「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a chemical analysis device provided with an absorbance detecting element capable of using an inexpensive diffusion light source such as an LED and a lamp by covering not a laser light source having strong directivity and limiting an emitted light wavelength, but a wide range of wavelength, facilitating optical adjustment, reducing stray light, increasing the light use efficiency, and dispensing with maintenance substantially during the expected service life.例文帳に追加

指向性が強く発光波長が限定されるレーザ光源ではなく、幅広い波長範囲をカバーしてＬＥＤやランプなどの安価な発散光光源を使用でき、光学的調整が容易で、迷光が少なく、光の利用効率が上がり、期待寿命の間は実質的にメンテナンスの必要がない吸光度検出素子を備えた化学分析装置を提供する。 - 特許庁

In the device 100, sidewalls 122 for a SAC, which is constituted of a silicon nitride film, are respectively formed on the side parts of a gate electrode 116 of the MOSFET 110 and a diffusion inhibition film 126 for to inhibit hydrogen or nitrogen contained in the sidewalls 122 from diffusing to the side of the substrate 102 is formed between the sidewalls 122 and the substrate 102.例文帳に追加

半導体装置１００において，ＭＯＳＦＥＴ１１０のゲート電極１１６側部には，窒化シリコンから構成されるＳＡＣのためのサイドウォール１２２が形成されており，サイドウォール１２２とシリコン基板１０２との間には，サイドウォール１２２に含まれる水素や窒素のシリコン基板１０２側への拡散を抑止する拡散抑止膜１２６が形成されている。 - 特許庁

When forming a source region 24 and a drain region 25 of an NMOS transistor 20 formed on the same silicon substrate 30 along with the NPN transistor 10, a high-concentration region 15 can be formed in the same process, thus excluding an exclusive diffusion process for forming the high-concentration region 15, and manufacturing a semiconductor device 1 with a small number of processes.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタ１０と共に同一シリコン基板３０上に形成されるＮＭＯＳトランジスタ２０のソース領域２４およびドレイン領域２５を形成する際同一工程で高濃度領域１５を形成することができるので、高濃度領域１５を形成するための専用の拡散工程を省き、少ない工程数で半導体装置１を製造することができる。 - 特許庁

This combustion device having a composite combustion style fuel injection structure is provided with a plurality of fuel injection units 2 including a fuel spray part 3 forming diffusion combustion area and premixed air and fuel supply part 4 forming a premixed air and fuel combustion area, and a fuel supply part 70 supplying fuel to the fuel spray part 3 and the premixed air and fuel supply part4.例文帳に追加

複合燃焼方式の燃料噴射構造を有する燃焼装置であって、拡散燃焼領域を形成する燃料噴霧部３と、予混合気燃焼領域を形成する予混合気供給部４とを有する複数の燃料噴射ユニット２と、燃料噴霧部３および予混合気供給部４に燃料を供給する燃料供給部７０とを備える。 - 特許庁

In the display device, in which display is carried out by the unpolarized image light and the touch panel 11 having the polarizing plate 14 is used, deterioration in luminance of the touch panel 11 due to the polarizing plate 14 can be prevented while reducing reflection of the outside light when a reflection type polarizing plate 35 and a diffusion layer 36 are arranged between the display 32 and the touch panel 11.例文帳に追加

非偏光の映像光によって表示を行なう表示装置において、偏光板１４を備えるタッチパネル１１を用いたときに、ディスプレイ３２とタッチパネル１１との間に反射型偏光板３５と拡散層３６とを設けることによって、外光の映り込みの低減を実現しながら、しかもタッチパネル１１の偏光板１４による輝度低下を低減する。 - 特許庁

The discrete device is equipped with one conductivity-type semiconductor substrate which is doped as high in concentration as prescribed, a one conductivity-type epitaxial layer lower in concentration than the one conductivity-type semiconductor substrate, a one conductivity-type diffusion layer which is higher in concentration than the one conductivity-type epitaxial layer, and electrodes which are all formed on the same side.例文帳に追加

