「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device manufacturing method, by which a silicide film having low resistance and a stable electrical characteristic can be formed in self-alighing way, without deteriorating the characteristic of a semiconductor device even on a fine gate electrode containing an impurity at a high concentration and a diffusion layer.例文帳に追加

低抵抗かつ安定した電気特性を有するシリサイド膜を、微細で不純物濃度が高いゲート電極及び拡散層上においても、デバイス特性に劣化を生じることなく、自己整合的に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

This impact type husking device for husking paddy by imparting impact thereto coaxially rotates an impeller section 2 which radially has many rotary vanes 6 in a transverse direction from the axis of a vertical revolving shaft and a rotary diffusion device 3 of a bevel shape which radially splashes the paddy fed therein.例文帳に追加

籾に衝撃を与えることで脱ぷ作用をなす衝撃式脱ぷ装置であって、縦方向回転軸の軸心より横方向に回転羽根６を多数放射状に備えたインペラ部２と、投入する籾を放射状に飛散させる回転式の傘型の拡散装置３を同軸で回転させる。 - 特許庁

To provide a lighting device and a liquid crystal device, which prevent an interference fringe generated by the interference between a diffusion sheet on a light conduction plate and a liquid crystal panel, and improve a lighting efficiency by perfectly and efficiently shading the circumference of a light source.例文帳に追加

導光板上の拡散シートと液晶パネルとの干渉によって発生する干渉縞を防止できるとともに、光源の周囲を完全且つ効率的に遮光して照明効率を向上させることができる照明装置及び液晶装置の提供を目的としている。 - 特許庁

To provide an inkjet recording device in which the diffusion of a VOC material to the open air is prevented; and when the VOC material is decomposed and absorbed, not an internal gas in the whole device but a gas in a limited space may be decomposed and absorbed, which is more efficient and can reduce the time required for the VOC decomposition and absorption.例文帳に追加

本発明は、ＶＯＣ物質の外気への拡散を防ぎ、またＶＯＣ物質を分解吸収するときも装置全体の内部気体でなく、限られた空間の気体を分解吸収すればよいのでより効率がよく、ＶＯＣ分解吸収にかかる時間もより短くできる。 - 特許庁

The solid state imaging device includes a floating diffusion portion (FD portion) 114 to accumulate signal charges, and an output circuit 140 to output a signal corresponding to the signal charges of the FD portion, wherein a part of a gate electrode 124a of a first stage transistor 124 constituting the output circuit 140 is arranged so as to contact an impurity diffusion region 117 constituting the FD portion 114.例文帳に追加

固体撮像素子において、信号電荷を蓄積するフローティングディフージョン部（ＦＤ部）１１４と、該ＦＤ部の蓄積電荷に応じた信号を出力する出力回路１４０とを備え、該出力回路１４０を構成する初段トランジスタ１２４のゲート電極１２４ａを、その一部が、該ＦＤ部１１４を構成する不純物拡散領域１１７に接触するように配置した。 - 特許庁

A semiconductor device may include a semiconductor substrate; an element isolation region which is formed in the semiconductor substrate and includes an oxide layer and an oxidant diffusion prevention layer located on the oxide layer; a gate insulating film formed on the semiconductor substrate and the oxidant diffusion prevention layer; and a gate electrode formed on the gate insulating film.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、酸化物層と、前記酸化物層上に位置する酸化剤拡散防止層とを有する素子分離領域と、前記半導体基板上および前記酸化剤拡散防止層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell in which an impurity ion is implanted to a diffusion layer to prevent the impurity ion from penetrating a gate electrode and entering a channel region of a transistor, and to prevent, a concentration of impurity from increasing and a leakage current increasing when implanting the impurity ion into the diffusion layer of a transistor of TAT DRAM cell.例文帳に追加

ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルのトランジスタの拡散層に不純物イオンを注入する際、不純物イオンがゲート電極を貫通して、トランジスタのチャネル領域にも進入し、不純物濃度が上昇してリーク電流が増加することがないように、拡散層に不純物イオンを注入するようにした、ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate in which the diffusion layer is formed, a gate electrode formed on the substrate, a first insulating layer formed on the substrate up to a position higher than the gate electrode, a first contact electrically connected to the diffusion layer and penetrating the first insulating layer, a second contact electrically connected to the gate electrode, and a second insulating layer formed on the first insulating layer.例文帳に追加

半導体装置は、拡散層が形成された基板と、基板上に形成されたゲート電極と、基板上にゲート電極よりも高い位置まで形成された第１絶縁層と、拡散層に電気的に接続され、第１絶縁層を貫通する第１コンタクトと、ゲート電極と電気的に接続された第２コンタクトと、第１絶縁層の上に形成された第２絶縁層とを備える。 - 特許庁

To provide a highly light diffusible polycarbonate resin board having excellent initial tinting, light fastness, mechanical strength, light diffusion, and brightness without damaging transparency of a polycarbonate resin, which can be used to applications requiring high degree of optical properties, particularly preferably used in a light diffusion board used in a back light for a liquid crystal display device, etc.例文帳に追加

