「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method for a semiconductor device with high performance and high reliability by suppressing diffusion of channel impurity of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのチャネル不純物の拡散を抑制し、高性能・高信頼性を実現しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device suitable for forming a memory cell suppressed in leak current through a storage diffusion layer.例文帳に追加

ストレージ拡散層を介したリーク電流の抑制が図られたメモリセルの作製に適した、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with improved efficiency by suppressing a leakage current between a diffusion layer and a conductor that are opposed and proximal.例文帳に追加

対向、近接する拡散層と導体との間の漏れ電流を抑制し、効率を向上が図られた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having small variations in resistance values of a lower diffusion layer and high reliability, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

下部拡散層の抵抗値のばらつきが小さく、信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To make adhesion of a buried semiconductor structure and Cu diffusion preventing capability be compatible with respect to a semiconductor device, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、埋込導体構造の密着性とＣｕ拡散防止能を両立する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device wherein the reduction of contrast can be prevented by suppressing a white floating phenomenon due to a light diffusion layer.例文帳に追加

光拡散層による白うき現象を抑制して、コントランストの低下を防止することのできる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device 10 in which a diffusion layer for a fuel cell of high porosity can be manufactured with less man hour and in a short time.例文帳に追加

高度に多孔質化した燃料電池用拡散層を少ない工程数でかつ短時間で製造できる装置１０を提供する。 - 特許庁

To provide a semitransmissive liquid crystal display device eliminating the lowering of contrast due to a rear side diffusion in a reflective display mode.例文帳に追加

反射型の表示モード時において後方散乱によるコントラストの低下をなくした半透過型液晶表示装置を提供する - 特許庁

To excellently embed Cu into a fine pattern of a semiconductor device, and to suppress diffusion of the Cu into an interlayer insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、微細パターンへのＣｕの埋め込みを良好にし、且つＣｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制する。 - 特許庁

In this backlight device 100, a reflecting sheet 142 and a diffusion sheet 144 of a surface emitter 140 are disposed face to face through an air gap.例文帳に追加

バックライト装置１００では、面発光体１４０の反射シート１４２と拡散シート１４４とが空隙を介して対向配置される。 - 特許庁

In the vertical MOS semiconductor device 1, a source region is formed of double diffusion structures 5 and 6 of different impurity concentrations.例文帳に追加

本発明の縦型ＭＯＳ半導体装置１では、ソース領域を不純物濃度の異なる二重拡散構造５、６により形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which suppress width variations in a diffusion layer source connected to a trench type capacitor.例文帳に追加

トレンチ型キャパシタと接続する拡散層ソースの幅のばらつきを抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce diffusion of Ge and to obtain excellent device characteristics in an optical semiconductor element comprising an active layer containing GaAs.例文帳に追加

ＧａＡｓを含む活性層を備える光半導体素子において、Ｇｅの拡散が少なく、良好なデバイス特性が得られるようにする。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a diffusion layer 11 formed around the bottom of a trench formed on the surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板１の表面に形成されたトレンチの底部の周囲に形成された拡散層１１を含む。 - 特許庁

COPPER INTERCONNECTION STRUCTURE USING AMORPHOUS TANTALUM-IRIDIUM DIFFUSION BARRIER, FORMING METHOD THEREFOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY THE METHOD例文帳に追加

アモルファスなタンタル−イリジウム拡散バリアを用いた銅相互接続構造、その形成方法、および該方法による半導体デバイス製造方法 - 特許庁

ACRYLIC RESIN COMPOSITION, ACRYLIC RESIN FILM AND LIGHT DIFFUSION PLATE COMPRISING THE ACRYLIC RESIN COMPOSITION, BACKLIGHT UNIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

アクリル樹脂組成物、該アクリル樹脂組成物からなるアクリル樹脂フィルムおよび光拡散板、バックライトユニットおよび液晶表示装置 - 特許庁

The error diffusion device 300R is equipped with an error adder 1, a final error divider 2, an error selector 3, and a switching controller 4.例文帳に追加

誤差拡散装置３００Ｒは、誤差加算器１、最終誤差分割器２、誤差選択器３および切替制御器４を備える。 - 特許庁

To provide a device which conveniently enables the crystallization with a vapor diffusion method and utilizes the difference of surface potentials of solid.例文帳に追加

蒸気拡散法により簡便に結晶化を行うことができる、固体の表面電位の違いを利用した装置を提供する。 - 特許庁

To provide a lighting device to which, a sheetlike article for glare cut having a light diffusion property can be easily attached.例文帳に追加

光拡散性を有するグレアカット用のシート状物を簡単に取付けることができるようにした照明装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device in which a photoelectric conversion element is insusceptible to diffusion of metal, metallic impurities, and the like.例文帳に追加

