remove an oxide film even when the oxide film having a sufficient thickness is formed as a protective film on the surface of a diffused layer of a peripheral transistor.例文帳に追加

周辺トランジスタ部の拡散層表面に保護膜として十分な厚さの酸化膜を形成したとしても、その除去を容易に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, since an n^--type semiconductor region 7 as the extension diffused layer of the source/drain is formed, ion implantation 7a is carried out in an aslant direction, with respect to the main face of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

それから、ソース・ドレインのエクステンション拡散層としてのｎ^-型半導体領域７を形成するため、半導体基板１の主面に対して斜め方向にイオン注入７ａを行う。 - 特許庁

The method is to judge existence or nonexistence of the defect and its location by measuring incident EUV light scattered or diffused by an abnormality in a mask blank layer, normalizing and comparing with thresholds.例文帳に追加

マスク・ブランクの層における異常によって散乱又は拡散された入射ＥＵＶ光を測定、正規化、閾値との比較を行うことにより欠陥の存在の有無及びその場所を判定する。 - 特許庁

Two or more different impurity concentration regions are simultaneously formed by forming a source-drain diffused layer of the MOS transistor of a region for introducing an impurity and a region for not introducing the impurity.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのソース・ドレイン拡散層を不純物を導入する領域と導入しない領域により、２つ以上の異なる不純物濃度の領域を同時に形成することを特徴とする。 - 特許庁

With this thermal treatment, moisture attached in a plating process can be removed, and since a diffused layer of nickel and gold is formed on the pin 10A to improve the pin 10A in solder wettability, the pin 10A is wetted uniformly with solder when it is soldered.例文帳に追加

この熱処理により、メッキによる水分が除去でき、さらにニッケルと金の拡散層が形成されてハンダ濡れ性が改善されるので、ピンをハンダ付けする際、ハンダが均一に濡れ拡がる。 - 特許庁

A thermally discoloring layer, in which reversible thermally discoloring pigment micro capsules containing specific thermally discoloring composition are fixedly diffused, is provided to a part of the outer surface of a portable telephone.例文帳に追加

携帯電話の外面の少なくとも一部に、特定の熱変色性組成物を内包させたマイクロカプセル形態の可逆熱変色性顔料を分散状態に固着させた熱変色層を設ける。 - 特許庁

Assuming that the first organic pigment 42R is an organic pigment for red, organic pigments for green and blue can also be translated and diffused to the polymeric luminous layer 32 by the heating with the laser beam 50.例文帳に追加

第１の有機色素４２Ｒは例えば赤色の有機色素であるが、緑色、青色の有機色素も同様にレーザ光５０の加熱により高分子発光層３２に移行拡散させることができる。 - 特許庁

When the upper surface of the ZnO substrate 1 is an O surface (000-1), Zn atoms are not diffused to the InN crystal layer 2 side, so that the generation of p-type conduction can be suppressed.例文帳に追加

一方、ＺｎＯ基板１の上面がＯ面（０００−１）である場合には、Ｚｎ原子がＩｎＮ結晶層２側には拡散しないため、Ｐ型伝導が生じるのを抑制することができる。 - 特許庁

A first conductive type of third and fourth semiconductor layers 5, 6 substantially composed of the diffused layer of a lower resistance than the first and second semiconductor layers are formed on the surface of the first and second trenches.例文帳に追加

第１及び第２トレンチの表面内に、第１及び第２半導体層よりも低抵抗の拡散層から実質的になる第１導電型の第３及び第４半導体層５、６が形成される。 - 特許庁

A hydrogen permeation preventive film is provided on a wall surface of the hole 18 or a wall surface of the contact hole for connecting an electrode of the element 5 to the diffused layer of the element 5.例文帳に追加

水素透過防止用膜を、コンタクトホール１８の壁面か、容量素子１５における電極と半導体能動素子５における不純物拡散層とを接続するコンタクトホールの壁面に設ける。 - 特許庁

To provide a display device having a thin-film transistor, which prevents the deterioration of a transistor characteristic due to contamination elements diffused inside a gate insulating layer, and also to provide a manufacturing method of the display device.例文帳に追加

ゲート絶縁層内に拡散する汚染元素によってトランジスタ特性が低下するのを防止した薄膜トランジスタを有する表示装置、および、その製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The fuel injected in a second half of a compression stroke is not diffused to prevent the fuel or air-fuel mixture entering into a quench layer near the cylinder wall and thereby to reduce an unburnt HC amount.例文帳に追加

圧縮行程後半に噴射された燃料は拡散することがなく、シリンダ壁近傍のクエンチ層に燃料または混合気が入り込むことを防止でき、未燃ＨＣ量を少なくできる。 - 特許庁

Ga holes are generated by using the SiO2 film in a crystal under the film, and diffused into a quantum well active layer to make it disordered, by the process a window-structure region 112 is formed.例文帳に追加