所定の濃度を有する一導電型の半導体基板と、前記一導電型の半導体基板よりは濃度の低い前記一導電型のエピタキシャル層と前記一導電型のエピタキシャル層を貫通し、前記一導電型のエピタキシャル層よりは濃度の高い前記一導電型の拡散層とを備え、ディスクリートデバイスの電極を同一面に形成したディスクリートデバイス。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a wettability improving film on a surface of a semiconductor substrate; coating a surface of the wettability improving film with a dopant diffusing agent containing dopants of a first conductivity type and a second conductivity type; and forming a dopant diffusion layer by diffusing the dopants in the semiconductor substrate from the dopant diffusing agent.例文帳に追加

半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device includes a semiconductor substrate; a transistor including gate wiring 220 extending in one direction and formed on the semiconductor substrate, and a source/drain region formed in the semiconductor substrate so as to be aligned to the gate wiring 220; and a diffusion preventing metal pattern 432a extending in the same direction as that of the gate wiring and formed on the gate wiring, and shielding the ions diffused on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、半導体基板、半導体基板上に一方向に延びて形成されたゲート配線２２０とゲート配線に整列して半導体基板内に形成されたソース/ドレーン領域を含むトランジスタ、ゲート配線上にゲート配線と同一方向に延びて形成され、半導体基板に拡散されるイオンを遮断する拡散防止メタルパターン４３２ａを含む。 - 特許庁

The semiconductor device has a selection gate electrode SG of a selection gate transistor ST and a perimeter gate electrode TG of a perimeter gate transistor TR, a first insulation film 30 and a first barrier film 31 on an impurity diffusion layer 28 between gate electrodes SG and TG and the side face of the gate electrode, and a second insulation film 32 filling between the gate electrodes SG and TG on the first barrier film 31.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＴの選択ゲート電極ＳＧ、及び周辺トランジスタＴＲの周辺ゲート電極ＴＧを有し、ゲート電極ＳＧ、ＴＧ間の不純物拡散層２８上及びゲート電極側面に第１絶縁膜３０、第１バリア膜３１を有し、第１バリア膜３１上にゲート電極ＳＧ、ＴＧ間を埋める第２絶縁膜３２を有する。 - 特許庁

To provide a surface treatment device for a work which can rotate a barrel with a work charged therein at a variable speed, automatically change the position of presence, eliminate variance in surface treatment of a work, prevent the work from overlapping or sticking, realizing excellent introduction and diffusion of an external solution, and suppress reduction in concentration in a relatively simple work with economic and easy maintenance.例文帳に追加

ワ−クが投入されるバレルを変速回転させるとともに、自動的に存在位置を変化させ、ワ−クの表面処理のバラ付きをなくし、ワ−クの重なりや貼り付きも防止し、外部液の導入拡散も良好として濃度減少を抑えることができることとし、しかも比較的簡易な構造で済み、経済的で保守管理も容易となるワ−クの表面処理装置とする。 - 特許庁

To provide an image processing method and image processing device capable of embedding an electronic watermark into a two-valued image like a document (e.g., a black and white two-valued image), embedding an electronic watermark into an image which is recoded by a recording method using error diffusion treatment, and reliably retrieving sub-information from the electronic-watermark-embedded image.例文帳に追加

文書のような２値画像（たとえば、白黒２値画像）に電子透かしを埋め込むことが可能になるとともに、誤差拡散処理を用いた記録方式で記録する画像に電子透かしを埋め込むことが可能になり、かつ、上記電子透かし埋め込み済み画像から副情報を確実に取出すことが可能になる画像処理方法および画像処理装置を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method for a semiconductor device using acid diffusion comprises forming a resist pattern in a partial area of a substrate,contacting a result forming the resist pattern with descumming solution which includes an acid source, resolving a resist residue which remains on a substrate face within the descumming solution using an acid obtained from the acid source, and removing the resolved residue and descumming solution from the substrate.例文帳に追加

