「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

Heating the semiconductor substrate at >50°C and ≤300°C, preferably, at 100°C for a predetermined time not less than 30 minutes nor more than two hours traps the metal impurities diffused in the semiconductor substrate to the gettering layer.例文帳に追加

この半導体基板を５０°Ｃ超え３００°Ｃ以下の温度、好適には１００°Ｃで、３０分以上２時間以内の所定時間加熱することにより、半導体基板内部に拡散した金属不純物をゲッタリング層にトラップする。 - 特許庁

A liquid resin R supplied to a resin supply part S is diffused quickly and uniformly in a sheetlike state by the pass medium PM2, and passed through the pass media PM2 and PM1 and the peel layer 4 to be infiltrated uniformly into the substrate 3.例文帳に追加

樹脂供給部分Ｓに供給された液体樹脂Ｒは、パスメディアＰＭ２にて面状に迅速・均等に拡散し、パスメディアＰＭ２，ＰＭ１，剥離層４を通って、面的に均等に強化繊維基材３に含浸される。 - 特許庁

To form an uniform element isolation region and positively increase the parasitic resistance of a transistor, without increasing man-hours by reducing the difference in polishing rates caused by difference in the areas of diffused layer patterns.例文帳に追加

本発明は、拡散層パターンの面積差に起因する研磨レートの差を低減し均一な素子分離領域を形成すること、工程数を増やすことなくトランジスタの寄生抵抗を積極的に大きくすることを課題とする。 - 特許庁

To form a fine memory cell, while securing an overlapping area of a floating gate and an impurity diffused layer, and to reduce irregularity on an F-N tunnel phenomenon between bits that is resulted from a fine memory cell.例文帳に追加

浮遊ゲートと不純物拡散層とのオーバーラップ面積を確保しながらメモリセルの微細化を図り、さらにメモリセルの微細化に伴って発生するビット間のＦ−Ｎトンネル現象のばらつきの低減を図ることを目的とする。 - 特許庁

To efficiently remove a sludge layer adhering to the surface of the filter membrane body of a membrane module continuously with good removing efficiency over the whole of the filter membrane body without relying on the action of air diffused from an air diffuser arranged in a biological reaction tank.例文帳に追加

生物反応槽内に設置された散気装置から散気する空気の作用によることなく、膜モジュールの濾過膜体の膜面に付着する汚泥層を連続的に濾過膜体全体にわたって除去効率よく除去すること。 - 特許庁

The heat generated at the pn junction of the ESD protective element and conducted through the contact 12 is simultaneously diffused in three directions through the first metal wiring 21 and the second metal wiring 22 in the metal layer 13 and radiated to the pad.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子のｐｎ接合部で発生し、コンタクト１２を伝導してきた熱は、金属層１３において第１金属配線２１と第２金属配線２２を通って３方向に同時に拡散され、パッドに放熱される。 - 特許庁

Since erosion of the silicon substrate 2 in the chip area 2S by the anisotropic etching is prevented by the boron diffused layer 101, the insulating films 103, 104 are not left with flaws and chipping can be prevented during dicing and handling.例文帳に追加

異方性エッチングによるチップ領域Ｓ２のシリコン基板２の浸食はボロン拡散層１０１により阻止されるため、絶縁膜１０３，１０４が庇状に残ることが無く、ダイシングやハンドリングの際のチッピングを防止することができる。 - 特許庁

To realize a semiconductor device which is provided with a silylated impurity diffused layer and a manufacturing method thereof, where a contact hole can be optimally controlled in the amount of etching to prevent the device from lowering in yield.例文帳に追加

不純物拡散層をシリサイド化している半導体装置において、コンタクトホールのエッチング量を最適に調整することができ、歩留まりの低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A Ni component diffused from a fuel electrode on the opposite side of an LDC material to the LSGM material is captured by the scattered MgO grains to inhibit the diffusion in the electrolyte layer toward the air electrode side.例文帳に追加

