「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously the dynamic range of a solid state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

To enable uniformity of characteristics of a driving elements forming each of pixels and productivity improvement thereof without sacrificing efficiency of laser annealing, even if a member consisting of a material having low thermal resistance or a material having diffusion characteristic is previously formed in a unit region corresponding to each of the unit pixels in a display device.例文帳に追加

表示装置において、各単位画素に対応する単位領域内に、耐熱性の低い材料や拡散特性のある材料によって構成される部材が予め形成された場合にも、各画素を構成する駆動素子の特性の均一化や生産性の向上を、レーザーアニールの効率を犠牲にすることなく可能とする。 - 特許庁

The light collecting sheet or the sheet 10, the light transmissive diffusion plate 4 and a light collecting sheet 9 are placed on the opening 1a of the casing 1 of a back-light device 6 in order to prevent unevenness of the tube due to a convex bending which occurs when a cylindrical light source 3 is turned on and hygroscopicity of the plate 4 changes.例文帳に追加

バックライト装置６の筐体１の開口部１ａ上に集光シート或はシート１０と光透過拡散板４及び集光シート９を載置し、円筒光源３の点灯時に光透過拡散板４の吸湿率が変化して光透過拡散板４が山状に反ることで生ずる管ムラの発生を防止する。 - 特許庁

In a liquid combustion device having a burner for burning premix gas with combustion gas and primary air mixed therein, a connection member with its one end connected to the oil feed pipe and its another end connected to a fuel diffusion member is provided, and the connection member is configured to be cooled by combustion air in an air supply chamber.例文帳に追加

燃焼用ガスと一次空気とを混合した予混合ガスを燃焼するバーナを有する液体燃料装置において、一端は送油管と連結し、他端は燃料拡散部材と連結した連結部材を設けると共に、連結部材は給気室の燃焼用空気により冷却される構成とした。 - 特許庁

For the hydrogen barrier to protect the ferroelectric capacitor (C_FE) from the hydrogen diffusion in the semiconductor device (102), nitride-aluminum oxide (N-AlOx) is formed on the ferroelectric capacitor (C_FE), and one or more silicon nitride layers (112, 117) are formed on the nitride-aluminum oxide (N-AlOx).例文帳に追加

半導体装置（１０２）内の水素拡散から強誘電体キャパシタ（Ｃ_FE）を保護するための水素障壁は、強誘電体キャパシタ（Ｃ_FE）上に酸化アルミニウム窒化物（Ｎ−ＡｌＯｘ）が形成され、そして酸化アルミニウム窒化物（Ｎ−ＡｌＯｘ）上に１つ又はそれ以上の窒化シリコン層（１１２、１１７）が形成される。 - 特許庁

To improve hygroscopicity while raising a mechanical strength in a barrier insulating film or a main insulating film on it, and to further reduce a dielectric constant, and particularly to provide a film depositing method and a semiconductor device which can further reduce a specific dielectric constant while especially maintaining a copper diffusion preventing function in the barrier insulating film.例文帳に追加

バリア絶縁膜やその上の主絶縁膜において機械的強度を高めるとともに、吸湿性を改善し、かつ、更なる低誘電率化を図ること、特にバリア絶縁膜では銅拡散防止機能を維持しつつ、比誘電率を更に低減させることができる成膜方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for bump bonding, capable of effectively controlling the progress of metal diffusion between formed bumps and electrode pads and surely preventing failures in the gold wire tear-off process after bump formation, by enabling local heating of very small spots on the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの微小部位に対し局所的に加熱できるようにして、形成済みのバンプと電極パッド間での金属拡散の進行を効果的に抑制でき、バンプ形成後の金線の引きちぎり工程において失敗の発生を確実に防止することのできるバンプボンディング方法および装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device and its manufacturing method characteristically has a profile of a gate electrode, a profile or scope of a diffusion layer forming ion implantation region, or a peripheral profile of an element region, or has an insulation film coating a part of the element region formed before ion implantation.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の形状、拡散層形成用イオン注入領域の形状若しくは範囲、又は、素子領域の周辺形状に特徴があり、あるいは、イオン注入前に素子領域の一部を被覆する絶縁膜を形成する点に特徴を有するものである。 - 特許庁

