「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

In this image display device, an image display circuit is constituted by using a single-channel MOS circuit provided with a low-concentration impurity diffusion area, and a low-voltage peripheral circuit whose driving voltage can be made lower than the liquid crystal driving voltage is composed of a CMOS circuit for reducing the power consumption.例文帳に追加

画像表示回路は低濃度不純物拡散領域を設けた単チャネルＭＯＳ回路を用いて構成し、液晶駆動電圧より駆動電圧を下げられる低電圧周辺回路は消費電力を低減するためにＣＭＯＳ回路で構成する。 - 特許庁

To provide an optical sheet for a liquid crystal display device having optical functions, especially a markedly high optical diffusion function, and to provide a backlight unit, wherein improvement in quality including optimized angle of view, erasure of lump images, thin profile, and the like, is promoted by using the optical sheet.例文帳に追加

光学的機能、特に光拡散機能が格段に高い液晶表示装置用光学シート及びこれを用いて視野角の適正化、ランプイメージの消去、薄型化等の品質の向上が促進されるバックライトユニットの提供を目的とするものである。 - 特許庁

The solid photographing device has a picture element comprising photoelectric converters PD1, PD2 and transistors, and the plurality of photoelectric converters PD1, PD2 are formed in the depthwise direction of its one picture-element region 12, and further, floating diffusion regions FD1, FD2 are formed in the picture-element region 12.例文帳に追加

光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２とトランジスタからなる画素を有し、１つの画素領域１２の深さ方向に複数の光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２が形成され、画素領域１２にフローティング・ディフージョン領域ＦＤ１，ＰＤ２が形成されて成る。 - 特許庁

The batch type waste water treatment device is provided with a reaction tank 4 having a group of microorganisms containing an organic substance assimilable yeast; an adjustment tank 2 adjusting the change of waste water; a diffusion means 5 for aerating the inside of the reaction tank 4; and a discharge means 9 for discharging a supernatant to the outside of the reaction tank 4.例文帳に追加

有機物資化性酵母を含む微生物群を有する反応槽４と、廃水の投入を調整する調整槽２と、反応槽４内を曝気する散気手段５と、上澄みを反応槽４外に排出する排出手段９とを備える。 - 特許庁

To provide a light emitting device in which the color tone unevenness of light to emit is decreased without using a light diffusion material entirely, thereby an emission efficiency is markedly improved than that of a conventional one, and a facility space and a facility cost are alleviated, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

発する光の色調ムラを、光拡散材を一切使わないで低減することによって発光効率を従来よりも格段に向上させ、設備空間及び設備費用の軽減された発光装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a trench-type MOSFET capable of suppressing deterioration in impurity concentration of a silicon electrode layer near a bottom portion of a trench while suppressing diffusion of impurities from a silicon electrode layer into a semiconductor substrate.例文帳に追加

シリコン電極層から半導体基板内への不純物の拡散を抑制しつつ、トレンチの底部付近におけるシリコン電極層の不純物濃度の低下を抑制可能な溝型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a printing quality inspection device, if the to-be-printed member is a vapor deposition sheet 2A, light radiated from a light source 22 and reflected at a reflection point 24a of a diffusion reflection plate 24 irradiates an inspection point 2a, is mirror-reflected and enters a camera 23 through an incident route 32.例文帳に追加

被印刷部材が蒸着紙２Ａの場合は、光源２２から出射され、拡散反射板２４の反射点２４ａで反射した光が被検査点２ａに照射された後、鏡面反射されて入射経路３２を経てカメラ２３に入射する。 - 特許庁

In this case, even if the exhaust air with the odiferous component is emitted from the second exhaust port 33, since the exhaust air with the odiferous component remains within the guide duct 110 or is emitted through the filter 112 as clean air, the device 10 can prevent diffusion of the exhaust air with the odiferous component.例文帳に追加