このＳｉＯ_2膜により直下の結晶にＧａ空孔を生じさせ、これを量子井戸活性層１０３に拡散させて無秩序化させることにより窓構造領域１１２を形成する。 - 特許庁

To effectively prevent the contrast and the resolving power of a video from being lowered because of the reflected light of diffused light returned to a projection side from a light diffusion layer as to a transmission type projection screen.例文帳に追加

透過型映写スクリーンについて、光拡散層２から映写側への拡散光の戻り反射光Ｌａに起因する映像のコントラストおよび解像力の低下を効果的に防ぐことを目的とする。 - 特許庁

To provide a liquid discharge head which is of uniform quality and high yield by preventing iron and chromium contained in an oscillating diaphragm from being diffused to a piezoelectric ceramics layer by thermal treatment and an imaging device.例文帳に追加

振動板に含まれる鉄やクロムの熱処理による圧電体層への拡散を防止することにより、品質が均一で歩留まりの高い液体吐出ヘッド及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer wiring base in which the reliability of an electric connection can be improved by forming a good solid phase diffused layer in a connecting part, and to provide the multilayer wiring base.例文帳に追加

接合部に良好な固相拡散層を形成して電気的接続の信頼性を向上させることが可能な多層配線基体の製造方法および多層配線基体を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a second sidewall is formed on the side of the first sidewall, and an impurity is implanted into the surface of the substrate by using the first and second sidewalls and the gate electrode as masks to form a second impurity diffused layer.例文帳に追加

その後、第１側壁の側面に、第２側壁を形成し、第１及び第２側壁及びゲート電極をマスクとして、基板表面に不純物を注入し、第２不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

A device, for equivalently evaluating an impurity diffused layer in the constitution of an integrated circuit and the ohmic connection structure of wiring metal layers, is constituted on an Si substrate 1 of a scribed line region A of an Si wafer.例文帳に追加

Ｓｉウェハのスクライブライン領域ＡのＳｉ基板１上に集積回路構成中の不純物拡散層と配線金属のオーミック接続構造を等価的に評価する装置が構成される。 - 特許庁

As a result, a second transistor 58 is turned on, so that a gate electrode 104 of a first transistor 56 is connected to the substrate 54 at the location of a P-type diffused layer 505.例文帳に追加

その結果、第２のトランジスタ５８はオンして第１のトランジスタ５６のゲート電極１０４は第２のトランジスタ５８を通じ、Ｐ型拡散層５０５の箇所で半導体基板５４に接続される。 - 特許庁

It follows that a depletion layer extends except the outermost periphery to the exterior from each guard ring portions 27_1 to 27_3 first reaches the intermediate diffused layers 52_1 to 52_3, and then reaches the guard ring portions 27_2 to 27_4 located outside.例文帳に追加

従って、最外周を除く各ガードリング部２７_１〜２７_３から外側に広がった空乏層は、先ず中継拡散層５２_１〜５２_３に達し、次いで、外側に位置するガードリング部２７_２〜２７_４に達する。 - 特許庁

This method is particularly applicable to the aluminum compound-diffused coating (20) which is deposited on the parts (10) so as to have the excessively thick additive layer (22) and before the parts (10) are returned for practicable use.例文帳に追加

この方法は、過度に厚い付加層（２２）を有するように、部品（１０）上に堆積され、部品（１０）が実用のために戻される前のアルミニウム化合物拡散コーティング（２０）に、特に適用可能である。 - 特許庁

Moreover, on the front surface of the YAG phosphor 3, a transparent resin layer 4 which diffused translucency particles, such as quartz particles (SiO2; transparency) with a diameter of about 5-50 μm, 0.02 to 20% in a heavy quantitative ratio is formed.例文帳に追加

また、ＹＡＧ蛍光体３の表面に直径5〜50μm程度の石英粒子(SiO2;透光性)などの透光性粒子を重量比で0.02〜20％拡散させた透明樹脂層４を設けている。 - 特許庁

When Ag is ionized and diffused into the dielectric layer 13 from electrodes 12a_2, and 12b_2 made of silver, the Ag ion is never coagulated into colloid, but also keeping ionized state.例文帳に追加

これにより、Ａｇからなる電極１２ａ２，１２ｂ２からＡｇがイオン化して誘電体層１３に拡散したとしても、Ａｇが凝集してコロイド化することなくイオン化した状態を保持することができる。 - 特許庁

Even if heat high-temperature heat treatment is subsequently performed under this condition, spread of each impurity diffused layer constituting the LDD region is restrained by the silicon oxide films 107 and 108.例文帳に追加

