「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

A method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a copper oxide film 21 only on the surface of wiring 15 embedded in an interlayer insulating film 12 and composed of copper or a copper alloy; selectively removing the copper oxide film 21; and forming the cap film 31 which prevents the diffusion of copper only on areas from which the copper oxide film 21 is removed.例文帳に追加

層間絶縁膜１２に埋め込まれた銅もしくは銅合金からなる配線１５の表面のみに酸化銅膜２１を形成する工程と、酸化銅膜２１を選択的に除去する工程と、酸化銅膜２１を除去した領域のみに銅の拡散を防止するキャップ膜３１を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To form an FET having good characteristics by raising the concentration of nitride in the vicinity of the surface of a gate insulating film on the side reverse to the interface of the gate insulating film and a silicon substrate, while suppressing diffusion of nitrogen to the vicinity of the interface, in a process for fabricating a semiconductor device by forming a gate insulating film containing nitrogen on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に窒素含有ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制しつつ、界面とは逆側のゲート絶縁膜の表面付近の窒素濃度を高めることにより、良好な特性を有するＦＥＴを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the generation of its leakage current can be prevented from a shared contact into a substrate, even though it has a wiring present on a separative insulating film, side walls formed on the side surfaces of the wiring, and the shared contact whereby the wiring and an impurity diffusion layer are connected on an active region.例文帳に追加

分離絶縁膜上の配線と、この配線の側面上に形成されたサイドウォールと、配線と活性領域上の不純物拡散とを接続するシェアードコンタクトを備えた半導体装置であっても、シェアードコンタクから半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a contact hole 47, inside which a boundary between diffusion layers 41 and 42 and an element isolation region 12 is exposed, and a high melting-point metal layer (a titanium film 48) for covering the surface of a silicon substrate 11 exposed inside the contact hole 47 is formed into a thickness of 5 nm-11 nm.例文帳に追加

拡散層４１，４２と素子分離領域１２との境界が内部に露出する接続孔（コンタクトホール４７）を備えた半導体装置において、コンタクトホール４７の内面に露出するシリコン基板１１表面を被覆する高融点金属層（チタン膜４８）が５ｎｍ以上１１ｎｍ以下の膜厚に形成されているものである。 - 特許庁

The lighting device includes the translucent substrate 2 having a first surface and a second surface, a plurality of semiconductor light emitting elements 7 arranged on the first surface and a phosphor layer 18 provided on the first surface so as to cover the plurality of semiconductor light emitting elements, and a light diffusion layer 50b provided on the other surface.例文帳に追加

請求項１の発明は、第１の面及び第２の面を有してなる透光性基板２と；前記第１の面に配設された複数の半導体発光素子７と；前記複数の半導体発光素子を覆うように第１の面に設けられた蛍光体層１８と；前記第２の面に設けられた光拡散層５０ｂと；を具備したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can suppress remaining of an oxide layer on a surface layer of a conductive pattern, suppresses an increase in dielectric constant of a surface layer of an insulating film, and also suppresses a decrease in adhesiveness between the insulating film and a diffusion preventive film when SiOH, SiCOH, or an organic polymer is used for the insulating film.例文帳に追加

ＳｉＯＨ、ＳｉＣＯＨ、又は有機ポリマーを絶縁膜として使用した場合に、導電パターンの表層に酸化層が残ることを抑制でき、絶縁膜の表層の比誘電率が上昇することを抑制でき、かつ絶縁膜と拡散防止膜の密着性が低下することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the lighting device provided with a blue light emitting diode 10 as a light source and a phosphor sheet 21 containing a phosphor body capable of obtaining a white color light from the blue color light from the blue color light emitting diode 10 through color conversion, diffusion plates 22, 23 are arranged to face each of a light emitting side surface and a light incident side of the fluorescent sheet 21.例文帳に追加

