「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A method of manufacturing the semiconductor device has (a) a process of forming the impurity diffused layers 5, 8 on the surface of the silicon substrate 1, and (b) a process of forming a metal film 9 consisting of nickel on a second impurity diffused layer 8 in the impurity diffused layers.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）シリコン基板１表面に不純物拡散層５，８を形成する工程と、（ｂ）不純物拡散層のうち第２の不純物拡散層８上に、ニッケルからなる金属膜９を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The steel member comprises a galvanized layer, and a zinc diffused phase is present on the steel member side of the boundary between the steel member as a base material and the plated layer.例文帳に追加

本発明は、亜鉛系めっき層を有する鋼材であって、基材である鋼材とめっき層界面の鋼材側に亜鉛拡散相が存在することを特徴とする。 - 特許庁

Furthermore, the method has (d) a process of reacting the silicon of the second impurity diffused layer 8 with nickel, by annealing to form the silicide layer 11, after the process (c).例文帳に追加

そして、（ｄ）工程（ｃ）の後に、熱処理により第２の不純物拡散層８のシリコンと、ニッケルとを反応させてシリサイド層１１を形成する工程を備える。 - 特許庁

A buried insulation layer 70 is formed at the lower end part of the impurity diffused layer 18, the first channel region 20a and the first n+ type floating emitter region 22a.例文帳に追加

不純物拡散層１８、第１のチャネル領域２０ａおよび第１のｎ^+型フローティングエミッタ領域２２ａの下端部には、埋込み絶縁層７０が形成されている。 - 特許庁

The source region and the drain region have silicide layers 36 on their surfaces, and this semiconductor device has a protective layer 52 on the surface of the n-type impurity diffused layer 54 of the Zener diode 220.例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域はその表面にシリサイド層３６を有し、ツェナダイオード２２０のＮ型不純物拡散層５４の表面には保護層５２を有している。 - 特許庁

Thus, Cu to be diffused from the Cu wiring 24 can be captured by the coating layer 31, and Cu in the coating layer 31 can be prevented from diffusing.例文帳に追加

これにより、Ｃｕ配線２４から拡散しようとするＣｕを被覆層３１で捕獲することができ、被覆層３１中におけるＣｕの拡散を防止することができる。 - 特許庁

After the substrate 44 is removed, a p-type impurity is ion-injected to form the collector layer on the rear surface of the substrate 42, and diffused by heat treatment to form the collector layer.例文帳に追加

支持基板４２を取り除いた後、ウェハ裏面に、コレクタ層を形成するためのｐ型不純物のイオン注入をし、熱処理により拡散させてコレクタ層を形成する。 - 特許庁

The fuel gas side electrode 202 is composed of an electrode catalyst layer 206 and a gas diffused layer 208 formed of carbon paper, which are integrally formed beforehand.例文帳に追加

燃料ガス側電極２０２は、電極触媒層２０６とカーボンペーパーからなるガス拡散層２０８とから構成されており、両者は予め一体的に形成される。 - 特許庁

Therefore, the narrow impurity diffused layer 56 decided by the etching working limit of the gate electrode material layer 54 can be formed with high controllability without being affected by bird's beak.例文帳に追加

従って、バーズビークの影響を受けることがなく、ゲート電極材料層のエッチング加工限界によって決まる狭い不純物拡散層を制御性良く形成できる。 - 特許庁

Then, the film 31 formed on the surfaces of the layer 13S and a drain diffused layer 13D is not grown since the film 31 is coated with the film 32.例文帳に追加

このとき、ソース拡散層１３Ｓ及びドレイン拡散層１３Ｄの表面に形成されているシリコン酸化膜３１は、シリコン窒化膜３２に覆われているため、成長しない。 - 特許庁

After that, the impurities are diffused to the poly-Si layer 34b inside the cavity from the poly-Si layer 34a outside the cavity by second heat treatment.例文帳に追加

その後、第２の熱処理により、空洞部外側のｐｏｌｙ−Ｓｉ層３４ａから空洞部内側のｐｏｌｙ−Ｓｉ層３４ｂへ不純物を拡散させる。 - 特許庁

Then, Pd is diffused through a Ti layer in the surface area of the semiconductor substrate 12 by heat treatment so that a first metallic layer 19 made of Pd silicide can be formed.例文帳に追加

