「diffused layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The conductive reinforcement impurities are diffused from the local connection layer to the lower semiconductor substrate material.例文帳に追加

導電性増強不純物を局所接続層からその下の半導体基板材料内に拡散する。 - 特許庁

Thereby, the light proceeding in the light guiding layer 3 is diffused and illumination with good utilization efficiency of light becomes possible.例文帳に追加

よって、導光層３内を進む光が拡散し、光の利用効率の良い照光が可能になる。 - 特許庁

Here, a mutually diffused layer 4 is formed at a joint interface between the copper electrode 2 and the bump electrode 3.例文帳に追加

このとき銅電極２とバンプ電極３との接合界面には相互拡散層４を形成する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 7a and a silicide film 8a are formed on the n-type diffused layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上には、多結晶シリコン膜７ａおよびシリサイド膜８ａを形成する。 - 特許庁

Further, the diffused light from the light-emitting layer is discharged outside the light guide body.例文帳に追加

また、前記発光層からの拡散光を、前記導光体の外部に放出することを特徴とする。 - 特許庁

The interlattice atoms, which may cause the crystal defect, can be diffused by the above mentioned RTA treatment, but the diffusion of the impurity diffusion layer are not diffused.例文帳に追加

このＲＴＡ処理は、結晶欠陥の原因となる格子間原子を拡散させるが、不純物拡散層の不純物は拡散させないように設定されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diffused wafer capable of suppressing variations in the film thickness of a non-diffused layer by optimizing a preceding extracting-evaluation by SR method before polishing.例文帳に追加

研磨前のＳＲ法による先行抜き取り評価を最適化することで、非拡散層厚のバラツキを抑制する拡散ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser device comprises a P-type diffused region 3A provided in an n^--type epitaxial layer 2 of a silicon sub-mount 16, and an n-type diffused region 4A provided in the region 3A.例文帳に追加

シリコンサブマウント１６のＮ^−エピタキシャル層２にＰ型拡散領域３Ａを設け、このＰ型拡散領域３Ａ内にＮ型拡散領域４Ａを設けている。 - 特許庁

The right circularly polarized light 31R projected to the screen 10-1 is diffused and reflected inside the polarized light selective reflection layer 11 and becomes diffused and reflected light 33.例文帳に追加

投影スクリーン１０−１に投射された右円偏光３１Ｒは、偏光選択反射層１１の内部で拡散反射され、拡散反射光３３となる。 - 特許庁

Thus, the oxygen introduced in the surface layer is thermally diffused to the whole area of the surface layer, thereafter it is cooled and solidified, and thereby the surface layer becomes a high oxygen concentration region part.例文帳に追加

これにより、表層に導入された酸素が表層の全域に熱拡散し、その後、これを冷却して固化させることで、表層が高酸素濃度領域部となる。 - 特許庁

Due to the heat treatment, Ti for composing the Ti layer 20 is thermally diffused to the surface of the Pt layer 30, namely, a surface where the PZT layer 35 is formed later.例文帳に追加

この熱処理によって，Ｔｉ層２０を構成するＴｉがＰｔ層３０の表面，すなわち後にＰＺＴ層３５が形成される面にまで熱拡散する。 - 特許庁

To solve a problem where the electrode of a semiconductor element cannot be strongly and electrically connected to a wiring conductor layer since the nickel of a nickel-plated layer is moved and diffused to the surface of a gold-plated layer.例文帳に追加

ニッケルめっき層のニッケルが金めっき層の表面にまで移動拡散して半導体素子の電極を配線導体層に強固に電気的接続できない。 - 特許庁

In this case, Mg is diffused into a region of the upper n^--GaN layer 11 from the lower p-GaN layer 13 together with the regrowth of the n^--GaN layer 11.例文帳に追加

このとき、ｎ^- −ＧａＮ層１１の再成長とともに、下層のｐ−ＧａＮ層１３からその上方のｎ^- −ＧａＮ層１１の領域中にＭｇが拡散する。 - 特許庁

After phosphorus is diffused in the polysilicon layer 13, a natural oxide film 14 is formed over the whole polysilicon layer 13 to arbitrary film thickness before a next resist layer is applied.例文帳に追加

ポリシリコン層１３の燐拡散後、次にレジスト層の塗布へと移行するまでにポリシリコン層１３上全体に任意の膜厚で自然酸化膜１４が形成される。 - 特許庁

Heat of the recording layer generated by light irradiation is diffused in a film thickness direction at a light incident side of the recording layer 4 by the heat conductive layer 3 having a high heat conductivity.例文帳に追加

光照射により発生する記録層の熱は、熱伝導率の高い熱伝導層３により記録層４の光入射側で膜厚方向に拡散される。 - 特許庁

The oxidizer gas side electrode 204 is composed of an electrode catalyst layer 210 and a gas diffused layer 212 formed of carbon paper, and the oxidizer gas side electrode catalyst layer 210 and the gas diffused layer 212 are integrally formed beforehand in the same way as the fuel gas side electrode 202 is formed.例文帳に追加

