「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, the driving method for driving this liquid crystal display device according to this invention is a method letting the current detection means detect a current at the time when a transfer voltage pulse for transferring the liquid crystal layer into bend alignment is applied, and applying an ion diffusion voltage pulse in accordance with the current value to eliminate the display unevenness.例文帳に追加

また本発明の駆動方法は、この液晶表示装置を駆動するにおいて、液晶層をベンド配向に転移させるための、転移用電圧パルスが印加された時の電流を電流検出手段により検出し、その電流値に応じた、イオンを拡散させるためのイオン拡散電圧パルスを印加し、ムラを解消する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, a conductive material between the lower electrode section for composing the capacitive element and the resistive element is removed partially to form a removed part, thus breaking the thermal diffusion of impurities in the film due to heat treatment in the formation of the dielectric film of the capacitive element and preventing the concentration of impurities in the resistive element from changing.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、容量素子を構成する下部電極部と抵抗素子との間の導電性材料を部分的に除去して除去部を形成することにより、容量素子の誘電体膜形成時の熱処理による膜中の不純物の熱拡散が遮断され、抵抗素子の不純物の濃度変化を起させない。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor device having a barrier film having a copper diffusion preventing function on a wiring containing copper, the wiring groove TR1 is first formed on a substrate and a barrier metal layer 16 is deposited on the internal wall surface of the wiring groove, and then, a seed layer including a catalyst metal 17a for substitutional plating for forming the upper surface barrier film is formed.例文帳に追加

銅を含む配線上に銅拡散防止機能を有するバリア膜を有する半導体装置の製造方法であって、まず、基板に配線溝ＴＲ１を形成し、配線溝の内壁面にバリアメタル層１６を堆積した後、上面バリア膜形成のための置換めっき用触媒金属１７ａを含むシード層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a protective element region 13 and a memory cell region 12 which are formed separately across an element separation region 14 on a first conductive region 1, a MONOS memory cell formed on the memory cell region 12, a MOS transistor formed on the protective element region 13, and a first conductive diffusion layer 5 formed in the protective element region 13.例文帳に追加

第１導電型領域１上に素子分離領域１４で分離形成された保護素子領域１３およびメモリセル領域１２と、メモリセル領域上に形成されたＭＯＮＯＳ型メモリセルと、保護素子領域上に形成されたＭＯＳ型トランジスタと、保護素子領域に形成された第１導電型拡散層５とを備える。 - 特許庁

To determine an upper limit quantity of an injection quantity of fuel for combustion at which excessive noise caused by HCCI (Homogeneous Charge Compression Ignition) combustion can be suppressed in a fuel injection quantity control device adopted to an internal combustion engine capable of injecting fuel for HCCI combustion and fuel for diffusion combustion at the same cycle.例文帳に追加

同一サイクルにて予混合圧縮着火（ＨＣＣＩ）燃焼用の燃料、及び拡散燃焼用の燃料を噴射し得る内燃機関に適用される燃料噴射量制御装置において、ＨＣＣＩ燃焼による騒音が過大になることが抑制され得る同燃焼用燃料噴射量の上限量を決定すること。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes: a semiconductor substrate; columnar gate electrodes formed on the semiconductor substrate; source/drain diffusion layers formed nearby a surface of the semiconductor substrate; nitride films for charge storage, formed on side surfaces of the gate electrodes; and element isolation regions formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ装置は、半導体基板と；前記半導体基板上に形成された柱状のゲート電極と；前記半導体基板の表面付近に形成されたソース／ドレイン拡散層と；前記ゲート電極の側面に形成された電荷蓄積用の窒化膜と；前記半導体基板に形成された素子分離領域とを備える。 - 特許庁

The lighting device includes: a case including a bottom plate, sidewalls substantially vertically extended from both ends of the bottom plate, and louvers provided on both ends of the sidewalls in a tilting manner with respect to surfaces of the sidewalls; a light emitting unit provided safely on the bottom plate; and diffusion plates disposed on both ends of the sidewalls, being parallel to and away from the light emitting unit.例文帳に追加

実施例による照明装置は底板、前記底板の両側端から実質的に垂直に延長された側壁、前記側壁の両端から前記側壁の面に対して傾いたルーバーを有するケース；前記底板に安着された発光部；及び前記発光部と平行に離隔されて、前記側壁の両端に配置される拡散板を含む。 - 特許庁

