「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a light diffusion body capable of ensuring light diffusing performance while suppressing the back scattering of light and capable of reducing film thickness and to provide a display device capable of increasing the angle of a visual field with no loss of light and free of the disappearance of polarized light.例文帳に追加

光の後方散乱を少なく抑えながら光拡散性を確保することでき、かつ薄膜化を図ることができる光拡散体、及び光をロスすることなく、視野角を広げることができ、偏光解消のない表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a surface light emitting body which can realize thinness of a surface light-emitting device and can suppress deformation of a light diffusion pattern, and can be manufactured easily at a low cost by eliminating a fault in a conventional manufacturing process.例文帳に追加

面発光装置の薄型化を実現するとともに、光拡散パターンの変形を抑制することができ、従来の製造工程での不具合を解消して容易に且つ低コストに製造可能な面発光体及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a work clamping device in liquid phase diffusion welding capable of enhancing the total efficiency of the welding work for respectively welding ends of two other works to both ends of a work, and reducing the cost of the welding work.例文帳に追加

被接合材の両端部に他の２つの被接合材の端部をそれぞれ接合する接合作業の総合的な効率を向上させ、接合作業コストの低減を可能とする、液相拡散接合における被接合材のクランプ装置を提供する。 - 特許庁

The diffusion device is, for example, constituted of a reflector 15 which is parallel with the longitudinal direction of the light duct 4 and cross section thereof is a semi-circle, and reflects the light in different direction depending on its incident position to uniformize the density of the light beam inside the light duct 4.例文帳に追加

拡散装置は、例えば、光ダクト４の長手方向に平行で断面が半円状の反射材１５から構成され、光の入射位置に応じて、入射光を異なる方向に反射させ、光ダクト４内の光の密度を均一化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor in which a gate electrode can be well formed by liquid drop ejection method without causing diffusion of its component elements, and to provide an electrooptical device and an electronic apparatus.例文帳に追加

液滴吐出法によって形成するゲート電極を、その成分元素の拡散を起こさせることなく良好に形成することができるようにした薄膜トランジスタの製造方法、さらには電気光学装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To make a Zn diffusion position deep from a ZnO/SiO2 film, to the extent in which the COD tolerance of a laser end surface window structure can be made larger than conventional, as to a manufacturing method for a compound semiconductor device which includes the process of diffusing zinc into a compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体層への亜鉛拡散工程を含む化合物半導体装置の製造方法に関し、レーザ端面窓構造のＣＯＤ耐量を従来よりも大きくすることができる程度にZnO/SiO_2膜からのZn拡散位置を深くすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor carrier life measuring device and method allowing measurement in a production line, and allowing more accurate measurement of the carrier life with no need of preliminary pretreatment and assumption of a diffusion coefficient as conventionally performed.例文帳に追加

本発明は、製造ライン中での測定を可能とし、従来のような事前の前処理や拡散係数の仮定を必要とせず、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。 - 特許庁

To largely reduce operation cost of a vacuum exhaust device, without having influence on exhaust performance, by properly supplying electric power to an oil diffusion pump in response to a state of film forming processing of a projecting object performed in a vacuum tank.例文帳に追加

真空槽内で行われる被処理物の成膜処理の状況に応じて、適切に油拡散ポンプへ電力を供給することにより、排気性能に影響を与えることなく、真空排気装置の運転コストを大幅に低減する。 - 特許庁

The upstream control channel includes one or more unit blocks which each includes a series that the whole chips of orthogonal code series of an amount of round shift being different for each user device is multiplied by the same factor, and each block is multiplied by a block diffusion sign.例文帳に追加

上り制御チャネルは、ユーザ装置ごとに異なる巡回シフト量の直交符号系列の全チップに同じ因子が乗算された系列を含む単位ブロックを１つ以上含み、各単位ブロックにブロック拡散符号が乗算される。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly capable of suppressing drop in power generation performance and generation of molding failure of a gasket by preventing penetration of the material of the gasket into a gas diffusion layer; and to provide the manufacturing method and the manufacturing device of the membrane electrode assembly.例文帳に追加