基板上の一部領域にレジスト・パターンを形成し、レジスト・パターンが形成された結果物に酸ソースを含むデスカム溶液を接触させ、デスカム溶液内で、酸ソースから得られる酸を利用して、基板表面に残留するレジスト残留物を分解させ、分解された残留物及びデスカム溶液を基板から除去する、酸の拡散を利用する半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

In a cylindrical reaction vessel having an inlet for introducing raw gas and an outlet for discharging the processed gas, a method of manufacturing a spherical semiconductor device for forming a diffusion layer wherein the impurities in the raw gas are diffused in the surface of a spherical semiconductor is carried out such that a spherical semiconductor may be flowed/rotated by rocking or rotating the reaction vessel.例文帳に追加

本発明は、処理ガスを導入する導入口およびガスを排出する排出口を有する円筒状の反応容器内において、球状の半導体の表面に処理ガス中の不純物を拡散させた拡散層を形成する球状半導体素子の製造方法において、反応容器を揺動または回転させることにより、球状の半導体を流動・回転させる。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method is composed of a process wherein the collector region is formed from the first conductivity type semiconductor substrate 1, and a process wherein the first conductivity type emitter region 6 is formed in the vicinity of the surface of the impurity diffusion layer 5 using a side wall 4 as a mask.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１からコレクタ領域を形成する工程と、前記コレクタ領域の表面近傍に、配線３をマスクとして第２導電型の不純物拡散層５を形成する工程と、前記不純物拡散層５の表面近傍に、サイドウオール４をマスクとして第１導電型のエミッタ領域６を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device comprises: an n-type clad layer of AlGaInP; a luminous layer of undoped AlGaInP formed on the n-type clad layer; a p-type clad layer of Mg-added AlGaInP formed on the luminous layer; and a current diffusion layer of Zn-added p-type GaInP formed on the p-type clad layer.例文帳に追加

半導体発光装置は、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層と、前記ｎ型クラッド層上に形成され、アンドープのＡｌＧａＩｎＰからなる発光層と、前記発光層上に形成され、Ｍｇを添加したＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層と、前記ｐ型クラッド層上に形成され、Ｚｎを添加したｐ型のＧａＩｎＰからなる電流拡散層とを有する。 - 特許庁

Since the infrared transmitting device has a constitution wherein after an infrared pulse transmitted from the light emitting element is reduced stepwise following time elapse from a prescribed level, a period until returning to the prescribed level is repeated, decline of the tracking accuracy caused by diffusion which is supposed to be generated if an infrared pulse having a non-reducing uniform level is used can be suppressed effectively.例文帳に追加

赤外線送信装置が、発光素子から送信する赤外線パルスを、所定レベルから時間経過に伴い段階的に減少させた後、所定レベルに復帰させるまでの周期を繰り返すように構成することによって、減少しない均等レベルの赤外線パルスを用いたならば生じたであろう拡散による追尾精度の低下を有効抑制することができる。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁

The plasma silicon nitride film used for a Cu diffusion protection film left as a part of the interlayer films 1, 4 between the upper and lower interconnections 2, 5 when the plasma silicon nitride film is deposited on the Cu film which is formed as the interconnection part 2 of the semiconductor device prevent an increase in interconnection capacitance caused by high permittivity of the plasma silicon nitride film to realize decrease in the wiring capacitance.例文帳に追加

これにより、半導体装置の配線部２として形成されるＣｕ膜の上にプラズマシリコン窒化膜を堆積する場合、Ｃｕの拡散防止膜として用いられるプラズマシリコン窒化膜が上下配線２，５間の層間膜１，４の一部に残ることで、プラズマシリコン窒化膜の高誘電率に起因する配線容量の増加を防止し、配線容量の低減を達成することができる。 - 特許庁