ここで、第２排気口３３から臭気成分を含む排気が行われても、案内ダクト１１０内に滞留するか、又はフィルタ１１２を通して清浄な空気となって排出されるので、臭気成分を含む排気の拡散を抑制することができる。 - 特許庁

The blanket device 4 provided with a blanket 5 having separated segment parts restricts the diffusion of the processing liquid 11 by the blanket 5 to the direction in parallel with the delivery direction of the blanket 5 to uniformly distribute along the direction parallel with the rotating shaft 12.例文帳に追加

セグメント分割部を有するブランケット５を備えたブランケット装置４により、ブランケット５における処理液１１の拡散が、ブランケット５の給送方向と平行な方向に制限され、処理液１１が回転軸１２と平行な方向に均一に分配される。 - 特許庁

The device is equipped with at least one light source (S) which irradiates a light guide having a diffusion region which diffuses the light propagating inside toward the outside locally, or a reflecting region which reflects the light, or both regions at a part of the faces.例文帳に追加

内部を伝搬する光が外部に向かって局部的に拡散するような拡散領域、若しくは反射するような反射領域、又は両方の領域を面の一部に有している光ガイドを照射する少なくとも１つの光源（Ｓ）を備えている。 - 特許庁

To provide a method and a device where, in the case a semiconductor wafer or the like is plated with a metal film, for the purpose of solving the problem that ununiform electrodeposition occurs by the diffusion of plating current and the ununiformity of a fluid distribution, an electric field distribution and a fluid flow are controlled.例文帳に追加

半導体ウェーハなどに金属フィルムをメッキする場合、メッキ電流の拡散や、流体分布の不均一によって、不均一な電着を生じる問題を解決するために、電界分布や流体フローを制御する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a backlight unit for a liquid crystal display device capable of preventing a lift of a liquid crystal panel caused by the displacement of a diffusion film or an optical film arranged in the backlight unit, having the high efficiency of assembling work and excelling in reworkability.例文帳に追加

バックライトユニット内に配置された拡散フィルムや光学フィルムフィルムのずれに起因する液晶パネルの浮きを防止することができるとともに、組み立て作業の効率が良く、しかもリワーク性に優れた液晶表示装置用バックライトユニットを提供する。 - 特許庁

To provide a Group-III nitride semiconductor light-emitting device having high light-emission intensity, by making a hetero-junction light-emitting region and a current diffusion layer disposed on a silicon single crystal substrate from a good-quality Group-III nitride semiconductor crystalline layer with low crystal defect density.例文帳に追加

珪素単結晶基板上に設けるヘテロ接合発光部及び電流拡散層を、結晶欠陥密度の少ない良質のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層から構成することにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel, an optical sheet set arranged and installed between the liquid crystal display panel and backlight units, and a support means which does not depend on individual components in order to support a light diffusion plate in a thin type display device which has the liquid crystal display panel as a screen display element.例文帳に追加

液晶表示パネルを画面表示素子とする薄型表示装置において、該液晶表示パネルおよびバックライトユニット間に配設する光学シートセットおよび光拡散板を支持するための個別部品によらない支持手段を提供する。 - 特許庁

To decrease a diffusion resistance of each gas flowing toward each electrode in each electrochemical cell, and also to control deterioration of material for connecting parts of the electrochemical cells next to each other in an electrochemical device which has a structure consisted of plural electrochemical cells connected electrically to each other.例文帳に追加

複数の電気化学セルを電気的に接続してなる構造の電気化学装置において、各電気化学セルの各電極に至るまでの各ガスの拡散抵抗を減らし、かつ、隣接する電気化学セルの接続部分の材質の劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide a reflective liquid crystal display device having a light diffusion function without any alignment defects of a liquid crystal and a high quality displaying effect by introducing a transparent light scattering function thereinto without increasing the number of manufacturing processes.例文帳に追加