ガスケットの材料がガス拡散層に浸透することを防ぐことで、発電性能の低下およびガスケットの成形不良の発生を抑えることができる膜電極接合体並びにその製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To inspect a communication condition of an RFID tag readable with no contact by radio waves without requiring any radio wave shield device preventing diffusion of radio waves.例文帳に追加

電波によって非接触での読み取りが可能なＲＦＩＤタグの交信状態を検査する方法において、該ＲＦＩＤタグの交信状態を検査する場合に電波の拡散を防止するための電波遮蔽装置を要せずに検査することが可能な方法。 - 特許庁

Further, the on-vehicle device 10 and the portable machine 20 transmit/receive the signals subjected to the spectrum diffuse modulation by executing the processing of the spectrum diffuse modulation of the response signal San by the diffusion signal when transmitting/receiving the temperature signal San.例文帳に追加

また、車載装置１０及び携帯機２０は、応答信号Ｓａｎを送受信するにあたり、応答信号Ｓａｎを拡散符号によりスペクトラム拡散変調する処理を行ってそのスペクトラム拡散変調された信号を送受信する。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor device provided with a protection element having an emitter diffusion region, a base contact region and a collector contact region and with a bonding pad which is electrically connected to the collector contact region.例文帳に追加

本発明は、エミッタ拡散領域、ベースコンタクト領域、及びコレクタコンタクト領域を有する保護素子と、コレクタコンタクト領域と電気的に接続されるボンディングパッドとを備えた半導体装置に関し、半導体装置の小型化を図ることを課題とする。 - 特許庁

A heating current is flown from the baking power source 6a to the baking device 6 and heats the chamber 2 and the ion pump 5, and by opening the valve 12 and the valve 11, vacuum exhausting is made by the oil diffusion pump 4 via the exhaust passage and the chamber 1.例文帳に追加

ベーキング用電源６ａからベーキング装置６に加熱電流が流され、チャンバ２及びイオンポンプ５を加熱すると同時に、バルブ１２及びバルブ１１を開き、その排気通路からチャンバ１を介して油拡散ポンプ４で真空排気する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of stably securing the concentration of impurities in a diffusion layer at the side of a gate electrode and capable of stabilizing a distance between PN junctions capable of obtaining a semiconductor device having stable element characteristics.例文帳に追加

ゲート電極脇の拡散層における不純物濃度を安定的に確保でき、またＰＮ接合間距離を安定化させることが可能で、これにより安定な素子特性を有する半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that will not cause increasing diffusion of arsenic into silicon oxide film or in a silicon substrate, and will not cause degradation of tunnel oxide film even if a nitride film exists near transistors.例文帳に追加

トランジスタ近傍に窒化膜が存在しても、シリコン酸化膜中のヒ素の増速拡散やシリコン基板中のヒ素の増速拡散を起こさない、またトンネル酸化膜の劣化を引き起こすことの無い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The laser device 10 includes a semiconductor laser medium 11, a diffraction optical element 13 that is a diffusion element diffusing light emitted from the semiconductor laser medium 11 in wavelength, and a space modulation element 15 on which light diffused in wavelength is incident.例文帳に追加

レーザ装置１０は、半導体レーザ媒質１１と、半導体レーザ媒質１１から射出した光を波長分散する分散素子である回折光学素子１３と、波長分散された光が入射される空間変調素子１５とを備える。 - 特許庁

This semiconductor device 1 has grooves 16, the gate insulating films 17 formed on the surfaces of the grooves 16 respectively, gate electrodes 18 embedded in the grooves 16 respectively, and an N^+-type source diffusion layer 15 formed to be adjacent to the grooves 16.例文帳に追加

この半導体装置１は、溝部１６と、溝部１６の表面上に形成されたゲート絶縁膜１７と、溝部１６に埋め込まれたゲート電極１８と、溝部１６に隣接するように形成されたＮ^＋型ソース拡散層１５とを備えている。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device including an n channel MIS transistor and a p channel MIS transistor formed on one substrate wherein resistances at a gate electrode and a diffusion layer hardly increase, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ｎチャネルＭＩＳトランジスタとｐチャネルＭＩＳトランジスタとが１つの基板に形成された半導体装置において、ゲート電極及び拡散層における抵抗が上昇しにくい半導体装置及びその製造方法を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a shading device such as roll screen, or the like, capable of continuing the diffusion of aroma over a long period by giving off a smell when a shading surface is exposed and regulating the smell when the shading surface is retreated or wound up.例文帳に追加