ＬＤＣを挟んでＬＳＧＭと反対側に形成されている燃料極から拡散されるＮｉ成分は、この点在しているＭｇＯ粒子によって捕捉され、電解質層中を空気極側へ拡散することが抑制される。 - 特許庁

The method for modifying the surface of the stainless steel material comprises the steps of: subjecting the surface of the stainless steel material to electric discharge machining while using a Ti-containing electrode; and successively subjecting the discharge-machined surface of the stainless steel material to electron beam machining to form a TiC-diffused modified layer.例文帳に追加

ステンレス系材料の表面に、Tiを含む電極を用いた放電加工、及び電子ビーム加工を順次行って、TiCが拡散された改質層を形成することを特徴とするステンレス系材料の表面改質方法。 - 特許庁

A protrusion 17 is formed on the opposite face 16 of the heat sink 15, and bites into the second metal surface layer 14 in the state that the side f the board body 12 and the heat sink 15 are diffused and bonded.例文帳に追加

放熱板１５の対向面１６上には突起状の凸部１７が形成されており、基板本体１２側と放熱板１５とが拡散接合された状態では、第２金属表層１４に食い込んだ状態になっている。 - 特許庁

Consequently, Si is diffused in the ohmic contact forming region 11 of the ALGaN layer 3 to become a level of 10^20cm^-3 in concentration and sufficiently high electron concentration, in order to obtain ohmic characteristics by reacting with Ti.例文帳に追加

それにより、ＡｌＧａＮ層３のオーミック・コンタクト形成領域１１内で、Ｓｉが拡散されて濃度〜１０^２０ｃｍ^−３レベルとなり、Ｔｉと反応してオーミック特性を得るために十分に高い電子濃度となる。 - 特許庁

The light that has been diffused at the light diffusion part 7 and returned toward the inside of the light-emitting device 1, among the light emitted from the LED31, is reflected on the high reflection layer 22 and then directed toward the outside of the light-emitting device 1 again.例文帳に追加

ＬＥＤ３１から出射された光のうち、光拡散部７において拡散されて発光装置１の内部方向へ戻ってきた光は、高反射層２２により反射され、再び発光装置１の外部方向へ向かう。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a dielectric material thin film capacitor which is formed on a substrate having wiring conductors such as via holes and does not generate problems resulting from oxidation of wiring conductor and diffused barrier layer.例文帳に追加

ビアホール等の配線導体を有する基板上に形成される誘電体薄膜キャパシタであって、配線導体や拡散バリヤ層の酸化に伴う諸問題が生じない誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

An electric field diffused in a way that the toner particle 55 spreads as far as the corner of the recessed part 84 by controlling the potential of the electrode layer 11 is formed before the toner particle 55 developed in the recessed part 14a is transferred to the recessed part 84.例文帳に追加

凹部１４ａに現像したトナー粒子５５を凹部８４に転写するとき、電極層１１の電位をコントロールして凹部８４の角部にまでトナー粒子５５を行き渡らせるように拡散した電界を形成する。 - 特許庁

To irradiate an optical alignment layer in a light irradiation region with a polarized light being diffused light without causing fluctuations of the polarization axis, even if an optical element, through which light is transmitted or on which light is reflected, is arranged in its optical path in an apparatus for irradiating the optical alignment layer with the polarized light being a diffuse light.例文帳に追加

拡散光である偏光光を光配向膜に照射する装置において、光が透過したり反射したりする光学素子を、その光路中に配置する場合であっても、偏光軸のばらつきを生じさせることなく、光照射領域の光配向膜に照射できるようにすること。 - 特許庁

The optical fiber 41 has a light diffusing layer 41c in a part between a core part 41a and a clad part 41b, so that the optical fiber transmits light utilizing the whole reflection on the interface between the core part 41a and the clad part 41b and releases part of the light diffused in the light diffusing layer 41c from a side surface to the outside.例文帳に追加

