「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

A hole 32, through which a main light beam LO can pass, is formed on a part of a light-transmitting base body 30, arranged in the backlight device between a light source 21 and a diffusion plate 141, where the main light beam LO, emitted from the light source 21 having large incident angle θ, is irradiated.例文帳に追加

バックライト装置内の光源２１と拡散板１４１との間に配置される光透過性基体３０に対して、その光源２１から出射された入射角度θの大きな主光線Ｌ０が照射される部分にその主光線Ｌ０が通過できる孔３２を設ける構成とした。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which can prevent diffusion of fine particles, generated from a fixing member, to the inside of the apparatus or environment around the apparatus by capturing the fine particles, and desirably secure fixability of the fixing device and further reduce energy consumption by controlling operation of an exhaust fan.例文帳に追加

定着部材から発生した微粒子を捕捉することで、機内や周囲の環境への微粒子の拡散を防止でき、排気ファンの動作を制御することで、定着装置の定着性を良好に確保でき、しかもエネルギー消費量を低減できる画像形成装置を提供すること - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in manufacture of SJ-MOSFET by trench filling epitaxial technique, which does not isolate a p-column from a n-type source on a n-column without degrading on-resistance because of a drive diffusion in a n-type source region.例文帳に追加

トレンチ埋め込みエピ方式によるＳＪ−ＭＯＳＦＥＴの製造において、ｎ型ソース領域のドライブ拡散によりオン抵抗を悪化させることなく、ｐカラムとｎカラム上のｎ型ソース領域を分離させない半導体装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

The surface light source device uses the diffusion member as a member to constitute at least one of layers of a layer to constitute a part or the whole of the light-outgoing side structural layer and a layer which is installed at the position farther from the light-outgoing side structural layer than the organic EL element.例文帳に追加

前記面光源装置は、前記拡散部材を、前記出光面構造層の一部もしくは全部を構成する層、および前記有機ＥＬ素子よりも前記出光面構造層から遠い位置に設けられる層、の少なくとも一方の層を構成する部材として備える。 - 特許庁

A range irradiated directly with irradiation light from the irradiation device 1 on the inspection surface B is defined as a direct irradiation area, and a range irradiated with diffused light generated by diffusion of the irradiation light in the direct irradiation area on the inspection surface B is defined as a diffused light irradiation area.例文帳に追加

被検査面Ｂにおいて照射装置１の照射光が直接照射される範囲を直接照射エリアとし、被検査面Ｂにおいて直接照射エリアでの照射光の拡散によって発生する拡散光が照射される範囲を拡散光照射エリアとする。 - 特許庁

The semiconductor device is formed with P-type embedded diffusion regions 4 discretely connected to a partial bottom face of the P-type body region 3, each extending in a direction parallel to the substrate surface, and having high concentration relative to that of the N-type drift region 5 so that respective tips reach the inside of the drift region 5.例文帳に追加

そして、Ｐ型ボディ領域３の一部底面に離散的に連結すると共に、それぞれが基板面に平行な方向に延伸し、各先端がドリフト領域５内に達するよう、Ｎ型ドリフト領域５より高濃度のＰ型埋め込み拡散領域４が形成される。 - 特許庁

To provide a double pipe tremie device which enables the smooth throwing-in of sediment and the inhibition of diffusion of pollution by easily generating a circulating flow circulating through the gap between inner and outer pipes and the inside of the inner pipe, when the sediment is thrown to the bottom of the water; and to provide a method for throwing the sediment.例文帳に追加

水底に土砂を投入する際に、内管と外管との隙間と、内管の内部とを循環する循環流を生じ易くして円滑な土砂投入と汚濁の拡散抑制を可能にする二重管トレミー装置および土砂の投入方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate (semiconductor substrate 1) in which an element isolation region 3 for isolating an element formation region 2 from other regions is formed, a gate groove 4 formed in the element formation region 2, and a pair of diffusion regions 5 formed in the element formation region 2 and disposed separately from each other across the gate groove 4.例文帳に追加

素子形成領域２を他の領域と分離する素子分離領域３が形成された基板（半導体基板１）と、素子形成領域２に形成されたゲート溝４と、素子形成領域２にゲート溝４を挟んで離間して形成された一対の拡散領域５を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first pad 1 for current source connection, a via chain which has one end connected to the first pad 1 and the other end connected to a substrate 20 via a diffusion layer 21 of the same conductivity type as the substrate 20, and a second pad 2 and a third pad 3 for voltage measurement.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、電流源接続用の第１パッド１と、一端が、第１パッド１に接続され、他端が、基板２０と同じ導電型の拡散層２１を介して基板２０に接続されたヴィアチェーンと、電圧測定用の第２パッド２及び第３パッド３とを具備する。 - 特許庁