A semiconductor device includes a gate insulation film 20 formed on a semiconductor substrate 10, a cap film 22 formed on the gate insulation film, a silicon oxide film 23 formed on the cap film, a metal gate electrode 24 formed on the silicon oxide film, and source/drain diffusion layers 48 formed in the semiconductor substrate beside both sides of the metal gate electrode.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成されたゲート絶縁膜２０と、ゲート絶縁膜上に形成されたキャップ膜２２と、キャップ膜上に形成されたシリコン酸化膜２３と、シリコン酸化膜上に形成された金属ゲート電極２４と、金属ゲート電極の両側の半導体基板内に形成されたソース／ドレイン拡散層４８とを有している。 - 特許庁

To provide a color filter, by reducing the difference of wavelength diffusion in reflection display, enabling display of high contrast in transparent display, solving the decrease of light leakage and transmittance and enabling proper screen display in reflection and transparent display, in a color filter dividing a unit pixel into a transparent part and a reflective part, and to provide a translucent liquid crystal display device.例文帳に追加

単位画素を透過部と反射部に分割したカラーフィルタにおいて、反射表示で波長分散性の違いを低減させ、透過表示でコントラストの高い表示を可能とし、また、光モレや透過率の減少を解消し、反射及び透過表示で良好な画面表示を可能とするカラーフィルタ、半透過型液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a MOS structure capable of solving problems such as fermi-level pinning, gate electrode depletion, and diffusion phenomena; and capable of appropriately adjusting (controlling) a threshold voltage by using a material suitable for respective gate electrodes of the MOS structure with different threshold voltages by a more simplified manufacturing process.例文帳に追加

本発明は、フェルミレベルピニング、ゲート電極空乏化、拡散現象等の各問題を解決することができ、より簡略化した製造プロセスにより、閾値電圧が異なるＭＯＳ構造のそれぞれのゲート電極に適した材料を採用して閾値電圧を適切に調整（制御）することができる、ＭＯＳ構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The lighting apparatus for the display device is installed on the rear side of a display panel 20, and comprises a plurality of rod-shape light sources 1 arranged mutually nearly in parallel, and a light diffusion member 2 which is arranged between two adjoining rod-shape light sources 1 out of the plural rod-shape light sources 1 and scatters the light.例文帳に追加

本発明による照明装置は、表示パネル２０の背面側に設けられる表示装置用照明装置であって、互いに略平行に配置された複数の棒状光源１と、複数の棒状光源１のうちの互いに隣接する２つの棒状光源１の間に配置され、光を散乱させる光散乱部材２とを有する。 - 特許庁

The light source device is provided with an LED unit having LED chips and phosphors which change wavelengths of a part of light from the LED chips, a lens positioned at the light irradiating side of the LED unit, and a light diffusion layer positioned on the light irradiating face or the light incident face of the LED unit with an air layer between.例文帳に追加

ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップからの光の一部を波長変換する蛍光体と、を備えたＬＥＤ装置と、前記ＬＥＤ装置の光出射側に配置されるレンズと、前記ＬＥＤ装置の光出射面上又は前記レンズの入光面上に、空気層を介して配置される光拡散層と、を備えてなる光源装置とする。 - 特許庁

A semiconductor device is a p-channel MOS field-effect transistor which comprises a semiconductor substrate, a gate oxide film provided on the semiconductor substrate, a gate electrode provided on the gate oxide film, and two p^+ source/drain diffusion regions formed in an n-well region in the semiconductor substrate, each having a p^- offset region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上に設けられたゲート電極と、半導体基板内のｎウエル領域に形成され、それぞれＰ^−のオフセット領域を有する２つのＰ^＋のソース／ドレイン拡散領域とを有する、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタである。 - 特許庁

By converting an output voltage obtained from the floating diffusion of a solid-state imaging device into current signals, shifting a DC level by using the current signals, lowering the power supply voltage and outputting it from a drive circuit, the power supply voltage of the output buffer circuit is lowered and power consumption is reduced without lowering the conversion efficiency and the frequency characteristics.例文帳に追加

固体撮像素子のフローティングディフュージョンから得られる出力電圧を電流信号に変換し、該電流信号を用いて直流レベルシフトして電源電圧を下げて駆動回路から出力することにより、変換効率や周波数特性を低下させることなく、出力バッファ回路の電源電圧を下げて消費電力を削減する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a copper oxide film 21 only on the surface of wiring 15 embedded in an interlayer insulating film 12 and composed of copper or a copper alloy; selectively removing the copper oxide film 21; and forming the cap film 31 which prevents the diffusion of copper only on areas from which the copper oxide film 21 is removed.例文帳に追加