一方、酸化剤ガス側電極２０４は、電極触媒層２１０とカーボンペーパーからなるガス拡散層２１２とから構成され、これらの酸化剤ガス側電極触媒層２１０とガス拡散層２１２とは、燃料ガス側電極２０２と同様に、予め一体的に構成されている。 - 特許庁

Due to the existence of the carbon fibers facing the direction of thickness of the gas diffused layer, an electrically conductive path is formed directly in the direction of the thickness by the carbon fibers and the electrical conductivity in the direction of thickness of the gas diffused layer is improved.例文帳に追加

ガス拡散層の厚み方向に配向した炭素繊維の存在により、厚み方向に直接炭素繊維による電気伝導パスが形成され、ガス拡散層の厚み方向の電気伝導性が向上する。 - 特許庁

An oxygen diffused layer or an oxygen diffused and carbonized layer is formed on the surface for which at least abrasion resistance is required in the valve body 4 made of titanium alloy, in which a mushroom section 3 is connected to one end of the shaft section 2.例文帳に追加

軸部２の一端に傘部３が連設されたチタン合金よりなるバルブ本体４における少なくとも耐摩耗性が要求される表面に、酸素拡散層または酸素拡散及び浸炭層を形成する。 - 特許庁

There are provided a photoelectric conversion element comprising: a semiconductor laminated body; a silicon layer provided on the semiconductor laminated body; and a diffused transmission layer provided on the silicon layer, in which the silicon layer includes a surface having a plane direction {100} and a surface of the diffused transmission layer is not level, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体積層体と、半導体積層体上に設けられたシリコン層と、シリコン層上に設けられた拡散透過層とを備え、シリコン層は面方位｛１００｝の表面を有し、拡散透過層の表面が凹凸を有する光電変換素子と光電変換素子の製造方法である。 - 特許庁

The composite layer coating member 10 includes a metallic base material 11, an Al layer 12 formed on the surface of the metallic base material 11, an Al diffused layer 12 of 12 to 28 mass% in Al concentration on the surface formed on the surface of the metallic base material 11, and an AlN layer 13 formed by nitriding the aluminum included in the Al diffused layer 12.例文帳に追加

複合層被覆部材１０は、金属製基材１１と、この金属製基材１１の表面に形成された表面のＡｌ濃度が１２〜２８質量％のＡｌ拡散層１２と、このＡｌ拡散層１２に含まれるアルミニウムを窒化させて形成されたＡｌＮ層１３とを備えてなる。 - 特許庁

This impurity diffused layer 56 is constituted, and the periphery can be surrounded by the gate electrode material layer, and a region brought into contact with a field oxide film does not exist at all.例文帳に追加

上記不純物拡散層は、周囲をゲート電極材料層で囲まれ、フィールド酸化膜と接する領域が全く存在しない。 - 特許庁

The antimony in the antimony compound layer 9 is diffused into the semiconductor layer 5, by heat treatment, to form an impurity area 5a.例文帳に追加

熱処理を行うことによりアンチモン化合物層９中のアンチモンを半導体層５に拡散させて不純物領域５ａを形成する。 - 特許庁

To reduce a junction leakage current between silicon substrate and impurity diffused layer, in a semiconductor device equipped with a silicide layer.例文帳に追加

シリサイド層を備える半導体装置において、シリコン基板と不純物拡散層との間の接合リーク電流を低減することを目的とする。 - 特許庁

To provide a plasma display panel in which wall charge is easily diffused by preventing edge curl causing curling-up of a black layer and contrast is improved by decreasing luminance of the black layer.例文帳に追加

ブラック層が巻上がるエッジカールを防止して壁電荷を容易に拡散させ、また、ブラック輝度を低減してコントラストを向上させる。 - 特許庁

Consequently, source/drain 11 composed only of a shallow diffusion layer where the impurities (a) are diffused only to the surface layer of the semiconductor thin film 5 is formed.例文帳に追加

これにより、不純物ａを半導体薄膜５の表面層のみに拡散させた浅い拡散層からなるソース／ドレイン１１を形成する。 - 特許庁

A p-type impurity is diffused in a semiconductor layer 3 to form a p-type semiconductor layer 4, resulting in forming a pn junction plane 5.例文帳に追加

次いで、Ｐ型の不純物を半導体層３に拡散することによりＰ型半導体層４を形成し、ＰＮ接合面５を形成する。 - 特許庁

A gate metal electrode (38) of the FET device (10) is controllably diffused in the barrier layer (20) from the shield layer (22) through a recessed part (36).例文帳に追加

このＦＥＴデバイス（１０）のゲート金属電極（３８）は、凹部（３６）を通してシールド層（２２）からバリヤー層（２０）に制御可能に拡散される。 - 特許庁

Phosphorus in the emitter lead electrode 10 is diffused to a part of the Si cap layer 9 and an emitter diffusion layer 9a is formed.例文帳に追加