The ion current reference sensor device is positioned near the chamber(s) of the engine and fuel provided to the chamber(s) is routed to provide a diffusion flame and the resultant ion current from the flame is measured and provided to the processing module at discrete intervals during the combustion process.例文帳に追加

イオン電流基準センサ装置はエンジンの燃焼室近傍に位置決めされ、燃焼室に供給される燃料は拡散火炎を提供すべく流路指定され、当該火炎からの結果としてのイオン電流が測定され、燃焼プロセスの間に離散的な間隔において処理モジュールに対して提供される。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MOS type transistor structure and using the capacity between a gate electrode 23 and an impurity diffusion layer 24 as a varicap, a short channel effect can be utilized by constituting a gate width (GW) formed in a channel region beneath the gate electrode 23 in a multistage.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ＭＯＳ型トランジスタ構造で、ゲート電極２３と不純物拡散層２４間の容量をバリキャップとして用いるものにおいて、前記ゲート電極２３下のチャネル領域に形成されたゲート幅（ＧＷ）を多段階に構成することで、狭チャネル効果を利用することを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a thin film transistor, method for manufacturing an active layer of the thin film transistor, and a display device for minimizing deterioration of semiconductor properties of a polycrystalline semiconductor layer due to density difference of metal catalysts even if a silicon layer is formed to the polycrystalline semiconductor layer by using diffusion of the metal catalysts.例文帳に追加

金属触媒の拡散を利用してシリコン層を多結晶半導体層に形成しても、金属触媒の濃度差によって多結晶半導体層の半導体特性が低下することを最少化する薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタのアクティブ層の製造方法、および表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a projection screen, along with a whiteboard device using the same, having diffusion reflectivity suitable for projection to achieve a clear projected image, and capable of successful erasing of marker inks therefrom to achieve, as a result, an excellent practical use for writing with and erasing of marker.例文帳に追加

映写に適した光の拡散反射性を有し、鮮明な映写画像を得ることができるとともに、マーカーインクの消去を良好に行うことができ、その結果、マーカーの書き込み、消去に際しても実用的に優れた映写用スクリーン及びこれを用いたホワイトボード装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a fuel spray device of a gas turbine engine capable of improving ignition performance and flame stability, in particular, combustion stability in low load in a combustor applying a combined combustion system in which two combustion systems of diffusion combustion system and lean combustion system are combined.例文帳に追加

拡散燃焼方式および希薄燃焼方式の２系統の燃焼方式を組み合わせた複合燃焼方式が適用された燃焼器における着火性、保炎性および特に低負荷時における燃焼安定性を向上させることができるガスタービンエンジンの燃料噴霧装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device is provided that has a primary diffusion area (501) where multiple source regions (S), channel regions, and drain regions (D) are formed into a ring shape; and multiple primary gate electrodes (502), which are each formed on the multiple channel regions via a gate insulating film, and that in a radial shape.例文帳に追加

それぞれ複数のソース領域（Ｓ）、チャネル領域及びドレイン領域（Ｄ）がリング状に形成される第１の拡散領域（５０１）と、それぞれが複数のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成され、かつ放射状に形成される複数の第１のゲート電極（５０２）とを有する半導体装置が提供される。 - 特許庁

A process wherein an impurity diffusion layer 4 to be used to control threshold voltage is performed by implanting ions, and a process wherein a high temperature heat treatment is performed for a short period to recover the crystal defect generated by the ion implantation, are performed continuously without performing heat treatment in this manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法が、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のための高温短時間熱処理を行う工程とを、熱処理を実施することなく連続的に行う。 - 特許庁

