「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To separately control diffusion depth and diffusion concentration of each diffusion layer when a diffusion material is diffused (doped) on a substrate by laser light, and to improve manufacturing efficiency.例文帳に追加

レーザ光によって拡散材料を基板に拡散（ドーピング）させる際に、各拡散層の拡散深さおよび拡散濃度を個別に制御するとともに、製造効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a metal diffused layer, which improves corrosion resistance of a substrate formed of a metal material by an optimum processing condition in a shot peening, and to provide a metal material.例文帳に追加

ショットピーニングにおける最適な処理条件によって金属材からなる基材の耐腐食性を向上させることができる金属拡散層製造方法及び金属材を提供する。 - 特許庁

The rear surface of a transparent substrate is irradiated with a laser after forming a source/drain region, and impurity ions in a semiconductor layer are diffused to lower direction of the gate electrode to form the GOLD structure.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域形成後に透明基板裏面からレーザを照射して半導体層中の不純物イオンをゲート電極下方向へ拡散させてGOLD構造を形成する。 - 特許庁

Since the trench sinker 16 and diffused layer sinker 17 occupy a small area and a resistance value thereof is small, an effective area can be reduced even at the same ON resistance.例文帳に追加

トレンチシンカー１６と拡散層シンカー１７の占有率は狭く、かつこれらの抵抗値は低いので、同じオン抵抗であるための実行面積は従来に比べて減少することができる。 - 特許庁

To suppress occurrence of leakage current at the end of a gate electrode, and suppress the drop in the dose of impurities implanted in a substrate, in ion implantation at formation of a source/drain diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極端部のリーク電流の発生を抑制し、かつ、ソース／ドレイン拡散層形成時のイオン注入において、基板に注入される不純物のドーズ量の低下を抑制する。 - 特許庁

After eliminating the oxide films, a semiconductor layer of which wafer surfaces are diffused in a high concentration is eliminated through etching (6), and a semiconductor device having stable wafers is obtained by further drive diffusion.例文帳に追加

酸化膜を除去後，ウェハ表面の非常に高濃度に拡散された半導体層をエッチングにより除去し，さらにドライブ拡散して安定したウェハの半導体装置を得る。 - 特許庁

A plurality of bit lines 8 are arranged selectively within an interlayer insulating film 9, and the bit line 8 concerned is connected to a specified impurity diffused layer 2 via the contact plug 7.例文帳に追加

層間絶縁膜９内には複数のビット線８が選択的に配設され、当該ビット線８はコンタクトプラグ７を介して所定の不純物拡散層２に接続されている。 - 特許庁

The light beam incident into the opal layer is diffused by component microscopic particles to allow irradiation of illumination light with a better light distribution characteristic outside expanding to a wider angle side.例文帳に追加

オパール層に入射された光線はその構成微小粒子によって拡散されるため、広角側に広がった良好な配光特性の照明光が外部に照射される。 - 特許庁

Since addition of sodium fluoride to the mixed powder activates silicide formation, the diffused layer having a thickness of ≥100 μm can be formed, even at a low temperature of ≤1,000°C.例文帳に追加

また混合粉末中にフッ化ナトリウムを加えるとケイ化物の形成が活発化するため、１０００℃以下の低温でも１００μｍ以上の厚い拡散層が形成される。 - 特許庁

For the BiPT 210, the drain region is made a collector region, and the well 11 is made a base region, and an n-type impurity diffused layer isolated from the drain region is made an emitter region 60.例文帳に追加

ＢｉＰＴ２１０はドレイン領域をコレクタ領域とし、ウェル１１をベース領域とし、ドレイン領域と分離されるＮ型不純物拡散層をエミッタ領域６０とする。 - 特許庁

The finishing component for the second layer is a composition comprising a finishing material and a powder both whose regular reflection and diffused reflection are controlled in an amount of 1 to 100 wt.% based on the finishing material.例文帳に追加

第二層用下地料：第二層用仕上げ料：正反射及び拡散反射の双方が抑制されている粉末を、仕上げ料に対して1〜100重量％含有する組成物。 - 特許庁

The gate 205 and the source 211 are covered with a dielectric layer 213 of intermediate height, and the source 211, the main body region 210, and the P-type diffused region 212 are connected together with a source metal 215.例文帳に追加

