「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the distance (d1) between the gate electrode 5 and the drain electrode, the distance (d2) between the gate electrode 5 and the drain wiring, and the distance between the gate electrode 5 and the drain diffusion region can be made larger than those in the conventional semiconductor device having the same size, the capacitance between them can be reduced.例文帳に追加

このようなゲート電極構造により、ゲート電極−ドレイン電極間距離（ｄ１）、ゲート電極−ドレイン配線間距離（ｄ２）、ゲート電極−ドレイン拡散領域間距離を同じサイズの従来のものより大きくすることができるのでそれらの間の容量が低減される。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a plurality of modulation transistors Tm which are provided to a pair of, adjoining in one direction of two-dimensional matrix, photoelectric conversion regions, respectively, to output pixel signals corresponding to optical generation charges held in a floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

The light-emitting diode device is provided with a light-emitting diode chip emitting a blue light, and a phosphor sheet having a phosphor layer emitting a light based on the blue light and a light diffusion layer formed on at least one surface of the phosphor layer.例文帳に追加

青色光を発光する発光ダイオードチップと；前記青色光により発光する蛍光体層および前記蛍光体層の少なくとも一方の面上に形成された光拡散層を有する蛍光体シートと；を具備することを特徴とする発光ダイオード装置。 - 特許庁

The semiconductor device which is provided on a common semiconductor substrate 1, with a nonvolatile memory cell having a tunnel diffusion layer 24; a MOS transistor, having a low concentration layer for the impurity concentration lower than that of the drain region on the side of a tunnel part of the drain region; and an electrostatic discharge damage countermeasure transistor is manufactured.例文帳に追加

トンネル拡散層２４を有する不揮発性メモリセルと、ドレイン領域のチャネル部側に前記ドレイン領域よりも低不純物濃度の低濃度層を有するＭＯＳトランジスタと、静電破壊対策トランジスタとを、共通の半導体基板１上に備える半導体装置が製造される。 - 特許庁

To retain the quality of an article to be treated at a constant by preventing an influence relating to plasma treatment on the article to be treated before plasma treatment or on the article to be treated after plasma treatment by preventing diffusion of the plasma produced by the plasma treatment, a charged particle and dust in a plasma treatment device.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、プラズマ処理によって生成されるプラズマ、荷電粒子、およびダストなどの拡散を防止することで、プラズマ処理前の被処理物あるいはプラズマ処理後の被処理物へのプラズマ処理に係る影響を防止し、被処理物の品質を一定に保つようにする。 - 特許庁

In a semiconductor device having MOS transistors that have been continuously arranged in the direction of the plane of a substrate, a gate electrode and a wiring section that connects the gate electrodes (part shown by an arrow 13 in the figure) are embedded in a layer lower than the front surface of a substrate 10 where a diffusion layer 14 is formed.例文帳に追加

基板の平面方向において連続して配置されるMOSトランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極および該ゲート電極間を接続する配線部（矢印１３で図示する箇所）が、拡散層１４が形成される基板１０の表面より下層に埋め込まれている。 - 特許庁

The mixing device 2 comprises a cylindrical body 3 having upper and lower end opening parts and extended in vertical direction and impact diffusion materials 4 fixed to the inside of the cylindrical body 3 vertically apart from each other in a horizontal or tilted attitude to allow the non-superplasticized concrete falling in the cylindrical body 3 to collide therewith.例文帳に追加

混合装置２は、上下を開口して鉛直方向に延長してなる筒体３と、この筒体３の内部に水平ないし傾斜する姿勢で上下に離して固定されて、筒体３内を落下する非流動性コンクリートを衝突させる衝突拡散材４とを備える。 - 特許庁

In addition, the substrate holder comprises an upper member 43 comprising two plates coupled by the diffusion welding, a lower member 44 mechanically coupled with the upper member, and a electrostatic adsorption plate 61 disposed on the upper member, and further comprises a cooling device 46 built therein.例文帳に追加