次いで、熱処理により、Ｔｉ層を介して半導体基板１２の表面領域にＰｄを拡散させ、Ｐｄシリサイドからなる第１金属層１９を形成する。 - 特許庁

The distribution of carbon C and boron B within the base layer is controlled so that the concentration of the B is higher than the concentration of the C in the side bordering the emitter layer, and upon the formation of the emitter layer, both the B and C are diffused into a portion of the emitter layer bordering the base layer.例文帳に追加

ベース層中におけるＣとＢの分布を、エミッタ層に接する側においてＢ濃度がＣ濃度よりも大きくなるように制御し、エミッタ層を形成する際に、ＢとＣを共に、エミッタ層のうち、ベース層に接する部分に拡散させる。 - 特許庁

The light-emitting device 5 has a structure having a light reflecting layer 32, a light transmitting layer 51, an anode electrode 33, a luminescent layer 34 and a cathode layer 35 laminated in this order on a base 31, and is mounted to the back surface of the liquid crystal display panel 2 by a diffused adhesive layer 36.例文帳に追加

発光素子５は、基板３１の上に、光反射層３２，光伝搬層５１，アノード電極３３，発光層３４，カソード電極３５をこの順に積層した構造を有し、拡散粘着層３６により液晶表示パネル２の裏面に取り付けられる。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory apparatus that is highly reliable, and wherein a diffused layer and a contact of a select transistor are electrically and appropriately connected and the surface of the diffused layer of a memory cell transistor are protected from etching; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

選択トランジスタの拡散層とコンタクトとが電気的に良好に接続され、かつ、メモリセルトランジスタの拡散層の表面がエッチングから保護された、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a variance of sheet resistance in an impurity diffused layer can be suppressed when the impurity diffused layer is formed in a semiconductor substrate through the vapor-phase diffusion of impurities in a diffusion furnace.例文帳に追加

拡散炉において不純物を気相拡散させることにより半導体基板に不純物拡散層を形成した半導体装置の製造方法において、不純物拡散層のシート抵抗のばらつきを抑制可能とした製造方法を提供する。 - 特許庁

An N+ diffused layer 15, an N well 14, and a deep N-well 15 are formed in a position deeper than a shallow trench isolation region as an emitter diffused layer so that the discharge current of a bipolar transistor of a static protective element flows mainly vertically to the substrate surface.例文帳に追加

静電保護素子のバイポーラトランジスタの放電電流が主に基板表面に対して縦方向となるように、シャロートレンチ分離体１６よりも深い位置に、エミッタ拡散層として、Ｎ^+拡散層１５、Ｎウエル１４及び深いＮウエル１１を形成する。 - 特許庁

After n-type diffused layers 5a and 5b are formed on the surface of a p-type semiconductor substrate 1, polysilicon layers 10a and 10b are sequentially formed on the n-type diffused layers 5a and 5b, providing a gettering site layer.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１の表面にｎ型拡散層５ａ及び５ｂを形成した後、ｎ型拡散層５ａ及び５ｂの上にポリシリコン層１０ａとポリシリコン層１０ｂとを順次形成して、ゲッタリングサイト層とする。 - 特許庁

The hollow body internally comprises a diffusion/scatter layer 15, light emitted from the light source is diffused in all directions within the hollow body, and a part of the diffused light passes through the light exit opening and leaves the hollow body.例文帳に追加

中空体は、その内部に拡散散乱層１５があり、光源から発せられる光は、中空体の内部で全方向に拡散され、この拡散光の一部は、光出口開口部を通して中空体を出る。 - 特許庁

Contact apertures are formed in such a way as to set astride the surfaces of the capacitor nodes of the trench capacitors corresponding to each other from the surface of the other diffused layer of the source and drain diffused layers to form self-aligned embedded contact layers 52 in the gate electrodes.例文帳に追加

ソース、ドレイン拡散層の他方の表面から対応するトレンチキャパシタのキャパシタノード表面にまたがるようにコンタクト開口を形成して、ゲート電極に自己整合された埋め込みコンタクト層５２を形成する - 特許庁

A resistor is formed of an n+ type impurity diffused region, and another n+ type impurity diffused region is formed below an adjacent pad and a wiring layer, thereby reducing the respective distances.例文帳に追加

抵抗をｎ＋型不純物拡散領域で形成し、隣接するパッドおよび配線層の下にもｎ＋型不純物拡散領域を形成することにより、それぞれの間隔を４μｍまで低減することができる。 - 特許庁

