「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A piled-up silicon compound layer 12i provided on a P-type source/drain diffused layer 12g of a P-channel MOSFET 12 is formed, in such a way that the boundary between the layers 12i and 12g becomes nearly flat and is nearly flush with the boundary between an N-type well area 12b and a gate insulating film 12c.例文帳に追加

たとえば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２のＰ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇ上に設けられる、Ｃｏシリサイド膜からなる積み上げ構造のシリコン化合物層１２ｉを、Ｐ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇとの界面が、略平坦で、かつ、Ｎ型ウェル領域１２ｂとゲート絶縁膜１２ｃとの界面と略同じ高さとなるようにする。 - 特許庁

An insulating film 15 is formed on the photoelectric converter 21; and a silicide layer 16 is formed in an area excluding on the boundary between the insulating film 15 and the element isolation area 14, and between the floating diffused layer 22 and at least the element isolation area 14; as well as in an area including on a source area, a drain area, and a gate electrode of the MOS transistor.例文帳に追加

光電変換部２１の上には、絶縁膜１５が形成され、絶縁膜１５及び素子分離領域１４並びに浮遊拡散層２２の少なくとも素子分離領域１４との境界部分の上を除き且つＭＯＳトランジスタのソース領域、ドレイン領域及びゲート電極の上を含む領域にはシリサイド層１６が形成されている。 - 特許庁

When the voltage applied across electrodes 11 and 10 becomes higher and a depletion layer reaches a second N-type embedded diffused layer 3, punch- through occurs, and the voltage and current characteristics between the electrodes 10 and 11 become a clamping characteristic such as the reverse breakdown characteristic of a P-N junction diode, and the diode is energized and protects an element to be protected.例文帳に追加

電極１１、１０間の印加電圧が大きくなり、空乏層が第２のＮ型埋め込み拡散層３に到達するとパンチスルーを起こし、電極１０、１１間の電圧電流特性は、ＰＮ接合ダイオードの逆方向降伏特性のようなクランプ特性になり、このダイオードが導通して被保護素子を保護することができる。 - 特許庁

A hydrogen gas passing through the gas diffusion speed-controlling layer 2 and reaching the first electrode 3 is dissociated into protons by the catalysis operation of Pt contained in the electrode and voltage being applied to the first electrode 3, passes through the proton conduction layer 5, is pumped out to the second electrode 4, becomes a hydrogen gas again, and is diffused to the gas atmosphere to be measured.例文帳に追加

ガス拡散律速層２を通り第１の電極３に到達した水素ガスは電極に含有されるＰｔの触媒作用と第１の電極３への印加電圧によりプロトンに解離されてプロトン伝導層５を通り第２の電極４へ汲み出され、再び水素ガスとなって被測定ガス雰囲気に拡散していく。 - 特許庁

Therefore, the light from the light source 15 is diffused and reflected within the light diffusion layer 16 prepared circularly and is derived along the periphery of the watch glass 2 and then the derived light is emitted circularly from the upper and lower surface of watch glass 2 at the place corresponding to both an inner periphery edge of the light diffusion layer 16 and an inner periphery edge of the bezel 7.例文帳に追加

従って、光源１５からの光がサークル状に設けられた光拡散層１６によって拡散反射されて時計ガラス２の周囲に沿って導かれ、この導かれた光が光拡散層１６の内周端とベゼル７の内周端とに対応する位置における時計ガラス２の上下面からサークル状に放出される。 - 特許庁

A protective insulating film 14 is deposited on a field effect transistor provided on a semiconductor substrate 10, and a contact plug 15 whose lower end is connected to the impurity diffused layer 13 is formed in the protective insulating film 14.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成された電界効果型トランジスタの上には保護絶縁膜１４が堆積されており、該保護絶縁膜１４中には、下端部が電界効果型トランジスタの不純物拡散層１３と接続するコンタクトプラグ１５が形成されている。 - 特許庁