金属や金属不純物等の拡散により光電変換素子が影響を受けない構成の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of coping with both of a high on-state current and a low junction leakage current in a source/drain diffusion layer.例文帳に追加

高いオン電流とソース／ドレイン拡散層における低い接合リーク電流を両立可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A light emitting device 28 has a cover member 30, and a light emitting board 32 and the light diffusion sheet 34 which are stored in the cover member 30.例文帳に追加

発光装置２８は、カバー部材３０と、カバー部材３０に収容される発光基板３２および光拡散シート３４を有する。 - 特許庁

To provide an insulating film which is useful as an interlayer dielectric, etc., of a semiconductor device and has a low relative dielectric constant and a high copper diffusion barrier property.例文帳に追加

半導体装置の層間絶縁膜などに有用な比誘電率が低く、かつ銅拡散バリア性が高い絶縁膜を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor which simplify manufacturing processes and suppress the diffusion of copper.例文帳に追加

製造工程を簡略化でき且つ銅の拡散をより抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a projection device by which speckles on a diffusion screen 15 are made inconspicuous, and the entire configuration of which can be downsized and simplified.例文帳に追加

拡散スクリーン１５上でのスペックルを目立たなくさせることができるとともに、全体の構成を小型化および簡略化できる。 - 特許庁

To provide a two-wavelength semiconductor laser device suppressing the cause of a failure because of a diffusion of a dopant, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ドーパントの拡散による不具合の発生が抑制された二波長半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory device with which the volatilization or diffusion of Bi element in a ferroelectric film can be prevented.例文帳に追加

強誘電体膜内のＢｉ成分の揮発または拡散を防止する強誘電性メモリデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device, where a fluorine diffusion preventing film which is uniform in thickness can be formed to keep it high in reproducibility.例文帳に追加

均一な厚さのフッ素拡散抑制膜を再現性よく形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device has the N+ additional embedded layer 45 of the NPN transistor 31, formed of phosphorus (P) having a rapid diffusion rate.例文帳に追加

この半導体装置では、ＮＰＮトランジスタ３１におけるＮ^+型付加埋め込み層４５は、拡散速度の速いリン（Ｐ）で形成される。 - 特許庁

To provide a forming method and a forming device for a silicon oxynitride film, which can lift up nitrogen while suppressing outward diffusion of the nitrogen.例文帳に追加

窒素の外方拡散を抑制しつつ、窒素のリフトアップが可能なシリコン酸窒化膜の形成方法および形成装置を提供する。 - 特許庁

At first, the porous body 9 and a reformer 2 are preheated to some extent by the diffusion combustion of the fuel inside the premixing device 10.例文帳に追加

最初に予混合器１０の内部で燃料の拡散燃焼により、ある程度まで多孔質体９及び改質器２を予熱する。 - 特許庁

In a different embodiment, a thermal diffusion device or other robust core material and variously configured stress absorbing layers are incorporated.例文帳に追加

また異なる実施例では、熱拡散器または他の堅牢なコア材料および種々の構成のストレスを吸収する層が組み込まれる。 - 特許庁

The light diffusion type display device 1 comprises a transparent resin 2, a cutting sheet 3, an LED 4, etc., and is housed in a casing 6.例文帳に追加

光拡散式表示装置１は透明樹脂２とカッテイングシート３とＬＥＤ４等とからなり、筐体６内に収納される。 - 特許庁

To reduce the deterioration of the characteristics of a semiconductor device due to the deformation of a connecting part by minimizing the number of connecting parts on a diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上での接続部の数を最小として、接続部の変形による半導体デバイスの特性低下を低減する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device improved in reliability by improving a vibration resistance/shock property of a light guide plate or a diffusion plate.例文帳に追加

導光板や拡散板の耐振動／衝撃性を向上させて信頼性の向上を実現する液晶表示装置、を提供する。 - 特許庁

Further, the device has a transfer path for transferring a charge from the first impurity diffusion region of the first conductivity type to the second impurity of the first conductivity type and an impurity diffusion region of a second conductivity type formed on a semiconductor substrate so as to contain the first impurity diffusion region of the first conductivity type.例文帳に追加

さらに、第１の第１導電型不純物拡散領域から第２の第１導電型不純物拡散領域へ電荷を転送する転送経路と、半導体基板上に第１の第１導電型不純物拡散領域を包含するように形成された第２導電型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁

To obtain an impurity diffusion processing method in a semiconductor element manufacturing process which forms a uniform impurity diffusion layer and can carry on an impurity diffusion process high in performance and a yield, an impurity diffusing device for use in the same method, and a semiconductor element containing a solar cell, etc., high in a yield.例文帳に追加

均一な不純物拡散層を形成し、性能や歩留まりの高い不純物拡散処理が可能な半導体素子製造工程における不純物拡散処理方法および同方法に用いる不純物拡散装置、並びに、歩留まりの高い太陽電池等を含む半導体素子を得ること。 - 特許庁