The lighting device is provided with a plurality of light sources 12, an optical member 24 which has at least one optical characteristic of diffusion, refraction and reflection, and is opposed to the light sources, and a sheet-like support member 31a with a light transmission property which has a plurality of irregularities and supports the optical members.例文帳に追加

照明装置は、複数の光源１２と、拡散、屈折、反射の少なくとも１つの光学特性を有し、前記光源に対向する光学部材２４と、複数の凹凸を有し、前記光学部材を支持する光透過性を有したシート状の支持部材３１ａと、を備える。 - 特許庁

The optical semiconductor device includes a thermally conductive high-resistance portion which limits inflow of a current from the side face of the conductive support while allowing thermal diffusion from the side face of the conductive support to the base, and an electrically conductive portion which allows inflow of a current from the bottom surface of the support.例文帳に追加

光半導体装置は、導電性支持体の側面から基台への熱拡散を許容しつつ導電性支持体の側面からの電流の流入を制限する伝熱性高抵抗部と、導電性支持体の底面からの電流の流入を許容する導電部と、を有する。 - 特許庁

Further, the semiconductor device includes a channel stopper region (N-type channel stopper region 9) which is a first conductivity type, and has a higher impurity concentration than the impurity region and comes into contact with a bottom surface of the element isolation region 6 and a low-concentration diffusion region adjoining the element isolation region 6.例文帳に追加

更に、第１導電型であり、不純物領域よりも不純物濃度が高く、素子分離領域６の底面と、素子分離領域６に隣接する低濃度拡散領域の各々とに接しているチャネルストッパー領域（Ｎ型チャネルストッパー領域９）を有する。 - 特許庁

Further, the conductive layer including Cu is provided in such a manner that it does not overlap with the oxide semiconductor layer in which a channel region of a TFT is formed, and is surrounded by insulating layers including silicon nitride to prevent Cu diffusion, and thus, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

To provide a sensor signal transmission system and a sensor signal transmission method, capable of performing accurate transmission even when using a diffusion reflecting communication path beyond a visual line in spatial transmission of detection data by a plurality of sensors to a data collection device by use of optical signal.例文帳に追加

複数のセンサの検出データをデータ収集装置に光信号を用いて空間伝送する場合に、見通し外の拡散反射通信路を利用する場合にも高精度に伝送することが可能なセンサ信号伝送システムおよびセンサ信号伝送方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sucked medium collecting device which surely collects a sucked medium by properly preventing diffusion of the sucked medium, is operated with high energy efficiency, and promots energy-saving and emission limitation of CO_2.例文帳に追加

吸引対象媒体の拡散を適切に防いで吸引対象媒体を確実に捕集することが可能であると共に、エネルギ効率良好に運転することができて省エネルギ化やＣＯ_2の排出抑制を促進することが可能な吸引対象媒体捕集装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a plurality of pixels each having a photoelectric conversion part 101, the charge holding part 102, a floating diffusion 114, and a transfer part including a transfer part 103, and also has a holding part lower separation layer 111 and a pixel separation part 117.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０１、電荷保持部１０２と、フローティングディフージョン１１４と、転送部１０３を含んで構成される転送部と、を有する画素を複数備え、保持部下分離層１１１と、画素分離層１１７とを有している。 - 特許庁

To enhance the deodorizability by using two methods of an odor diffusion and removal method with air blow and an odor oxidation and decomposition method with ozone when deodorization is performed for clothes and the like by using the deodorizing device, and to provide a control method for shortening the deodorizing period.例文帳に追加

脱臭装置を用いて衣服などの脱臭を行なう場合に、送風を用いる臭気拡散除去法と、オゾンを用いる臭気酸化分解法との２つの臭気除去方法を併用して脱臭能力を高め、また、脱臭時間を短縮する制御方法を提供する。 - 特許庁

A substrate contact diffusion area 13a is formed in a varactor active area by doping an n-well region 12 with comparatively high-concentration N-type impurities, but an extension area (or LDD area), such as the varactor of a usual semiconductor device is not formed.例文帳に追加

バラクタ用の活性領域には、Ｎウェル領域１２に比較的高濃度のＮ型不純物をドープしてなる基板コンタクト用拡散領域１３ａが形成されているが、従来の半導体装置のバラクタのようなエクステンション領域（又はＬＤＤ領域）は形成されていない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low breakdown voltage transistor having a stable characteristic without diffusion of boron in a polycrystalline silicon film which becomes a gate electrode to a semiconductor substrate and a high breakdown voltage transistor, having a gate insulting film whose film thickness is controlled on the same substrate.例文帳に追加