本発明は、製造工程を増やさないで透明光拡散機能を液晶表示装置に導入し、かつ液晶の配向不良が無く光の拡散機能を有する高品位な表示効果をもつ反射型液晶表示装置を提供せんとするものである。 - 特許庁

To provide semiconductor device or the like which is allocated within the front surface of an insulating film between low dielectric constant layers placed in contact with the lower surface of a copper diffusion preventing film having a film stress in the compressing direction, and is capable of preventing generation of leak current between wires.例文帳に追加

この発明は、圧縮方向の膜ストレスを有する銅拡散防止膜の下面と接触している低誘電率層間絶縁膜の表面内に配設されている、配線間のリーク電流の発生を防止することができる半導体装置等を提供する。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device includes a semiconductor substrate 1 on which a first diffusion region 2 and a second diffusion region 3 are formed separately from each other, a first insulating layer 4 formed on the semiconductor substrate 1, a charge storage layer 5 formed on the first insulating layer 4, a second insulating layer 6 formed on the charge storage layer 5, and a gate electrode 7 formed on the second insulating layer 6.例文帳に追加

本発明に用いられる不揮発性半導体記憶装置は、第１の拡散領域２および第２の拡散領域３が離間して形成された半導体基板１と、半導体基板１上に形成された第１の絶縁層４と、第１の絶縁層４上に形成された電荷蓄積層５と、電荷蓄積層５上に形成された第２の絶縁層６と、第２の絶縁層６上に形成されたゲート電極７と、を有する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加

本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁

In the semiconductor device, the polysilicon resistor in the semiconductor device loading the polysilicon resistor comprises a polysilicon layer (113) formed in a desired shape, and an impurity diffusion layer (114) formed so as to diffuse impurities to the side inner than the shape of the polysilicon layer (113) in the polysilicon layer (113).例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置においてポリシリコン抵抗は、所望の形状に成形されたポリシリコン層（１１３）と、ポリシリコン層（１１３）に、ポリシリコン層（１１３）の形状よりも内側に不純物を拡散することにより形成された不純物拡散層（１１４）とから構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic solvent recovering system constituted so as to treat the organic solvent, which is leaked from the gas obtained by treating organic solvent-containing gas with a solvent recovering device, with a backup treatment device, capable of stably reducing the diffusion of the organic solvent to the environment and efficiently recovering the organic solvent from the organic solvent-containing gas.例文帳に追加

有機溶剤を含有したガスを溶剤回収装置で処理したガスの中からリークした有機溶剤をバックアップ処理装置により処理する有機溶剤回収システムにおいて、環境への有機溶剤の拡散を安定的に低減でき、有機溶剤含有ガスから効率良く有機溶剤を回収する有機溶剤回収システムを提供する。 - 特許庁

To provide an optical sheet integrated with a lens sheet and a diffusion sheet, in which the surface on a light source side of at least either of the lens sheet on the side nearest the light source and the sheet on a counter light source side of the lens sheet and thereby the front luminance can rise by more than 4%, a light source device, and a display device.例文帳に追加

レンズシートと、拡散シートとを一体化してなり、最も光源側に近いレンズシート及び該レンズシートより反光源側のシートの少なくともいずれかにおける光源側の面が光拡散機能を有さないことにより、正面輝度が４％を超えて上昇することができる光学シート並びに光源装置及び表示装置の提供。 - 特許庁

The optical equipment with the grooves formed greatly reduces volumes of the backlight assembly and the display device by further narrowing spaces formed by the diffusion plate arranged at the upper part of the optical equipment and the optical equipment, improves the uniformity of the brightness of light irradiated from the optical equipment, and improves the display quality of images generated by the display device.例文帳に追加

グルーブが形成された光学機材は、光学機材の上部に配置された拡散板と光学機材が形成する間隔をより狭くしてバックライトアセンブリー及び表示装置の体積を大きく減少させ、光学機材から出射された光の輝度均一性を向上させ、表示装置から発生された画像の表示品質を向上させる。 - 特許庁