The semiconductor device includes gate electrode parts G21a-G21c formed over a P type diffusion region, an N type diffusion region, and an element isolation region, and arranged on a diffusion region; and a plurality of gate polysilicon films G20a-G20c having gate wiring parts G22a-G22c arranged on the element isolation region.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐ型拡散領域，Ｎ型拡散領域及び素子分離領域に跨って形成され、拡散領域上に位置するゲート電極部Ｇ２１ａ〜Ｇ２１ｃと、素子分離領域上に位置するゲート配線部Ｇ２２ａ〜Ｇ２２ｃとを有する複数のゲートポリシリコン膜Ｇ２０ａ〜Ｇ２０ｃを備えている。 - 特許庁

This semiconductor device having high dielectric strength comprises a semiconductor region 2, a diffusion region 6 for contact, a isolation diffusion region 4, a field insulation film 16, a metal electrode 25 electrically connected to the diffusion region 6 for contact and a plurality of plate electrodes 18a, 19a formed under the floating condition.例文帳に追加

半導体領域２と、コンタクト用拡散領域６と、分離拡散領域４と、フィールド絶縁膜１６と、コンタクト用拡散領域６と電気的に接続された金属電極２５と、フローティング状態で形成された複数のプレート電極１８ａ、１９ａとを備えた高耐圧半導体装置である。 - 特許庁

The display device having a liquid crystal panel 1 and a fixing means to fix the panel 1 arranges a diffusion layer 2 on a rear face of the panel 1, makes at least a part of a portion opposed to the diffusion layer 2 of the fixing means be translucent and makes the lights from outside irradiate on the rear face of the diffusion layer 2.例文帳に追加

液晶パネル１とこれを固定する固定手段を有する液晶表示装置において、液晶表示パネル１の背面に拡散層２を配置し、前記固定手段の拡散層２に対向する面に相当する部分の少なくとも一部を透光性にして、拡散層２の背面に外光が入り込むようにする。 - 特許庁

A semiconductor device comprising a substrate, an insulating film 2 formed on the substrate, and a wiring film 5 formed on the insulating film 2 is further provided with anti-diffusion films 4 and 6 for preventing the diffusion of constitutional components of the wiring film 5 and the periphery of the wiring film 5 is surrounded by the anti-diffusion films 4 and 6.例文帳に追加

基板と、前記基板上に設けられた絶縁膜２と、前記絶縁膜２に設けられた配線膜５とを備えた半導体装置であって、 前記配線膜５の構成成分の拡散を防止する拡散防止膜４，６を備えてなり、 前記拡散防止膜４，６によって前記配線膜５の周囲が囲まれてなる。 - 特許庁

To provide an image processing device that solves a problem arising in quantization of image data using an error diffusion method in which: when an output tone value is created focusing only on an input pixel value and not carrying out error diffusion processing on a specific input value, diffusion processing on an error value from a peripheral pixel is not carried out, and thereby density of the input image data is not stored.例文帳に追加

画像データを誤差拡散法により量子化する際に、入力画素値のみに着目して特定の入力値に対して誤差拡散処理によらないで出力階調値を生成すると、周辺画素からの誤差値の拡散処理が行なわれないため、入力した画像データの濃度が保存されない。 - 特許庁

To provide a dredge boat capable of preventing diffusion of sludge under water when dredging the sludge of water bottom with a dredging device and of preventing the diffusion of the sludge even when a hull of the dredge boat provided with the dredging device through a ladder rocks as the dredging device follows on a water bottom surface.例文帳に追加

水底の汚泥を浚渫装置で浚渫する時に、水中で汚泥が拡散するのを防止できるとともに、その浚渫装置をラダーを介して設けた浚渫船の船体の動揺によっても、浚渫装置が水底面に追従して汚泥が拡散することがない浚渫船を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate (1), a p-type impurities diffusion layer (2) formed on the semiconductor substrate, and Ni silicide (3) formed on the diffusion layer, wherein it has an alignment mark (6) for lithography on its Ni silicide.例文帳に追加

半導体基板（１）と、前記半導体基板に形成されたｐ型不純物拡散層（２）と、前記拡散層上に形成されたＮｉシリサイド（３）と、を備え、前記Ｎｉシリサイド上にリソグラフィー用の合わせマーク（６）を有する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a shared contact 111 that electrically connects an n-type impurity diffusion layer 106 formed on a p well 103 with a p-type impurity diffusion layer 108 formed on an n well 104.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐウェル１０３上に形成されたＮ型不純物拡散層１０６とＮウェル１０４上に形成されたＰ型不純物拡散層１０８とを電気的に接続するシェアードコンタクト１１１を備えている。 - 特許庁