Moreover, although a buried gate electrode structure is used to ensure a withstand voltage in the unit FET, a buried portion is structured not to be diffused to an InGaP layer, thus preventing Pt from being diffused abnormally.例文帳に追加

また単位ＦＥＴでは耐圧を確保するため埋め込みゲート電極構造を採用するが、埋め込み部をＩｎＧａＰ層に拡散させない構造とすることによりＰｔの異常拡散を防止できる。 - 特許庁

The water discolorable laminate includes the porous layer having a pigment of a low refraction index diffused in a binder resin fixed on a support, and having different transparency in the liquid absorbing state and liquid non-absorbing state; and a protective layer formed on the porous layer and having porous particulate matter or non-spherical particulate matter diffused in a binder resin.例文帳に追加

支持体上に低屈折率顔料をバインダー樹脂に分散状態に固着させた、吸液状態と非吸液状態で透明性が異なる多孔質層を設け、前記多孔質層上に多孔質粒状体又は非球形粒状体をバインダー樹脂中に分散させた保護層を設けてなる水変色性積層体。 - 特許庁

More specifically, silicon is cathodically electrodeposited on the material essentially consisting of Ni, Fe, Co, Cr, or the like, in the molten salt bath contg. silicon or its compd., by which the silicon diffused reforming layer or silicide diffused reforming layer of ≥1 μm is formed on the front layer and is subjected to thermal oxidation treatment in oxygen or air.例文帳に追加

具体的には、シリコン又はその化合物を含む溶融塩浴中により、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ等を主成分とする金属材料に、シリコンをカソード電析して表層に０.１μｍ以上のシリコン拡散改質層又は珪化物拡散改質層を形成し、酸素又は空気中で加熱酸化処理する。 - 特許庁

A plurality of transistors T connected jointly in series are formed to have a diffused layer 12 by adjacent transistors on a silicon substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０に、隣接するもの同士で拡散層１２を共有して複数個直列接続されたトランジスタＴが形成される。 - 特許庁

A second conductive film 31 is extended on either one of the first conductive film, the first insulating film and the source/drain diffused layer.例文帳に追加

第２導電膜３１は、第１導電膜上、第１絶縁膜上、およびソース／ドレイン拡散層のいずれか一方の上に延在する。 - 特許庁

The incident optical signal, upon reaching the reflective type light diffusing layer 2, is simultaneously diffused and reflected in the up and down and left and right directions.例文帳に追加

入射した光信号は、反射型光拡散層2に到達すると同時に、上下方向及び左右方向に拡散反射される。 - 特許庁

In succession, N-type impurities are diffused in the intrinsic base region 6 through high-temperature heat treatment, to form an emitter diffusion layer 11.例文帳に追加

続いて、高温の熱処理により、真性ベース領域６内にＮ型不純物を拡散させ、エミッタ拡散層１１を形成する。 - 特許庁

Thereby, a conductive metal material in the conductive paste can be diffused sufficiently to enhance an inter-layer connection reliability.例文帳に追加

これにより、導電性ペーストの導電金属材料が十分に拡散するため、層間の接続信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

An alloy coating layer 5 in which Hf or the like is diffused into (Pt, Ni) Al is formed on the base material 1 by the Al diffusion coating.例文帳に追加

Ａｌの拡散コーティングにより基材１上に、（Ｐｔ、Ｎｉ）ＡｌにＨｆ等が拡散した合金コーティング層５が形成される。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the step of forming a first N-type semiconductor diffused layer 6 in a shallow region (small sectional area) on a P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の浅い領域（断面積が小さい）に第１Ｎ型半導体拡散層６を形成する。 - 特許庁

Then, impurities are introduced into the semiconductor wafer with the thermal oxide film 12 as a mask and then are diffused, thus forming a diffusion layer 10.例文帳に追加

その後、熱酸化膜１２をマスクとして半導体ウェハに不純物を導入し、拡散することにより拡散層１０を形成する。 - 特許庁

Further, the n-type diffused layer 6, the polycrystalline silicon film 7a, and the silicide film 8a are enclosed with a side wall film 9 made of an insulating film.例文帳に追加

さらにｎ型拡散層６、多結晶シリコン膜７ａ、及びシリサイド膜８ａを、絶縁膜からなる側壁膜９で囲う。 - 特許庁

As a result, the film 31 having a thickness of about 12 nm is formed by accelerating oxidation on the surface of a source diffused layer 13S.例文帳に追加

