「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

In the ensign portion 3 of such a constitution, even if the layer 4 printed with the oily ink is diffused and stained due to aging change, the shielding layers 5 specify the edge of the pattern, and hence the pattern shape is still maintained so that the watermark pattern is not blurred.例文帳に追加

かかる構成の透かし標章部３にあって、経時変化により油性インキにより印刷された透かし模様層４が拡散して、滲んでも、遮光性のある縁取り模様層５が模様の周縁を規定しているから、模様形状が画然として維持され、透かし模様がぼけない。 - 特許庁

At a drying initial time, in a material having an easy crack or a large sectional area, its moisture in the timber is diffused while suppressing a moisture evaporation from a timber surface layer by circulating the hot air of a temperature range of a boiling point corresponding to its vacuum area to a temperature lower by about 15°C lower than the point.例文帳に追加

割れの発生しやすい材や大断面材は、乾燥初期においては、その真空域に対応する沸点ないしこれより１５℃程度低い温度範囲の熱風を循環させることにより、材表層からの水分蒸発を抑制しつつ材内部の水分の拡散を図る。 - 特許庁

As for the sealing lead wire 2, to the end face of the sealing material 3 made of tungsten or molybdenum, the external lead wire 5 in which a coating layer 5c made of metal is coated on the surface of a core wire is connected, and at least a part of the external lead wire 5 is mutually diffused in its connection interface.例文帳に追加

封着用リード線２は、タングステンまたはモリブデンからなる封着材３の端面に、芯線の表面に金からなる被覆層５ｃが被覆された外部リード線５が接続し、その接続界面において外部リード線５の少なくとも一部が相互に拡散していることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing composite materials, by which occurrence of defective joining is suppressed when members for joining are joined via a diffused joining layer and an increase in the rate of occurrence of defective products in pressing process thereafter and deterioration in durability of pressed products are prevented.例文帳に追加

拡散接合層を介して接合用部材を接合させる際に接合不良が生じるのを抑制して、その後のプレス加工工程において不良品の発生率が上昇したり、プレス加工品の耐久性が低下したりするのを防止できる複合材の製造方法を提供する。 - 特許庁

Two kinds of p-type impurities of boron having higher solid solubility with respect to silicon, and indium having lower solid solubility with respect to silicon, are diffused into a body region 10 while the ratio of concentration of indium in a site near the source diffusion layer 12a of the body region 10 is specified so as to be higher than that in the other sites.例文帳に追加

シリコンに対する固溶限度のより高いボロンとより低いインジウムとの２つのＰ型不純物をボディ領域１０に拡散するとともに、そのボディ領域１０のソース拡散層１２ａ近傍の部位におけるインジウムの濃度比を該ボディ領域１０の他の部位に比して高くする。 - 特許庁

A recess, having a trapezoidal plan shape, is provided on a gate 105a for forming an area which is likely to concentrate the electric field on a p-type base region 106a, a cut part of an n+-type source diffused layer 112a, is provided near the recess to suppress the increase of the diffusion resistance at this part.例文帳に追加

ゲート電極１０５ａに平面形状で台形上の凹部を設けてＰ型ベース領域１０６ａに電界集中の生じ易い個所を形成し、この凹部近傍にＮ^+ 型ソース拡散層１１２ａの分断部を設けてこの部分での拡散抵抗の上昇を抑制する。 - 特許庁

The diffusion of Fe atoms in the base plate into the brazing filler metal which is melted during a brazing process is suppressed by the Fe-atom-diffusion-suppressing layer, and a proper amounts of Ni and Cr are diffused into the brazing filler metal part, thus the excellent corrosion resistance and the oxidization resistance are given to the brazing filler metal part.例文帳に追加

前記Ｆｅ原子拡散抑制層により、ろう接の際に基板中のＦｅ原子が溶融したろう材部に拡散することが抑制され、また適量のＮｉ、Ｃｒをろう材部に拡散させることができ、ろう材部に優れた耐食性、耐酸化性を付与することができる。 - 特許庁