The photoelectric conversion device is manufactured in structure where a ground metal layer 22, a reflection layer 23, a diffusion prevention layer 24, a photoelectric conversion layer 20 that is made of crystalline Si, and a transparent conductive layer 28 are successively laminated on a support 21.例文帳に追加

支持体２１の上に下地金属層２２、反射層２３、拡散防止層２４、結晶質Ｓｉよりなる光電変換層２０、および透明導電層２８を順次積層し、その上に集電電極２９を形成した構造の光電変換装置を作製する際に、１００℃以上５００℃以下の温度で反射層２３を積層するか、または、反射層２３の積層後に１００℃以上５００℃以下の熱処理をおこなう。 - 特許庁

The cleaning device cleans a target to be cleaned by spraying the dry ice snow from an injection hole 32 of a nozzle 3, wherein the nozzle 3 is provided with a diffusion suppressing pipe portion 7 having a cylindrical inner peripheral surface 7a, which is disposed around the axis X of the injection hole 32 of the nozzle 3 and extended in the direction of the axis X of the injection hole 32.例文帳に追加

ノズル３の噴射口３２からドライアイススノーを噴出して被洗浄物を洗浄する洗浄装置において、前記ノズル３に、円筒内周面７ａを有する拡散抑制管部７が設けられており、前記拡散抑制管部７は、その円筒内周面７ａが前記ノズル３の噴射口３２の軸線Ｘ周りに配され、且つ、前記噴射口３２の軸線Ｘ方向に延出されていることを特徴とする。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises: a multilayer wiring layer 73; a semiconductor layer 64 that is provided on the multilayer wiring layer 73 and has a penetration trench; a first conductive layer 69 embedded inside the penetration trench; a first insulation film 32 formed on the periphery of the first conductive layer 69; and a first impurity diffusion layer 36 of a first conductive type formed on the periphery of the first insulation film 32.例文帳に追加

固体撮像装置は、多層配線層７３と、前記多層配線層上に設けられ、貫通トレンチを有する半導体層６４と、前記貫通トレンチ内部に埋め込まれた第１導電層６９と、前記第１導電層の周囲に形成された第１絶縁膜３２と、前記第１絶縁膜の周囲に形成された第１導電型の第１不純物拡散層３６とを備える。 - 特許庁

To provide an image display device equipped with a PDP (Plasma Display Panel) module capable of preventing a phenomenon of a regular pattern light emission inside a window shape image by influence of error diffusion processing and dither processing performed in an image signal processing section in the PDP module, when a low to intermediate gradation image of the window shape is displayed with dark background.例文帳に追加

この発明は、背景が黒で、低階調〜中間階調のウィンドゥ状の映像が表示される際に、ＰＤＰモジュール内の映像信号処理部内で行なわれる誤差拡散処理やディザ処理の影響により、ウィンドゥ状の映像内部が規則的な模様状に発光するといった現象が発生するのを回避することができるＰＤＰモジュールを備えた映像表示機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an MOS transistor whose drain region is an impurity diffusion region formed in the first region of the SOI substrate with an active layer insulated and separated from a support substrate by a buried oxide film and separated into a plurality of regions including the first and the second regions by a field oxide film having a thickness reaching the buried oxide film; and a first wiring layer.例文帳に追加

半導体装置は、埋め込み酸化膜によって支持基板から絶縁分離されるとともに、埋め込み酸化膜にまで達する厚さを有するフィールド酸化膜によって、第１および第２の領域を含む複数の領域に分離された活性層を有するＳＯＩ基板の、第１の領域に形成された不純物拡散領域をドレイン領域とするＭＯＳトランジスタと、第１の配線層とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate 1, gate electrodes 3, an impurity diffusion region 4, at least a wiring layer 6 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 5, containing relay pins connected electrically to the gate electrodes 3, and an uppermost wiring layer 8 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 7, containing wiring patterns which are electrically connected to the relay pins respectively.例文帳に追加