光ファイバ４１は、コア部４１ａとクラッド部４１ｂとの間の一部に光拡散層４１ｃを有しており、コア部４１ａとクラッド部４１ｂとの界面での全反射を利用して光を伝送すると共に光拡散層４１ｃで拡散された光の一部を側面から外部に放出する。 - 特許庁

The fuel gas is fed to the first passage 38 and the first gas passage 58, the oxidation gas is fed to the second passage 46 and the second gas passage 60, thus the fuel gas and oxidation gas are uniformly diffused and fed to a first electrode catalyst layer 50 and a second electrode catalyst layer 54.例文帳に追加

第１流路３８および第１ガス流路５８に燃料ガスが供給される一方、第２流路４６および第２ガス流路６０に酸化剤ガスが供給されることにより、第１および第２電極触媒層５０、５４には、前記燃料ガスおよび前記酸化剤ガスが均一に拡散供給されることになる。 - 特許庁

A field width x' between the gate electrode 8a and the island-shaped gate electrode 9b and the field width x' between the island-shaped gate electrodes are 0.3 μm, and the titanium silicide layer 15a in the region produces thin line effect, so that the resistance value in the diffused layer region adjacent to the gate electrode 9a rises.例文帳に追加

ゲート電極９ａ、島状ゲート電極９ｂ間のフィールド幅ｘ’及び島状ゲート電極９ｂ，９ｂ間のフィールド幅ｘ’は０．３μｍであり、その領域のチタンシリサイド層１５ａは細線効果を生じるので、ゲート電極９ａに隣接する拡散層領域の抵抗値が上昇する。 - 特許庁

A layer 13 containing luminous material is formed on a substrate 11 having an electrode 12a, and the doping material is diffused thermally, using a transcription sheet 20 which is composed of a transcription layer 22 containing a doping material and a base material 21, after sublimation or transcription under thermal fusion by the use of a thermal head 30.例文帳に追加

電極１２ａを有する基板１１上に、発光材料を含む層１３を形成し、ドーピング物質を基材２１上の転写層２２中に含有する転写シート２０を用いて、サーマルヘッド３０等により昇華もしくは熱溶融転写した後、熱拡散させることにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

Using ion implantation N for forming the source/drain of an N channel field effect transistor, an over impurity introduction layer 10 is formed in a polysilicon gate 5 and N type impurities contained in the over impurity introduction layer 10 are diffused in the direction of an active region 7 in the polysilicon gate 5.例文帳に追加

Ｎチャネル電界効果型トランジスタのソース／ドレインを形成するためのイオン注入Ｎを用いて、多結晶シリコンゲート５にオーバー不純物導入層１０を形成し、オーバー不純物導入層１０に含まれるＮ型不純物を多結晶シリコンゲート５内でアクティブ領域７の方向に拡散させる。 - 特許庁

As a more specific example, the compost raw material particles in the middle of falling downward are sent flying in the air at a prescribed speed by a rotary blade and the carbon dioxide gaseous layer and the salt-containing water layer on the surface of the raw material particle are exfoliated by contact friction between the spattered raw material particles and air, and are diffused in air.例文帳に追加

一つの具体例として、堆肥原料を下方に落下させる途中で原料粒子を回転羽根によって所定の速度で空中に撥ね飛ばし、撥ねとばされた原料粒子と空気の接触摩擦により原料粒子の表面の炭酸ガス層と塩分含有水分層を剥離し空中に発散させる。 - 特許庁

Impurities are diffused simultaneously into the first gate diffusion layer and the second gate diffusion layer while differentiating the diffusion depth.例文帳に追加

第１の電界効果トランジスタの第１ゲート拡散層上及び第２の電界効果トランジスタの第２ゲート拡散層上に、互いに物性の異なる第１絶縁膜と第２絶縁膜とを拡散マスクとしてそれぞれ露出させ、前記第１ゲート拡散層と前記第２ゲート拡散層とに拡散深さを異ならせて同時に不純物を拡散させる。 - 特許庁