Exposure beam (parallel rays) emitted from an exposing device 14 are passed through and diffused by the respective convex lenses 15a of an exposure beam diffusing sheet 15, then passed through the respective entrance lenses 22 disposed in the incident light side of a film base material 21 to expose a resist layer formed on the surface of a film base material 21 where the light outgoes.例文帳に追加

露光装置14から出射された露光光線（平行光）を露光光線拡散用シート15の各凸状レンズ15aを通して拡散させた後、フィルム基材21の入光側に設けられた各入光レンズ22を介してフィルム基材21の出光側の表面に形成されたレジスト層を露光する。 - 特許庁

In addition, a potential switch circuit 10 that can make the P well 9 in a floating state at erasure is provided and a potential switch circuit 11 that makes the potential of the N well 8 the same as a source diffused layer 7 to draw electrons by means of a Fowler-Nordheim tunnel current is provided.例文帳に追加

また、消去時にＰウエル９をフローティング状態にすることが可能な電位切り替え回路１０を設けるとともに、消去時にＮウエル８の電位を電子をファウラ−ノードハイム電流によって引き抜くソース拡散層７と同じにする電位切り替え回路１１を設ける。 - 特許庁

Hence, in the internal region of the laser resonator, a void atom which is one of crystal defects and is generated above and near the semiconductor interface including the oxygen atoms is captured on the semiconductor interface including oxygen atoms, thereby preventing the void atom from being diffused to the active layer.例文帳に追加

これにより、レーザ共振器の内部領域では、酸素原子を含む半導体界面の上方および近傍に生成された、結晶欠陥の一つである空孔原子が、酸素原子を含む半導体界面にて捕獲され、上記空孔原子が活性層へ拡散することが抑制される。 - 特許庁

A first additive such as yttrium is diffused in the surface layer of the composition powder such as barium titanate, then a second additive such as barium, magnesium, manganese and silicon effective to control the temperature characteristics is added to obtain the dielectric ceramic powder.例文帳に追加

チタン酸バリウム等の基本組成物からなる基本組成物粉末の表面層に、イットリウム等の第１の添加成分をまず拡散させ、その後、温度特性の調整に効果のあるバリウム、マグネシウム、マンガンおよびケイ素等の第２の添加成分を加えて、誘電体セラミック原料粉末を得る。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy powder brazing material which not only has excellent brazing properties but also can obtain a uniform Zn-diffused layer by brazing and to provide a material for brazing, a method for brazing using the powder brazing material and a method for manufacturing a heat exchanger.例文帳に追加

ろう付性に優れるのはもとより、ろう付により均一なＺｎ拡散層を得ることができるアルミニウム合金粉末ろう材及びろう付用材料を提供し、さらには該粉末ろう材を用いたろう付方法及び熱交換器の製造方法を提供する。 - 特許庁

The top surface of the upper electrode 33 and the sides of the upper electrode 33, a capacitor insulating film 32, and a buried insulating film 16 are made of aluminum oxide of about 5 to 100 nm in film thickness, and covered with a 2nd insulating barrier layer 17 which prevents hydrogen from being diffused.例文帳に追加

また、上部電極３３の上面並びに該上部電極３３、容量絶縁膜３２及び埋込み絶縁膜１６の各側面は、膜厚が５ｎｍ〜１００ｎｍ程度の酸化アルミニウムからなり、水素の拡散を防ぐ第２の絶縁性バリア層１７により覆われている。 - 特許庁

In such a constitution, the aspect ratio of the first insulating film 22 is reduced to make feasible formation of a sufficiently diffused layer on the sidewall part of a trench for setting a source line SL so that a continuos N+type source region 19 may be formed.例文帳に追加