さらに基板ホルダは、拡散接合により結合された２枚のプレートから成る上部部材４３と、上部部材に機械的に結合された下部部材４４と、上部部材の上に配置された静電吸着板６１を備え、さらに冷却装置４６を内蔵して構成される。 - 特許庁

To provide an electrode layer of a structure easy in intrusion and diffusion of fuel and an oxidizing agent, by enlarging the substantially surface area participating in catalyst reaction as the electrode layer for a fuel cell, and a method capable of forming this electrode layer by an ultrasonic spray device.例文帳に追加

燃料電池用電極層として触媒反応に関与する実質的な表面積が大きく、燃料、酸化剤の侵入、拡散が容易である構造の電極層を得ることおよびこの電極層を超音波スプレー装置によって形成できる方法を得ることにある。 - 特許庁

Since a quartz type optical waveguide device 5 is directly fixed on a heating element 12, sufficient thermal diffusion to acquire the predetermined demultiplexed wavelength characteristics is carried out, and the waveguide type optical module with which the predetermined demultiplexed wavelength characteristics are acquired is realized.例文帳に追加

発熱体１２に石英型光導波路素子５が直接固定されているので、所定の分波波長特性を得るのに十分な熱拡散を行うことができ、所定の分波波長特性が得られる導波路型光モジュールの提供を実現することができる。 - 特許庁

The generated water or the reverse diffusion water, in which the fluoride ion is removed or the fluoride ion concentration is reduced while being treated in the hydrogen fluoride treatment device 50, are recycled back to an air humidifier 33 or a hydrogen humidifier 45 together with air or hydrogen, and utilized as a water source for humidification.例文帳に追加

フッ化水素処理器５０を通過してフッ素イオンが除去またはフッ素イオン濃度が低減された生成水または逆拡散水は、空気または水素と共に空気加湿器３３または水素加湿器４５に戻されて、加湿のための水源として利用される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is stable and reduces the fluctuation or dispersion of characteristics, by suppressing the diffusion of an impurity inside a silicone substrate after compensation ion injection, and preventing the fluctuation of transistor characteristics or element separation characteristics.例文帳に追加

補償イオン注入後の不純物のシリコン基板内での拡散を押さえ、トランジスタ特性や素子分離特性の変動を防止することができ、安定で特性の変動やばらつきの少ない半導体装置を実現することができる半導体装置のコンタクト形成方法の提供を課題とする。 - 特許庁

The semiconductor device is formed with P-type embedded diffusion regions 4 discretely connected to a partial bottom face of the P-type body region 3, each extending in a direction parallel to the substrate surface, and having high concentration relative to that of the N-type drift region 5 so that respective tips reach the inside of the drift region 5.例文帳に追加

そして、Ｐ型ボディ領域３の一部底面に離散的に連結すると共に、それぞれが基板面に平行な方向に延伸し、各先端がドリフト領域５内に達するよう、Ｎ型ドリフト領域５より高濃度のＰ型埋め込み拡散領域４が形成される。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which can prevent diffusion of fine particles, generated from a fixing member, to the inside of the apparatus or environment around the apparatus by capturing the fine particles, and desirably secure fixability of the fixing device and further reduce energy consumption by controlling operation of an exhaust fan.例文帳に追加

定着部材から発生した微粒子を捕捉することで、機内や周囲の環境への微粒子の拡散を防止でき、排気ファンの動作を制御することで、定着装置の定着性を良好に確保でき、しかもエネルギー消費量を低減できる画像形成装置を提供すること - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in manufacture of SJ-MOSFET by trench filling epitaxial technique, which does not isolate a p-column from a n-type source on a n-column without degrading on-resistance because of a drive diffusion in a n-type source region.例文帳に追加

トレンチ埋め込みエピ方式によるＳＪ−ＭＯＳＦＥＴの製造において、ｎ型ソース領域のドライブ拡散によりオン抵抗を悪化させることなく、ｐカラムとｎカラム上のｎ型ソース領域を分離させない半導体装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