遮光面を表出させたときに芳香させるとともに、遮光面を退避若しくは巻き取られたときに芳香を規制して、香りの放散を長期に亘って継続させることができるロールスクリーン等の遮光装置を提供すること。 - 特許庁

To suppress a leak current from an impurity diffusion layer connected to a plug when the mutual positions of the plug and an opening part for bit line are deviated, concerning a producing method for a semiconductor device having a self-align contact structure to be used for DRAM or the like.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等に使用されるセルフアラインコンタクト構造を有する半導体装置の製造方法に関し、プラグとビット線用開口部の互いの位置にずれが生じた場合にプラグに繋がる不純物拡散層からのリーク電流を抑制すること。 - 特許庁

Maximum intensity projection is performed about a diffusion emphasis image which is taken by using a nuclear-magnetic-resonance imaging device, and the obtained image is displayed in white to provide an image detection method which is effective for diagnosis of tumor.例文帳に追加

核磁気共鳴イメージング装置を用いて撮像された拡散強調画像について最大値投影法を行い、得られた画像を白黒反転させて画像を形成することにより、腫瘍の診断に有効な画像検出方法を提供する。 - 特許庁

The display device includes: a light source that generates a coherent luminous flux; and an optical plate that has a plurality of minute lenses arranged at intervals greater than the diameter of the luminous flux, and controls the diffusion angle of the luminous flux.例文帳に追加

干渉性を有する光束を生成する光源と、前記光束の径よりも大きい周期で配置された複数の微小レンズを有し、前記光束の発散角を制御する光学板と、を備えたことを特徴とする表示装置が提供される。 - 特許庁

The device is further provided with second nozzles 18 (diffusion suppression gas flow forming nozzles) spraying support gas G2 separately from the assist gas G1 to the positions at the outsides in the radial direction, with respect to the spraying position of the assist gas G1 in the surface of the working face as the center.例文帳に追加

また、加工面上におけるアシストガスＧ１の吹き付け位置よりも該位置を中心とする径方向外側の位置に対してアシストガスＧ１とは別にサポートガスＧ２を吹き付ける第２ノズル１８（拡散抑制ガス流形成ノズル）を備えている。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device in which a source/drain diffusion layer having a straight line portion which is equal to or below the limit of the resolution of lithography used as a memory cell array region and a connection portion which connects the straight line portion can be formed easily.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域となるリソグラフィの解像限界以下の直線部と、その直線部を接続する接続部とを有するソース・ドレイン拡散層を簡易に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a fabrication method thereof in which the barrier performance can be enhanced without destructing a diffusion layer on the surface of a substrate or deteriorating the aspect ratio of the contact hole while preventing fabrication yield from decreasing.例文帳に追加

基板表面の拡散層の破壊及びコンタクトホールのアスペクト比の悪化を生じることなく、バリア性を向上させることができると共に、製品歩留の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a diffusion plate 11, a prism sheet 12, a retardation plate 13, a selective reflection polarizing plate 14, a first panel side polarizing plate 15, a liquid crystal panel 16 and a second panel side polarizing plate 17, in this order from the side nearest a light source 10.例文帳に追加

光源１０に近い側から順に、拡散板１１と、プリズムシート１２と、位相差板１３と、選択反射偏光板１４と、第１パネル側偏光板１５と、液晶パネル１６と、第２パネル側偏光板１７とを備えている。 - 特許庁

To provide a drawing device wherein a prescribed design such as a flower, an animal, and a landscape can be repeatedly formed, and which enables a user to express and enjoy the delicate differences in colors and changes of colors of the design while observing/learning a scientific phenomenon such as diffusion/reaction with ease.例文帳に追加

花、動物、風景等の所定絵柄を繰り返し形成することができるだけでなく、拡散・反応等の科学現象を手軽に観察・学習しながら、その絵柄の繊細な色の違いや色彩変化を表現し、楽しむことができる。 - 特許庁