そして、エミッタ引き出し電極１０中のリンがＳｉキャップ層９の一部に拡散されてエミッタ拡散層９ａが形成されている。 - 特許庁

A barrier metal 13 is formed on the inner wall of the groove 12a to prevent atoms constituting in the wiring layer 15 from being diffused into the insulating layer 12.例文帳に追加

バリアメタル１３は、溝１２ａの内壁に形成され、配線層１５を構成する原子が絶縁層１２内に拡散するのを防止する。 - 特許庁

Therefore, there is no possibility that a majority of holes in a semiconductor layer 3 disappear as a result of recombination with conduction electrons existing within the semiconductor layer 2, and the holes reach the electrode layer 4 while being diffused in the semiconductor layer 2.例文帳に追加

このため、半導体層３の正孔の大多数は半導体層２内の伝導電子と再結合によって消滅することなく、半導体層２に拡散しながら電極層４に到達する。 - 特許庁

Metal molecules of the low fusing point metallization layer 3 are diffused inside the wiring layer 13, the liquid phase is extinguished, and a bonding layer whose principal component is the metal of the wiring layer 13 is formed.例文帳に追加

これによって、低融点金属層３の金属分子を配線層１３の内部に拡散させて液相を消滅させ、配線層１３の金属を主成分とする接合層を形成する。 - 特許庁

A thermal diffusion layer 11 is formed between the base plate 10 and the target layer 12, and the heat that is generated in the target layer by the crashing of electron is diffused and conducted by the thermal diffusion layer 11.例文帳に追加

金属材料からなる基台１０とターゲット層１２の間に熱拡散層１１を形成して、電子の衝突によりターゲット層に発生した熱をこの熱拡散層１１で拡散して伝導する。 - 特許庁

The disulfide compound is diffused in an interior of the sliding face 1a to form a diffusion layer 10.例文帳に追加

二硫化化合物は摺動面１aの内部に拡散されることによって拡散層１０を形成している。 - 特許庁

The mutually diffused layer 4 is formed in at least one process selected from among, for example, ultrasonic waves or heat.例文帳に追加

相互拡散層４は、例えば超音波及び熱から選ばれる少なくとも一つの処理により形成する。 - 特許庁

To form a diffused layer of an ideal impurity concentration distribution in a high efficiency in the manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、理想的な不純物濃度分布の拡散層を高効率で形成する。 - 特許庁

The method also includes a step of thereafter forming a second n-type diffused layer 8 with the gate electrode 5 and the sidewall spacer 7 set as a mask.例文帳に追加

その後、ゲート電極５及びサイドウォールスペーサ７をマスクにして、第２のｎ型拡散層８を形成する。 - 特許庁

An eutectic component is formed on an diffused layer 32 (step S3), and a liquid phase of the eutectic component is formed (step S4).例文帳に追加

拡散層３２に共晶組成を生成し（ステップＳ３）、共晶組成の液相を生成する（ステップＳ４）。 - 特許庁

In this way, a reflow of the mixed powder layer 14 is generated and the carbide is diffused into the forging die 10.例文帳に追加

これにより混合粉末層１４のリフローが生じて、鍛造用金型１０内に炭化物が拡散する。 - 特許庁

At this point, the surplus Mn that does not contribute to the formation of the second barrier film 13 is diffused into the Cu layer 20.例文帳に追加

このとき、第２バリア膜１３の形成に寄与しない余剰のＭｎは、Ｃｕ層２０中に拡散する。 - 特許庁

A diffused layer 6 as an electrode lead-out part of an aluminum fuse 1 is directly covered with a protective film 9.例文帳に追加

アルミヒューズ１の電極引き出し部である拡散層６が保護膜９によって直接被覆されている。 - 特許庁

The second metal surface layer 14 of the board body 12 and a heat sink 15 are joined by diffused junction.例文帳に追加

基板本体１２の第２金属表層１４と、放熱板１５とは、拡散接合によって接合されている。 - 特許庁

A mask film 8 is removed and arsenic ions are implanted so as to form an n--type source/drain diffused layer 10.例文帳に追加

その後マスク膜８を除去して、砒素をイオン注入して、ｎ^-型ソース、ドレイン拡散層１０を形成する。 - 特許庁

A mask is arranged on an n-type semiconductor layer 4, and a p-type dopant is diffused into an unmasked region.例文帳に追加

ｎ型半導体層４上にマスクを配置して、マスクされていない領域に、ｐ型ドーパントを拡散させる。 - 特許庁

Thereafter the photoresist mask on the p-type diffused layer 14 is removed to form a contact plug 16 in the contact hole.例文帳に追加

その後、ｐ型拡散層１４上のフォトレジストマスクを除去して、コンタクトホールにコンタクトプラグ１６を形成する。 - 特許庁

The impurities in the polycrystalline silicon layer 6b are diffused into the polycrystalline silicon layers 6a, 6c by heat treatment.例文帳に追加

多結晶シリコン層６ｂ中の不純物は、熱処理により多結晶シリコン層６ａ、６ｃ中に拡散される。 - 特許庁