「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The oxide superconductor SA comprises an oxide superconductor base TA composed of a tape-form metallic main material a and an Ag layer b possessing rolled texture formed on at least one surface side of the metallic main material a, a diffused layer c formed with Cu diffused on a surface layer part of the Ag layer b of the base TA, and an oxide superconducting layer d formed on the diffused layer c.例文帳に追加

テープ状の金属母材ａと、該金属母材ａの少なくとも一面側に形成された圧延集合組織を有するＡｇ層ｂとを備えた酸化物超電導導体用基材Ｔ_Aと、前記基材Ｔ_AのＡｇ層ｂの表層部にＣｕが拡散されて形成された拡散層ｃと、前記拡散層ｃ上に形成された酸化物超電導層ｄとを備えたことを特徴とする酸化物超電導導体Ｓ_A及びその製造方法を採用する。 - 特許庁

One pixel is constituted by providing N type diffused layers 14a-14d, a P type diffused layer 15, insulating layers 16a, 16b, insulating films 17a, 17b, polysilicons 18a, 18b and a shielding film 19 on a P type silicon layer 13 of an SOI substrate 10 having an insulating layer 12.例文帳に追加

絶縁層１２が設けられたＳＯＩ基板１０のＰ型シリコン層１３に、Ｎ型拡散層１４ａ〜１４ｄ、Ｐ型拡散層１５、絶縁層１６ａ，１６ｂ、絶縁膜１７ａ，１７ｂ、ポリシリコン１８ａ，１８ｂ、遮蔽膜１９を設けて１つの画素を構成する。 - 特許庁

A lateral PNP transistor is formed in such a manner that an emitter diffused layer 14 having a p-type impurity and a collector diffused layer 13 having a p-type impurity are arranged via an n^--type epitaxial layer 12 of a base region in a planar inward direction of a semiconductor substrate (p^--type substrate 10).例文帳に追加

ｐ型不純物を有するエミッタ拡散層１４と、ｐ型不純物を有するコレクタ拡散層１３とが半導体基板（ｐ^−型基板１０）の面内方向にベース領域であるｎ^−型エピタキシャル層１２を介して配設されてなる横型ＰＮＰトランジスタを形成する。 - 特許庁

Further, upon readout operation, the concentration of impurities in the drain diffused layer is set on the surface of the semiconductor substrate, so that a depletion layer 9 generated in the connecting part of the semiconductor substrate and the drain diffused layer do not reach the parts immediately below the edge and the sidewall of the floating gate electrode.例文帳に追加

また、読み出し動作時に、半導体基板表面において、半導体基板とドレイン拡散層との接合部分に生じる空乏層９が浮遊ゲート電極のエッジおよびサイドウォール直下に達しないように、ドレイン拡散層の不純物濃度が設定されている。 - 特許庁

By improving the planarity of the boundary between the silicon compound layer 12i and P-type source/drain diffused layer 12g in such a way, the increase in junction leakage current caused by the diffusion of Co atoms in the MOSFET against which the depth reduction of the diffused layer 12g is contrived is controlled.例文帳に追加

こうして、シリコン化合物層１２ｉの、Ｐ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇとの界面の平坦性を向上することで、拡散層の深さの低減が図られるＭＯＳＦＥＴでの、Ｃｏ原子の拡散にともなう、接合リーク電流の増大を制御する構成となっている。 - 特許庁

A p^++-type first diffused layer 11 is formed on the surface of an n^--type semiconductor substrate 10 by diffusing a p-type impurity, and an n-type fourth diffused layer 14 shallower than the first diffusion layer 11 is formed on the surface of the substrate 10 by diffusing an n-type impurity.例文帳に追加

Ｎ^−型半導体基板１０の表面にＰ型不純物の拡散によって、Ｐ^＋＋型の第一拡散層１１が形成され、基板１０の表面にＮ型不純物の拡散によって、第一拡散層１１より浅いＮ型の第四拡散層１４が形成される。 - 特許庁