この結果、ソース拡散層１３Ｓの表面には、増速酸化により厚さが１２ｎｍ程度のシリコン酸化膜３１が形成される。 - 特許庁

A discharged liquid is absorbed by a liquid absorbing layer 22 while being diffused by the intermediate sheet 23 through the liquid passage holes 31.例文帳に追加

排泄液は前記液透過孔３１を透過して中間シート２３により拡散されながら液吸収層２２により吸収される。 - 特許庁

Then, an N+ diffused layer 17a and a P well 12 are formed on the substrate surface, as a collector and a base, respectively, of the bipolar transistor.例文帳に追加

そして、基板表面に形成されたＮ^+拡散層１７ａがコレクタ、Ｐウエル１２がベースとなるバイポーラトランジスタが構成される。 - 特許庁

The p-type second and p^+-type third diffused layers 12 and 13 are formed in two steps as the emitter layer of the thyristor.例文帳に追加

サイリスタのエミッタ層として、Ｐ型の第二拡散層１２およびＰ^＋型の第三拡散層１３の二段形成を行っている。 - 特許庁

On the emitter diffused layer 13, an n-type polysilicon film 8a, which is an emitter electrode, and a silicon nitride film 9a are formed.例文帳に追加

エミッタ拡散層１３上にはエミッタ電極であるｎ型の多結晶シリコン膜８ａおよびシリコン窒化膜９ａが形成されている。 - 特許庁

This allows improvement in the crystallinity of the semiconductor layer which is grown on the p-type silicon substrate into which the phosphorus is diffused.例文帳に追加

そのため、リンを拡散させたｐ型シリコン基板上に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。 - 特許庁

Even if the hydrogen is generated from a coating layer of the optical fiber 11, the hydrogen is diffused to the outside of the casing 12 through the through-holes 16.例文帳に追加

光ファイバ１１の被覆層から水素が発生しても、その水素は貫通孔１６を経て筐体１２外部へ拡散される。 - 特許庁

To form a CoSi_2 film on a source/drain diffused layer without deteriorating electrical properties even if the scale down of an element is advanced.例文帳に追加

素子の微細化を進めても電気的特性の劣化を招くことなく、ソース／ドレイン拡散層上にＣｏＳｉ_2 膜を形成すること。 - 特許庁

Subsequently, an n-type impurity layer 65 is formed on the surface insulating film, and a p-type impurity layer 95 is formed on the rear insulating film respectively by printing, the impurity is diffused by heat-processing, and an n++ semiconductor layer and a p++ semiconductor layer are formed.例文帳に追加

次に，表面絶縁膜上にｎ型不純物層６５，裏面絶縁膜上にｐ型不純物層９５を，印刷法にて各々形成し，熱処理により不純物を拡散し，ｎ++半導体層及びｐ++半導体層を形成する。 - 特許庁

An oxide insulation layer containing many defects typified by a dangling bond may be formed in contact with the oxide semiconductor layer and the impurities may be diffused in the oxide insulation layer, so that the impurity concentration of the oxide semiconductor layer is reduced.例文帳に追加

酸化物半導体層に接して未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化物絶縁層を形成し、当該酸化物絶縁層に不純物を拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減すればよい。 - 特許庁

The intermediate layer 2 containing P or N-type impurities is sandwiched between a silicon layer 1 and a base substrate 3, and the impurities are diffused by a heat treatment in the silicon layer 1 to form the P or N-type impurity layer 4 in the silicon layer 1.例文帳に追加

Ｐ型またはＮ型の不純物を含む中間層２をシリコン層１と支持基板３との間にはさみ、熱処理によって前記不純物を前記シリコン層１に拡散させて、前記シリコン層１中にＰ型またはＮ型の不純物層４を形成するようにした。 - 特許庁

The light-receiving part 3 consists of a P-type single crystal silicon film, and is constituted of a buried layer 13 buried between the substrate 11 and the layer 12, and a diffused layer 14 which is exposed on the surface of the layer 12 and at the same time is formed in such a way as to communicate with the layer 13.例文帳に追加

受光部３はｐ型単結晶シリコンからなり、基板１１とエピタキシャル層１２との間に埋設された埋込層１３と、エピタキシャル層１２の表面に露出するとともに埋込層１３に連通して形成された拡散層１４とから構成されている。 - 特許庁