In this method of simulating a semiconductor device in which the semiconductor device having a two-or three-dimensional structure is divided into meshes and a physical equation, such as potential equation, carrier transportation equation, etc., is solved in each mesh, a drift current caused by an electric field and a diffusion current caused by a carrier density gradient are handled separately from each other.例文帳に追加

２次元構造または３次元構造の半導体デバイスをメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式やキャリア輸送方程式等の物理方程式を解く、半導体デバイスシミュレーション方法において、電界に起因するドリフト電流と、キャリア密度勾配に起因する拡散電流とを、それぞれ別個に取り扱うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a diffusion situation prediction device for a diffusive substance capable of predicting efficiently an elaborate air current field around the periphery of an event generation place as the center, even in an event incapable of specifying the place in advance, capable of shortening a processing time, and capable of making the device compact, a method therefor, and a program.例文帳に追加

事前に場所の特定ができないような事象に対しても、その事象発生場所周辺を中心とした緻密な気流場を効率よく予測を行うとともに、処理時間の短縮および装置の小型化を図ることのできる拡散物質の拡散状態予測装置及びその方法並びにプログラムを提供することを目的とする。 - 特許庁

This constitution can flexibly form the lamp house 64 by just supporting the light diffusion film 101 into the prescribed shape so as to realize the flexible performance illumination device 543a compared with a conventional performance illumination device which is just disposed with a light emitting body in the back side of the light illumination surface manufactured by the injection molding or the like.例文帳に追加

このため、光拡散フィルム１０１を所定形状に支持するだけでランプハウス６４を柔軟に形成でき、射出成形等で作製された光照射面の背面側に発光体を配置しただけの従来の演出用照明装置に比して、柔軟性のある演出用照明装置５４ａを実現することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device for which various characteristics are highly accurately controlled by performing the run-in diffusion of a gate region while actually measuring a threshold voltage (Vth) defined by characteristics of a drain current (Ids) to an application voltage (Vds) between a source and a drain under a gate bias.例文帳に追加

ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Ｖｄｓ)に対するドレイン電流(Ｉｄｓ)の特性で定義されるしきい値電圧（Ｖｔｈ）を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The automatic diffusion speed screening apparatus for volatile substances is characterized in that it is provided with a vessel with a septum containing a sample and diffusing volatile substances included in the sample; a collecting device collecting the volatile substances in the air of the vessel; a transferring means transferring the volatile substances collected in the collecting device to an analyzing device; and an analyzing part analyzing predetermined components.例文帳に追加

試料が収納され、前記試料に含有する揮発性物質を放散させるためのセプタム付容器と、前記容器の気中に存在する揮発性物質を捕集するための捕集装置と、前記捕集装置に捕集した揮発性物質を分析装置に移送するための手段と、所定成分を分析する分析部と、を備えることを特徴とする揮発性物質の放散速度自動スクリーニング装置を使用して行う。 - 特許庁

To provide a crosslinked resin film having an optical transparency, heat resistance, liquid crystal resistance, dimensional stability and adhesion which can be used as a substitute of a substrate glass in a liquid crystal display device and EL display device or a polarization film, surface protective film, retardation film, transparent conductive film, light diffusion film, film for EL display device, antireflection film or the like in these devices.例文帳に追加

光学透明性、耐熱性、耐液晶性、寸法安定性、接着性を持ち、液晶表示装置およびＥＬ表示装置における基板ガラスの代替品として、また、これらの装置の偏光フィルム、表面保護フィルム、位相差フィルム、透明導電性フィルム、光拡散フィルム、ＥＬ表示装置用フィルム、透明導電性複合材料、反射防止フィルムなどに用いることができる架橋樹脂フィルムを提供する。 - 特許庁

To save resources by means of realizing the diffusion of Joule's heat generated inside an electronic device for an internal combustion engine by using a small size radiator, decreasing the risk of a malfunction caused by intrusion of electric noise by shortening the lengths of wires, and decreasing the costs of the radiator, the wires and malfunction preventing countermeasures.例文帳に追加