The oxide superconductor S has an oxide superconducting layer b obtained through a method to form a film by a chemical reaction of oxide superconductor raw material gas on at least one surface side of a tape- form base material 38 containing Ag in it, on a surface layer part of the base material 38 formed a diffused layer c with Cu diffused, and the oxide superconducting layer formed on the diffused layer c.例文帳に追加

Ａｇを含むテープ状の基材３８の少なくとも一面側において酸化物超電導体の原料ガスを化学反応させて前記基材上に成膜する方法により得られた酸化物超電導層ｂを有し、前記基材３８の表層部に、Ｃｕが拡散された拡散層ｃが形成され、該拡散層ｃ上に前記酸化物超電導層が形成されたことを特徴とする酸化物超電導導体Ｓ及びその製造方法。 - 特許庁

Since the dielectric layer 4 is formed between the information recording layer 3 and the light transmission layer 5, the organic material forming the information recording layer 3 is not diffused to the adhesive agent used for sticking the light transmission layer 5.例文帳に追加

情報記録層３と光透過層５との間に誘電体層４が形成されているため、情報記録層３を形成している有機材料が、光透過層５を貼り付けるために使用した粘着剤に拡散することがなくなる。 - 特許庁

A fatigue strength reinforced layer diffused on the surface layer of a steel blank, in which the non-metallic inclusion exists on the steel surface or the surface layer part, is formed by heating pre-plated Ni-layer, and further, the steel material having the fatigue strength reinforced layer, is quenched.例文帳に追加

鋼表面または表層部に非金属介在物が存在する素材鋼の表層に、予めメッキされたＮｉ層の加熱によりディフュージョンした疲労強度強化層を設け、さらにこの疲労強度強化層を有する鋼材を焼入れする。 - 特許庁

The hot press member is characterized in that the surface layer part of a steel sheet constituting a member is provided with an Ni-diffused region having an Ni coating weight of 10 to 90,000 mg/m^2, and the surface of the Ni-diffused region has an inorganic compound.例文帳に追加

部材を構成する鋼板の表層部に、Ni付着量が10〜90000mg/m^2のNi拡散領域を有し、前記Ni拡散領域上に無機化合物を有することを特徴とする熱間プレス部材。 - 特許庁

Right circular polarized light 31R projected from the projecting machine 21 is diffused and reflected within the polarized light selecting reflective layer 11 and displays an image with diffused reflected light 33 towards an observer 50.例文帳に追加

投影機２１から投射された右円偏光３１Ｒは、偏光選択反射層１１の内部で拡散反射され、観察者５０側に拡散反射光３３による映像を表示する。 - 特許庁

Source/drain diffused layers 17 and 18 are formed so as to be separated from the edge of the element isolation region 12 by prescribed distances d1, d2, d3, and d4 around their parts which are connected to (or overlap with) an impurity diffused layer 142.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層１７、１８に関し、不純物拡散層１４２と繋がる（あるいは重なる）部分付近は素子分離領域１２縁部から所定距離ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４だけ離間して形成している。 - 特許庁

Transistors are formed so that the transistors possess jointly the diffused layer on one side of source and drain diffused layers 43 and gate electrodes are respectively formed into a word line continueing in one direction and the surfaces of the transistors are flattened with each BPSG film 51.例文帳に追加

ソース、ドレイン拡散層４３の一方を共有しゲート電極が一方向に連続するワード線となるようにトランジスタを形成し、その表面をＢＰＳＧ膜５１で平坦化する。 - 特許庁

The system comprises a second diffused resistance layer 16 exposed into the exhaust gas, and a second electrode 22 covered by the second diffused resistance layer 16, and is equipped with a second cell which generates output according to the gas component ratio on the surface of the second electrode 22.例文帳に追加

排気ガス中に露出される第２拡散抵抗層１６と、第２拡散抵抗層１６に覆われた第２電極２２とを備え、第２電極２２の表面におけるガス成分比率に応じた出力を発する第２セルを設ける。 - 特許庁

The system comprises a first diffused resistance layer 14 exposed into the exhaust gas, and a first electrode 20 covered by the first diffused resistance layer 14, and is equipped with a first cell which generates output according to the gas component ratio on the surface of the first electrode 20.例文帳に追加