こうして、第一の埋め込み素子分離絶縁膜２２のアスペクト比を下げ、トレンチ溝の側壁部分に対しても十分に拡散層を形成できるようにすることで、ソース線ＳＬとなる、連続したＮ^+ 型ソース領域１９の形成を可能とする構成となっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device together with its manufacturing method, wherein a bump electrode whose formation is easy with high reliability is realized by comprising a mutually diffused layer between a main metal (for example, gold) which constitutes a bump electrode and copper which constitutes a copper electrode, for a semiconductor device comprising a copper electrode.例文帳に追加

銅電極を有する半導体装置において、バンプ電極を構成する主金属（例えば金）と銅電極を構成する銅との相互拡散層を有することにより、形成が容易で信頼性の高いバンプ電極を実現する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A metal oxide semiconductor layer 4 is formed between a pair of electrodes 2, 3 provided on a substrate 1, and a conductive fine particle group 9 is mixed in the metal oxide semiconductor layer 4 in the diffused state wherein at least one fine gap g is formed between the electrodes 2, 3 without generating continuous contact over the whole area between the electrodes 2, 3.例文帳に追加

基板１上に設けた一対の電極２，３間に金属酸化物半導体層４を形成し、この金属酸化物半導体層４中に、導電性微細粒子群９を一対の電極２，３間の全域に亘り連続コンタクトしないで、電極２，３間に少なくとも一つの微小ギャップｇが形成されるような拡散状態に混在させてある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which segregation of impurity in an offset impurity diffusion layer at LOCOS oxidation is suppressed and good element isolation is made with a LOCOS oxide film and the offset impurity diffused layer, so that superior and stable properties of the semiconductor device formed in an element region is obtained.例文帳に追加

本発明は、ＬＯＣＯＳ酸化時におけるオフセット不純物拡散層の不純物の偏析を抑制して、ＬＯＣＯＳ酸化膜及びオフセット不純物拡散層によって良好な素子分離を行い、素子領域に形成する半導体装置の特性を良好かつ安定したものにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor device, having an implanted structure, prevents impurity atoms from bouncing out of P-type diffused layers 4 and 5 as implanted layers with an N-type thin film layer 8 as an reverse conductivity type or prevents forming the inverted layer at the channel part, by canceling the bounced out P-type impurity atoms by the N-type atoms as the reverse conductivity type.例文帳に追加

埋め込み構造を有する半導体装置において、埋め込み層であるＰ型拡散層４及び５からの不純物原子の飛び出しを反対導電型であるＮ型の薄膜層８により防止し、あるいは飛び出したＰ型の不純物原子を反対導電型であるＮ型の原子で相殺することによって、チャンネル部の反転層の形成を防止する。 - 特許庁

An anode and a cathode consisting of gas diffused electrodes having a catalyst layer including fluorine-containing ion-exchange resin with a sulfonic acid group and catalyst, and a solid polymer electrolyte film arranged between the anode and the cathode are provided, of which, the fluorine- containing ion-exchange resin included in the catalyst layer of the cathode has a specific surface area of 3 m2/g or more.例文帳に追加

スルホン酸基を有する含フッ素イオン交換樹脂と触媒とを含有する触媒層を有するガス拡散電極からなるアノード及びカソードと、該アノードと該カソードとの間に配置される固体高分子電解質膜とを備え、前記カソードの触媒層に含有される前記含フッ素イオン交換樹脂は、比表面積が３ｍ^2／ｇ以上である固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

This cooling block is fabricated by joining a first aluminum base material and a second aluminum base material in a heating environment containing oxygen with zinc between the base materials, while a concave for forming a coolant channel is machined on either or both of the base materials so that a diffusion bonding layer with zinc diffused in aluminum and an anti-corrosion layer made of zinc oxidized films can be formed simultaneously.例文帳に追加

各々アルミニウムからなり、少なくともそれらの一方に冷却液の流路形成用の凹部が加工されている第１の母材及び第２の母材を、両者の間に亜鉛を介在させた状態で酸素を含む加熱雰囲気下で接合することにより、亜鉛がアルミニウム中に拡散された拡散接合層と亜鉛酸化膜からなる防食層とが同時に形成されることにより冷却ブロックを形成する。 - 特許庁