中間の高さの誘電体層２１３でゲート２０５及びソース２１１を覆い、更にソース金属２１５でソース２１１、本体領域２１０及びＰ拡散領域２１２を接続する。 - 特許庁

Since the fuel penetrating the upper bracket 3 is diffused in the atmospheric layer 12 and does not penetrate into the case 5, it is possible to prevent intrusion of fuel into the case 5.例文帳に追加

従って、アッパーブラケット３を浸透してきた燃料は、大気層１２に拡散してケース５に浸透することないため、燃料がケース５内に浸入することが防止されている。 - 特許庁

At the time of firing, the low temperature fired ceramic material is diffused from the thick film resistor 14 to the electrode conductor 13, and an intermediate layer of low temperature fired ceramic material is formed between them.例文帳に追加

焼成時に厚膜抵抗体１４から電極導体１３に低温焼成セラミック材料が拡散し、両者間に低温焼成セラミック材料の中間層が形成される。 - 特許庁

Then, from the boundary 4 between the core material 1 and the brazing filler metal 2 toward the center of the sheet thickness of the core material, a Zn diffused layer 5 is present at a thickness of ≥15% of the sheet thickness of the core material.例文帳に追加

そして、芯材１とろう材２との界面４から芯材板厚中心に向けて、Ｚｎ拡散層５が芯材板厚の１５％以上の厚さで存在している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a structure so as to compensate the film thickness of a facet section, without causing a surplus epitaxial film to grow on a diffused layer, and its manufacture.例文帳に追加

拡散層上に余分なエピ膜を成長させることなしに、ファセット部分の膜厚を補償する構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The interlayer dielectric being exposed by removing the barrier film is formed of such a material as the conductive material forming the interlayer connecting line or an interconnect layer is not diffused easily.例文帳に追加

本発明によれば、バリア膜を除去することにより露出する層間絶縁膜を、層間接続線又は配線層を形成する導電材料が拡散し難い材料により形成する。 - 特許庁

The side of the lower electrode 31 is formed of aluminum oxide of about 5 to 100 nm in film thickness, and covered with a 1st insulating barrier layer 15 that prevents oxygen and hydrogen from being diffused.例文帳に追加

下部電極３１の側面は、膜厚が５ｎｍ〜１００ｎｍ程度の酸化アルミニウムからなり、酸素及び水素の拡散を防ぐ第１の絶縁性バリア層１５により覆われている。 - 特許庁

The air bubbles for the air bubble supply apparatus 6 is diffused at the time of being passed through the packing material layer 7 and uniformly supplied to the tubular filtration membranes in the tubular filtration membrane module 4.例文帳に追加

空気泡供給装置６からの空気泡は、充填物層７を通過する際に分散され、管状ろ過膜モジュール４内の管状ろ過膜に対して均等に供給され得る。 - 特許庁

Next, these parts are assembled and put in a vacuum furnace, and the phosphorus-containing nickel alloy is diffused from the surface to the inside of the parts to form a nickel-enriched layer 4 on the surfaces thereof.例文帳に追加

次いで、それら部品を組み立てて真空炉に入れ、そのリン含有ニッケル合金を各部品の表面から内部に拡散させ、その表面にニッケル富裕化層４を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having a high heat resistant silicide film on gate electrodes and a silicide film, providing a satisfactory junction leakage characteristic on a diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極上には耐熱性の高いシリサイド膜を、拡散層上には良好な接合リーク特性が得られるシリサイド膜を有する半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

Deep impurity diffused layer parts 34, 35, isolated from the ends of gate electrodes 29 at source and drain regions, are formed first, then sidewall spacers formed in a laminate structure on the sidewalls of the gate electrodes 29 are partly removed, and shallow impurity diffused layers 36, 37 adjacent the gate electrodes 29 are later formed to allow the diffused layers 36, 37 to be heat treated at low temp.例文帳に追加

ソース、ドレイン領域のゲート電極２９の端部から離隔した深い不純物拡散層部分３４、３５を先に形成し、その後ゲート電極２９の側壁に形成した積層構造のサイドウォールスペーサ３２の一部を除去し、ゲート電極２９に隣接する浅い不純物拡散層３６、３７を後から形成することにより、不純物拡散層３６、３７の低温での熱処理を可能とする。 - 特許庁