A backlight unit 15 of the liquid crystal display device 14 is disposed with a CFL 3 at the end face of a light transmission plate 2, is successively laminated with a light diffusion plate 6 and a lens sheet 7 on the light transmission plate 2 and is provided with a light reflecting plate 5 on the other main surface.例文帳に追加

液晶表示装置１４のバックライトユニット１５は導光板２の端面にＣＦＬ３が配設され、導光板２上に光拡散板６とレンズシート７とを順次積層し、他方の主面に光反射板５を設けている。 - 特許庁

This backlight device has a light reflection film 2, a light guide plate 4 provided on the light reflecting film 2, diffusion layers 6, 8, 10 formed on the light guide plate 4, and the light source 12, 14 for leading the light from the side face of the light guide plate 4.例文帳に追加

光反射フィルム２と、この光反射フィルム２上に設けられた導光板４と、この導光板４上に設けられた拡散層６，８，１０と、前記導光板４の側面から光を導入する光源１２，１４とを具備する。 - 特許庁

To perform accurate qualitative analysis by accurately performing the comparison of the measured data of the intensity of diffracted X-rays and standard data even in such a case that a measuring condition of the measured data and the standard data is different, especially, a diffusion slit is different in the X-ray diffraction device.例文帳に追加

Ｘ線回折装置において、回折Ｘ線強度の測定データと標準データの測定条件、特に、発散スリットが異なる場合でも、測定データと標準データの比較を正確に行い正確な定性分布を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an epitaxial high-κ insulating film which can be reduced in film thickness in terms of SiO_2, improved in heat-resistant properties with its interface characteristics kept excellent, and improve the impurity diffusion resistant-properties.例文帳に追加

エピＨｉｇｈ−κのＳｉＯ_２換算膜厚低減の可能性、良質な界面特性を保持しつつ、耐熱性を向上させ、不純物拡散耐性をも改善させたＨｉｇｈ−κ絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

This sub-water supply device for the endoscope is provided with a sub-water supply hole 30 for discharging the liquid toward a lesion at the distal end of an internal insertion portion 11 of the endoscope and the above sub-water supply hole is provided with a diffusion nozzle for diffusing the discharge liquid in the form of mist.例文帳に追加

内視鏡の体内挿入部１１先端に、患部に向けて液体を吐出する副送水穴３０を設けた内視鏡の副送水装置において、上記副送水穴に、吐出液を霧状に拡散させる拡散ノズルを設けた。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gas diffusion electrode raw material which does not use water and surfactants, thereby can attain cost reduction owing to device miniaturization, can also contribute to energy- saving and by which desirable structure of carbon black and PTFE can be self-organized.例文帳に追加

水と界面活性剤を使用せずに、設備の小型化によるコスト削減が可能で、省エネルギーにも貢献でき、更にカーボンブラックとＰＴＦＥの望ましい構造を自己組織化できる、ガス拡散電極原料の製造方法を提供する。 - 特許庁

A shelf 23 is formed in the middle of a diffusion reflecting surface 221, and thus, the light-emitting devices are separated from each other and heat dissipation is satisfactory and temperature rise of the light-emitting devices can be suppressed to low, although the light-emitting device 5B generates a heat when emitting a light.例文帳に追加

発光素子５Ｂは発光の際に発熱するが、拡散反射面２２１の途中に棚２３を形成したことで、発光素子同士が離れるので、放熱性が良好であり、発光素子の温度上昇を低く抑えることができる。 - 特許庁

Since the gettering layer 12 contacting the epitaxial film 11 and formed of a carbon diffusion layer is formed, a heavy metal pollution substance in the epitaxial film 11 can be effectively gettered to the gettering layer 12 in, for instance, heat treatment in a device formation process.例文帳に追加

エピタキシャル膜１１に接して炭素拡散層からなるゲッタリング層１２を形成するので、例えばデバイス形成工程での熱処理時、エピタキシャル膜１１内の重金属汚染物質を効果的にゲッタリング層１２にゲッタリングすることができる。 - 特許庁