This illumination device has a light source 20 and a light transmission body 10 having an incident surface 12 made incident with the light emitted from the light source 20, an exit surface 13 for emitting the light in an illumination direction and a diffusion region 11 for reflecting and/or diffusing the luminous fluxes made incident over a longitudinal direction.例文帳に追加

光源２０と、光源２０から照射された光を入射する入射面１２、照明方向に光を出射するための出射面１３および長手方向に亘って入射された光束を反射および／または拡散する拡散領域１１を有する導光体１０とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure using a film having a high dielectric constant as a gate insulation film which can suppress the deterioration of characteristics and reliability due to the formation of defects and trap sites, by suppressing the reaction between the gate insulation film consisting of the film having a high dielectric constant and a gate electrode and the diffusion of dopants into the gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜として高誘電率膜を用いる構造において、高誘電率膜からなるゲート絶縁膜とゲート電極との反応やゲート絶縁膜への不純物の拡散を抑制し欠陥やトラップサイトの形成に起因する特性や信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method for suppressing the diffusion to a semiconductor substrate of nitrogen for suppressing the punch-through of conductive impurities introduced into a gate electrode, while suppressing the punch-through to the semiconductor substrate of the conducive impurities and suppressing the deterioration of transistor characteristics.例文帳に追加

ゲート電極中に導入された導電性不純物の半導体基板への突き抜けを抑止しつつ、当該導電性不純物の突き抜けを抑止するための窒素の半導体基板への拡散をも抑止してトランジスタ特性の劣化を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously, the dynamic range of a solid-state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

In the lighting device 100 provided with LEDs 1, 1, ... and a translucent cover 4 transmitting light emitted from the LEDs 1, 1, ... and is further provided with a shatterproof film 41 at a cover 4 for preventing fragments from scattering at breakage of the cover 4 and the shatterproof film 41 includes a diffusion material for diffusing light.例文帳に追加

ＬＥＤ１，１…と、ＬＥＤ１，１…から出射された光を透過する透光性のカバー４とを備え、カバー４が破損したときに破片が飛散することを防止する飛散防止膜４１がカバー４に設けてある照明装置１００において、飛散防止膜４１は、光を拡散する拡散材を有する。 - 特許庁

To provide an Al alloy film for a display device in which mutual diffusion between Al and Si can be suppressed and electrical contact having low-resistance ohmic characteristics can be obtained, even if a barrier metal layer between a silicon semiconductor layer and/or a transparent conductive film and the Al alloy film is omitted, and which has sufficient heat resistance.例文帳に追加

シリコン半導体層および／または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を抑制でき、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触が得られると共に、十分な耐熱性を有する表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。 - 特許庁

The interface station 7 includes: a storage vessel 300 storing a plurality of wafers W at multiple stages in the vertical direction and formed with openings 301, 302 on side faces on the processing station 5 side and on the exposure device 6 side; and diffusion plates 310, 311 horizontally projecting from the upper surface of the storage vessel 300.例文帳に追加

インターフェイスステーション７は、複数のウェハＷを上下方向に多段に収容し、処理ステーション５側と露光装置６側の側面に開口部３０１、３０２が形成された収容容器３００と、収容容器３００の上面から水平方向に張り出した拡散板３１０、３１１と、を有する。 - 特許庁

The photoelectric conversion device includes the semiconductor substrate 1 with a main surface, the electrode layer 4 arranged on the main surface 1a, and a porous layer 10 provided at a part of the main surface 1a, and the diffusion layer 3 with dopant diffused is formed near the main surface 1a of the semiconductor substrates 1.例文帳に追加

光電変換素子は、主表面を有する半導体基板１と、上記主表面１ａに配置された電極層４と、主表面１ａの一部に設けられた多孔質層１０とを備え、半導体基板１のうち主表面１ａの近傍には不純物が拡散された拡散層３が形成されている。 - 特許庁

To provide a fuel atomizing device for a gas turbine engine including a combustor to which a complex combustion system is introduced, which is formed of a combination of two lines of combustion systems, i.e. a diffusion combustion system and a lean combustion system, thus enhancing the firing performance and the flame keeping performance of the combustor, in particular, combustion stability in low load operation.例文帳に追加