The LED element groups 21 are arranged so that its optical axis may be slightly inclined to the axial center direction of the body, and the irradiated light is introduced into the light guide tube 11 and, after reflected by the light reflection layer 12, or directly diffused by the light reflection layer 13, and is emitted to the outside of the body.例文帳に追加

ＬＥＤ素子群２１，２１，…は光軸を本体の軸心方向に若干傾かせた状態となる様に配置されており、照射された光は導光筒１１内に導入されて光反射層１２で反射された後、あるいは直接に、光拡散層１３で拡散されながら本体外へと照射される。 - 特許庁

Firstly, a silicon film having the suitable thickness, is formed on the surface of the steel material in the general film forming method, such as vapor-deposition, spattering, ion-plating and the silicon is diffused into the inner part of the steel material by heating and holding this in the vacuum or in the inert gas atmosphere to form the silicon permeated layer on the surface layer of the steel material.例文帳に追加

先ず、鋼材の表面上に蒸着、スパッタリング、及びイオンプレーティング等の一般的な成膜方法で適切な厚さの珪素皮膜を形成し、これを真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱保持して珪素を鋼材内部へ拡散させ、鋼材の表層部に珪素浸透層を形成する。 - 特許庁

Even if a surge voltage is applied, since the second semiconductor layer 143 is fixed at a middle point potential of the two diffused resistors 124 and 134, a potential difference between the first semiconductor layers 123 and 133 and the second semiconductor layer 143 is cut in half, thus breakdown of the dielectric separation films 122 and 132 can be prevented.例文帳に追加

サージ電圧が印加されたとしても、第二の半導体層１４３は二つの拡散抵抗１２４、１３４の中点電位に固定されているため、第一の半導体層１２３、１３３と第二の半導体層１４３との間の電位差が半減し、誘電体分離膜１２２、１３２の破壊を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device reducing dark current due to an interface state without forming a hole storing layer made of an impurity diffused layer which needs a heating process at high temperature and allowing sensor placement in a shallow part of a semiconductor substrate so as to improve charge transfer efficiency.例文帳に追加

高温での熱処理プロセスを必要とする不純物拡散層からなるホール蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減することが可能で、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The 1st ferromagnetic layer is constituted of antiferromagnetically coupled 1st and 2nd ferromagnetic films 133a, 133b each other by being separated with an antiferromagnetic combination film 133c, and a specific metal is diffused to at least a part of the 1st ferromagnetic film 133a adjacent to the antiferromagnetic layer 134.例文帳に追加

第１の強磁性層が反強磁性結合膜１３３ｃによって分離され互いに反強磁性的に結合された第１及び第２の強磁性膜１３３ａ，１３３ｂから構成されており、反強磁性層１３４に隣接する第１の強磁性膜１３３ａの少なくとも一部に所定金属が拡散されている。 - 特許庁

The carrier concentration of the Si-GaAs substrate 1 is set to 1×10^17 cm^-3 or larger and 7×10^17 cm^-3 or smaller, and the number of atoms diffused from the Si-GaAs substrate 1 to the active layer 4 is reduced, thus obtaining a semiconductor laser having improved emission characteristics of the active layer 4.例文帳に追加

Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１のキャリア濃度を１×１０^１７ｃｍ^−３以上７×１０^１７ｃｍ^−３以下とすることによって、Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１から活性層４へと拡散する原子の数を低減して、活性層４の発光特性に優れた半導体レーザとすることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the impurity contained in a lower wiring layer is not diffused to a metal silicide gate electrode side even when an insulating layer is heat-treated, and to provide a sputtering target for metal silicide wiring which can suppress the particles generated by charge-up, and its manufacturing method.例文帳に追加

絶縁層の熱処理によっても下層の配線層に含まれる不純物が金属シリサイドのゲート電極側に拡散することがない半導体装置の製造方法、チャージアップによるパーティクルの発生を抑えることができる金属シリサイド配線用スパッタターゲット、及びその製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