光源としての青色発光ダイオード１０と、この青色発光ダイオード１０からの青色光を色変換して白色光を得る蛍光体を含む蛍光シート２１を備えた表示装置用の照明装置において、蛍光シート２１の光出射側の面と光入射側の面のそれぞれに対向して拡散板２２，２３を設ける。 - 特許庁

The light-emitting device 1 as an installation has light-emitting panels 2 each with a light source 4 arranged at an edge part 3a of each transparent resin plate 3 and with a diffusion sheet 6 for diffusing light laminated on a rear face 3b of each transparent resin plate 3, so arranged that water can trickle down each surface 2a from an upper one to a lower one.例文帳に追加

インスタレーションとしての発光装置１は、透明樹脂板３の縁部３ａに光源４が配置されるとともに、光を散乱させる散乱シート６が透明樹脂板３の裏面３ｂに積層された発光パネル２を、上位にあるものから下位にあるものにかけて各表面２ａに水が伝い得るように配置したものである。 - 特許庁

To provide a search method of a novel barrier material for a semiconductor integrated circuit device composed of a metal of relatively low cost or an intermetallic compound containing the metal, and having the excellent effect of suppressing copper diffusion similarly to a conventional ruthenium barrier material, with no problem in terms of supply performance.例文帳に追加

従来のルテニウムバリア材と同様に優れた銅拡散の抑制効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路用バリア材を提供する。 - 特許庁

To determine an upper limit quantity of an injection quantity of fuel for combustion at which excessive noise caused by HCCI (Homogeneous Charge Compression Ignition) combustion can be suppressed in a fuel injection quantity control device adopted to an internal combustion engine capable of injecting fuel for HCCI combustion and fuel for diffusion combustion at the same cycle.例文帳に追加

同一サイクルにて予混合圧縮着火（ＨＣＣＩ）燃焼用の燃料、及び拡散燃焼用の燃料を噴射し得る内燃機関に適用される燃料噴射量制御装置において、ＨＣＣＩ燃焼による騒音が過大になることが抑制され得る同燃焼用燃料噴射量の上限量を決定すること。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes: a semiconductor substrate; columnar gate electrodes formed on the semiconductor substrate; source/drain diffusion layers formed nearby a surface of the semiconductor substrate; nitride films for charge storage, formed on side surfaces of the gate electrodes; and element isolation regions formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ装置は、半導体基板と；前記半導体基板上に形成された柱状のゲート電極と；前記半導体基板の表面付近に形成されたソース／ドレイン拡散層と；前記ゲート電極の側面に形成された電荷蓄積用の窒化膜と；前記半導体基板に形成された素子分離領域とを備える。 - 特許庁

The imaging device (CMOS image sensor) includes a photodiode portion 4 having a photoelectric conversion function, a floating diffusion region 5 for converting a charge signal into a voltage, an electron multiplying portion 3b for multiplying (increasing) carriers generated by the photodiode portion 4, and a light shield film 26 formed so as to cover a surface of the multiplying portion 3b.例文帳に追加

この撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）は、光電変換機能を有するフォトダイオード部４と、電荷信号を電圧に変換するためのフローティングディフュージョン領域５と、フォトダイオード部４により生成されたキャリアを増倍（増加）するための電子増倍部３ｂと、電子増倍部３ｂの表面上を覆うように形成されている遮光膜２６とを備える。 - 特許庁

An electron source, in which, after the carbon nanotube is fitted to the central part of the tip of the conductive substrate through a conductive bonding material or an organic material, the carbon nanotube is jointed by ohmic contact by carrying out carbonization treatment of the organic material by heat treatment or diffusion bonding, is applied to the electron microscope and the electron beam lithography device.例文帳に追加

導電性基材の先端中央部に、導電性接合材料を介するか、あるいは有機材料を介してカーボンナノチューブを取付けた後、熱処理により該有機材料を炭化処理するか、または拡散接合によりカーボンナノチューブをオーミックコンタクト接合した電子源を電子顕微鏡，電子線描画装置に適用する。 - 特許庁