半導体基板１と、複数のゲート電極３と、不純物拡散領域４と、層間絶縁膜５を介して形成され、複数のゲート電極にそれぞれ電気的に接続された複数の中継ピンを含む少なくとも１層の配線層６と、層間絶縁膜７を介して形成され、複数の中継ピンにそれぞれ電気的に接続された複数の配線パターンを含む最上層の配線層８とを具備する。 - 特許庁

In a simulation method of a semiconductor device containing a hetero interface in an information processing apparatus, a carrier current density in a vertical direction to the hetero interface in the vicinity of the hetero interface is calculated by weight-averaging a carrier current density represented based on a drift diffusion equation and a carrier current density represented based on a thermoelectronic emission condition or a thermoelectronic/field emission condition (S04, S05).例文帳に追加

情報処理装置におけるヘテロ界面を含む半導体デバイスのシミュレーション方法であり、ヘテロ界面近傍において、当該ヘテロ界面に垂直な方向のキャリア電流密度を、ドリフト拡散方程式に基づいて表されるキャリア電流密度と熱電子放出条件又は熱電子・電界放出条件に基づいて表されるキャリア電流密度とを加重平均したものとして演算する（Ｓ０４，Ｓ０５）。 - 特許庁

PENETRATION STRUCTURE OF CONNECTION LINE IN AIR-TIGHT CHAMBER, DISCHARGE APPARATUS COMPRISING THE SAME, PRODUCTION METHODS FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS, ORGANIC EL DEVICE, ELECTRON DISCHARGE APPARATUS, PDP APPARATUS, ELECTROPHORESIS DISPLAY APPARATUS, COLOR FILTER, AND ORGANIC EL, AND FORMATION METHOD FOR SPACER, METAL WIRING, LENS, RESIST, AND LIGHT DIFFUSION BODY例文帳に追加

気密チャンバにおける接続ラインの貫通構造およびこれを備えた吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法 - 特許庁

In a semiconductor storage device, having an element isolation film formed in a silicon substrate 101 and a plurality of semiconductor memory cells formed between the element isolation films, there are provided conductive films 116a, 116b which are formed on the plane of the silicon substrate 101, and connect a source diffusion region 112 of at least two semiconductor memory cells.例文帳に追加

シリコン基板１０１中に形成された素子分離膜と、素子分離膜の間に形成された複数の半導体メモリセルとを有する半導体記憶装置であって、シリコン基板１０１の面上に形成されると共に少なくとも二つの半導体メモリセルのソース拡散領域１１２を接続する導電性膜１１６ａ，１１６ｂを備えたことを特徴とする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This reflection type image encoding device includes a plurality of emitters 101 for radiating light, a diffusion type reflective encoder 120 for reflecting light from the plurality of emitters, an imaging lens 135 for forming an inverted image of light reflected from the encoder, a detector 140 for receiving the inverted image from the imaging lens, and a partition 170 provided between the plurality of emitters and the detector.例文帳に追加

反射型画像符号化装置は、光を放射する複数のエミッタ１０１と、前記複数のエミッタからの光を反射させる拡散型反射性符号器１２０と、前記符号器から前記反射した光の反転画像を形成する結像レンズ１３５と、前記結像レンズから前記反転画像を受ける検出器１４０と、前記複数のエミッタと前記検出器との間に設けられた隔壁１７０とを具備する。 - 特許庁

Since the p-type GaAs semiconductor can easily establish both translucency and low resistivity as compared with a metal thin film, appropriate current diffusion can be realized by providing a contact layer 20 by an p-type GaAs semiconductor having a necessary and sufficient thickness, thus providing the nitride-based semiconductor light-emitting device 10 for obtaining light having high emission intensity from the surface of the translucent conductive layer 22.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ半導体は金属薄膜に比較して透光性、低抵抗性を両立し易いので必要十分な厚さのｐ型ＧａＡｓ半導体によるコンタクト層２０を設けることで好適な電流拡散が実現でき、透光性導電体層２２の表面から高い発光強度の光が得られる窒化物系半導体発光素子１０を提供することができる。 - 特許庁