The surface light source device uses the diffusion member as a member to constitute at least one of layers of a layer to constitute a part or the whole of the light-outgoing side structural layer and a layer which is installed at the position farther from the light-outgoing side structural layer than the organic EL element.例文帳に追加

前記面光源装置は、前記拡散部材を、前記出光面構造層の一部もしくは全部を構成する層、および前記有機ＥＬ素子よりも前記出光面構造層から遠い位置に設けられる層、の少なくとも一方の層を構成する部材として備える。 - 特許庁

A range irradiated directly with irradiation light from the irradiation device 1 on the inspection surface B is defined as a direct irradiation area, and a range irradiated with diffused light generated by diffusion of the irradiation light in the direct irradiation area on the inspection surface B is defined as a diffused light irradiation area.例文帳に追加

被検査面Ｂにおいて照射装置１の照射光が直接照射される範囲を直接照射エリアとし、被検査面Ｂにおいて直接照射エリアでの照射光の拡散によって発生する拡散光が照射される範囲を拡散光照射エリアとする。 - 特許庁

Further, the conductive layer including Cu is provided in such a manner that it does not overlap with the oxide semiconductor layer in which a channel region of a TFT is formed, and is surrounded by insulating layers including silicon nitride to prevent Cu diffusion, and thus, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

To provide a double pipe tremie device which enables the smooth throwing-in of sediment and the inhibition of diffusion of pollution by easily generating a circulating flow circulating through the gap between inner and outer pipes and the inside of the inner pipe, when the sediment is thrown to the bottom of the water; and to provide a method for throwing the sediment.例文帳に追加

水底に土砂を投入する際に、内管と外管との隙間と、内管の内部とを循環する循環流を生じ易くして円滑な土砂投入と汚濁の拡散抑制を可能にする二重管トレミー装置および土砂の投入方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate (semiconductor substrate 1) in which an element isolation region 3 for isolating an element formation region 2 from other regions is formed, a gate groove 4 formed in the element formation region 2, and a pair of diffusion regions 5 formed in the element formation region 2 and disposed separately from each other across the gate groove 4.例文帳に追加

素子形成領域２を他の領域と分離する素子分離領域３が形成された基板（半導体基板１）と、素子形成領域２に形成されたゲート溝４と、素子形成領域２にゲート溝４を挟んで離間して形成された一対の拡散領域５を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first pad 1 for current source connection, a via chain which has one end connected to the first pad 1 and the other end connected to a substrate 20 via a diffusion layer 21 of the same conductivity type as the substrate 20, and a second pad 2 and a third pad 3 for voltage measurement.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、電流源接続用の第１パッド１と、一端が、第１パッド１に接続され、他端が、基板２０と同じ導電型の拡散層２１を介して基板２０に接続されたヴィアチェーンと、電圧測定用の第２パッド２及び第３パッド３とを具備する。 - 特許庁

The lighting device is provided with a plurality of light sources 12, an optical member 24 which has at least one optical characteristic of diffusion, refraction and reflection, and is opposed to the light sources, and a sheet-like support member 31a with a light transmission property which has a plurality of irregularities and supports the optical members.例文帳に追加

照明装置は、複数の光源１２と、拡散、屈折、反射の少なくとも１つの光学特性を有し、前記光源に対向する光学部材２４と、複数の凹凸を有し、前記光学部材を支持する光透過性を有したシート状の支持部材３１ａと、を備える。 - 特許庁

The optical semiconductor device includes a thermally conductive high-resistance portion which limits inflow of a current from the side face of the conductive support while allowing thermal diffusion from the side face of the conductive support to the base, and an electrically conductive portion which allows inflow of a current from the bottom surface of the support.例文帳に追加

光半導体装置は、導電性支持体の側面から基台への熱拡散を許容しつつ導電性支持体の側面からの電流の流入を制限する伝熱性高抵抗部と、導電性支持体の底面からの電流の流入を許容する導電部と、を有する。 - 特許庁