The resistive element is formed by stacking a first plate made of Cu-Ni-based alloy and a second plate made of Ni-Cr-based alloy, and has a diffusion layer 11c, in which the metal materials thereof are diffused, formed between the first plate 11a and second plate 11b, and the diffusion layer occupies 10% or more of the overall thickness of the resistive element.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｎｉ系合金からなる第１の板材と、Ｎｉ−Ｃｒ系合金からなる第２の板材とを積層することにより形成される抵抗体であって、第１の板材１１ａと第２の板材１１ｂとの間に、それぞれの金属材料が拡散した拡散層１１ｃが形成されており、前記拡散層は、前記抵抗体の全体厚みに占める割合が１０％以上である。 - 特許庁

In the carpet, while an aromatic sealing an aroma component in a micro-capsule is carried in a fixing layer of the carpet, deodorant having deodorizing performance against an odor component other than the aroma diffused by the aromatic is imparted to pile and/or the fixing layer, so that the offensive odor is removed and a healing space can be created in the room by a faint aroma from the aromatic.例文帳に追加

カ−ペットの目止め層に、香り成分をマイクロカプセル内に封入した芳香剤を担持させる一方、パイル糸及び／または目止め層に芳香剤から放散する香り以外の臭い成分に対して消臭性能のある消臭剤を付与することによって、悪臭を除去し、芳香剤からのほのかな香りによって空内に癒しの空間を創造することができるカ−ペットが得られた。 - 特許庁

The capacity lower electrode 109 is connected directly to an impurity diffused layer 105 of a first field-effect type transistor by a first contact plug 107 formed on the first protection insulating film 106, and the capacity upper electrode 111 is connected directly to the impurity layer 105 of a second field-effect type transistor by a second contact plug 108 formed on the first protection insulating film 106.例文帳に追加

容量下部電極１０９と第１の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第１のコンタクトプラグ１０７により直接に接続され、容量上部電極１１１と第２の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第２のコンタクトプラグ１０８により直接に接続されている。 - 特許庁

The diffused layer can be formed in a high throughput while the advantages of easily controlling the distribution of the impurity of a method for injecting a high energy are utilized by continuously injecting an acceleration energy in an ion implanting step while the acceleration energy is changed steplessly or in multiple steps.例文帳に追加

本発明は上記目的を達成するために、イオン注入工程で加速エネルギーを無段階あるいは多段階で変化させながら連続注入を行うことにより、高エネルギー注入による方法の不純物の分布を制御しやすいという利点を活かしつつ、ハイスループットに拡散層を形成することが可能になる。 - 特許庁

To provide a sealing member carrying out sealing in high efficiency in high bonding accuracy, with time needed for a sealing process contracted, and carrying out sealing in high accuracy without letting an adhesive layer diffused toward a leader wire side.例文帳に追加

パネル作製用基板上に一つ又は複数の自発光部を形成して、自発光部を封止基板にて封止する場合に、高い貼り合せ精度にて効率よく封止を行うこと、封止工程に要する時間を短縮すること、引出配線側に接着層が拡散することなく高精度に封止を行うこと、等。 - 特許庁

The method further comprises thereafter the steps of heat treating the films 4, 3 in an oxygen-containing atmosphere, and forming a second electrode film 8 on an oxide diffused layer 6 formed on a surface of the film 3, by diffusing the film 3 component and oxidizing the film 4 by heat treating.例文帳に追加

その後、無機保護膜４と強誘電体薄膜３とを酸素含有雰囲気下で熱処理し、熱処理により強誘電体薄膜３成分の拡散と無機保護膜４の酸化により強誘電体薄膜３表面に形成された酸化拡散層６上に第２の電極膜８を形成する方法からなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a crystallized silicon layer into which no metal atom is diffused to enter and whose crystallization orientation and particle size can be controlled, to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the method, to provide a method of manufacturing an electrooptical device, and to provide the semiconductor device, the electrooptical device and a projection type display device.例文帳に追加