拡散燃焼方式および希薄燃焼方式の２系統の燃焼方式を組み合わせた複合燃焼方式が適用された燃焼器における着火性、保炎性および特に低負荷時における燃焼安定性を向上させることができるガスタービンエンジンの燃料噴霧装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device thus configured, a sheet n-type burried diffusion layer 3 over the lower section of the entire semiconductor element formation region S connected to the drain leading electrodes 15A, 15B is embedded inside the semiconductor substrate in the entire lower section of the semiconductor element formation region S.例文帳に追加

こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a transistor formed on a semiconductor substrate 10, and a capacitor connected electrically with the transistor wherein a hydrogen supply film 44 is formed between the transistor and the capacitor and a hydrogen anti-diffusion film 45 is formed between the hydrogen supply film 44 and the capacitor.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成されたトランジスタと、トランジスタに電気的に接続されたキャパシタとを有する半導体装置であって、トランジスタとキャパシタとの間に形成された水素供給膜４４と、水素供給膜４４とキャパシタとの間に形成された水素拡散防止膜４５とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MOS type transistor structure and using the capacity between a gate electrode 13 and source-drain (diffusion layer 14) as a varicap, an impurity layer is formed in a channel region 15 beneath the gate electrode 13 to have a concentration gradient.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ＭＯＳ型トランジスタ構造で、ゲート電極１３とソース・ドレイン（拡散層１４）間の容量をバリキャップとして用いるものにおいて、前記ゲート電極１３下のチャネル領域１５に形成された不純物層が濃度勾配を有するように形成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide an auxiliary cleaning device for efficiently carrying out an operation by considering that when a diffusion washer is cleaned in periodic inspection, an operator riding on a screen plate holds a cleaning nozzle, sprays cleaning water on the screen plate, however, the operator has an operation in an unstable state by reaction force by cleaning water spray.例文帳に追加

ディフュージョンウォッシャーを定期点検時に洗浄する場合、スクリーンプレートに乗った作業員が洗浄用ノズルを保持して、洗浄水をスクリーンプレートに吹き付けて行うが、洗浄水の噴射による反力により不安定な状態での作業となることに鑑みて、効率よく作業を行える洗浄補助装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu alloy sputtering target for obtaining a base film or the like excellent in close contact with a glass substrate and an Si film, having a high diffusion barrier property in Si and Cu, hardly generating blistering of a film and film separation even when exposed to a hydrogen plasma atmosphere, and to provide a method of manufacturing a Cu wiring film of a semiconductor device.例文帳に追加

ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion testing device, enabling casting surely even with 1 mm or less of sample diameter, reduced in the possibility of contamination in a sample by an impurity in a gas, not affected by Marangoni convection caused by a free surface, and precluded from the possibility that the gas infiltrates into a capillary even in a gravity-free or very low gravity environment.例文帳に追加

試料径が１ｍｍ程度以下でも確実に鋳込むことができ、ガス中の不純物による試料の汚染のおそれが少なく、自由表面によるマランゴニ対流の影響がなく、無重力又は微小重力環境下でも、ガスがキャピラリー内に入り込むおそれがない拡散試験装置を提供する。 - 特許庁

To lower the collector-emitter saturation voltage for an NPN transistor of a semiconductor device by surely connecting an N+ diffusion area as a collector lead-out region to an N+ additional embedded layer formed between 1st and 2nd epitaxial layers.例文帳に追加

半導体装置のＮＰＮトランジスタにおいて、コレクタ導出領域となるＮ^+型拡散領域と第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層との間に形成されるＮ^+型付加埋め込み層とを確実に連結させることで、ＮＰＮトランジスタにおけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧を低減させることを目的とする。 - 特許庁