This liquid crystal display device 100 has a backlight unit 10, the liquid crystal display panel 20a having an arrangement pattern 22a of picture elements (dots) arranged in the shape of a matrix having columns and rows, and a light diffusion layer 30a having the stripe structure extending in either the vertical or horizontal direction.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置１００は、バックライトユニット１０と、行および列を有するマトリクス状に配列された絵素（ドット）の配列パターン２２ａを有する液晶表示パネル２０ａと、液晶表示パネルの観察者側に配置され、垂直方向または水平方向のいずれか一方に延びるストライプ構造を有する光拡散層３０ａとを有する。 - 特許庁

By such an inversely diffusing device, the synchronization control part 102 can monitor the reference timings of all of the synchronizing parts, prevent the reference timing from being a time difference less than a prescribed value, and stop inverse diffusion at the synchronizing parts to improve a receiving characteristic when the reference timing becomes the time difference less than the prescribed value.例文帳に追加

このような逆拡散装置により、同期制御部１０２は、全ての同期部の基準タイミングを監視することができ、基準タイミングが所定の値未満の時間差にならないようにしたり、所定の値未満の時間差になると、同期部での逆拡散を停止させたりすることができ、受信特性を向上させることができる。 - 特許庁

This device has an opening 32 formed on an underlying substrate 10, an insulating barrier layer 34 for prevention of Cu diffusion, and an electrically conductive layer 36 comprising a Cu layer formed inside the opening 32, wherein the insulating barrier layer 34 is either of a silicon base insulating layer containing carbon and fluorine, an organic film, or a C-axis-oriented BN(boron nitride) film.例文帳に追加

下地基板１０上に形成され、開口部３２を有し、Ｃｕの拡散を防止するバリア絶縁層３４と、開口部３２内に形成されたＣｕ層より成る導電層３６とを有し、バリア絶縁層３４は、炭素とフッ素とを含むシリコン系絶縁層、有機膜、又はＣ軸方向に配向されたＢＮ膜のいずれかである。 - 特許庁

To provide a headlight device for a vehicle which, while attaining both functions of a diffusion light distribution and a condensing light distribution, can improve a layout flexibility in a light by reducing the number of LED units in the light and can attain a light distribution pattern variation in which unpleasantness in a direction of a driver's vision is controlled.例文帳に追加

拡散配光と集光配光の両機能を併せて達成しながらも、灯具内のＬＥＤユニット数削減により、灯具内のレイアウト自由度の向上を図ることができると共に、ドライバーの視線方向に対し違和感を抑えた配光パターンの変化とすることができる車両用前照灯装置を提供すること。 - 特許庁

To obtain a highly reliable DRAM hybrid semiconductor device in which a good metal silicide layer capable of suppressing junction leak and channel leak of a transistor is formed on a lightly doped diffusion layer of the source-drain region at a DRAM part, and wiring resistance and contact resistance are reduced by increasing the area of the metal silicide layer.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部において、接合リークおよびトランジスタのチャネルリークを抑制できる、良好な金属シリサイド層をソース・ドレイン領域の低濃度拡散層上に形成すると共に、この金属シリサイド層の面積を増大させて、配線抵抗の低減およびコンタクト抵抗の低減を図り、高速で信頼性の高いＤＲＡＭ混載半導体装置を得る。 - 特許庁

In the removal device, a container 1 is filled with the activated carbon fiber, the water in which the hydrogen sulfide is dissolved is supplied from the bottom of the container 1, the oxygen-containing gas is supplied through an air diffusion pipe 2 installed in the bottom of the container 1, and treated water is taken out from the top of the container 1.例文帳に追加

そしてその装置は、容器１の内部に活性炭素繊維が充填され、該容器１の底部より硫化水素を溶存する水が供給され、該容器１の底部に設置した散気管２を通じて酸素含有ガスが供給され、該容器１の頭頂部より処理された水が取り出されるように構成されているものである。 - 特許庁

This semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 11, a pair of low concentration diffusion regions 17s and 17d formed in the surface of the semiconductor substrate 11, a gate insulating film 13 formed on the surface of the semiconductor substrate 11, and a gate electrode 15 formed on the surface of the semiconductor substrate 11 via the gate insulating film 13.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１１と、半導体基板１１表面に形成された一対の低濃度拡散領域１７ｓおよび１７ｄと、半導体基板１１表面に形成されたゲート絶縁膜１３と、半導体基板１１表面にゲート絶縁膜１３を介して形成されたゲート電極１５とを有する。 - 特許庁

This semiconductor device has a contact 103 and a buried metal wiring 106 which penetrate a film 105 having a hydrogen barrier property and is electrically connected between interlayers, and in a region other than a part just under the metal wiring, an opening 104 is provided, and a hydrogen diffusion route to a lower layer of a second insulation film 102 is provided.例文帳に追加

水素バリア性を有する膜１０５を貫通し、層間を電気的に接続するコンタクト１０３及び埋め込み金属配線１０６を有する半導体装置であって、金属配線直下の部分以外の領域において、開口１０４が設けられており、第２の絶縁膜１０２の下層への水素拡散経路が設けられている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, which can form a barrier insulating film, having sufficient performance for preventing the diffusion of copper and can form a main insulating film having a sufficiently low dielectric constant, while improving the throughput, when the barrier insulating film and the main insulation film on it are sequentially formed on wiring which is mainly constituted of a copper film.例文帳に追加

銅膜を主とする配線上にバリア絶縁膜とその上の主絶縁膜とを順に形成する場合、スループットの向上を図りつつ、銅の拡散を防止するために十分な性能を有するバリア絶縁膜と、十分に低誘電率を有する主絶縁膜とを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the device 100, sidewalls 122 for a SAC, which is constituted of a silicon nitride film, are respectively formed on the side parts of a gate electrode 116 of the MOSFET 110 and a diffusion inhibition film 126 to inhibit hydrogen or nitrogen contained in the sidewalls 122 from diffusing to the side of the substrate 102 is formed between the sidewalls 122 and the substrate 102.例文帳に追加

半導体装置１００において，ＭＯＳＦＥＴ１１０のゲート電極１１６側部には，窒化シリコンから構成されるＳＡＣのためのサイドウォール１２２が形成されており，サイドウォール１２２とシリコン基板１０２との間には，サイドウォール１２２に含まれる水素や窒素のシリコン基板１０２側への拡散を抑止する拡散抑止膜１２６が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device 100 comprises a silicon substrate 10, a gate electrode 21 formed on the silicon substrate 10 through a gate insulating layer 16, first and second impurity diffusion layers 18 and 20 formed on the silicon substrate 10, and side wall insulating layers 15a and 15b formed on the side surface part of the gate electrode 21.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上にゲート絶縁層１６を介して形成されたゲート電極２１と、シリコン基板１０に形成された第１不純物拡散層１８および第２不純物拡散層２０と、ゲート電極２１の側面部に形成されたサイドウォール絶縁層１５ａ，１５ｂとを含む。 - 特許庁

An AC current measurement processing part 6 for measuring the value of an AC current, oscillator 4 for generating an AC current used for measurement of the ground resistance and a spectrum diffusion part 5 for diffusing a frequency distribution of an AC signal generated by the oscillator 4 to a wide band are provided in the ground resistance measuring device 1.例文帳に追加

接地抵抗測定装置１の内部には、交流電流の値を測定するための交流電流測定処理部６と、接地抵抗の測定に用いる交流信号を発生させるためのオシレータ４と、オシレータ４が発生する交流信号の周波数分布を広帯域に拡散させるためのスペクトラム拡散部５と、を備える。 - 特許庁