金属原子が内部に拡散、侵入せず、かつ、結晶化方位や粒径を制御することのできる結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a metal coating Si substrate which prevents Au of an Au layer formed on an Si substrate from being diffused into the Si substrate even when a high-temperature heat treatment is carried out in an element manufacturing process, and to provide a junction type light-emitting element using the metal coating Si substrate and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子製造過程において高温の熱処理を施した場合であっても、Ｓｉ基板上に形成されたＡｕ層のＡｕがＳｉ基板に拡散することのない金属被膜Ｓｉ基板、ならびに、この金属被膜Si基板を用いた接合型発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Or, an insulating thin film which transmits light of ≤2,000 nm in wavelength by ≥95% and contains elements given the same or different conductivity with the semiconductor substrate is provided on the photodetection surface side of the semiconductor substrate and the elements are diffused to form a diffusion layer on the top surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

あるいは、半導体基板の受光面側に波長２０００ｎｍ以下の光を９５％以上透過させ、かつ、半導体基板と同一の又は異なる導電性を付与する元素を含む絶縁性薄膜を設け、この元素の拡散により半導体基板の表面に拡散層を形成する。 - 特許庁

Further, it includes a stage for re-enforcing a diffused bonding coat on the substrate so as to re-enforce to the same thickness as the thickness enforced prior to operation of the engine; and a stage for re-enforcing the upper layer ceramic heat insulation film to the nominal thickness + Δt so as to compensate the part of the base metal substrate removed by Δt.例文帳に追加

また、エンジン作動の前に施工されていたのとほぼ同じ厚さまで再施工されるように、拡散ボンディングコートを基体に再施工する段階と、Δｔが除去したベース金属基体の部分を補償するように上層セラミック断熱皮膜を公称厚さｔ＋Δｔまで再施工する段階とを含む。 - 特許庁

The multilayered light diffusion plate (A) is laminated and integrated by co-extrusion molding with transparent layers (C) composed of transparent thermoplastic resins (C1), such as methyl methacrylate resins which are the same as each other on both surfaces of a light diffusion layer (B) diffused with a light diffusing agent (B2) in a thermoplastic resin (B1), such as a methyl methacrylate resin.例文帳に追加

本発明の多層光拡散板(A)は、メタクリル酸メチル樹脂などの熱可塑性樹脂(B1)中に光拡散剤(B2)が分散された光拡散層(B)の両面に、互いに同じメタクリル酸メチル樹脂などの透明熱可塑性樹脂(C1)からなる透明層(C)が共押出成形により積層一体化されている。 - 特許庁

By performing a heat treatment in an atmosphere containing oxygen, impurity atoms are selectively diffused from the ZnO film 8 to a region including an active region 4, thereby the bandgap of the active layer 4 is selectively expanded while keeping crystallinity, and an optical non-absorptive window region 14 is formed in a resonator end face part.例文帳に追加

そして、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行うことにより、ＺｎＯ膜８から活性層４を含む領域に不純物原子を選択的に拡散させることにより、結晶性を保ったまま活性層４のバンドギャップを選択的に拡大し、共振器端面部に光学的非吸収窓領域１４を形成する。 - 特許庁

To provide a solar cell having a dielectric reflector with high reflectivity, having both characteristics of small layer thickness and of the diffusion lobe of an inversely-diffused radioactive beam by the absorber as widely as possible compared with conventional techniques, and therefore having a superior light-trapping characteristic and high efficiency.例文帳に追加

高い反射性を有する誘電性反射体を有するソーラーセルであって、従来技術と比較して、小さい層厚を有することと、吸収体に逆散乱される放射線の散乱ローブをできる限り広く有することの両方を有し、従って良好な光トラッピング特性と高い効率とを有するソーラーセルを提供する。 - 特許庁

Metal atoms different from Sn, such as Ni atoms, are diffused at the Sn crystal grain boundaries of the Sn plating layers disposed on the outermost layer of the external electrodes of the electronic parts, by which the generation of the whiskers in the Sn plating layers is suppressed even under the environment under which the high-temperature state and a low-temperature state are repeated.例文帳に追加