Further, the semiconductor device includes a channel stopper region (N-type channel stopper region 9) which is a first conductivity type, and has a higher impurity concentration than the impurity region and comes into contact with a bottom surface of the element isolation region 6 and a low-concentration diffusion region adjoining the element isolation region 6.例文帳に追加

更に、第１導電型であり、不純物領域よりも不純物濃度が高く、素子分離領域６の底面と、素子分離領域６に隣接する低濃度拡散領域の各々とに接しているチャネルストッパー領域（Ｎ型チャネルストッパー領域９）を有する。 - 特許庁

To provide a sensor signal transmission system and a sensor signal transmission method, capable of performing accurate transmission even when using a diffusion reflecting communication path beyond a visual line in spatial transmission of detection data by a plurality of sensors to a data collection device by use of optical signal.例文帳に追加

複数のセンサの検出データをデータ収集装置に光信号を用いて空間伝送する場合に、見通し外の拡散反射通信路を利用する場合にも高精度に伝送することが可能なセンサ信号伝送システムおよびセンサ信号伝送方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sucked medium collecting device which surely collects a sucked medium by properly preventing diffusion of the sucked medium, is operated with high energy efficiency, and promots energy-saving and emission limitation of CO_2.例文帳に追加

吸引対象媒体の拡散を適切に防いで吸引対象媒体を確実に捕集することが可能であると共に、エネルギ効率良好に運転することができて省エネルギ化やＣＯ_2の排出抑制を促進することが可能な吸引対象媒体捕集装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a plurality of pixels each having a photoelectric conversion part 101, the charge holding part 102, a floating diffusion 114, and a transfer part including a transfer part 103, and also has a holding part lower separation layer 111 and a pixel separation part 117.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０１、電荷保持部１０２と、フローティングディフージョン１１４と、転送部１０３を含んで構成される転送部と、を有する画素を複数備え、保持部下分離層１１１と、画素分離層１１７とを有している。 - 特許庁

To provide a wafer scanning device in which ion injection time of a wafer is reduced to improve productivity and uniformity of ion injection is improved, by not only suppressing unevenness of ion injection due to diffusion effect of the ion beams but also enabling high speed of scanning speed and high resolution of the wafer.例文帳に追加

イオンビームの拡散影響によるイオン注入のむらを抑制するだけでなく、ウエハのスキャン速度を高速化及び高分解能化可能にして、ウエハのイオン注入時間を短縮して生産性を向上させるとともに、イオン注入の均一性を向上させる。 - 特許庁

To provide a lighting device for a license plate capable of illuminating by uniformly and efficiently emitting light from a light guide plate and improving illumination efficiency while securing sharp visibility without reflection, inflection, or diffusion by forming irregular face.例文帳に追加

凹凸を形成して反射・屈折または拡散を行なわせる必要なく、導光板から均一に効率良く光を出射させて照明を行なうことができ、鮮明な視認性を確保しながら照明効率を高めることができるナンバープレートの照明装置を提供する。 - 特許庁

The component is composed of a transparent material with a light diffusion center comprising local discontinuity 12 existing only at a predetermined place of the interior for diffusing light emitted from a light source 26 relevant to the lighting system or the indicator device.例文帳に追加

本発明によれば、構成要素は、照明装置またはインジケータ装置に関連する光源（２６）により放出される光を拡散するために、局部的不連続（１２）から成る光拡散中心が内部の所定の場所にのみ存在する透明材料から構成されている。 - 特許庁

A hole 32, through which a main light beam LO can pass, is formed on a part of a light-transmitting base body 30, arranged in the backlight device between a light source 21 and a diffusion plate 141, where the main light beam LO, emitted from the light source 21 having large incident angle θ, is irradiated.例文帳に追加

バックライト装置内の光源２１と拡散板１４１との間に配置される光透過性基体３０に対して、その光源２１から出射された入射角度θの大きな主光線Ｌ０が照射される部分にその主光線Ｌ０が通過できる孔３２を設ける構成とした。 - 特許庁