内燃機関用の電子装置の内部で発生するジュール熱の放散を小型の放熱器で実現し、配線類の長さを短縮して混入する電気的雑音による誤動作の危険を低減し、放熱器、諸配線、誤動作防止対策のコストを低減し省資源化する。 - 特許庁

In addition, the device has a subtracting means 3 calculating the quantization error E1 of the value Q1 and the value Q'1, an error data buffer 4 storing the error E1 and an error arithmetic means 5 calculating a correcting portion for error diffusion by using plural quantization errors and weighting coefficients.例文帳に追加

さらに、補正画素値Ｑ1と量子化画素値Ｑ'1の量子化誤差Ｅ1を算出する減算手段３と、量子化誤差Ｅ1を格納するエラーデータバッファ４と、複数の量子化誤差と重み係数を用いて、誤差拡散のための補正分を算出する誤差演算手段５を有する。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method includes (A) a step to form a gate electrode 13 on a substrate 11, (B) a step to detect the three dimensional shape of the gate electrode 13, and (C) a step to form a diffusion area 32 in a substrate 11 by implanting a impurity ion 31.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（Ａ）基板１１上にゲート電極１３を形成するステップと、（Ｂ）ゲート電極１３の三次元形状を検出するステップと、（Ｃ）不純物イオン３１を注入することによって、基板１１中に拡散領域３２を形成するステップとを備える。 - 特許庁

To provide an air cleaning device which securely prevents the diffusion of contaminated air, can effectively remove the contaminated air even though there are obstacles, and can remove the contaminated air without directly directing air flow to a user even though there is the user in a contaminated air area.例文帳に追加

汚染空気の拡散を確実に防ぎ、障害物があっても効果的に汚染空気を除去することができ、使用者が汚染空気エリアに存在しても直接気流を当てることなく汚染空気を除去できる空気清浄装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a channel layer 18 which is formed on a silicon substrate 10 and composed of SiGe whose thickness is 2-6 nm, a gate electrode 22 which is formed on the channel layer through a gate insulating film 20, and a source/drain diffusion layer 32 which is formed in both sides of the gate electrode.例文帳に追加

シリコン基板１０上に形成された、厚さ２〜６ｎｍのＳｉＧｅより成るチャネル層１８と、チャネル層上に、ゲート絶縁膜２０を介して形成されたゲート電極２２と、ゲート電極の両側に形成されたソース／ドレイン拡散層３２とを有している。 - 特許庁

Since the distance (d1) between the gate electrode 5 and the drain electrode, the distance (d2) between the gate electrode 5 and the drain wiring, and the distance between the gate electrode 5 and the drain diffusion region can be made larger than those in the conventional semiconductor device having the same size, the capacitance between them can be reduced.例文帳に追加

このようなゲート電極構造により、ゲート電極−ドレイン電極間距離（ｄ１）、ゲート電極−ドレイン配線間距離（ｄ２）、ゲート電極−ドレイン拡散領域間距離を同じサイズの従来のものより大きくすることができるのでそれらの間の容量が低減される。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a plurality of modulation transistors Tm which are provided to a pair of, adjoining in one direction of two-dimensional matrix, photoelectric conversion regions, respectively, to output pixel signals corresponding to optical generation charges held in a floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

In this semiconductor device formed in a semiconductor layer on an insulation film, the semiconductor layer is isolated by an inter-element isolation trench, and a side wall of the interelement isolation trench is provided with an anti-inversion layer comprising an impurity diffusion layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、絶縁膜上の半導体層に形成された半導体装置において、前記半導体層が素子間分離溝によって分離され、前記素子間分離溝の側壁に不純物拡散層からなる反転防止層を有することを特徴とする - 特許庁