A third passivation film 45 is provided beneath an EL element 203 made up of a pixel electrode (positive electrode) 46, an EL layer 47, and a negative electrode 48, and prevents an alkaline metal in the EL element 203 formed by an ink-jet mode from being diffused toward a TFT(thin-film transistor).例文帳に追加

画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、インクジェット方式で形成されたＥＬ素子２０３中のアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散するのを防ぐ。 - 特許庁

The method for forming an impurity diffusion layer includes a pattern formation step, whereby a pattern is formed by printing the diffusion agent composition onto a semiconductor substrate, and a diffusion step, whereby the impurity diffusion component (A) in the diffusion agent composition is diffused onto the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、不純物拡散層の形成方法は、半導体基板に、上述の拡散剤組成物を印刷してパターンを形成するパターン形成工程と、拡散剤組成物の不純物拡散成分（Ａ）を半導体基板に拡散させる拡散工程と、を含む。 - 特許庁

The adhesive layer 14 contains, for example, terpene that is a fragrance component diffused from forest trees, and the fragrance collected in the spaces is released by grasping and twisting the circumference of the desk mat 11 laid on the desk top surface 10.例文帳に追加

接着層１４には、例えば、森林樹木が発散する匂い成分たるテルペンが含有されており、机上面１０上に敷設されたデスクマット１１の外周を掴んで捲り操作することで、前記空間内に溜まった匂いが放出されるようになっている。 - 特許庁

A heat conducting film 8 made of material with high heat diffusivity is provided in an inner-layer resin film 4 formed on an upper face of a semiconductor chip 1, so the heat generated on the semiconductor chip 1 can be diffused effectively in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体チップ１上面に形成された内層樹脂膜４の内部に熱拡散率の高い材料でなる熱伝導膜８を設けたことにより、半導体チップ１上で発生した熱を半導体装置内に効果的に拡散することができる。 - 特許庁

To solve the following problems with a conventional surface treatment method for an iron alloy material: the diffused amount of diffusing elements serving as a diffusing agent is not sufficient and also a treatment agent has a short life, and therefore a treatment bath may change with time to cause a variation in forming a hardened layer.例文帳に追加

拡散剤である拡散元素の拡散量が十分でなく、かつ処理剤の寿命も短く、処理浴が経時変化して硬化層形成にバラツキを生じる等の従来の鉄合金材料の表面処理方法における問題点を解決すること。 - 特許庁

The main surface side of a single crystal silicon substrate 10 is flattened by spin coatingn an SOG film on the main surfaee side, and the clearance formed on a silicon nitride film on a diffused resistor wiring 15 is buried by the SOG film to flatten a metallic layer for bonding 17, whereby the generation of clearance with respect to an upper stopper is prevented.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、単結晶シリコン基板１０の主表面側を、ＳＯＧ膜５を回転塗布することにより平坦化する。 - 特許庁

To provide a semi-transmissive reflection film suitable for liquid crystal display obtaining excellent visibility both in the case of transmitted light and reflected light by adjusting a diffused light component and having the excellent surface outside appearance of a semi-transmissive reflection layer in a good yield.例文帳に追加

拡散光成分が調整されることで、透過光および反射光いずれも良好な視認性が得られ、かつ優れた半透過反射層の表面外観性を有する、液晶表示用に好適な半透過反射フィルムを歩留まりよく提供する。 - 特許庁

Since spacing between the guard ring portions 27_1 and 27_4 is short only the width of face in the portion in which the diffused layers 52_1 to 52_3 has been arranged, the depletion layer reaches the guard ring portions 27_2 to 27_4 located outside at a low voltage as compared with a conventional technology.例文帳に追加

中継拡散層５２_１〜５２_３が配置された部分では、その幅の分だけ、ガードリング部２７_１〜２７_４の間の間隔が短くなっているので、従来技術のものより、低い電圧で、外側に位置するガードリング部２７_２〜２７_４に空乏層が達する。 - 特許庁

In addition, a metal silicide film 119 is formed over the whole surface, and a plurality of contact holes 121 reaching the source drain diffused layer and gate electrode of the MOS transistor are formed in the silicide film 119 and insulating films 117, 113, and 113.例文帳に追加