To provide a method of increasing a capacitance of an electrode constituting an electric double layer capacitor in which a simple device can be used under atmospheric pressure, and ion diffusion resistance is not affected when the electrode constituting the electric double layer capacitor is assembled as a capacitor cell.例文帳に追加

電気二重層キャパシタを構成する電極の静電容量を増加する方法として、大気圧下で簡便な装置を用いて行うことができ、キャパシタセルとした時にイオンの拡散抵抗に影響を及ぼさない方法を提供する。 - 特許庁

To provide a projection display device having a light valve with microlens incorporated therein in which a bright projection image can be obtained by preventing light utilization efficiency from being deteriorating due to light diffusion by the microlens.例文帳に追加

マイクロレンズ付きライトバルブが組み込まれた投写型表示装置において、マイクロレンズによる光の拡散に起因した光の利用効率の低下を防ぐことにより、明るい投写画像を得ることができる投写型表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a high frequency heating device capable of uniformly induction-heating a metal member over the entire quadrangular periphery thereof when induction-heating the quadrangular metal member having a hollow cross section for diffusion bonding and heated upset bonding.例文帳に追加

断面が中空の四角形の金属製部材を拡散接合・加熱アプセット接合するために誘導加熱する際に、金属製部材の四角形の全周囲に渡って均一に誘導加熱することができる高周波加熱装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device suppressing channeling in ion implantation for forming source region/drain region, forming low resitant and shallow impurity diffusion region, and having micro MOS transistor advantageous to short channel effect.例文帳に追加

ソース領域／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細ＭＯＳトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MIS transistor provided with an FUSI gate electrode and the polysilicon resistor, a part provided in a contact formation region of the polysilicon resistor is silicified simultaneously with the gate electrode or an impurity diffusion region.例文帳に追加

ＦＵＳＩゲート電極とポリシリコン抵抗体とを有するＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置において、ポリシリコン抵抗体のうちコンタクト形成領域に設けられた部分は、ゲート電極または不純物拡散領域と同時にシリサイド化される。 - 特許庁

To provide a flexible light emitting device having an OLED formed on a plastic substrate enabled to restrain deterioration caused by the diffusion of impurities such as water, oxygen, alkali metal, alkali earth metal.例文帳に追加

水分や酸素やアルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物の拡散による劣化を抑えることが可能な発光装置、具体的には、プラスチック基板上に形成されたＯＬＥＤを有するフレキシブルな発光装置の提供を課題とする。 - 特許庁

A semiconductor device is manufactured by a method where a treatment gas containing N2 or N2O is ionized and the surface of a copper wiring layer 110 is exposed to the ionized treatment gas, whereby the surface of the layer 110 is modified to turn the surface into a copper diffusion preventive layer.例文帳に追加

Ｎ_2 又はＮ_ 2Ｏを含む処理ガスをプラズマ化し、該プラズマ化した処理ガスに銅配線層１１０の表面を曝すことにより、該銅配線層１１０の表層部を改質して銅拡散防止層にする半導体装置の製造方法による。 - 特許庁

Further, a phase difference plate 15 and a polarizing plate 16 are disposed on the transparent substrate 1, a diffusion plate 17, the phase difference plates 18 and 19 and the polarizing plate 20 are successively disposed on the transparent substrate 2, an auxiliary light source 21 is arranged and thus the liquid crystal display device is attained.例文帳に追加

さらに透明基板１には位相差板１５，偏光板１６を配設し、透明基板２には拡散板１７、位相差板１８、１９、偏光板２０を順次配設し、補助光源２１を配置することにより液晶表示装置となる。 - 特許庁

An image device 50 controls a transfer switch 102, such that the control timing of shutter close for bringing about a shading state is started, immediately after the release resetting of floating diffusion 104, which is performed prior to the charges accumulated in a photodiode 101 being transferred.例文帳に追加

撮像装置５０は、遮光状態とするシャッタ閉の制御タイミングを、フォトダイオード１０１に蓄積された電荷の転送前に行われるフローティングディフュージョン１０４のリセット解除の直後に行うように、転送スイッチ１０２を制御する。 - 特許庁