Since a number of transparent silicon particles 13 are dispersedly arranged on the liquid crystal layer 16 side surface of a transparent insulation substrate 12 with a nearly uniform density, without mutually overlapping and forming a single layer, the light radiated to the respective transparent silicon particles 13 is diffused with diffraction phenomena and the diffused light passes through the polarizing plate 4 from the transparent insulation substrate 12.例文帳に追加

このとき、透明絶縁基板１２の液晶層１６側の面には多数の透明シリコン粒子１３がほぼ均一な密度で互いに重なり合うこと無く１層に分散配置されているため、各透明シリコン粒子１３に照射された光は回折現象によって拡散され、その拡散された光が透明絶縁基板１２から偏光板４を透過する。 - 特許庁

A stress relaxing layer 12 is formed between the substrate 11 and the multilayer film 15 of the multilayer film mirror, the stress relaxing layer 12 comprising a material into which another element that can be diffused by substitutional diffusion and that has a different atomic radius is included.例文帳に追加

そして、このような多層膜ミラーの基板１１と多層膜１５との間に、元素の一部に置換型拡散可能で且つ原子半径が異なる他元素を含有させた材料で構成された応力緩和層１２が設けられた構成とする。 - 特許庁

To provide a metallic surface nitriding method which accelerates formation of a nitrogen diffused layer and which thereby facilitates formation of a surface hardened layer reaching the depth, in metal nitridation using electron beam excitation plasma and its device.例文帳に追加

電子ビーム励起プラズマを用いた金属窒化処理において、窒素拡散層の生成をさらに加速し深いところまで達する表面硬化層を容易に形成するようにした金属材料の表面窒化処理方法とそれを実施する装置を提供する。 - 特許庁

Thus, an acceptor-containing semiconductor layer which contains an acceptor element and having the same composition with the donor-contained semiconductor layer is formed in part of the donor-containing semiconductor containing a donor element and having the same composition to prevent the donor element from being diffused.例文帳に追加

このように、ドナー元素を含む同一組成のドナー含有半導体層の一部に、アクセプタ元素を含み前記ドナー含有半導体層と同一組成のアクセプタ含有半導体層を形成することで、ドナー元素の拡散を防止できる。 - 特許庁

A light-emitting device with high light-emission intensity is constructed by providing a lattice-matched light-emitting region and a current diffusion layer on a Si substrate via a buffer layer containing phosphorus or arsenic, so that a device driving current is diffused over a wide range of the light-emitting region.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にリンまたは砒素を含む緩衝層を介して、格子整合する発光部と電流拡散層とを設け、素子駆動電流を発光部の広範囲に拡散できる様にして高発光強度の発光素子を構成する。 - 特許庁

To prevent lowering of reliability due to high-temperature storage of a phase change optical recording medium and to suppress the phenomenon (self-erasure) that a recording mark is partly erased by the heat diffused in the intra-surface direction of a recording layer when irradiating the recording layer with a laser beam for recording.例文帳に追加

相変化型光記録媒体において、高温保存による信頼性低下を防ぎ、かつ、記録用レーザービーム照射の際に記録層の面内方向に拡散する熱によって記録マークの一部が消去される現象（セルフイレーズ）を抑える。 - 特許庁

As the heat that is generated at the local spot of the target layer 12 by the irradiation of the electron of a minute area (focal point) is also diffused by the thermal diffusion layer 11 and there is no heat remaining in a part of the base plate 10, and so rapid cooling is possible.例文帳に追加

微少面積（焦点）の電子の照射によってターゲット層１２の局所に発生した熱も熱拡散層１１で拡散されることにより基台１０の一部に滞留することがなくなり、迅速な冷却が可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for controlling manufacturing processes, in which junction damage does not happen even if a needle of a measuring terminal contacts an electrode in the case where the thickness of a silicide layer and the depth of a diffused layer are small, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

シリサイド層の膜厚や拡散層の深さが小さくなる場合に、電極上に測定端子となる針が接触しても接合破壊が発生することがない製造プロセスを管理する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress an influence of an auto-doping from a semiconductor wafer by stepwise decreasing an impurity volume diffused from the semiconductor wafer into an epitaxial layer within a trench to stepwise changing a resistivity of the epitaxial layer within the trench.例文帳に追加

半導体ウェーハからトレンチ内部のエピタキシャル層に拡散される不純物量を階段状に少なくすることにより、トレンチ内部のエピタキシャル層の抵抗率を階段状に変化させ、半導体ウェーハからのオートドープの影響を抑制する。 - 特許庁