電子部品の外部電極の最外層に設けられたＳｎめっき層のＳｎ結晶粒界にＮｉ原子等のＳｎと異なる金属原子を拡散することで、高温状態と低温状態が繰り返される環境下においてもＳｎめっき層にウィスカが発生するのを抑制する。 - 特許庁

The manufacturing method of a solar battery cell includes: a process in which the aqueous phosphoric acid solution is jetted against the surface of a semiconductor substrate; and a process in which the semiconductor substrate on which the aqueous phosphoric acid solution is jetted is heated so that n-type impurities are diffused in the semiconductor substrate to form an n-type impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の表面にリン酸水溶液を噴霧する工程と、リン酸水溶液が噴霧された半導体基板を加熱することにより半導体基板にｎ型不純物を拡散させてｎ型不純物拡散層を形成する工程とを含む太陽電池セルの製造方法である。 - 特許庁

The diffusing layer is provided with a diffusing path 40 which keeps the inner wall 37a of diffused pores 37 overlaid with a primary coating film 38 and a liquid-repellent film 39, wherein a long chain polymer group 39b having fluorine atom as a liquid-repellent group 39a is imparted to the liquid-repellent film 39 to provide it with a liquid-repellent property.例文帳に追加

そして、その拡散層は、拡散細孔３７の内壁３７ａに下地膜３８と撥液膜３９とを積層した拡散流路４０を備え、さらにその撥液膜３９に撥液基３９ａとしてフッ素原子を有する長鎖高分子基３９ｂを付与して撥液性を備えるようにした。 - 特許庁

In the polymer porous film for semiconductor wafer dicing, a viscous layer, having the peeling strength of ≤50 gf, is provided on the porous film having the porosity of 10 to 50% and gas permeability of 0.1 to 100 sec by drying and burning a diffusion medium after a slurry, with which particulates are diffused in the diffusion medium, is continuously applied onto a carrier.例文帳に追加

分散媒に微粒子を分散させたスラリーをキャリア上に連続的に塗布した後、分散媒の乾燥、焼結を行い気孔率が１０〜５０％で、通気度が０．１〜１００秒である多孔質フィルムに、剥離力が５０ｇｆ以下となる粘着層を設けた半導体ウエハダイシング用高分子多孔質膜。 - 特許庁

This electronic component with outer metal terminals is characterized in that the terminal electrodes 12 of a ceramic capacitor element 1 are electrically connected through a solder layer 5 to the outer metal terminals 3 and the conductive content in the terminal electrode 12 diffuses into the solder layers 4, 5 and forms a diffused layer 5 μm thick or thicker when the terminal electrodes 12 are connected to the outer metal terminals 3.例文帳に追加

本発明は、外部金属端子付き電子部品において、セラミックコンデンサ素子１の端部電極１２と、外部金属端子３とをはんだ層５を介して電気的に接合し、かつ、セラミックコンデンサ素子１の端部電極１２と外部金属端子３とを接合する際に、端部電極１２の導電成分がはんだ層４、５に拡散してはんだ接合部分に５μｍ以上の厚さの拡散層が形成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

This semiconductor device wherein the diffusion region of an impurity is formed comprises a silicon substrate, a silicon oxide film formed on the silicon substrate except a part on the diffusion region of the impurity, a polysilicon layer formed on the silicon substrate without the silicon oxide film and on the silicon oxide film, and an impurity film formed on the polysilicon layer and containing the impurity diffused in the diffusion region by heat treatment.例文帳に追加

不純物の拡散領域が形成される半導体素子において、シリコン基板と、このシリコン基板の不純物の拡散領域の上の部分以外に形成されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜が形成されていないシリコン基板上及び前記シリコン酸化膜上に形成されたポリシリコン層と、このポリシリコン層上に形成され熱処理により前記拡散領域に拡散させる前記不純物を含有する前記不純物膜とを備える。 - 特許庁