ゲート電極となる多結晶シリコン膜中のボロンの半導体基板中への拡散がなく安定な特性を有する低耐圧トランジスタと、膜厚制御されたゲート絶縁膜を有する高耐圧トランジスタを同一基板上に持つ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for continuous carburization which can be efficiently adapted to the change in the carburizing depth over an extensive carburizing temperature range and which has increased flexibility in a continuous vacuum carburizing furnace including a heating-up chamber, a carburizing chamber, a diffusion chamber, a cooling-down and holding chamber and a cooling chamber.例文帳に追加

昇温室、浸炭室、拡散室、降温・保持室及び冷却室を含む連続真空浸炭炉において、広い範囲の浸炭温度領域にわたって浸炭深さの変化に効率的に対応しフレキシビリティを増した連続浸炭方法及び装置を提供。 - 特許庁

The diffusion region of the radiated light is not required to be secured in the whole direction of the thickness of the light guide member 32 as convention, so that the thickness of the light guide 32 can be defined thin, and the thickness of the total device can be made small.例文帳に追加

これにより、放射光の拡散部を導光部材３２の厚さ方向全体にわたって確保することを従来のようには必要とせず、このため導光部材３２の厚さを小さい寸法に設定することができ、装置全体の薄型化を図ることができる。 - 特許庁

Further, the diffusion reflection plate is manufactured by using a photomask 32 prepared by combining a region of pattern of size of resolution limit or more, a region of pattern less than resolution limit and a region having no pattern and, thereby, the liquid crystal display device can be manufactured with a few processes, at a good yield and at a low cost.例文帳に追加

また、この拡散反射板を、解像限界以上のサイズのパターンの領域と解像限界未満のパターンの領域とパターンのない領域とを組み合わせたフォトマスク３２を用いて作製することにより、少ない工程で歩留まり良く安価に作製できるようにする。 - 特許庁

To provide a light-weight, thin backlight unit for a flat panel display device that is reduced in cost by forming a light source into a surface light source to facilitate luminance increase by only using a thin optical sheet group, without having to use a thick, heavy and high-cost diffusion plate is not used.例文帳に追加

本発明では、厚みがあり、重量物で、かつコストの高い拡散板を用いずとも、薄い光学シート群のみで、光源を面光源化し、輝度上昇を促し、軽量・薄型でかつコストを抑制したフラットパネル型表示装置用バックライトユニットを提供せんとするものである。 - 特許庁

To provide a local illumination using a light-emitting device and a lens in which the central part of an irradiated surface is illuminated uniformly over a wide range by the control of diffusion angles according to luminous intensity distribution, and for this purpose an attempt is made so as not to entail the complication of configuration, or the like.例文帳に追加

発光素子及びレンズを用いた局部照明灯において、発光強度分布に応じた拡散角度の制御により被照射面の中央を広い範囲に亘って均一に照明するとともに、そのために構成の複雑化等を伴わないようにする。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for forming a Cu based wiring film of which the resistance is reduced, the adhesion to a glass substrate and an Si layer is successful, and which has Si diffusion barrier nature in a process temperature range of a wiring film of a flat panel display device or the like.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the improvement of the membrane air diffusion device wherein a membrane 5 having a large number of small holes is mounted on a holder 1 to which compressed air is supplied, a partition frame 7 having 2-25 openings is attached at a position slightly above the membrane 5 to suppress the excessive expansion of the membrane 5 due to compressed air.例文帳に追加

圧縮空気が供給されるホルダー１に多数の小孔を備えたメンブレン５を装着したメンブレン散気装置の改良に関するもので、メンブレン５よりもやや上方位置に、２〜２５個の開口を持つ仕切り枠７を取り付け、圧縮空気によるメンブレン５の過度の膨張を抑制する。 - 特許庁

The light deflection elements 28 are arranged opposite to the light source 41 side of the display device 70, deflect light H made incident from an incident surface of the light deflection elements 28, emits the light to the light propagation layer 23 and emits diffusion light from a light emission surface of the light propagation layer 23.例文帳に追加

光偏向要素２８は、表示装置７０の光源４１側に向けて配置され、光偏向要素２８の入射面から入射した光Ｈを偏向して光伝搬層２３に射出し、光伝搬層２３の光射出面から拡散光を射出する。 - 特許庁

When coherent light is scanned on the hologram recording medium 55 by a scan device 65, a laser source 61 is turned on by a light source control unit 62 in synchronization with the scanning timing of the coherent light on the element hologram 59 to which information to be projected on the diffusion screen 15 is recorded.例文帳に追加