A dummy resistance for adjustment with the direction <100> as a longitudinal direction is connected in series to an impurity diffused resistor diffusion layer in parallel with the longitudinal direction of the rotating shaft in an impurity diffusion layer constituting the built-in bridge circuit of the strain sensor chip.例文帳に追加

ひずみセンサチップの内蔵ブリッジ回路を構成する不純物拡散層のうち、回転軸の長手方向と平行となる不純物拡散抵抗拡散層に＜100＞方向を長手方向とする調整用のダミー抵抗を直列に接続する。 - 特許庁

To provide a method by which a copper atom included in a base material can be effectively prevented from being diffused in a surface layer, in a material used for an LED lighting unit or the like, the material comprising the base material made of copper or a copper alloy and having the surface layer of a silver coating or the like formed thereon.例文帳に追加

LED照明ユニット等の銅又は銅合金を基材として銀皮膜等の表面層が形成された材料において、基材に含まれる銅原子が表面層に拡散することを効果的に防止できる方法を提供する。 - 特許庁

Because of this, an alkaline component in the glass is not diffused in the inside of the ITO film 14 and an organic EL element 11 formed in the non-alkaline glass substrate 12 ( inside of a positive hole transport layer 16 and a light emitting layer 17), and their characteristics are not affected.例文帳に追加

このため、ガラス中のアルカリ成分が、無アルカリガラス基板１２に形成されるＩＴＯ膜１４や有機ＥＬ素子１１の中（正孔輸送層１６や発光層１７の中）へと拡散して、それらの特性に影響を及ぼすことがない。 - 特許庁

Since this translocation loop defective layer 19 suppresses the dose loss of impurity atoms which form the p-type extension high concentration diffused layer 16, the drop of the driving force of a transistor is suppressed, and a MIS-type transistor with a short gate can be achieved.例文帳に追加

この転位ループ欠陥層１９により、Ｐ型エクステンション高濃度拡散層１６を形成する不純物原子のドーズロスが抑制されるため、トランジスタの駆動力の低下が抑制され且つ短ゲート長のＭＩＳ型トランジスタを実現できる。 - 特許庁

Related to the method for evaluating an SOI wafer 1 where an SOI layer 14 is provided on a substrate 10, an element different from that which mainly constitutes the substrate 10 and the SOI layer 14 is diffused in the SOI layer 14 or the substrate, so that the crystal lattice of the SOI layer 14 is different from that of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０と当該基板１０の上にＳＯＩ層１４が設けられたＳＯＩウェーハ１を評価する評価方法において、基板１０及びＳＯＩ層１４を構成する主たる元素とは異なる元素をＳＯＩ層１４或いは基板に拡散することにより、ＳＯＩ層１４の結晶格子と基板１０の結晶格子とを異ならしめる。 - 特許庁

The fuel electrode for the fuel cell (2) is equipped with an anode catalyst layer (50) for promoting protonation of hydrogen, a gas diffusion layer (21) in which fuel gas is diffused, and a plurality of water electrolysis catalyst layers (51, 52) containing water electrolysis catalyst, wherein the plurality of water electrolysis catalyst layers are laminated between the anode catalyst layer and the gas diffusion layer.例文帳に追加

燃料電池用燃料極（２）は、水素のプロトン化を促進するためのアノード触媒層（５０）と、燃料ガスが拡散するためのガス拡散層（２１）と、水電解触媒を含有する複数の水電解触媒層（５１，５２）とを備え、複数の水電解触媒層は、アノード触媒層とガス拡散層との間に積層されていることを特徴とする。 - 特許庁

The cell transistor formation step is provided with a gate electrode formation step for forming a gate electrode 8, a source wiring layer formation step for forming the source wiring layer at a cell transistor part, and a peripheral transistor part and a source wiring formation step for patterning the source wiring layer and connecting the source wiring 12 to a source diffused layer 10.例文帳に追加

セルトランジスタ形成ステップは、ゲート電極８を形成するためのゲート電極形成ステップと、ソース配線用層をセルトランジスタ部と周辺トランジスタ部に形成するためのソース配線用層形成ステップと、ソース配線用層をパターニングしてソース配線１２をソース拡散層１０に接続するためのソース配線形成ステップとを備える。 - 特許庁