This plasma CVD device has a hollow structure of plasma confinement electrode plate 5 for plasma isolation being provided with a plurality of holes, between a plasma generation region and a substrate processing region, and the plasma confinement electrode plate 5 is provided with a radical passage hole and a neutral gas passage hole, and plural sheets of gas diffusion plates 7 (11 and 12) having holes are provided inside the plasma confinement electrode plate.例文帳に追加

プラズマ生成領域と基板処理領域との間に、複数の孔が設けられたプラズマ分離用の中空構造のプラズマ閉込電極板５を有し、プラズマ閉込電極板５には、ラジカル通過孔と中性ガス通過孔が設けられ、プラズマ閉込電極板の内側には、孔を有するガス拡散板７（１１，１２）が複数枚設けられている。 - 特許庁

The miniaturization of the radiator is realized by making the effective diffusion of the Joule's heat be possible by using a heat slinger exposing inside a suction air stream by utilizing a suction air of the internal combustion engine as a forced cooling air blow, further, the wires are shortened by making the electronic device be possible to be mounted at the surroundings of the internal combustion engine which radiates heat around it.例文帳に追加

内燃機関の吸入空気を強制冷却風として利用し、吸入空気流中に露出する放熱板により効率的なジュール熱の放散を可能とすることにより放熱器の小型化を実現し、かつ、周囲に熱を発散する内燃機関の近傍への電子装置の設置を可能として諸配線を短縮する。 - 特許庁

The length of the gate electrode (1) is more elongated than the minimum working size whereby the concentration of the semiconductor substrate (10) for regulating a threshold voltage Vth can be reduced than that of a conventional substrate, thereby permitting the reduction of a connecting electric field in a boundary surface between the semiconductor substrate (10) and diffusion layers (11, 11', 12) than that in a conventional device.例文帳に追加

本発明では、ゲート電極（１）のゲート長を最小加工寸法よりも長くしたことにより、閾値電圧Ｖｔｈ調整用の半導体基板（１０）の濃度を従来のそれよりも低減することができ、半導体基板（１０）と拡散層（１１、１１’、１２）との境界面の接合電界を従来のそれよりも低減することができる。 - 特許庁

The direct-downward backlight device is provided with a plurality of linear light sources 2 arranged nearly in parallel, a reflecting plate 3 reflecting light from the linear light sources 2, and a light diffusion plate 1 receiving direct light from the linear light sources 2 and reflected light from the reflecting plate 3 from a light-incident face 1A and diffusing and irradiating the same from a light irradiation face 1B.例文帳に追加

本発明の直下型バックライト装置は、略平行に配置された複数の線状光源２と、線状光源２からの光を反射する反射板３と、線状光源２からの直射光および反射板３からの反射光を光入射面１Ａから入射し、光出射面１Ｂから拡散して出射する光拡散板１とを備える。 - 特許庁

In the particle material charging apparatus equipped with a charging hopper for storing the particle material, an on-off shutter for controlling the charging of the particle material, a discharge part, a container for housing the particle material discharged from the discharge part and a stand for holding the container, a cone-shaped diffusion device is arranged to the discharge part.例文帳に追加

粒体材料を溜める投入ホッパと、前記粒体材料の投入を制御する開閉シャッタと、吐出部と、該吐出部から吐出される前記粒体材料を収容する容器と、該容器を保持する架台とを具備して成る粒体材料投入装置において、前記吐出部に円錐形拡散器を設置したことにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a MOS structure capable of solving problems such as fermi-level pinning, gate electrode depletion, and diffusion phenomena; and capable of appropriately adjusting (controlling) a threshold voltage by using a material suitable for respective gate electrodes of the MOS structure with different threshold voltages by a more simplified manufacturing process.例文帳に追加