走査デバイス６５により、ホログラム記録媒体５５上をコヒーレント光が走査する際に、拡散スクリーン１５に投射したい情報が記録された要素ホログラム５９上をコヒーレント光が走査するタイミングに合わせて、光源制御部６２によりレーザ光源６１を点灯させる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a transistor formed by a diffusion layer 103 and gate polysilicon 104 that becomes a gate electrode, an element separation region using a LOCOS oxide film 102, net-like gate polysilicon wiring 101 formed at the element separation region, and metal film wiring 105 arranged on the upper layer.例文帳に追加

拡散層１０３とゲート電極となるゲートポリシリ１０４により形成されたトランジスタと、ＬＯＣＯＳ酸化膜１０２を用いた素子分離領域と、素子分離領域に形成された、網目状のゲートポリシリ配線１０１と、この上層に配置された金属膜の配線１０５とを備える。 - 特許庁

Further, the MO_xN_y metal compound is an extremely efficient oxygen diffusion barrier at 1,000°C, and achieves, in a p-type metal oxide semiconductor (pMOS) device, an extremely aggressive equivalent oxide film thickness (EOT) and an inversion layer thickness of 14 Å or less.例文帳に追加

さらに、本発明のＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物は、１０００℃において非常に効率的な酸素拡散障壁であり、ｐ金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）デバイスにおいて、非常に攻撃的な等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および１４Å未満の反転層厚を可能にする。 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode having a structure in which a polymer electrolyte thin film having ion conductivity is coated on a catalyst carried on carbon black and having high utilization rate of catalyst and superior in operation for a long period stably even under high temperature, and its manufacturing method, and an electrochemical device using the same.例文帳に追加

カーボンブラックに担持した触媒上にイオン伝導性の高分子電解質薄膜が被覆された構造を持ち、触媒の利用率が高く高温でも長期間安定に作動する優れたガス拡散電極とその製造法、およびそれを用いた電気化学デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a lighting system for a microscope that creates diffusion incident lighting, is readily applicable to different working distances, reduces the injury risk of a user and damage risk of the device, readily approaches a sample, and is readily operated.例文帳に追加

拡散入射照明を作り出し、異なる作動距離に対し容易に適用可能であって、使用者がケガをする危険性及び装置に対する損傷の危険性を減少させ、且つ試料に容易に接近可能であって操作が簡単である、顕微鏡用照明装置をもたらすことである。 - 特許庁

The backlight device is configured by stacking the light diffusion film including a layer composed of a mixture of at least two kinds of thermoplastic resins having specific optical characteristics and incompatible with each other onto a base surface of the light exit surface of a backlight base unit through an adhesive layer.例文帳に追加

バックライト装置の基本ユニットの出光面の表面に、特定光学特性を有した、お互いに相溶しない少なくとも２種の熱可塑性樹脂の混合物よりなる層を含む光拡散フィルムを上記基材に密着層を介して積層してなることを特徴とするバックライト装置。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that prevents the deterioration of the hydrogen diffusion blocking performance of a hydrogen barrier film covering a capacitor caused by an influence of an uneven shape by a plurality of ferroelectric capacitors, and the variation of a polarization characteristic of the ferroelectric capacitor, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

複数の強誘電体キャパシタによる凹凸形状の影響を受けてキャパシタを被覆する水素バリア膜の水素拡散阻止能力が劣化すること、および強誘電体キャパシタの分極特性がばらつくことを防止する半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device eliminates ion implantation of impurities for channel formation on a field oxide film 30, in the method of ion implantation of impurities for channel formation of conductivity type reverse to that of a well diffusion layer after gate electrode formation.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、ゲート電極形成後にウェル拡散層とは逆導電型のチャネル形成用の不純物をイオン注入する製造方法において、フィールド酸化膜３０にチャネル形成用の不純物をイオン注入しない製造方法である。 - 特許庁

In addition, the substrate holder comprises an upper member 43 comprising two plates coupled by the diffusion welding, a lower member 44 mechanically coupled with the upper member, and a electrostatic adsorption plate 61 disposed on the upper member, and further comprises a cooling device 46 built therein.例文帳に追加

さらに基板ホルダは、拡散接合により結合された２枚のプレートから成る上部部材４３と、上部部材に機械的に結合された下部部材４４と、上部部材の上に配置された静電吸着板６１を備え、さらに冷却装置４６を内蔵して構成される。 - 特許庁