層間絶縁膜１２に埋め込まれた銅もしくは銅合金からなる配線１５の表面のみに酸化銅膜２１を形成する工程と、酸化銅膜２１を選択的に除去する工程と、酸化銅膜２１を除去した領域のみに銅の拡散を防止するキャップ膜３１を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To form an FET having good characteristics by raising the concentration of nitride in the vicinity of the surface of a gate insulating film on the side reverse to the interface of the gate insulating film and a silicon substrate, while suppressing diffusion of nitrogen to the vicinity of the interface, in a process for fabricating a semiconductor device by forming a gate insulating film containing nitrogen on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に窒素含有ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制しつつ、界面とは逆側のゲート絶縁膜の表面付近の窒素濃度を高めることにより、良好な特性を有するＦＥＴを形成する。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a contact hole 47, inside which a boundary between diffusion layers 41 and 42 and an element isolation region 12 is exposed, and a high melting-point metal layer (a titanium film 48) for covering the surface of a silicon substrate 11 exposed inside the contact hole 47 is formed into a thickness of 5 nm-11 nm.例文帳に追加

拡散層４１，４２と素子分離領域１２との境界が内部に露出する接続孔（コンタクトホール４７）を備えた半導体装置において、コンタクトホール４７の内面に露出するシリコン基板１１表面を被覆する高融点金属層（チタン膜４８）が５ｎｍ以上１１ｎｍ以下の膜厚に形成されているものである。 - 特許庁

The lighting device includes the translucent substrate 2 having a first surface and a second surface, a plurality of semiconductor light emitting elements 7 arranged on the first surface and a phosphor layer 18 provided on the first surface so as to cover the plurality of semiconductor light emitting elements, and a light diffusion layer 50b provided on the other surface.例文帳に追加

請求項１の発明は、第１の面及び第２の面を有してなる透光性基板２と；前記第１の面に配設された複数の半導体発光素子７と；前記複数の半導体発光素子を覆うように第１の面に設けられた蛍光体層１８と；前記第２の面に設けられた光拡散層５０ｂと；を具備したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a headlight device for a vehicle which, while attaining both functions of a diffusion light distribution and a condensing light distribution, can improve a layout flexibility in a light by reducing the number of LED units in the light and can attain a light distribution pattern variation in which unpleasantness in a direction of a driver's vision is controlled.例文帳に追加

拡散配光と集光配光の両機能を併せて達成しながらも、灯具内のＬＥＤユニット数削減により、灯具内のレイアウト自由度の向上を図ることができると共に、ドライバーの視線方向に対し違和感を抑えた配光パターンの変化とすることができる車両用前照灯装置を提供すること。 - 特許庁

To obtain a highly reliable DRAM hybrid semiconductor device in which a good metal silicide layer capable of suppressing junction leak and channel leak of a transistor is formed on a lightly doped diffusion layer of the source-drain region at a DRAM part, and wiring resistance and contact resistance are reduced by increasing the area of the metal silicide layer.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部において、接合リークおよびトランジスタのチャネルリークを抑制できる、良好な金属シリサイド層をソース・ドレイン領域の低濃度拡散層上に形成すると共に、この金属シリサイド層の面積を増大させて、配線抵抗の低減およびコンタクト抵抗の低減を図り、高速で信頼性の高いＤＲＡＭ混載半導体装置を得る。 - 特許庁

In the removal device, a container 1 is filled with the activated carbon fiber, the water in which the hydrogen sulfide is dissolved is supplied from the bottom of the container 1, the oxygen-containing gas is supplied through an air diffusion pipe 2 installed in the bottom of the container 1, and treated water is taken out from the top of the container 1.例文帳に追加

そしてその装置は、容器１の内部に活性炭素繊維が充填され、該容器１の底部より硫化水素を溶存する水が供給され、該容器１の底部に設置した散気管２を通じて酸素含有ガスが供給され、該容器１の頭頂部より処理された水が取り出されるように構成されているものである。 - 特許庁

This semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 11, a pair of low concentration diffusion regions 17s and 17d formed in the surface of the semiconductor substrate 11, a gate insulating film 13 formed on the surface of the semiconductor substrate 11, and a gate electrode 15 formed on the surface of the semiconductor substrate 11 via the gate insulating film 13.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１１と、半導体基板１１表面に形成された一対の低濃度拡散領域１７ｓおよび１７ｄと、半導体基板１１表面に形成されたゲート絶縁膜１３と、半導体基板１１表面にゲート絶縁膜１３を介して形成されたゲート電極１５とを有する。 - 特許庁

This semiconductor device has a contact 103 and a buried metal wiring 106 which penetrate a film 105 having a hydrogen barrier property and is electrically connected between interlayers, and in a region other than a part just under the metal wiring, an opening 104 is provided, and a hydrogen diffusion route to a lower layer of a second insulation film 102 is provided.例文帳に追加

水素バリア性を有する膜１０５を貫通し、層間を電気的に接続するコンタクト１０３及び埋め込み金属配線１０６を有する半導体装置であって、金属配線直下の部分以外の領域において、開口１０４が設けられており、第２の絶縁膜１０２の下層への水素拡散経路が設けられている。 - 特許庁

The imaging device (CMOS image sensor) includes a photodiode portion 4 having a photoelectric conversion function, a floating diffusion region 5 for converting a charge signal into a voltage, an electron multiplying portion 3b for multiplying (increasing) carriers generated by the photodiode portion 4, and a light shield film 26 formed so as to cover a surface of the multiplying portion 3b.例文帳に追加

この撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）は、光電変換機能を有するフォトダイオード部４と、電荷信号を電圧に変換するためのフローティングディフュージョン領域５と、フォトダイオード部４により生成されたキャリアを増倍（増加）するための電子増倍部３ｂと、電子増倍部３ｂの表面上を覆うように形成されている遮光膜２６とを備える。 - 特許庁

An electron source, in which, after the carbon nanotube is fitted to the central part of the tip of the conductive substrate through a conductive bonding material or an organic material, the carbon nanotube is jointed by ohmic contact by carrying out carbonization treatment of the organic material by heat treatment or diffusion bonding, is applied to the electron microscope and the electron beam lithography device.例文帳に追加

導電性基材の先端中央部に、導電性接合材料を介するか、あるいは有機材料を介してカーボンナノチューブを取付けた後、熱処理により該有機材料を炭化処理するか、または拡散接合によりカーボンナノチューブをオーミックコンタクト接合した電子源を電子顕微鏡，電子線描画装置に適用する。 - 特許庁

This liquid crystal display device 100 has a backlight unit 10, the liquid crystal display panel 20a having an arrangement pattern 22a of picture elements (dots) arranged in the shape of a matrix having columns and rows, and a light diffusion layer 30a having the stripe structure extending in either the vertical or horizontal direction.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置１００は、バックライトユニット１０と、行および列を有するマトリクス状に配列された絵素（ドット）の配列パターン２２ａを有する液晶表示パネル２０ａと、液晶表示パネルの観察者側に配置され、垂直方向または水平方向のいずれか一方に延びるストライプ構造を有する光拡散層３０ａとを有する。 - 特許庁

By such an inversely diffusing device, the synchronization control part 102 can monitor the reference timings of all of the synchronizing parts, prevent the reference timing from being a time difference less than a prescribed value, and stop inverse diffusion at the synchronizing parts to improve a receiving characteristic when the reference timing becomes the time difference less than the prescribed value.例文帳に追加

このような逆拡散装置により、同期制御部１０２は、全ての同期部の基準タイミングを監視することができ、基準タイミングが所定の値未満の時間差にならないようにしたり、所定の値未満の時間差になると、同期部での逆拡散を停止させたりすることができ、受信特性を向上させることができる。 - 特許庁

This device has an opening 32 formed on an underlying substrate 10, an insulating barrier layer 34 for prevention of Cu diffusion, and an electrically conductive layer 36 comprising a Cu layer formed inside the opening 32, wherein the insulating barrier layer 34 is either of a silicon base insulating layer containing carbon and fluorine, an organic film, or a C-axis-oriented BN(boron nitride) film.例文帳に追加

下地基板１０上に形成され、開口部３２を有し、Ｃｕの拡散を防止するバリア絶縁層３４と、開口部３２内に形成されたＣｕ層より成る導電層３６とを有し、バリア絶縁層３４は、炭素とフッ素とを含むシリコン系絶縁層、有機膜、又はＣ軸方向に配向されたＢＮ膜のいずれかである。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first layer 16a on the impurity diffusion region 22 in a semiconductor substrate by a selective epitaxial growth method; forming a second layer 18 on the first layer 16a by the selective epitaxial growth method; and filling a conductive material on the second layer 18 to form the contact plug 21.例文帳に追加