更に、全面に金属シリサイド膜１１９を形成し、金属シリサイド膜１１９並びに絶縁膜１１７、１１３及び１１２にＭＯＳトランジスタのソース−ドレイン拡散層及びゲート電極の夫々まで達する複数のコンタクト孔１２１を形成する。 - 特許庁

In this case, conditions of the film formation of the metal film or the like are changed, and a diffusion layer in which metal or a metal compound included in the metal film or the metal compound film is diffused to the insulating film is formed between the metal film or the metal compound, and the insulating film.例文帳に追加

この際、金属膜等の成膜の条件を変化させて、金属膜又は金属化合物膜と、絶縁膜との間に、金属膜又は金属化合物膜に含まれる金属又は金属化合物を、絶縁膜に拡散させた拡散層を形成する。 - 特許庁

Since when the material of the positive injecting layer 15 and the material of luminescent layers 17R, 17G, 17B are applied and left as they are, the two liquid materials are diffused and entangled each other, first diffusion areas 16R, 16G, 16B, the inclined composition areas, can be formed.例文帳に追加

正孔注入層１５の材料と発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの材料とを塗布し、放置すると、２液の材料が拡散し絡み合うので、傾斜組成領域である第１の拡散領域１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成することができる。 - 特許庁

In the MOS transistor Tn1, a semiconductor substrate 1 is formed with an N-type 1st well 2; the 1st well 2 is formed with a P-type 2nd well 3; and the 2nd well 3 is formed with an N-type diffused layer 4 for a drain area and a source area.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＴｎ１において、半導体基板１にＮ型の第１ウェル２が形成され、該第１ウェル２にＰ型の第２ウェル３が形成され、該第２ウェル３にはドレイン領域及びソース領域となるＮ型拡散層４が形成されている。 - 特許庁

Since the cast steel has a very high vibration damping capability in comparison with the cast iron, the vibration caused by collision of the steel plate to the surface of the roller barrel is propagated/diffused to the inner layer 12 of the cast iron, and the noise is reduced through the internal damping action.例文帳に追加

鋳鉄は、鋳鋼に比し著しく高い振動減衰能を有するの、ローラー胴部の表面に対する鋼板の衝突接触により生じる振動は、鋳鉄内層（１_2 ) に伝播拡散し内部減衰作用により、騒音の発生が低減緩和される。 - 特許庁

To provide a horizontal diffusion furnace capable of, without being complicated, manufacturing a diffused wafer having high in-plane uniformity of the depth of a diffusion layer across a wafer surface including a center portion and an outer peripheral portion, and a method for heat-treating a semiconductor wafer using the same.例文帳に追加

横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy extrusion tube composed of an alloy having extrusion property at the time of forming even in the case the thickness of an extruding material with a hollow shape is thin, also having sufficient material strength and further having excellent local corrosion resistance in a low concentration zinc-diffused layer.例文帳に追加

中空形状をなす押出材の肉厚が薄い場合でも成形時の押出性に優れ、かつ、十分な材料強度を有すると共に、低濃度亜鉛拡散層の耐局部腐食性に優れた合金からなるアルミニウム合金押出チューブを提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst by which a gas stream is effectively disturbed, hence the thickening of a boundary layer generated on the wall face of a passage in the long passage is prevented, and a reactive component in the main gas stream is smoothly diffused to the wall face.例文帳に追加

ガス流れを効果的に撹乱し、これによって長い流路において流路壁面上で発生する境界層が厚みを増すのを防止し、もってガス主流中の反応成分の流路壁面への拡散を支障なく行うことができる触媒を提供する。 - 特許庁

The cholesteric liquid crystal structure of the polarized light selecting reflecting layer 11 includes a plurality of spiral structure areas, in which the directions of screw axes L are respectively different and reflected light 33 is diffused by the structural irregularities of the cholesteric liquid crystal structure.例文帳に追加