排気ガス中に露出される第１拡散抵抗層１４と、第１拡散抵抗層１４に覆われた第１電極２０とを備え、第１電極２０の表面におけるガス成分比率に応じた出力を発する第１セルを設ける。 - 特許庁

The impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is provided in the vicinity of the active layer 5 so that p-type impurities present in the p-type clad layer 10, p-type second guide layer 9, etc., can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8 and are not diffused in the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

The land 26 is equipped with a nickel layer 28 on the wiring layer 16 and a gold layer 32 which comes into contact with the terminal 18, and a diffusion stop layer 30 which is formed of Pd or Pd alloy to stop Ni from being diffused into the gold layer 32 is interposed between the layer 28 and 32.例文帳に追加

このランド部２６が、配線層１６上のニッケル層２８と端子体１８に接する金層３２とを有し、両者間に、例えばＰｄ又はＰｄ合金からなり、Ｎｉが金層３２内に熱拡散するのを阻止する拡散阻止層３０が介在している。 - 特許庁

Each unit electrostatic capacity 21 is equipped with a first electrode layer of impurity diffused layer formed inside the silicon substrate, a second electrode layer of conductive polysilicon layer, and a dielectric layer of silicon oxide interposed between the first and second electrode layer.例文帳に追加

各単位静電容量部２１は、シリコン基板１０内に形成された不純物拡散層からなる第１の電極層と、導電性ポリシリコン層からなる第２の電極層と、第１の電極層および第２の電極層の間に配置された酸化シリコン層からなる誘電体層とを有する。 - 特許庁

A voltage resistance between the drain region and the embedded layer can be improved by forming a diffused layer in the shape of stripe at the part lower than a diffusing layer extended to the drain layer from the offset layer, and forming a perfect depletion area between the drain region and the embedded layer in the LOCOS offset drain type high voltage resistance transistor including the embedded layer.例文帳に追加

埋め込み層を有するＬＯＣＯＳオフセットドレイン型高耐圧トランジスタの、オフセット層からドレイン層にわたる拡散層の下部にストライプ状に拡散層を形成し、ドレイン領域と埋め込み層の間を完全に空乏化させることで、ドレイン領域と埋め込み層の間の耐圧を向上させる。 - 特許庁

A sensor element 10 comprises both a diffused resistance layer and a solid electrolytic layer and generates sensor output according to the concentration of a specific gas, on the basis of a gas component introduced via the diffusion resistance layer.例文帳に追加

センサ素子１０は、拡散抵抗層と固体電解質層とを有してなり拡散抵抗層を介して導入されたガス成分を基に特定ガス濃度に応じたセンサ出力を発生する。 - 特許庁

A carrier or an electron generated in the deep part of the P-type epitaxial layer 53 is diffused toward the N-type epitaxial layer 52 and constituents, which reach the charge accumulating layer 55 of neighbored pixels 11, are decreased extremely.例文帳に追加

Ｐ型エピタキシャル層５３の深部で発生したキャリアである電子は、Ｎ型エピタキシャル層５２に向かって拡散し、隣接する画素１１の電荷蓄積層５５に到達する成分は、極めて少なくなる。 - 特許庁

At a part along a light output end surface at least from the etching stop layer 104 corresponding to a lower part of the ridge to the active layer 102, an impurity is diffused and the active layer 102 is subjected to mixed crystallization.例文帳に追加

少なくともリッジの下部にあたるエッチングストップ層１０４から活性層１０２までの光出射端面に沿った部分に、不純物が拡散されて活性層１０２の混晶化が行われている。 - 特許庁

Consequently, in film formation of a semiconductor film, it is possible to prevent generation of air bubbles inside the composite oxide layer (12) by blocking gas diffused from the metallic layer (10) by the gas barrier layer (11).例文帳に追加

これにより、半導体膜の製膜時において、金属層(10)から拡散してくる気体をガスバリア層(11)により遮断して、複合酸化物層(12)内における気泡の発生を防止することができる。 - 特許庁