この状態で、その後に高温の熱処理を行っても、シリコン酸化膜１０７、１０８によって、ＬＤＤ領域を構成する各不純物拡散層の広がりを抑制することが可能となる。 - 特許庁

The solution containing the hydrofluoric acid is displaced by pure water, so that a stable bonding of silicon-hydrogen is formed on the surface of the base diffused layer 6, and the growth of a natural oxide film is prevented since then.例文帳に追加

その後、弗酸を含有する溶液を純水に置換することにより、ベース拡散層６の表面に安定なシリコン−水素結合が形成され、その後の自然酸化膜の成長を防止する。 - 特許庁

The dummy fuse layers 15 absorb heat energy diffused in a lateral direction during laser light irradiation for disconnecting a fuse layer 5, so damage to the adjacent fuse layers 5 can be suppressed.例文帳に追加

ヒューズ層５を切断するためのレーザー光照射の際、ダミーヒューズ層１５が横方向へ拡散する熱エネルギーを吸収するため、隣り合うヒューズ層５へのダメージを抑制することができる。 - 特許庁

The oxide film 23 is used as a mask after the next silicide step, and the polysilicon gate electrode 17 and the source/drain diffused layer 20 of a pMOS 16 are selectively subjected to silicide processing.例文帳に追加

この酸化膜２３は次のシリサイド工程後にマスクとして使用され、ｐＭＯＳ１６のポリシリコンゲート電極１７及びソース、ドレイン拡散層２０に対して選択的にシリサイド化処理が行われる。 - 特許庁

To prevent the occurrence of crystal failure in a diffused layer after laser light is given for laser trimming without dropping the degree of integration of an element subject to laser trimming, and to suppress leakage current at a PN junction.例文帳に追加

レーザートリミング対象素子の集積度を低下させないで、レーザートリミングのレーザー光照射による拡散層の結晶欠陥発生を防止して、ＰＮ接合部のリーク電流を抑制する。 - 特許庁

When chromium and nitrogen are diffused simultaneously or successively in this order from the surface of the base metal made of steel, chromium nitrides such as CrN and Cr_2M are formed on the surface layer part in a dispersed state.例文帳に追加

鋼製の母材の表面から、クロムと窒素を同時にまたはこの順序で逐次的に拡散させると、表層部にＣｒＮ，Ｃｒ_２Ｎなどのクロム窒化物が分散された状態で形成される。 - 特許庁

The n-type layer has a charge output portion which is diffused from the pn junction to the substrate surface, and the charge output is connected in a circuit to an MOS transistor for charge read-out.例文帳に追加

Ｎ型層はＰＮ接合部分から基板表面まで拡散された電荷出力部分を有しており、当該部分は電荷読み出し用のＭＯＳトランジスタに回路的に接続されている。 - 特許庁

A metal conductor 14 made of copper is filled in a via hole 13 of a one-face printed wiring board 30, and its front end part is coated with a diffused metal layer 16 composed of tin to a thickness of 10 to 20 μm.例文帳に追加

片面プリント配線板３０のバイアホール１３内に銅の金属導体１４を充填し、その先端部に１０〜２０μｍの厚さでスズからなる拡散金属層１６を被覆する。 - 特許庁

According to a normal manufacturing process for double diffused MOSFET, p-base region 2, a p+ contact region 3, an n+ source region 4, a gate electrode layer 5, and a source electrode 15 are provided on the surface layer of an n-type semiconductor base body to form a surface MOSFET.例文帳に追加

通常の２重拡散ＭＯＳＦＥＴの製造工程に従い、ｎ型半導体基体の表面層に、ｐベース領域２とｐ^+コンタクト領域３とｎ^+ソース領域４とゲート電極層５とソース電極１５を設けて表面ＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

In the thermal transfer recording medium having a thermal transfer ink layer containing a resin and a coloring pigment as main ingredients melted or softened by heat on at least a support, a dye to be sublimated or diffused by heat is contained in the thermal transfer ink layer.例文帳に追加

少なくとも支持体上に熱により溶融あるいは軟化して転写する樹脂と着色顔料を主成分とする熱転写インキ層を有する熱転写記録媒体において、熱転写インキ層に熱により昇華或いは拡散する染料を含有させる。 - 特許庁

A polysulfone film is characterized in that a layer (A layer) having the depth of 1 μm from the surface has ≤200 nm average pore diameter, 40-75% average porosity and the diffused amount of meta-phenylenediamine of 1×10^-3 to 2×10^-3 mol/m^2.例文帳に追加