偏光選択反射層１１のコレステリック液晶構造は、螺旋軸Ｌの方向が異なる複数の螺旋構造領域を含んでおり、このようなコレステリック液晶構造の構造的な不均一性により反射光３３を拡散させるようになっている。 - 特許庁

An electrooptical device is provided with a third passivation film 45 below an EL element 203 consisting of a pixel electrode (an anode) 46, an EL layer 47, and a cathode 48 to prevent an alkaline metal in the EL element 203 formed by the ink jet system from being diffused to a TFT (Thin Film Transistor) side.例文帳に追加

画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、インクジェット方式で形成されたＥＬ素子２０３中のアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散するのを防ぐ。 - 特許庁

The cholesteric liquid crystal structure of the layer 11 includes a plurality of helical structure areas having different helical axis directions, and by the structural nonuniformity of the cholesteric liquid crystal structure, the selectively reflected light (reflected light 33) is diffused.例文帳に追加

偏光選択反射層１１のコレステリック液晶構造は、螺旋軸の方向が異なる複数の螺旋構造領域を含み、このようなコレステリック液晶構造の構造的な不均一性により、選択的に反射される光（反射光３３）を拡散させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a gate insulating film consisting of a high dielectric material and a gate electrode consisting of a metal can be formed on a semiconductor substrate without lengthening any distance from a source-drain diffused layer to the gate electrode.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層からゲート電極までの距離を長くすることなく、半導体基板上に高誘電体材料から成るゲート絶縁膜および金属から成るゲート電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing the sheet resistance of a silicidated source/drain diffused layer and its dispersion, and further reducing a junction leakage current at performing silicidation using a nickel film or a nickel alloy film, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ニッケル膜又はニッケル合金膜を用いてシリサイド化を行う場合において、シリサイド化されたソース／ドレイン拡散層のシート抵抗及びそのばらつきを低減するとともに、接合リーク電流を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

According to the thus composed substrate for growing carbon nanotubes, the catalyst metal layer 103 on the silicon oxide film 102 is diffused and disappears at a stage for raising the substrate temperature in the growing of carbon nanotubes by a well known catalyst metal method.例文帳に追加

このように構成されたカーボンナノチューブ成長用基板によれば、よく知られた触媒金属法によるカーボンナノチューブの成長において、基板温度を上昇させる段階で、シリコン酸化膜１０２の上の触媒金属層１０３は、拡散して消滅する。 - 特許庁

After van SiO2 film containing N-type impurity P is formed on the surface of a P-type silicon substrate 14, the P-type silicon substrate 14 is heated so that the P in the SiO2 film is diffused in the surface layer of the P-type silicon substrate 14 without generating PN junction.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板14の表面に、Ｎ型不純物Ｐを含んだＳｉＯ_２膜を形成した後、Ｐ型シリコン基板14を加熱して、上記ＳｉＯ_２膜中のＰを、ＰＮ接合を生成することなく、Ｐ型シリコン基板14の表面層中に拡散させる。 - 特許庁

Thereby current poured from an electrode of the emission surface side is diffused efficiently, and luminous efficiency is improved, without deteriorating crystal quality of the whole pn junction by film-thickening/heavily doping the whole second upper clad layer 6.例文帳に追加

これにより、第２上クラッド層６全体を厚膜化・高濃度化することによるｐｎ接合全体の結晶品質の低下を伴うことなく、発光面側の電極から注入された電流を効率よく拡散し、発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

Two kinds of p-type impurities of boron having higher solid solubility with respect to silicon, and indium having lower solid solubility with respect to silicon, are diffused into a body region 10 while the ratio of concentration of indium in a site near the source diffusion layer 12a of the body region 10 is specified so as to be higher than that in the other sites.例文帳に追加

シリコンに対する固溶限度のより高いボロンとより低いインジウムとの２つのＰ型不純物をボディ領域１０に拡散するとともに、そのボディ領域１０のソース拡散層１２ａ近傍の部位におけるインジウムの濃度比を該ボディ領域１０の他の部位に比して高くする。 - 特許庁