The defective pixel compensation device comprises: a defective pixel information detection section 310 which detects whether continuous tone data will form defective pixels by defective image forming elements, and outputs the result of detection as defective pixel information; and a half-toning section 320 which halftones the continuous gradation data by an error diffusion method, reflecting the defective pixel information.例文帳に追加

入力された連続階調データが不良の画像形成要素によって、不良画素を形成するか否かを検出し、検出された結果を不良画素情報として出力する不良画素情報検出部３１０と、不良画素情報を反映して、連続階調データを誤差拡散方式でハーフトーニングするハーフトーニング部３２０と、を備えることを特徴とする不良画素の補償装置が提供される。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a base layer 9 formed on a silicon substrate 1, an emitter layer 12 formed in the base layer 9, and an emitter wiring layer 22 contacting to the emitter 12, where an emitter electrode layer 14 of a silicon layer is between the emitter layer 12 and the emitter wiring layer 22, and the emitter layer 12 is formed out of impurities by thermal- diffusion from the emitter electrode layer 14.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたベース層９と、このベース層９内に形成されたエミッタ層１２と、このエミッタ層１２にコンタクトするエミッタ配線層２２とを有する半導体装置において、前記エミッタ層１２上とエミッタ配線層２２との間にシリコン層から成るエミッタ電極層１４を介在させ、エミッタ層１２はエミッタ電極層１４から熱拡散された不純物から成る。 - 特許庁

This contamination control device 100 includes: a cover 106 disposed to surround the respective connecting parts 104 for preventing diffusion of contaminants; an inflow port 108 for supplying outside air to a space 106c among the cover 106 and the pipeline 102a, 102b; and an outflow port 110 for discharging mixed gas of the air supplied to the space 106c and the contaminants.例文帳に追加

汚染制御装置１００は、汚染物の拡散を防止するために、それぞれの連結部１０４を囲むように配置されるカバー１０６と、前記カバー１０６と配管１０２ａ、１０２ｂとの間の空間１０６ｃに外部空気を供給するための流入ポート１０８と、前記空間１０６ｃに供給された空気と前記汚染物との混合ガスを排出するための流出ポート１１０と、を含む。 - 特許庁

In the control device 1 for an engine 3, HC emission HCPKM1 per unit distance discharged from a combustion chamber 3c is calculated in response to an engine speed NE and a fuel injection amount QINJ (Fig.5), and the combustion mode is switched between a diffusion combustion mode and a premixed compression ignition combustion mode in response to the calculated HC emission HCPKM1 (Steps 4, 6 of Fig.4).例文帳に追加

本発明のエンジン３の制御装置１は、エンジン回転数ＮＥおよび燃料噴射量ＱＩＮＪに応じて、燃焼室３ｃから排出される単位距離当たりＨＣ排出量ＨＣＰＫＭ１を算出し（図５）、算出されたＨＣ排出量ＨＣＰＫＭ１に応じて、燃焼モードを拡散燃焼モードと予混合圧縮着火燃焼モードの間で切り換える（図４のステップ４，６）。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device 30, a plurality of photoelectric conversion elements 34 in which a heavily-doped impurity diffusion layer 36 is formed on the surface are formed in a two-dimensional array at the surface of a semiconductor substrate, and an insulating layer 40 is laminated on a semiconductor substrate 32.例文帳に追加

表面に高濃度不純物拡散層３６が形成された複数の光電変換素子３４が半導体基板表面部に二次元アレイ状に配列形成され、半導体基板３２の上に絶縁層４０が積層された固体撮像素子３０において、前記各光電変換素子の直上の絶縁層４０と高濃度不純物層３６との間の界面部分にそれぞれ不純物拡散抑制層５０を形成する。 - 特許庁