半導体基板内の不純物拡散領域２２上に選択エピタキシャル成長法により、第１の層１６ａを形成する工程と、第１の層１６ａ上に、選択エピタキシャル成長法により第２の層１８を形成する工程と、第２の層１８上に導電材料を充填することにより、コンタクトプラグ２１を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

To obtain a paint composition for forming a surface projecting and recessing layer 2 provided under the reflection layer 3 of a reflective or semitransmissive liquid crystal display device or forming a light diffusion layer provided above the reflection layer 3, a paint composition with which a projecting and recessing shape can be simply formed on a coating film surface and which has excellent adhesiveness to the reflection layer 3.例文帳に追加

反射型もしくは半透過型液晶表示装置の反射層３の下に設けられる表面凹凸層２、または反射層３の上方に設けられる光拡散層を形成するための塗料組成物であって、塗膜表面に凹凸形状を簡易に形成することができ、反射層３に対する密着性に優れた塗料組成物を得る。 - 特許庁

The ink supply device 1 is formed with a chamber 7 for suppressing the diffusion of an evaporation component of the ink by arranging a cover 3 around a plate cylinder 4 immersed into the ink i of an ink pan 2, in which a tube 6 composed of a porous material of a fluororesin is arranged in the chamber 7 and is connected to a supply source of the inert gas.例文帳に追加

インキパン２のインキｉに浸けられる版胴４の周囲にカバー３が配置されることにより、インキｉの蒸発成分の拡散を抑制するチャンバ７が形成されたインキ供給装置１において、チャンバ７には、フッ素樹脂の多孔質体にて構成されたチューブ６が配置され、チューブ６は不活性ガスの供給源と接続されている。 - 特許庁

To provide a diffusion optical sheet which is prevented from curving owing to environmental change in temperature, humidity, etc., to cause deterioration in picture quality and can prevent fragments of a substrate from scattering when the substrate is broken owing to an accident such as a collision, and is high in flatness and safe, and a transmission type screen and a back projection type display device using the same.例文帳に追加

温度や湿度等、環境の変化による反り等が生じて画質が劣ることを防ぎ、衝突等の事故により基板が割れる等した場合に、その破片が飛散することを防止できる、平面性が高く、かつ、安全な拡散光学シートと、それを用いた透過型スクリーン及び背面投射型表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the generation of its leakage current can be prevented from a shared contact into a substrate, even though it has a wiring present on a separative insulating film, side walls formed on the side surfaces of the wiring, and the shared contact whereby the wiring and an impurity diffusion layer are connected on an active region.例文帳に追加

分離絶縁膜上の配線と、この配線の側面上に形成されたサイドウォールと、配線と活性領域上の不純物拡散とを接続するシェアードコンタクトを備えた半導体装置であっても、シェアードコンタクから半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a first semiconductor region 28 of gallium nitride (GaN) doped with magnesium which is a p-type impurity, a second semiconductor region 34 of gallium nitride, and an impurity diffusion suppression film 32 which is interposed between the first semiconductor region 28 and the second semiconductor region 34 and made of silicon oxide (SiO_2).例文帳に追加

本発明の半導体装置１０は、ｐ型の不純物であるマグネシウムを含む窒化ガリウム（GaN）の第１半導体領域２８と、窒化ガリウムの第２半導体領域３４と、第１半導体領域２８と第２半導体領域３４の間に介在している酸化シリコン（SiO_2）の不純物拡散抑制膜３２を備えていることを特徴としている。 - 特許庁

This seal material for a compressor and refrigerating system device is an elastomer such as polytetrafluoroethylene having a larger diffusion coefficient to carbon dioxide refrigerant gas than a dissolution coefficient and having an osmotic coefficient to the carbon dioxide refrigerant gas of 0.38-1.36×10-9cm3 cm/(cm2 s cmHg) at room temperature.例文帳に追加

ポリテトラフルオロエチレン等の二酸化炭素冷媒ガスに対する拡散係数が溶解係数より大きく、室温における二酸化炭素冷媒ガスに対する浸透係数を０．３８〜１．３６×１０^-9ｃｍ^3・ｃｍ／（ｃｍ^2・ｓ・ｃｍＨｇ）の範囲とするエラストマーをシール材とし、そのシール材を用いて圧縮機、冷凍システム装置を構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a first conductive type semiconductor layer, a polysilicon resistor formed via an insulating film on the semiconductor layer, and a second conductive type impurity diffusion region formed on a position which is the principal surface of the semiconductor layer and which corresponds to a portion under the polysilicon resistor, and which amplifies an analog RGB signal.例文帳に追加