A wafer is etched to form a trench of the p-type layer and expose the p-type layer so that hydrogen can be diffused outside the p-type layer of a semiconductor of a buried-type III group nitride compound.例文帳に追加

水素を埋込み型のIII族窒化物化合物半導体のｐ型層から外方拡散できるようにするために、ウェハはｐ型層のトレンチを形成してｐ型層を露出させるべくエッチングされる。 - 特許庁

The metallic wire layer 20 has at its uppermost layer an Au layer 22 made of Au with which an alloy can be formed with an Sn component being a component of the solder bump 40, the Sn component being diffused by heat produced at the solder reflow.例文帳に追加

金属配線層２０は、はんだリフロー時の熱によりはんだバンプ４０を構成するＳｎ成分が拡散して合金を形成可能なＡｕよりなるＡｕ層２２を最表層に備える。 - 特許庁

Next, the wiring groove is buried and a metal layer 18 including copper is formed on the entire surface, and the catalyst metal is thermally diffused in the metal layer to form a metal layer 19 alloyed with the catalyst metal.例文帳に追加

次に配線溝を埋め込んで全面に銅を含む金属層１８を形成し、触媒金属を金属層中に熱拡散させ、触媒金属と合金化した金属層１９とする。 - 特許庁

The rolling tool is provided with a nitrided diffused layer formed by diffusion treatment of heating a nitriding treatment layer in a nitrogen atmosphere and whose hardness is gradually reduced to the depth direction at the surface layer part.例文帳に追加

窒化処理層を窒素雰囲気中で加熱する拡散処理により形成された、深さ方向に硬度がなだらかに低下している窒化拡散層を表層部に具えてなる圧延工具である。 - 特許庁

Then, when light is incident to the N type diffused layer 14b to be a photosensing part, a charge in response to its incident light amount is stored in the layer 13, and a potential of the layer 13 is changed.例文帳に追加

このとき、感光部となるＮ型拡散層１４ｂに光が入射されると、その入射光量に応じた電荷がＰ型シリコン層１３に蓄積されて、Ｐ型シリコン層１３のポテンシャルが変化する。 - 特許庁

Then, in a state held at 800-850°C, the silicide layer is burned by wet oxidation method in the mixed atmosphere of the oxygen and the hydrogen in the state held at 800-850°C, and an oxide film is formed in the interface between the glass layer and the diffused layer.例文帳に追加

その後、８００〜８５０℃に保持した状態で酸素と水素の混合雰囲気中のウェット酸化法により、シリサイド層を燃焼させ、ガラス層と拡散層との界面に酸化膜を形成する。 - 特許庁

Thus, the impurity diffusion layer 14 embedded in the hole part 13 is made into a depletion layer and the effective diameter ϕ of the impurity diffused layer 14 is made smaller than the diameter of the hole part 13.例文帳に追加

これにより、孔部１３に埋め込まれた不純物拡散層１４を空乏層化させて、この不純物拡散層１４の実効的な径φを孔部１３の径よりも小さくすることができる。 - 特許庁

An N-type silicon-gerumanium mixed crystal layer 5 is formed on an N-type silicon substrate 4, and an N-type silicon layer 6 is formed thereon, and furthermore, a P-type silicon diffused layer 7 is formed in the N-type silicon layer 6.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板４の上にＮ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５が形成され、Ｎ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５の上にＮ型シリコン層６が形成され、さらに、Ｎ型シリコン層６内にＰ型シリコン拡散層７が形成される。 - 特許庁

A formaldehyde scavenger is incorporated in one layer selected from a surface decorative layer, a core material layer, and a reinforcing layer, or in all the layers to reduce the amount of formaldehyde to be diffused from the decorative melamine resin sheet.例文帳に追加

本発明は、表面化粧層、芯材層、補強層のいずれかの層またはすべての層にホルムアルデヒド捕捉剤を含有させることにより、メラミン樹脂化粧板からのホルムアルデヒド放散量を低減させることができる。 - 特許庁