By using a convex lens 12 disposed on an optical axis Ax extending in a front-back direction of the lamp fitting unit, direct light from a light emitting device 14 disposed behind the lens is deflected and outputted toward the front to form parallel light in a vertical plane and diffusion light for both left and right sides in a horizontal plane.例文帳に追加

灯具ユニット前後方向に延びる光軸Ａｘ上に配置された凸レンズ１２により、その後方に配置された発光素子１４からの直射光を前方へ向けて偏向出射させ、これを鉛直面内においては平行光、水平面内においては左右両側への拡散光とする。 - 特許庁

To provide a metal wiring which is free from copper diffusion into a silicon containing film and copper corrosion due to a reactive gas such as an ammonia gas when a copper film is used as a metal wiring and the silicon containing films are attached to the copper film, and to provide a thin film transistor and a display device using the same.例文帳に追加

金属配線として銅膜を使用する場合において、その銅膜にけい素含有膜が設けられるとき、けい素含有膜への銅の拡散とアンモニアガスなどの反応ガスによる銅の腐食とを防止し得る金属配線、それを備えた薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device 110 includes: first and second transistors 121, 122 each having a gate electrode, a source region and a drain region; and a diffusion region 150 connecting either of the source and drain regions of the first transistor 121 and either of the source and drain regions of the second transistor 122 to each other.例文帳に追加

ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域をそれぞれが有する第１および第２のトランジスタ１２１，１２２と、第１トランジスタ１２１のソースおよびドレイン領域の一方と第２トランジスタ１２２のソースおよびドレイン領域の一方と互いに連結する拡散領域１５０とを備える半導体装置１１０を採用する。 - 特許庁

To provide an elastic member for electrophotography which has the electrostatic capacity and the electric resistance most suitably controlled by preventing diffusion of isocyanate due to an organic solvent or to heating and by centralizing an isocyanate treatment layer near a surface, and also to provide a manufacturing method thereof, and a process cartridge and an electrophotographic device provided with the elastic member.例文帳に追加

有機溶剤や、加熱によるイソシアネートの拡散を防止し、イソシアネート処理層を表面近傍に集中させ、静電容量や電気抵抗を最適に制御した電子写真用弾性部材、その製造方法、該弾性部材を具備するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することである。 - 特許庁

To suppress the scattering and diffusion of an oil solution to the surrounding of a guiding and oiling device to apply the oil solution to a traveling yarn even in the case of applying a relatively large amount of the oil solution in the spinning step and efficiently apply a treating agent such as oil solution and prevent the pollution of the surrounding working environment (atmosphere).例文帳に追加

紡糸工程における油剤付着量が比較的多い場合であっても、走行糸条へ油剤を付与するガイド給油装置から、その周囲に油剤が飛散、拡散することを抑制することにより、油剤等の処理剤の効率的な付着と、周囲作業環境（雰囲気）の汚染防止を図る。 - 特許庁

To provide a resin-packaged type semiconductor device wherein a semiconductor element mounted to a die pad and a lead is connected by a bonding wire and they are packaged by a mold resin and wherein the surface diffusion of a base metal is suppressed in an inner lead and the adhesion between the mold resin and the inner lead is ensured to easily prevent peeling of resin.例文帳に追加

ダイパッドに搭載された半導体素子とリードとをボンディングワイヤで接続したものを、モールド樹脂で封止してなる樹脂封止型の半導体装置において、インナーリードにおける下地金属の表面拡散を抑制し、モールド樹脂とインナーリードとの密着性を確保して樹脂剥離を抑制しやすくする。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with a field effect transistor having a gate electrode 3 formed on the bottom face section 1a of a recessed groove provided on the surface of a semiconductor substrate 1 through a gate insulating film 2 and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13 formed on the portions of the surface 18a of the semiconductor substrate 1 corresponding to both sides of the recessed groove.例文帳に追加

半導体基板１の表面に設けられた凹溝の底面部１ａ上にゲート絶縁膜２を介して形成されたゲート電極３と、その凹溝の両側に相当する半導体基板表面１８ａに形成された一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁

To provide a silicon-substrate evaluating method for evaluating rapidly and surely the diffusion length of the minority carriers of a semiconductor silicon substrate by using an SPV method, in order to attempt rapid adjustment of the manufacturing condition of a semiconductor device, to improve thereby its yield and its productivity efficiency, and to increase the rate of its research and its development.例文帳に追加

半導体装置の製造条件の迅速な調整とそれによる歩留まり、生産能率の向上、また研究開発のスピードアップを図るために、ＳＰＶ法を用いた半導体のシリコン基板の少数キャリア拡散長評価を迅速かつ確実に行うためのシリコン基板の評価方法を提供する。 - 特許庁

This surface-mounted LED 10 (light emitting device) includes: an LED chip 1; a phosphor layer 19 converting the wavelength of light emitted from the LED chip 1; and a light diffusion part 6 that is structured to diffuse light at the center part on the upper side of the LED chip 1 relative to light in the other parts.例文帳に追加

この表面実装型ＬＥＤ１０（発光装置）は、ＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１から出射された光の波長を変換する蛍光体層１９と、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成されている光拡散部６とを備える。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric formed by using an insulating material, which has a low dielectric constant and is superior in heat resistance, thermal conductivity, and mechanical strength, and has a low thermal expansion coefficient, and is capable of restraining the diffusion of metal constituting a wiring material into an insulating film, and provide a semiconductor device composed of this.例文帳に追加

低誘電率であって、耐熱性、熱伝導性及び機械強度に優れ、熱膨張係数が低くて配線材料である金属の絶縁膜中への拡散を抑制できる絶縁材料によって形成された層間絶縁膜及びこれにより構成された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resin sheet with an attached color filter which is thin and light in weight, and is excellent in mechanical strength, in gas barrier property, in heat resistance and in light diffusion property, a method for accurately and efficiently manufacturing the resin sheet with the attached color filter and a liquid crystal display device using the resin sheet with the attached color filter.例文帳に追加

本発明は、薄型、軽量であり、機械強度、ガスバリア性、耐熱性および光拡散性に優れたカラーフィルター付き樹脂シート、上記カラーフィルター付き樹脂シートの精度よく効率的な製造方法および上記カラーフィルター付き樹脂シートを用いた液晶表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

In this case, the use of the louver 20 with its plane of incidence for sunlight L which is flat and with the microprisms formed on its exit surface with the prism grooves oriented generally in the east-to-west direction results in the daylighting device 10 which is superior in direct sunlight blocking characteristic, diffusion property, and the range of directional control.例文帳に追加

この場合、ルーバー２０の太陽光Ｌの入射面を平坦面とし、かつ、出射面にはプリズム溝が概ね東西方向となるように微小プリズムを形成したルーバー２０を用いるようにすると、直射日光のカット特性、拡散性、方向制御範囲に優れた採光装置１０とすることができる。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing the deterioration of performance in the semiconductor element such as a MISFET formed on a main surface of the semiconductor substrate by suppressing the diffusion of copper atoms attached to a back surface of the semiconductor substrate from the back surface into the semiconductor substrate, in a semiconductor device where copper wiring is used in a wiring layer.例文帳に追加

配線層に銅配線を使用する半導体装置において、半導体基板の裏面に付着した銅原子が半導体基板の裏面から内部へと拡散することを抑制し、半導体基板の主面に形成されているＭＩＳＦＥＴなどの半導体素子の特性劣化を抑制できる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a bipolar transistor with a structure capable of regulating a base input signal voltage bringing the transistor forming a conductive diffusion region that is different from a base region at the contact part of a base electrode to ON-state and controlling a base current in the case when this is a digital transistor.例文帳に追加

ベース電極のコンタクト部にベース領域と異なる導電形の拡散領域を形成するトランジスタのオンするベース入力信号電圧を調整し得ると共に、これをデジタルトランジスタとする場合に、ベース電流を制御し得る構造のバイポーラトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