To provide a semiconductor process simulation device which adopts an impurity diffusion model under the consideration of a dislocation loop for reducing a time and labor required for extracting the physical quantity of the dislocation loop from a transmission electron microscope picture.例文帳に追加

転位の輪を考慮に入れた不純物拡散モデルを取り入れた半導体プロセスシミュレーション装置において、転位の輪の物理量を透過電子顕微鏡写真から抽出する時間と労力を低減した半導体プロセスシミュレーション装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The especial application of the composition is a medical device and a topical blood delivery, the stability and lipid solubility of the tetrazole isomer and epimer and the subsequent diffusion passing through tissues and cell membranes are essential for the success of the rapamycin composition.例文帳に追加

このような配合物の特に好ましい適用は、医療装置および局所血管送達であり、テトラゾール異性体およびエピマーの安定性および脂質溶解性、および、その後の組織および細胞膜を通過する拡散が、配合ラパマイシン調合物の成功に不可欠である。 - 特許庁

The device is equipped with a dropping means 20 for dropping the liquid medicine, a vaporizing means 10 which receives the liquid medicine dropped from the dropping means 20 and vaporizes it by heating, and a diffusion means 30 for diffusing the pharmacodynamically effective component of the liquid medicine vaporized by the vaporizing means 10.例文帳に追加

薬液を滴下する滴下手段２０と、滴下手段２０から滴下された薬液を受け取り、加熱することにより気化させる気化手段１０と、気化手段１０により気化された薬液の薬効成分を空気中に拡散させる拡散手段３０とを備える。 - 特許庁

The electric diffusion joining device 1 includes upper and lower electrodes 11 and 12 fastening the members M to be joined and electrically conductive to the members M, a power source unit 20 supplying the electric current to electrodes 11 and 12, and a pressurizing unit 30 imparting pressure to joining surfaces.例文帳に追加

通電拡散接合装置１は、被接合部材Ｍ，Ｍを挟持して、被接合部材Ｍ，Ｍと電気的に導通可能な上下電極１１，１２と、電極１１，１２に電流を供給する電源ユニット２０と、接合面に圧力を付与する加圧ユニット３０とを備える。 - 特許庁

The cleaning agent contains a polycarboxylic acid and a diethylenetriamine penta acetic acid and is used after a chemical mechanical polishing process of a semiconductor device, having a barrier film for copper diffusion prevention and copper wirings on an insulating film containing an SiOC as a component with a dielectric constant of 3.0 or below.例文帳に追加

ポリカルボン酸およびジエチレントリアミン五酢酸を含有し、ＳｉＯＣを構成成分として含有する誘電率が３．０以下の絶縁膜上に銅拡散防止用バリア膜及び銅配線を備える半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤。 - 特許庁

In a semiconductor device having a PN junction part, a low concentration substrate junction of a p^+ layer and an n^- layer steep in impurity concentration gradient is formed, and a diffusion layer of a p^- layer in a low concentration is formed by making a surface concentration low and diffusing deeply so that it does not make a junction with the n^- layer of the substrate.例文帳に追加

PN接合部を有する半導体装置において、不純物濃度勾配の急峻なｐ^+層とｎ^-層の低濃度基板接合を形成し、低濃度のｐ^-層の拡散層を基板のn-層と接合ができないように表面濃度を薄く、深く拡散させて形成した。 - 特許庁

To obtain a semiconductor integrated circuit device which can increase the access speed to the memory cell of the memory cell section of a DRAM by reducing the resistance of the bit line or capacity connection of the memory cell section by siliciding the diffusion layer of a logic circuit section in a chip in which the memory cell section and the logic section of a peripheral circuit integrally coexist.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセル部と、周辺回路のロジック部とを一体化した混載チップで、論理回路部の拡散層を珪化物化して高速化、高集積化しつつ、メモリセル部のビット線接続や容量接続の抵抗を低減して該セルへのアクセスの高速化を可能にする装置を提供する。 - 特許庁