To provide an electrode layer of a structure easy in intrusion and diffusion of fuel and an oxidizing agent, by enlarging the substantially surface area participating in catalyst reaction as the electrode layer for a fuel cell, and a method capable of forming this electrode layer by an ultrasonic spray device.例文帳に追加

燃料電池用電極層として触媒反応に関与する実質的な表面積が大きく、燃料、酸化剤の侵入、拡散が容易である構造の電極層を得ることおよびこの電極層を超音波スプレー装置によって形成できる方法を得ることにある。 - 特許庁

Since a quartz type optical waveguide device 5 is directly fixed on a heating element 12, sufficient thermal diffusion to acquire the predetermined demultiplexed wavelength characteristics is carried out, and the waveguide type optical module with which the predetermined demultiplexed wavelength characteristics are acquired is realized.例文帳に追加

発熱体１２に石英型光導波路素子５が直接固定されているので、所定の分波波長特性を得るのに十分な熱拡散を行うことができ、所定の分波波長特性が得られる導波路型光モジュールの提供を実現することができる。 - 特許庁

The generated water or the reverse diffusion water, in which the fluoride ion is removed or the fluoride ion concentration is reduced while being treated in the hydrogen fluoride treatment device 50, are recycled back to an air humidifier 33 or a hydrogen humidifier 45 together with air or hydrogen, and utilized as a water source for humidification.例文帳に追加

フッ化水素処理器５０を通過してフッ素イオンが除去またはフッ素イオン濃度が低減された生成水または逆拡散水は、空気または水素と共に空気加湿器３３または水素加湿器４５に戻されて、加湿のための水源として利用される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is stable and reduces the fluctuation or dispersion of characteristics, by suppressing the diffusion of an impurity inside a silicone substrate after compensation ion injection, and preventing the fluctuation of transistor characteristics or element separation characteristics.例文帳に追加

補償イオン注入後の不純物のシリコン基板内での拡散を押さえ、トランジスタ特性や素子分離特性の変動を防止することができ、安定で特性の変動やばらつきの少ない半導体装置を実現することができる半導体装置のコンタクト形成方法の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor process simulation device which adopts an impurity diffusion model under the consideration of a dislocation loop for reducing a time and labor required for extracting the physical quantity of the dislocation loop from a transmission electron microscope picture.例文帳に追加

転位の輪を考慮に入れた不純物拡散モデルを取り入れた半導体プロセスシミュレーション装置において、転位の輪の物理量を透過電子顕微鏡写真から抽出する時間と労力を低減した半導体プロセスシミュレーション装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The gas shower device is constituted so as to form a lower side diffusion part and upper side guide part separately, which are matched with each other in the up and down direction to be combined.例文帳に追加

ガスシャワー装置を、オリフィスを有する拡散部と、反応ガスを基板表面に誘導するガイド部とを個別の部品で構成することにより、高い精度が要求される拡散部には反応生成物が堆積しないことから薬液による洗浄の必要がなくその耐用期間は半永久的となる。 - 特許庁

This backlight device 2 is equipped with multiple straight-tube type fluorescent lamps 3 as light sources, a diffusion plate 4 which is arranged on the liquid-crystal panel 1 side of those fluorescent lamps 3, a polarization converting film 5 and a prism sheet 6, and a reflecting plate 7 which is arranged behind the fluorescent lamps 3.例文帳に追加

このバックライト装置２は、光源としての複数本の直管型蛍光ランプ３と、これら各蛍光ランプ３の液晶パネル１側に配置される拡散板４、偏光変換フィルム５及びプリズムシート６と、各蛍光ランプ３の後方に配置される反射板７とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin semiconductor device on which a back electrode is disposed via an impurity diffusion region for contact for preventing the strength failure of a wafer-shaped substrate, and obtaining the contact of the back electrode at a lower temperature.例文帳に追加

薄型で、かつ、コンタクト用不純物拡散領域を介して裏面電極を配した半導体装置において、ウエハ状の基板における強度的な不具合を回避できるとともに、より低温で裏面電極のコンタクトをとることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Injection synchronous type discharging excitation laser equipment is composed of the narrow-band oscillating stage laser (MO) 10 and the amplifying stage laser (PO) 20 at which a resonator is arranged, wherein a unidirectional beam diffusion device 5 is prepared between the narrow-band oscillating stage laser (MO) 10 and the amplifying stage laser (PO) 20.例文帳に追加

狭帯域発振段レーザ（ＭＯ）１０と共振器を配置した増幅段レーザ（ＰＯ）２０とからなる注入同期式放電励起レーザ装置において、狭帯域発振段レーザ（ＭＯ）１０と増幅段レーザ（ＰＯ）２０の間に一方向ビーム発散装置５を設ける。 - 特許庁