The semiconductor device which is provided on a common semiconductor substrate 1, with a nonvolatile memory cell having a tunnel diffusion layer 24; a MOS transistor, having a low concentration layer for the impurity concentration lower than that of the drain region on the side of a tunnel part of the drain region; and an electrostatic discharge damage countermeasure transistor is manufactured.例文帳に追加

トンネル拡散層２４を有する不揮発性メモリセルと、ドレイン領域のチャネル部側に前記ドレイン領域よりも低不純物濃度の低濃度層を有するＭＯＳトランジスタと、静電破壊対策トランジスタとを、共通の半導体基板１上に備える半導体装置が製造される。 - 特許庁

To retain the quality of an article to be treated at a constant by preventing an influence relating to plasma treatment on the article to be treated before plasma treatment or on the article to be treated after plasma treatment by preventing diffusion of the plasma produced by the plasma treatment, a charged particle and dust in a plasma treatment device.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、プラズマ処理によって生成されるプラズマ、荷電粒子、およびダストなどの拡散を防止することで、プラズマ処理前の被処理物あるいはプラズマ処理後の被処理物へのプラズマ処理に係る影響を防止し、被処理物の品質を一定に保つようにする。 - 特許庁

In a semiconductor device having MOS transistors that have been continuously arranged in the direction of the plane of a substrate, a gate electrode and a wiring section that connects the gate electrodes (part shown by an arrow 13 in the figure) are embedded in a layer lower than the front surface of a substrate 10 where a diffusion layer 14 is formed.例文帳に追加

基板の平面方向において連続して配置されるMOSトランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極および該ゲート電極間を接続する配線部（矢印１３で図示する箇所）が、拡散層１４が形成される基板１０の表面より下層に埋め込まれている。 - 特許庁

The light-emitting diode device is provided with a light-emitting diode chip emitting a blue light, and a phosphor sheet having a phosphor layer emitting a light based on the blue light and a light diffusion layer formed on at least one surface of the phosphor layer.例文帳に追加

青色光を発光する発光ダイオードチップと；前記青色光により発光する蛍光体層および前記蛍光体層の少なくとも一方の面上に形成された光拡散層を有する蛍光体シートと；を具備することを特徴とする発光ダイオード装置。 - 特許庁

The mixing device 2 comprises a cylindrical body 3 having upper and lower end opening parts and extended in vertical direction and impact diffusion materials 4 fixed to the inside of the cylindrical body 3 vertically apart from each other in a horizontal or tilted attitude to allow the non-superplasticized concrete falling in the cylindrical body 3 to collide therewith.例文帳に追加

混合装置２は、上下を開口して鉛直方向に延長してなる筒体３と、この筒体３の内部に水平ないし傾斜する姿勢で上下に離して固定されて、筒体３内を落下する非流動性コンクリートを衝突させる衝突拡散材４とを備える。 - 特許庁

The illumination device includes: at least one light source to emit coherent light; the light source to emit incoherent light; a color discriminating member; and a driving part to drive the color discriminating member, and is constituted to provide a diffusion part for the coherent light in the color discriminating member.例文帳に追加

コヒーレントな光を射出する少なくとも１つの光源と、インコヒーレントな光を射出する光源と、色識別部材と、前記色識別部材を駆動する駆動部とを備え、前記色識別部材に前記コヒーレント光に対する拡散部を設けるように照明装置を構成する。 - 特許庁

Accordingly, in the device 100, the diffusion of the hydrogen or the nitrogen to the side of the substrate 102 is suppressed or prevented by the film 126, generation of a trap-interfacial level under the sidewalls 122 is suppressed, and the hot carrier resistance of the MOSFET 110 is improved.例文帳に追加

したがって，半導体装置１００では，拡散抑止膜１２６によりシリコン基板１０２側への水素や窒素の拡散が抑制ないし防止され，サイドウォール１２２下におけるトラップ・界面準位の発生が抑制され，ＭＯＳＦＥＴ１１０のホットキャリア耐性が向上する。 - 特許庁