Finally, glow discharge treatment is executed to the object to be treated in a treating vessel by a wave head peak pulse waveform PP in which a peak waveform PW of high voltage (about 1,500 V) outputted from a rectifier corresponding to the peak waveform pw is provided on the wave head of each pulse waveform, so that a nitrided layer and a diffused layer can deeply be formed in a short time.例文帳に追加

最終的に、整流器７から出力される、ピーク波形ｐｗに対応する高電圧（約1500V ）のピーク波形ＰＷを各パルス波形の波頭に設けた波頭ピークパルス波形ＰＰで処理容器の処理対象物にグロー放電処理が施され、窒化層、拡散層を短時間で深く形成できる。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with gate electrodes 22 and 23 formed on the semiconductor layer of a silicon substrate 11 through the intermediary of a gate insulating layer 21, impurity diffused layers 24, 25, and 26 which form a source region and a drain region provided in the semiconductor layer in an active region, and contacts 42 to 44 and contacts 47 to 49 formed on the gate electrodes 22 and 23 located in the active region.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１１の半導体層上に、ゲート絶縁層２１を介して形成されたゲート電極２２，２３、アクティブ領域の半導体層に形成された、ソース領域またはドレイン領域を構成する不純物拡散層２４，２５，２６、およびアクティブ領域に存在するゲート電極２２，２３上に形成された、複数のコンタクト部４２〜４４，４７〜４９、を有する。 - 特許庁

When a polysilicon film 21 is doped with a dopant that diffuses into the junction layer of the transistor, dopant diffused into a polysilicon film spreads into a junction layer 12 in a subsequent process, whereby a reduction in depth of the junction layer caused by overetching at the formation of a contact hole and a junction leakage current caused by misalignment at the formation of a contact hole can be compensated.例文帳に追加

また、トランジスタの接合層コンタクトで接合層にドーピングされたドーパントをポリシリコン膜２１にドーピングさせて使用する場合、後続の工程時にポリシリコン膜内にドーピングされたドーパントが接合層１２に広がってコンタクトホール形成時の過度蝕刻にともなう接合層の深さの減少、コンタクトホールの形成時の誤整列等による接合漏洩電流問題を補償できる。 - 特許庁

A pn junction formation of the n-type layer is diffused from the depth d1 to a depth d2 deeper than the depth d1, and forms a pn junction of a photodiode together with the p-type well in the depth d2.例文帳に追加

Ｎ型層のＰＮ接合形成部分は深さｄ１から当該深さｄ１よりも深いｄ２まで拡散されており、当該ＰＮ接合形成部分は深さｄ２においてＰ型ウェルとともにフォトダイオードのＰＮ接合を形成している。 - 特許庁

A contact hole 18 reaching an impurity diffused layer in the element 5 through the film 17 and the film 6, and a wiring plug 20a made of the W for embedding the hole 18 are formed.例文帳に追加

第２層間絶縁膜１７と第１層間絶縁膜６とを貫通して半導体能動素子５における不純物拡散層に到達するコンタクトホール１８と、コンタクトホール１８を埋めるＷからなる配線用プラグ２０ａとが形成されている。 - 特許庁

Diffused layer 202a and 202b becoming a source electrode or a drain electrode are formed in terms of self-alignment with a component by a film and the like, which is formed so as to make contact with the gate electrode or the gate electrode and the gate electrode as a mask.例文帳に追加

ソース電極あるいはドレイン電極となる拡散層２０２ａ，２０２ｂはゲート電極あるいはゲート電極とゲート電極に接するように形成された膜等による構成物をマスクとして自己整合的に形成されている。 - 特許庁

A portion of the curable lens-forming material is preliminarily cured, wherein the colorant can be diffused into the lens while the portion of the curable lens-forming material in contact with the colorant layer is substantially maintained in an uncured state.例文帳に追加

硬化可能なレンズ形成材料の一部分が予備硬化されるが、着色剤層に接触しているその硬化可能なレンズ形成材料の一部分は実質的に未硬化の状態を維持してレンズの中への着色剤の拡散を可能にする。 - 特許庁