A recess, having a trapezoidal plan shape, is provided on a gate 105a for forming an area which is likely to concentrate the electric field on a p-type base region 106a, a cut part of an n+-type source diffused layer 112a, is provided near the recess to suppress the increase of the diffusion resistance at this part.例文帳に追加

ゲート電極１０５ａに平面形状で台形上の凹部を設けてＰ型ベース領域１０６ａに電界集中の生じ易い個所を形成し、この凹部近傍にＮ^+ 型ソース拡散層１１２ａの分断部を設けてこの部分での拡散抵抗の上昇を抑制する。 - 特許庁

When the recording layer 18 is irradiated with a laser beam of a blue wavelength, the main component metals contained in the first and second subrecording layers 18A, 18B are diffused by irradiation to be mixed and, by this mixing, a recording mark of an irreversibly changed reflectance is formed.例文帳に追加

青色の波長のレーザ光を記録層１８に対して照射すると、第１及び第２副記録層１８Ａ、１８Ｂに含まれる主成分金属が照射により拡散して混合され、この混合によって反射率が不可逆的に変化した記録マークが形成される。 - 特許庁

To realize a fuel cell system with high-efficiency power generation performance stably obtained through dissolution of a gas blending condition formed by air remaining in a fuel gas diffusion layer and hydrogen diffused from a fuel gas flow channel, and through restraint of corrosion of a platinum-supported carbon carrier.例文帳に追加

燃料ガス拡散層内に残存している空気と燃料ガス流路から拡散してきた水素により形成されるガス混合状態を解消し、白金担持カーボン担体の腐食を抑制して安定して高効率な発電性能が得られる燃料電池システムを実現する。 - 特許庁

A first trench 13 is made vertically from the surface side of an n-type semiconductor layer 1 to serve as a collector region, and p-type impurities are diffused laterally (around the first trench 13) from the first trench 13, whereby a p-type base region 2 is made laterally.例文帳に追加

コレクタ領域とするｎ形半導体層１の表面側から縦方向に形成される第１の溝１３が形成され、その第１の溝１３からｐ形不純物が横方向に（第１の溝１３の周囲に）拡散されることによりｐ形ベース領域２が横方向に形成されている。 - 特許庁

An organic film is formed on a negative type resist pattern using the resist pattern scaledown material comprising a resin, a base generating agent and a solvent and a base component is diffused from the organic film into the resist pattern by heat treatment or irradiation with light to form a solubilized layer on the surface of the resist pattern.例文帳に追加

ネガ型レジストパターン上に、樹脂と、塩基発生剤と、溶媒とからなるレジストパターン微細化材料を用い有機膜を形成し、熱処理又は光照射処理により、有機膜からレジストパターン中に塩基成分を拡散させ、レジストパタン表面に可溶化層を形成させる。 - 特許庁

To prevent a variation in the threshold voltage of a p-channel MIS transistor by preventing p-type impurities in a p-type silicon layer employed in a gate electrode from being diffused into an underlying semiconductor substrate through a gate insulation film when a high dielectric film is employed as the gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜として高誘電体膜を用いた場合に、ゲート電極に用いられるｐ型シリコン層中のｐ型不純物がゲート絶縁膜を通過して下地の半導体基体に拡散するのを防止し、ｐチャネルＭＩＳトランジスタのしきい値電圧の変動を防止する。 - 特許庁

A single-crystal silicon wafer is put into a thermal diffusion furnace, heated at 900-1,150°C in a mixed atmosphere of boron tribromide, nitrogen and oxygen of a p-type impurity, the boron is thermally diffused on the front surface of the wafer from the mixed atmosphere, and a boron diffusion layer is formed (boron deposition step).例文帳に追加

単結晶シリコンウェハを熱拡散炉に入れ、Ｐ形不純物である三臭化ボロンと窒素と酸素の混合雰囲気中にて９００〜１１５０℃で加熱し、その混合雰囲気からウェハ表面にボロンを熱拡散させてボロン拡散層を形成する（ボロンデポジション工程）。 - 特許庁