The diffusion layer 11b of brazing filler metal 8 into a secondary plating 11 layer is made ≥1 μm, and the thickness of a layer 11a into which the component of the brazing filler metal 8 in the second plating 11 layer is not diffused is made ≥1 μm.例文帳に追加

２次メッキ１１層中へのロウ材８の拡散層１１ｂが１μｍ以上でかつ前記２次メッキ１１層におけるロウ材８成分の拡散していない層１１ａの厚みが表面から１μｍ以上とする。 - 特許庁

Vapor-deposited molecules and molecule groups of an organic low molecule based material are diffused by heat-treatment in the vicinity of the interface of the organic low molecule layer 5 and the light emitting layer 4, and adhesive force of the organic low molecule layer 5 and the light emitting layer 4 is improved.例文帳に追加

蒸着される有機低分子系材料の分子や分子団は加熱処理によって有機低分子層５と発光層４との界面付近で拡散し、有機低分子層５と発光層４との密着力が向上する。 - 特許庁

To provide a method for producing a diffused layer for a fuel cell having sufficient workability, excellent gas permeability and high porosity.例文帳に追加

加工性に富み、ガス透過性に優れて、しかも空隙率の高い燃料電池用の拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

An active region 7a is encircled with a fixed potential diffused layer 16, and channel regions 15 are formed in the region 7a.例文帳に追加

固定電位拡散層１６で能動領域７ａを取り囲み、能動領域７ａ内にチャネル領域１５を形成する。 - 特許庁

A window structure 32 in which the constituent element of each layer of the semiconductor lamination structure is mutually diffused is formed in the vicinity of an end surface.例文帳に追加

端面近傍に半導体積層構造の各層の構成元素を相互拡散した窓構造３２が形成されている。 - 特許庁

The Cu content of the diffused layer c is preferably not less than 50 μg/cm^2 and not more than 300 μg/cm^2.例文帳に追加

前記拡散層ｃのＣｕ含有量は、５０μｇ／ｃｍ^2以上３００μｇ／ｃｍ^2以下とすることが好ましい。 - 特許庁

The gaseous phase filler material is diffused via the permeable dielectric layer for forming the gap between the conductive wires with intervals.例文帳に追加

気相のフィラー材料は透過性の誘電層を通じて拡散して、間隔をあけた導電線の間に空隙を形成する。 - 特許庁

After the formation of sidewall 106, a diffused layer 107 is formed and then the first titanium silicide film 108 is formed.例文帳に追加

次にサイドウォール１０６を形成した後、拡散層１０７を形成し、その上に第１のチタンシリサイド１０８を形成する。 - 特許庁

The condensed light passes through the inner layer 22 and then is made incident on a concave lens 23 and diffused by the concave lens 23.例文帳に追加

その集光された光は、内層２２を進行し、次に凹レンズ２３に入射されて、その凹レンズ２３によって拡散される。 - 特許庁

As a result, the interlattice gallium ceases to diffuse to the base layer, consequently the gallium arranges the beryllium to cease to be replaced and diffused.例文帳に追加

その結果、格子間ガリウムはベース層に拡散しなくなり、従ってそのガリウムはベリリウムが置換および拡散しないようにする。 - 特許庁

Furthermore, the gate insulating layer 40 includes an ion trapping substance 41 to trap a metal ion, and this ion trapping substance 41 is, preferably, diffused in a matrix 42 constituted of an insulating material.例文帳に追加

このイオン捕捉物質４１は、絶縁性材料で構成されたマトリクス４２中に分散しているのが好ましい。 - 特許庁

The electric charge produced on the surface of the element forming layer side is diffused with the liquid, thus the discharge due to the separating charge can be controlled.例文帳に追加

液体により素子形成層側の面に発生した電荷が拡散され、剥離帯電による放電を抑えることができる。 - 特許庁

The drain region 208 is isolated from the P-type diffused region 212 by the thick dielectric layer 203 at the base of the trench 202.例文帳に追加

ドレイン領域２０８は、トレンチ底部内の厚い誘電体層２０３により、拡張Ｐ領域２１２から隔離されている。 - 特許庁