Such a multilayer ceramics board is formed by adding at least one kind of element selected from Ti, Zr and Mn into the conductive paste as a diffusion element, so that it may be diffused to the surrounding glass ceramics layer at the time of firing.例文帳に追加

このような多層セラミックス基板は、導体ペーストにＴｉ、Ｚｒ、Ｍｎから選択される少なくとも１種を拡散元素として添加し、焼成時にこれら拡散元素を周囲のガラスセラミックス層に拡散させることにより形成する。 - 特許庁

The p-type dopant contained in the gate electrode 40 is diffused in the vicinity of an interface between the silicon carbide layer 20 just below the gate electrode 40 and the gate insulating film 30, and an impurity level in the vicinity of the interface is passivated by the p-type dopant.例文帳に追加

そして、ゲート電極４０中の上記ｐ型ドーパントを、ゲート電極４０直下の炭化珪素層２０とゲート絶縁膜３０との界面近傍に拡散させ、上記ｐ型ドーパントによって界面近傍の不純物準位をパッシベーションする。 - 特許庁

Be ions are then implanted in the n^--InP window layer 7 to form a p-type guard ring 8, and Zn or Cd ions are thermally diffused or implanted to the inside of the p-type guard ring 8 thus forming a circular p^+ type light receiving region 9 selectively.例文帳に追加

次に、ｎ^−−ＩｎＰ窓層７にＢｅをイオン注入してｐ型ガードリング８を形成し、ｐ型ガードリング８の内側に、ＺｎやＣｄを熱拡散又はイオン注入して、ｐ^^+型受光領域９を円形状に選択形成する。 - 特許庁

To provide an EL device wherein moisture is prevented from being diffused from an organic flattening film to an organic luminescent function layer, even when projecting and recessed parts formed by a switching element are flattened by an organic flattening film, an electronic apparatus, and a manufacturing method of the EL device.例文帳に追加

スイッチング素子が形成する凹凸を有機平坦化膜で平坦化した場合でも、有機平坦化膜から有機発光機能層への水分の拡散を防止可能なＥＬ装置、電子機器、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The active layer comprises window areas (41a, 41b, 42a and 42b) wherein an impurity is diffused, in the vicinity of at least one of a front end face C from which light is emitted, of each of the resonators and a rear end face D at an opposite side.例文帳に追加

活性層は、それぞれの共振器の光が出射する前端面Ｃ及びその反対側の後端面Ｄのうち少なくとも一方の近傍に、不純物が拡散された窓領域（４１ａ、４１ｂ、４２ａ及び４２ｂ）を備える。 - 特許庁

The light diffuser includes a thermoplastic resin layer comprising a thermoplastic polymeric material and microvoids having a substantially circular section in a plane perpendicular to the direction of a light path and having at least 65% diffused light transmission efficiency.例文帳に追加

熱可塑性ポリマー材料および光経路の方向に垂直な平面内に実質的に円形断面を有するミクロボイドを含有し、少なくとも６５％の拡散光透過効率を有する熱可塑性樹脂層を含んでなる光ディフューザ。 - 特許庁

Moreover, the second impurity diffused layer 103 and the upper electrode 113 are electrically connected via the second metal film 113 formed at the wall and the bottom of the second contact plug 107 and a second opening 110b.例文帳に追加

そして、第２の不純物拡散層１０３と上部電極１１３とは、第２のコンタクトプラグ１０７及び第２の開口部１１０ｂの壁部及び底部に形成されている第２の金属膜１１３を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and manufacturing method thereof, comprising first and 2p contact holes in which the phenomenon of a connecting wiring material in the first contact holes pierce a barrier metal layer diffusing to into impurity diffused regions is suppressed.例文帳に追加

第１のコンタクト孔内の接続配線材料がバリアメタル層を突き抜けて不純物拡散領域の内部に拡散する現象が抑制された第１及び第２のコンタクト孔を具備する半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