The dielectric layer 11a contains a large number of the dielectric grains G1 having a non-core shell structure using a dielectric as a chief material, and each dielectric grain G1 is formed in a shape surrounded by a plurality of diffusion-phase grains G2 having the non-core shell structure in which one kind or more of metallic elements are diffused to the dielectric.例文帳に追加

誘電体層１１ａは、誘電体を主成分とする非コアシェル構造の多数の誘電体グレインＧ１を含み、各誘電体グレインＧ１は、誘電体に１種以上の金属元素が拡散した非コアシェル構造の複数の拡散相グレインＧ２によって囲まれた形態にある。 - 特許庁

To provide an electroluminescent display device to suppress a phenomenon that water and oxygen or the like formed from a constituting member of an electroluminescent element is diffused to an organic compound layer and deteriorates electroluminescent element characteristics, and to prevent light-emission failure due to short-circuit between electrodes.例文帳に追加

電界発光素子の構成部材から生じた水分や酸素等が、発光層を含む有機化合物層に拡散して電界発光素子特性を劣化させる現象を抑制すると共に、電極間の短絡による発光不良を防ぐ電界発光表示装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that when an external electrode mutually connecting internal electrodes of a multilayer ceramic electronic component is formed by direct plating on the end surface of a laminate, a plating component is diffused large toward the internal electrodes during a heat treatment to flow in and then Kirkendall voids are formed in a plated layer.例文帳に追加

積層セラミック電子部品の内部電極を互いに接続する外部電極を、積層体の端面上に直接めっきを施すことによって形成した場合、熱処理時にめっき成分が内部電極側へ大きく拡散流入し、めっき層にカーケンダルボイドが発生する。 - 特許庁

After copper atoms composing the copper layer 14 are diffused into the aluminium film 11 by annealing the silicon substrate 10, the other region of the aluminium film 11 except for the wiring formation region is removed and wiring composed of the residual aluminium film 11 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１０に対してアニールを行なって、銅層１４を構成する銅原子をアルミニウム膜１１の内部に拡散させた後、アルミニウム膜１１における配線形成領域以外の他の領域を除去して、残存するアルミニウム膜１１からなる配線を形成する。 - 特許庁

The diffusion of Fe atoms in the base plate into the brazing filler metal which is melted during a brazing process is suppressed by the Fe-atom-diffusion-suppressing layer, and a proper amounts of Ni and Cr are diffused into the brazing filler metal part, thus the excellent corrosion resistance and the oxidization resistance are given to the brazing filler metal part.例文帳に追加

前記Ｆｅ原子拡散抑制層により、ろう接の際に基板中のＦｅ原子が溶融したろう材部に拡散することが抑制され、また適量のＮｉ、Ｃｒをろう材部に拡散させることができ、ろう材部に優れた耐食性、耐酸化性を付与することができる。 - 特許庁

Exposure beam (parallel rays) emitted from an exposing device 14 are passed through and diffused by the respective convex lenses 15a of an exposure beam diffusing sheet 15, then passed through the respective entrance lenses 22 disposed in the incident light side of a film base material 21 to expose a resist layer formed on the surface of a film base material 21 where the light outgoes.例文帳に追加

露光装置14から出射された露光光線（平行光）を露光光線拡散用シート15の各凸状レンズ15aを通して拡散させた後、フィルム基材21の入光側に設けられた各入光レンズ22を介してフィルム基材21の出光側の表面に形成されたレジスト層を露光する。 - 特許庁

In addition, a potential switch circuit 10 that can make the P well 9 in a floating state at erasure is provided and a potential switch circuit 11 that makes the potential of the N well 8 the same as a source diffused layer 7 to draw electrons by means of a Fowler-Nordheim tunnel current is provided.例文帳に追加

また、消去時にＰウエル９をフローティング状態にすることが可能な電位切り替え回路１０を設けるとともに、消去時にＮウエル８の電位を電子をファウラ−ノードハイム電流によって引き抜くソース拡散層７と同じにする電位切り替え回路１１を設ける。 - 特許庁