A mixture of resin such as styrene uniformly diffused with a pigment such as calcium carbonate with particle size of 5-10 μm and diffused with glass beads with particle size of 50-300 μm is applied on a substrate 11 of a conveying guide plate 10 to application mass of 50-300 g/m2 by a spray method and dried for forming an uneven applied layer 12.例文帳に追加

搬送ガイド板１０の基体１１に、スチレン等の樹脂に炭酸カルシウム等の粒径５〜１０μｍのピグメントを均一分散し、粒子径５０〜３００μｍを持つガラスビーズ等を分散したものをスプレー法等で、付着量５０〜３００ｇ／ｍ^2に塗布し、乾燥させて凹凸塗布層１２を得る。 - 特許庁

To enable relative comparison of the states of depletion layers of a diffused region, at each different sample structure for each observation of a semiconductor sample by making a voltage condition which is actually applied to a region of the surface of the sample constant, when observing the state of the depletion layer of the diffused region of the sample using an SCM.例文帳に追加

半導体試料の拡散領域の空乏層の状態をSCM により観察する際、試料表面部の拡散領域に実際に印加される電圧条件を一定化し、試料の観察毎、異なる試料構造毎の拡散領域の空乏層の状態を相対的に比較することを可能にする。 - 特許庁

The first and second memory element include respectively insulating layers 20 and 120, floating gates 22 and 122, third impurity diffused regions 15 and 25, and a common intermediate insulating layer 26, and a common control gate 28 connected to the first and second impurity diffused layers in common.例文帳に追加

第１および第２記憶素子１００はそれぞれ、ゲート絶縁層２０，１２０、フローティングゲート２２，１２２、選択酸化絶縁層２４，１２４、および第３不純物拡散層１５，２５を含み、かつ、共通の中間絶縁層２６、共通のコントロールゲート２８を有し、共通の第１および第２不純物拡散層１６，１４に接続されている。 - 特許庁

By turning a substrate material to a structure for which an organic layer 3 such as a prepreg sheet and a metal layer 4 for heat radiation such as aluminum or rolled copper are laminated, workability and operability are improved, heat conductivity is improved by the metal layer 4 for the heat radiation, and the heat is efficiently diffused to the outside.例文帳に追加

基板材料をプリプレーグシートなどの有機層３とアルミニウムや圧延銅などの放熱用金属層４とを積層した構造とすることにより、加工性や作業性を向上させると共に放熱用金属層４によって熱伝導性を高めて熱を効率的に外部に放散できるようにする。 - 特許庁

The photoelectric conversion device includes the semiconductor substrate 1 with a main surface, the electrode layer 4 arranged on the main surface 1a, and a porous layer 10 provided at a part of the main surface 1a, and the diffusion layer 3 with dopant diffused is formed near the main surface 1a of the semiconductor substrates 1.例文帳に追加

光電変換素子は、主表面を有する半導体基板１と、上記主表面１ａに配置された電極層４と、主表面１ａの一部に設けられた多孔質層１０とを備え、半導体基板１のうち主表面１ａの近傍には不純物が拡散された拡散層３が形成されている。 - 特許庁

An insulating film composed of the silicon oxide film 111 and the silicon nitride film 112 is used as a mask, and an epitaxial layer 115 having doped boron is formed in a portion where the trench 114 is formed by a selective epitaxial growth, and simultaneously, boron is diffused through the epitaxial layer 115 to obtain a boron diffusion layer 116.例文帳に追加

シリコン酸化膜１１１およびシリコン窒化膜１１２からなる絶縁膜をマスクにして、選択エピタキシャル成長により、トレンチ１１４を形成した部分に、ボロンをドープしたエピタキシャル層１１５を形成すると同時に、エピタキシャル層１１５を通じてボロンを拡散させてボロン拡散層１１６を得る。 - 特許庁

The guard ring 108 includes an annular impurity diffused layer 110 provided on the surface of the semiconductor substrate, and annular conductors (112, 114, 136 and 138) connected to the guard ring 108 and extended across a plurality of wiring layers, up to a layer having a level of height not lower than the layer having the inductor 120 provided therein.例文帳に追加

ガードリング１０８は、半導体基板表面に設けられた環状の不純物拡散層１１０と、ガードリング１０８に接続し、複数の配線層にわたって延在するとともにインダクタ１２０が設けられた層以上の層まで延在する環状の導電体（１１２、１１４、１３６、および１３８）とを含む。 - 特許庁