The direct backlight device is provided with a plurality of linear light sources arranged nearly parallel mutually, a reflecting plate to reflect light from these linear light sources, and a light diffusion plate which has a light incident face into which direct light from the linear light sources and reflected light from the reflecting plate enter and a light outgoing face from which light incident from the incident face is diffused and emitted.例文帳に追加

互いに略平行に配置された複数本の線状光源と、これらの線状光源からの光を反射する反射板と、前記線状光源からの直射光および前記反射板からの反射光を入射する光入射面および前記光入射面から入射した光を拡散して出射する光出射面を有する光拡散板とを備える直下型バックライト装置である。 - 特許庁

In the color filter for the reflective color liquid crystal display device comprising juxtaposed color filters transmitting light in wavelength bands of at least two or more colors, the color filter 10 is provided with the directional diffusion plate 2 diffracting the white illumination light into the transmission direction different from the linear direction and juxtaposed absorption type filters 3 with at least two or more colors arranged thereon, successively arranged on a transparent substrate 1.例文帳に追加

少なくとも２色以上の波長帯域の光を透過するカラーフィルターが並列されている反射型カラー液晶表示装置用カラーフィルターにおいて、カラーフィルター１０は、透明基板１の上に順に設けられた、白色照明光を直進方向とは異なる透過方向へ回折する指向性拡散板２と、その上に設けられた少なくとも２色以上の並列されている吸収型フィルター３とを有する。 - 特許庁

The reflection type liquid crystal display device having a case positioning and fixing at least a light guiding member, a diffusion member, a polarizing plate and a semi-transmission type reflection sheet and mounted on an upper part of a reflection type liquid crystal panel mounted on an upper surface of a circuit board with its display face upwardly turned.例文帳に追加

少なくとも導光部材、拡散部材、偏光板、半透過型反射シートを位置決め固定する筐体を有し、前記筐体が回路基板の上面に表示面を上にして搭載された反射型液晶パネルの上部に搭載されてなる反射型液晶表示装置において、前記反射型液晶パネルと前記筐体の間に反射型液晶パネルの画像表示領域に対応した開口部を有する遮光部材を設けた反射型液晶表示装置とする。 - 特許庁

The biomass treatment system comprises a methane fermentation tank for methane fermentation of biomass, a methane fermentation gas recovery device for recovering methane fermentation gas generated by the methane fermentation, a diffusion dialyzer or electrodialyzer for separating methane fermentation products generated by the methane fermentation into diffuse liquid and dialyzate, a nitritification tank for nitritification of the diffuse liquid, and an anamox treatment tank for anamox treatment of the liquid subjected to the nitritification.例文帳に追加

本発明のバイオマス処理システムは、バイオマスをメタン発酵させるためのメタン発酵槽；該メタン発酵により生じたメタン発酵ガスを回収するためのメタン発酵ガス回収装置；該メタン発酵により生じたメタン発酵処理物を拡散液と透析液とに分離するための拡散透析装置または電気透析装置；該拡散液を亜硝酸化するための亜硝酸化槽；および、該亜硝酸化処理液をアナモックス処理するためのアナモックス処理槽；を備える。 - 特許庁

In this surface light source device, a plurality of linear light sources 16 are parallelly arranged between a reflection plate 12 and a diffusion plate 14, and a reflexive triangular partition 18 is formed between two linear light sources arranged next to each other.例文帳に追加

反射板１２と拡散板１４との間に複数の線状光源１６が並列配置され、かつ隣接する線状光源同士の間に反射性の山型仕切り板１８が設けられた面光源装置において、反射板から山型仕切り板の頂部２０までの垂直距離をＴ、反射板から線状光源の中心２２までの垂直距離をＱ、反射板から拡散板までの垂直距離をＨ、線状光源の中心から山型仕切り板の裾部２４までの水平距離をＬ、隣接する線状光源の中心同士の水平距離をＰ、線状光源の直径をＤ、山型仕切り板の裾野角をθとするとき、下記条件（１）〜（３）を満たすようにする。 - 特許庁