本発明は、フェルミレベルピニング、ゲート電極空乏化、拡散現象等の各問題を解決することができ、より簡略化した製造プロセスにより、閾値電圧が異なるＭＯＳ構造のそれぞれのゲート電極に適した材料を採用して閾値電圧を適切に調整（制御）することができる、ＭＯＳ構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a color filter, by reducing the difference of wavelength diffusion in reflection display, enabling display of high contrast in transparent display, solving the decrease of light leakage and transmittance and enabling proper screen display in reflection and transparent display, in a color filter dividing a unit pixel into a transparent part and a reflective part, and to provide a translucent liquid crystal display device.例文帳に追加

単位画素を透過部と反射部に分割したカラーフィルタにおいて、反射表示で波長分散性の違いを低減させ、透過表示でコントラストの高い表示を可能とし、また、光モレや透過率の減少を解消し、反射及び透過表示で良好な画面表示を可能とするカラーフィルタ、半透過型液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

The lighting apparatus for the display device is installed on the rear side of a display panel 20, and comprises a plurality of rod-shape light sources 1 arranged mutually nearly in parallel, and a light diffusion member 2 which is arranged between two adjoining rod-shape light sources 1 out of the plural rod-shape light sources 1 and scatters the light.例文帳に追加

本発明による照明装置は、表示パネル２０の背面側に設けられる表示装置用照明装置であって、互いに略平行に配置された複数の棒状光源１と、複数の棒状光源１のうちの互いに隣接する２つの棒状光源１の間に配置され、光を散乱させる光散乱部材２とを有する。 - 特許庁

The light source device is provided with an LED unit having LED chips and phosphors which change wavelengths of a part of light from the LED chips, a lens positioned at the light irradiating side of the LED unit, and a light diffusion layer positioned on the light irradiating face or the light incident face of the LED unit with an air layer between.例文帳に追加

ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップからの光の一部を波長変換する蛍光体と、を備えたＬＥＤ装置と、前記ＬＥＤ装置の光出射側に配置されるレンズと、前記ＬＥＤ装置の光出射面上又は前記レンズの入光面上に、空気層を介して配置される光拡散層と、を備えてなる光源装置とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a first conductive type semiconductor layer, a polysilicon resistor formed via an insulating film on the semiconductor layer, and a second conductive type impurity diffusion region formed on a position which is the principal surface of the semiconductor layer and which corresponds to a portion under the polysilicon resistor, and which amplifies an analog RGB signal.例文帳に追加

第１導電型の半導体層と、前記半導体層上に絶縁膜を介して形成されたポリシリコン抵抗と、前記半導体層の主表面であって前記ポリシリコン抵抗の下部に対応する位置に形成された第２導電型の不純物拡散領域とを有する、アナログのＲＧＢ信号を増幅する半導体装置を提供する。 - 特許庁

This seal material for a compressor and refrigerating system device is an elastomer such as polytetrafluoroethylene having a larger diffusion coefficient to carbon dioxide refrigerant gas than a dissolution coefficient and having an osmotic coefficient to the carbon dioxide refrigerant gas of 0.38-1.36×10-9cm3 cm/(cm2 s cmHg) at room temperature.例文帳に追加

ポリテトラフルオロエチレン等の二酸化炭素冷媒ガスに対する拡散係数が溶解係数より大きく、室温における二酸化炭素冷媒ガスに対する浸透係数を０．３８〜１．３６×１０^-9ｃｍ^3・ｃｍ／（ｃｍ^2・ｓ・ｃｍＨｇ）の範囲とするエラストマーをシール材とし、そのシール材を用いて圧縮機、冷凍システム装置を構成する。 - 特許庁

To provide a method which can clean the heat treatment tube of a semiconductor substrate heat treatment device, which is used in the heat treatment process such as the oxidation and diffusion process, etc., of a semiconductor substrate, reducing the quantity of metallic contamination efficiently without raising its cost, and a metal contamination getter substrate and a regenerative metal contamination getter substrate used in that cleaning method.例文帳に追加