To save resources by means of realizing the diffusion of Joule's heat generated inside an electronic device for an internal combustion engine by using a small size radiator, decreasing the risk of a malfunction caused by intrusion of electric noise by shortening the lengths of wires, and decreasing the costs of the radiator, the wires and malfunction preventing countermeasures.例文帳に追加

内燃機関用の電子装置の内部で発生するジュール熱の放散を小型の放熱器で実現し、配線類の長さを短縮して混入する電気的雑音による誤動作の危険を低減し、放熱器、諸配線、誤動作防止対策のコストを低減し省資源化する。 - 特許庁

In addition, the device has a subtracting means 3 calculating the quantization error E1 of the value Q1 and the value Q'1, an error data buffer 4 storing the error E1 and an error arithmetic means 5 calculating a correcting portion for error diffusion by using plural quantization errors and weighting coefficients.例文帳に追加

さらに、補正画素値Ｑ1と量子化画素値Ｑ'1の量子化誤差Ｅ1を算出する減算手段３と、量子化誤差Ｅ1を格納するエラーデータバッファ４と、複数の量子化誤差と重み係数を用いて、誤差拡散のための補正分を算出する誤差演算手段５を有する。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method includes (A) a step to form a gate electrode 13 on a substrate 11, (B) a step to detect the three dimensional shape of the gate electrode 13, and (C) a step to form a diffusion area 32 in a substrate 11 by implanting a impurity ion 31.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（Ａ）基板１１上にゲート電極１３を形成するステップと、（Ｂ）ゲート電極１３の三次元形状を検出するステップと、（Ｃ）不純物イオン３１を注入することによって、基板１１中に拡散領域３２を形成するステップとを備える。 - 特許庁

To provide an air cleaning device which securely prevents the diffusion of contaminated air, can effectively remove the contaminated air even though there are obstacles, and can remove the contaminated air without directly directing air flow to a user even though there is the user in a contaminated air area.例文帳に追加

汚染空気の拡散を確実に防ぎ、障害物があっても効果的に汚染空気を除去することができ、使用者が汚染空気エリアに存在しても直接気流を当てることなく汚染空気を除去できる空気清浄装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a channel layer 18 which is formed on a silicon substrate 10 and composed of SiGe whose thickness is 2-6 nm, a gate electrode 22 which is formed on the channel layer through a gate insulating film 20, and a source/drain diffusion layer 32 which is formed in both sides of the gate electrode.例文帳に追加

シリコン基板１０上に形成された、厚さ２〜６ｎｍのＳｉＧｅより成るチャネル層１８と、チャネル層上に、ゲート絶縁膜２０を介して形成されたゲート電極２２と、ゲート電極の両側に形成されたソース／ドレイン拡散層３２とを有している。 - 特許庁

In the improvement of the membrane air diffusion device wherein a membrane 5 having a large number of small holes is mounted on a holder 1 to which compressed air is supplied, a partition frame 7 having 2-25 openings is attached at a position slightly above the membrane 5 to suppress the excessive expansion of the membrane 5 due to compressed air.例文帳に追加

圧縮空気が供給されるホルダー１に多数の小孔を備えたメンブレン５を装着したメンブレン散気装置の改良に関するもので、メンブレン５よりもやや上方位置に、２〜２５個の開口を持つ仕切り枠７を取り付け、圧縮空気によるメンブレン５の過度の膨張を抑制する。 - 特許庁

The light deflection elements 28 are arranged opposite to the light source 41 side of the display device 70, deflect light H made incident from an incident surface of the light deflection elements 28, emits the light to the light propagation layer 23 and emits diffusion light from a light emission surface of the light propagation layer 23.例文帳に追加

光偏向要素２８は、表示装置７０の光源４１側に向けて配置され、光偏向要素２８の入射面から入射した光Ｈを偏向して光伝搬層２３に射出し、光伝搬層２３の光射出面から拡散光を射出する。 - 特許庁