第１導電型の半導体層と、前記半導体層上に絶縁膜を介して形成されたポリシリコン抵抗と、前記半導体層の主表面であって前記ポリシリコン抵抗の下部に対応する位置に形成された第２導電型の不純物拡散領域とを有する、アナログのＲＧＢ信号を増幅する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method which can clean the heat treatment tube of a semiconductor substrate heat treatment device, which is used in the heat treatment process such as the oxidation and diffusion process, etc., of a semiconductor substrate, reducing the quantity of metallic contamination efficiently without raising its cost, and a metal contamination getter substrate and a regenerative metal contamination getter substrate used in that cleaning method.例文帳に追加

半導体基板の酸化、拡散工程等の熱処理工程で用いられる半導体基板熱処理装置の熱処理チューブをコストアップすることなく効率よく金属汚染量を減少させ清浄できる方法及びその清浄化方法に用いられる金属汚染ゲッター基板及び再生金属汚染ゲッター基板を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device of one embodiment comprises a substrate having an element isolation region, a plurality of quadrangle active regions on the substrate, which are isolated by the element isolation region and each having an impurity diffusion region, and a large active region which is an assembly of the plurality of active regions having a contour shape including stepped portions.例文帳に追加

一実施の形態による半導体装置は、素子分離領域を有する基板と、前記素子分離領域に分離された、不純物拡散領域を有する前記基板上の複数の四角形の活性領域と、前記複数の活性領域の集合からなり、段差を含む輪郭形状を有する大活性領域とを有する。 - 特許庁

An LCD driver IC 14 (semiconductor device) comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 electrically; gate wiring 34 formed over the STI separation layer 32 and the diffusion region 43; and an insulation film 41 formed between the gate wiring 34 and the STI separation layer 32.例文帳に追加

ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、トランジスタ素子３１を電気的に分離するためのＳＴＩ分離層３２と、ＳＴＩ分離層３２及び拡散領域４３上に跨って形成されたゲート配線３４と、ゲート配線３４とＳＴＩ分離層３２との間に形成された絶縁膜４１とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of mitigating compression stress in a diffusion preventing film without neither changing the dielectric constant, etc., of an inter-layer insulation film with embedded wiring formed therein, nor giving damage to the inter-layer insulation film, and increasing hardness and elastic modulus in the inter-layer insulation film.例文帳に追加

本発明は、埋め込み配線が形成されている層間絶縁膜の誘電率等を変化させること無く、また当該層間絶縁膜にダメージを与えること無く、拡散防止膜の圧縮応力を緩和することができ、さらには、当該層間絶縁膜の硬度および弾性率を増加させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The air in the attic K is sucked by an omnidirectional diffusion blower B and diffused and blown down horizontally obliquely to all directions within the attic, whereby the air in the attic is forcedly stirred while moving the air along the ceiling plate reverse side, and the air in the attic is forcedly discharged to the outside by an exhaust device A while performing the forced stirring.例文帳に追加

全方向拡散送風機Ｂにより小屋裏Ｋ内の空気を吸引して小屋裏内で横斜め下向き全方向に拡散送風することにより、天井板裏面に沿って空気を流動させながら小屋裏内の空気を強制攪拌させ、この強制攪拌を行いながら、小屋裏内の空気を排気装置Ａによって屋外に強制排出する。 - 特許庁

When the silicone gel pressure- sensitive adhesive sheet is held between the periphery of the liquid crystal cell of a liquid crystal display device and the periphery and/or the pressing frame of a diffusion plate (provided that the silicone gel layer comes in contact with the liquid crystal cell), the force that causes a strain in the liquid crystal cell is reduced so that the visibility of the liquid crystal display can be improved.例文帳に追加

このシリコーンゲル粘着シートを、液晶表示装置の液晶セルの周辺部と拡散板の周辺部及び／又は押え枠との間に挟み込むと（但し、シリコーンゲル層が液晶セルと接触する様にする）、液晶セルに歪みを生じさせる力が小さくなり、液晶ディスプレイの視認性を向上させることができる。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加

半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