半導体基板の酸化、拡散工程等の熱処理工程で用いられる半導体基板熱処理装置の熱処理チューブをコストアップすることなく効率よく金属汚染量を減少させ清浄できる方法及びその清浄化方法に用いられる金属汚染ゲッター基板及び再生金属汚染ゲッター基板を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device of one embodiment comprises a substrate having an element isolation region, a plurality of quadrangle active regions on the substrate, which are isolated by the element isolation region and each having an impurity diffusion region, and a large active region which is an assembly of the plurality of active regions having a contour shape including stepped portions.例文帳に追加

一実施の形態による半導体装置は、素子分離領域を有する基板と、前記素子分離領域に分離された、不純物拡散領域を有する前記基板上の複数の四角形の活性領域と、前記複数の活性領域の集合からなり、段差を含む輪郭形状を有する大活性領域とを有する。 - 特許庁

An LCD driver IC 14 (semiconductor device) comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 electrically; gate wiring 34 formed over the STI separation layer 32 and the diffusion region 43; and an insulation film 41 formed between the gate wiring 34 and the STI separation layer 32.例文帳に追加

ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、トランジスタ素子３１を電気的に分離するためのＳＴＩ分離層３２と、ＳＴＩ分離層３２及び拡散領域４３上に跨って形成されたゲート配線３４と、ゲート配線３４とＳＴＩ分離層３２との間に形成された絶縁膜４１とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of mitigating compression stress in a diffusion preventing film without neither changing the dielectric constant, etc., of an inter-layer insulation film with embedded wiring formed therein, nor giving damage to the inter-layer insulation film, and increasing hardness and elastic modulus in the inter-layer insulation film.例文帳に追加

本発明は、埋め込み配線が形成されている層間絶縁膜の誘電率等を変化させること無く、また当該層間絶縁膜にダメージを与えること無く、拡散防止膜の圧縮応力を緩和することができ、さらには、当該層間絶縁膜の硬度および弾性率を増加させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The air in the attic K is sucked by an omnidirectional diffusion blower B and diffused and blown down horizontally obliquely to all directions within the attic, whereby the air in the attic is forcedly stirred while moving the air along the ceiling plate reverse side, and the air in the attic is forcedly discharged to the outside by an exhaust device A while performing the forced stirring.例文帳に追加

全方向拡散送風機Ｂにより小屋裏Ｋ内の空気を吸引して小屋裏内で横斜め下向き全方向に拡散送風することにより、天井板裏面に沿って空気を流動させながら小屋裏内の空気を強制攪拌させ、この強制攪拌を行いながら、小屋裏内の空気を排気装置Ａによって屋外に強制排出する。 - 特許庁

When the silicone gel pressure- sensitive adhesive sheet is held between the periphery of the liquid crystal cell of a liquid crystal display device and the periphery and/or the pressing frame of a diffusion plate (provided that the silicone gel layer comes in contact with the liquid crystal cell), the force that causes a strain in the liquid crystal cell is reduced so that the visibility of the liquid crystal display can be improved.例文帳に追加

このシリコーンゲル粘着シートを、液晶表示装置の液晶セルの周辺部と拡散板の周辺部及び／又は押え枠との間に挟み込むと（但し、シリコーンゲル層が液晶セルと接触する様にする）、液晶セルに歪みを生じさせる力が小さくなり、液晶ディスプレイの視認性を向上させることができる。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加

半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

The delay time calculating device is provided with a resistance capacity specification part 25 which specifies source resistance and diffusion capacity before process fluctuation at the gate as an object of delay time calculation and specifies the wiring resistance and wiring capacity of wiring connected with the gate after the process fluctuation and calculates the delay time of the gate on the basis of the specification contents by the resistance capacity specification part 25.例文帳に追加

遅延時間計算対象のゲートにおけるプロセス変動前のソース抵抗と拡散容量を特定するとともに、そのゲートに接続されている配線のプロセス変動後の配線抵抗と配線容量を特定する抵抗容量特定部２５を設け、その抵抗容量特定部２５による特定内容に基づいて当該ゲートの遅延時間を計算する。 - 特許庁