Of a plurality of diffused layer regions 2 and 3 formed within a semiconductor device 10, the region 2 has impurity concentration higher than that of the other region 3, and the sectional area of a first contact wiring layer 4 for connection to the region 2 having the higher impurity concentration is arranged to be larger than that of a second contact wiring layer 5.例文帳に追加

半導体装置内に形成された複数の拡散層領域２、３の内の少なくとも一部の拡散層領域２に於ける不純物濃度が、その他の部分に於ける拡散層領域３に於ける不純物濃度よりも高くなる様に構成されており、且つ当該不純物濃度の高い拡散層領域２に接続される第１のコンタクト配線４の断面積が、当該不純物濃度の低い拡散層領域３に接続される第２のコンタクト配線５の断面積よりも大きくなる様に構成されている半導体装置１０。 - 特許庁

The transmittance for light can be improved by forming a light-diffusing layer in the same pattern as a part or whole part of the area except for openings, for example, a common electrode, pixel electrodes, scanning signal lines, video signal lines and semiconductor switching elements so that the light emitting from the back light is diffused to enter the panel.例文帳に追加

開口部以外の部分、例えば前記共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチ素子の一部あるいは全部と同一パターンで光拡散層を設けることによって、バックライトから出射された光を拡散させパネル内部に入射させることにより光透過率を向上することができる。 - 特許庁

To provide an electrode wire for high-speed machining for preventing short circuit between the electrode wire and an object to be machined, and not only increasing machining speed but also suppressing loss in machining precision and generation of fine lines and metal powder on the machined surface, by preventing granular matter of a copper-zinc diffused alloy layer formed on the outer peripheral surface of the electrode wire from peeling from a core wire.例文帳に追加

電極線外周面に形成した銅-亜鉛拡散合金層の粒状物を芯線から剥離し難くすることによって、電極線と加工対象物間での短絡を防止して、加工速度の向上だけでなく、加工精度の低下、加工面の微細スジ・金属粉の発生を抑えた高速加工用電極線を提供する。 - 特許庁

The via contact 18 is not formed on an area within at least twice or less of the disposing pitch of a diffused layer region from the short side of the first connecting wiring 12 at the end of the first connecting wiring 12 opposed to the end of the lead wiring 16 to the second connecting wiring 13 via an element region 11.例文帳に追加

そして、引出し配線１６が第２の接続配線１３に接続されている端部と素子領域１１を挟んで対向する第１の接続配線１２の端部において、第１の接続配線１２の短辺から拡散層領域の配置ピッチの少なくとも２倍以内の領域にはビアコンタクト１８が形成されていない構成とする。 - 特許庁

The gas sensor element 1 includes an oxygen-ion inductive solid-state electrolyte body 13, the measurement target gas side electrode 14 and a reference gas side electrode 15 respectively installed on one surface and the other surface of the solid-state electrolyte body 13, and a diffused resistor layer 12 for penetrating the formed measurement target gas between the measurement target gas side electrode 14 and the outside of the element.例文帳に追加

酸素イオン伝導性の固体電解質体１３と、固体電解質体１３の一方の面と他方の面とにそれぞれ設けた被測定ガス側電極１４及び基準ガス側電極１５と、被測定ガス側電極１４と素子外部との間に形成され被測定ガスを透過させる拡散抵抗層１２とを有するガスセンサ素子１。 - 特許庁

The material for the solid polymer type fuel cell has 7% or more of composition ratio of the noble metal such as Au to the metal base material on the surface of the metal base material such as austenitic stainless steel, and has a diffused layer of the noble metal continuing from the surface of the metal base material to the inner part, and the hardness of the metal base material is HV300 or less etc.例文帳に追加

オーステナイト系ステンレス鋼等の金属ベース材の表面のＡｕ等の貴金属の占める金属ベース材対比組成が７％以上であり、かつ金属ベース材の表面から内部へ続く貴金属の拡散層を有し、かつ金属ベース材の硬さがＨＶ３００以下等である固体高分子形燃料電池用素材。 - 特許庁