表面から深さ１μｍの層（Ａ層）の平均細孔径が２００ｎｍ以下であって、平均空隙率が４０〜７５％であり、かつメタフェニレンジアミン拡散量が１×１０^−３ ｍｏｌ／ｍ^２以上２×１０^−３ ｍｏｌ／ｍ^２以下であることを特徴とするポリスルホン膜。 - 特許庁

A tin plating 2 is applied on a lead substrate 1 made of copper or copper alloy or iron or its alloy, a silver plating 3 is applied on the surface, then the lead material surface is smoothed by a die or a fiber, and the silver of the surface layer is diffused into the tin plating layer.例文帳に追加

銅又は銅合金、或いは鉄又はその合金等でできたリード基材１上にスズめっき２を施し、その表面に銀めっき３を施した後、そのリード材表面をダイス或いは繊維で平滑化させ、表層の銀をスズめっき層に拡散させる。 - 特許庁

The hydrogen 3 co-deposited thus far in the second plating layer is thermally diffused by solder 6 to reduce the oxygen of an oxidized film 4 coating the surface of the second plating layer 2b to water molecules 5 {Figure (c)} to form an intermetallic compound 7, by which soldering is effected {Figure (d)}.例文帳に追加

はんだ６により第２のめっき層２ｂに共析していた水素３が熱拡散し、第２のめっき層２ｂの表面を被覆している酸化膜４の酸素を水分子５に還元し｛図１（ｃ）｝、金属間化合物７を形成してはんだ付をおこなう｛図１（ｄ）｝。 - 特許庁

To make a contact resistance low by excluding etching damage and mixture of carbon, etc., and then by forming a metal silicide layer, in a semiconductor device having an electrostatic discharge protection element between a dopant diffused layer connected to an external I/O terminal and an input/ output MOS transistor.例文帳に追加

外部入出力端子に接続された不純物拡散層、入出力ＭＯＳトランジスタ間に静電破壊保護素子を有する半導体装置において、エッチングダメージや炭素等の混入を排除して金属シリサイド層を形成しコンタクトの低抵抗化を図る。 - 特許庁

Then, since the region formed of a P-type impurity diffused layer 6 is covered with the photoresist, the N-type impurity is not implanted, a photolithographic step can be reduced, and the impurity concentration of the layer 6 sufficient to take the contact is obtained.例文帳に追加

このとき、Ｐ型不純物拡散層６が形成される領域はフォトレジストで覆われているためＮ型不純物は注入されず、フォトリソグラフィ工程を削減できるとともに、コンタクトを取るのに十分なＰ型不純物拡散層６の不純物濃度を得られる。 - 特許庁

A silicide-diffused layer or a silicon dioxide-coated layer is formed on the surface of a metal for the incinerator by maintaining the metal material to be treated, which has a mixed slurry of silicon and silicon dioxide applied thereto or implanted therein, in an inert gas at a predetermined, elevated temperature.例文帳に追加

ケイ素・二酸化ケイ素混合スラリーを塗布又は埋没させた被処理金属材料を、不活性ガス中で所定高温度に保持することにより、焼却炉用金属の表層に、ケイ化物の拡散層又は二酸化ケイ素のコーティング層を形成させる。 - 特許庁

The wiring conductor layer 3 composed of a copper foil coated through zinc layers diffused and joined to insulating layers 2a to 2d consisting of glass ceramics is formed to the surface and/or internal layer of the insulating board 2 formed by laminating a plurality (four layers) of the insulating layers 2a to 2d.例文帳に追加

ガラスセラミックスから成る絶縁層２ａ〜２ｄを複数（４層）積層して成る絶縁基板２の表面および／または内層に、絶縁層２ａ〜２ｄに拡散接合された亜鉛層を介して被着された銅箔から成る配線導体層３が形成されている。 - 特許庁

The perpendicular magnetic anisotropy of the magnetic layers is smaller than that of the recording layer, by which the floating magnetic fields of the recording layer are diffused into the intra-surface direction of the magnetic layers and the influence to receive from the floating magnetic fields of the adjacent tracks recorded with signals can be reduced.例文帳に追加

該磁性層の垂直磁気異方性は記録層よりも小さく、これにより、記録層の浮遊磁界は磁性層の面内方向に拡散し、信号が記録されている隣接のトラックの浮遊磁界から受ける影響を少なくすることができる。 - 特許庁

A diffusion layer 12 is installed in an incident end surface of the light guide plate 11, light outgoing from the solid light emitting element 10 is diffused with the diffusion layer 12, and made incident from almost the whole region of an incident end surface 11a of the light guide plate 11.例文帳に追加

導光板１１の入射端面１１ａに拡散層１２を設け、固体発光素子１０からの出射光を前記拡散層１２により拡散させて前記導光板１１にその入射端面１１ａのほぼ全域から入射させるようにした。 - 特許庁