ポリカーボネート樹脂の透明性を損なうことなく、優れた初期着色性、耐光性、機械的強度、光拡散性および輝度を有しており、高度な光学的性能を必要とする用途、とりわけ液晶表示装置用バックライトなどに使用される光拡散板に好適に用いられ、実用上の利用価値の極めて高い光拡散性ポリカーボネート樹脂板を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate SUB containing silicon and having a main surface; impurity diffusion layers IDL1, IDL2 formed on the main surface of the semiconductor substrate SUB; metal silicide MS formed on the impurity diffusion layer IDL2; and a silicon nitride film SNF and a first inter-layer insulating film IIF1, which are successively laminated on the metal silicide MS.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコンを含み主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面に形成された不純物拡散層ＩＤＬ１，ＩＤＬ２と、不純物拡散層ＩＤＬ２上に形成された金属シリサイドＭＳと、金属シリサイドＭＳ上に順に積層されたシリコン窒化膜ＳＮＦ、第一の層間絶縁膜ＩＩＦ１とを備える。 - 特許庁

The semiconductor storage device 100 comprises a plurality of bit line diffusion layers 108 formed above a p-type semiconductor substrate 101 in such a manner as to extend in parallel with each other, and a plurality of word line electrodes 110 formed above the semiconductor substrate 101 in such a manner as to extend in a direction respectively crossing the bit line diffusion layers 108 and in parallel with each other.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、Ｐ型の半導体基板１０１の上部にそれぞれが互いに並行に延びるように形成された複数のビット線拡散層１０８と、半導体基板１０１の上で、且つそれぞれが各ビット線拡散層１０８と交差する方向に互いに並行に延びるように形成された複数のワード線電極１１０とを有している。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a plurality of fuse elements which include first fuse wiring 109 having a fuse cut-off intended portion 111, second fuse wiring 110 connected to an inside circuit, a first impurity diffusion layer 104 electrically connecting the first fuse wiring 109 and the second fuse wiring 110, and a second impurity diffusion layer 105, respectively.例文帳に追加

半導体装置１００は、ヒューズ切断予定部１１１を有する第１のヒューズ配線１０９と、内部回路に接続された第２のヒューズ配線１１０と、第１のヒューズ配線１０９と第２のヒューズ配線１１０とを電気的に接続する第１の不純物拡散層１０４と、第２の不純物拡散層１０５とをそれぞれ含む複数のヒューズ素子部とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor region 12 formed on a semiconductor substrate 11; an element separation region 13 for separating the semiconductor region 12 from another region; a diffusion layer 14 formed in the upper part of the semiconductor region 12 and forming PN junction on a boundary with the semiconductor region 12; and a silicide layer 15 formed in the upper part of the diffusion layer 14.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１に形成された半導体領域１２と、半導体領域１２を他の領域から分離する素子分離領域１３と、半導体領域１２の上部に形成され、半導体領域１２との界面においてＰＮ接合を形成する拡散層１４と、拡散層１４の上部に形成されたシリサイド層１５とを備えている。 - 特許庁

The aging device includes a semiconductor substrate 11, first and second diffusion layers 11A, 11B formed in a first element region AA1, a floating gate 14 formed on a channel region between the first and second diffusion layers 11A, 11B, and control gate electrodes 16 formed to be arranged at intervals of a constant spacing horizontally relative to the floating gate 14.例文帳に追加

本発明の例に係わるエージングデバイスは、半導体基板１１と、第１素子領域ＡＡ１内に形成される第１及び第２拡散層１１Ａ，１１Ｂと、第１及び第２拡散層１１Ａ，１１Ｂ間のチャネル領域上に形成されるフローティングゲート１４と、フローティングゲート１４に対して横方向に一定間隔をおいて並んで形成されるコントロールゲート電極１６とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加

相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁

The optical member has a transparent substrate with a barrier layer, a low refractive index layer, and a light diffusion layer in this order, and the light diffusion layer has light scattering particles dispersed in a matrix material containing at least a binder resin, and the thickness of the low refractive index layer is 1.2 μm or more, and the optical member is used for the organic electroluminescent display device.例文帳に追加

本発明の光学部材は、バリア層付き透明基板と、低屈折率層と、光拡散層と、をこの順で有し、前記光拡散層は、バインダー樹脂を少なくとも含むマトリックス材中に、光散乱粒子が分散されてなり、前記低屈折率層の厚みが１．２μｍ以上であり、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に用いられることを特徴とする。 - 特許庁

In a form of embodiment, the dual-gate semiconductor device contains a low-voltage region where a first gate dielectric are formed thereon and a diffusion barrier layer containing nitrogen and oxygen is formed on the first gate dielectric, and a high-voltage region where a second gate dielectric having a thickness thicker than that of the first gate dielectric is formed thereon and the diffusion barrier layer does not exist.例文帳に追加

１つの実施の形態では、デュアルゲート半導体装置は、上に第１のゲート誘電体が形成されており、該第１のゲート誘電体の上に窒素および酸素を含む拡散障壁層が形成されている低電圧領域と、第１のゲート誘電体より厚い厚さを有する第２のゲート誘電体が上に形成されており、前記拡散障壁層が無い高電圧領域と、を含む。 - 特許庁

A semiconductor device includes a plurality of source diffusion layers 110 and a plurality of drain diffusion layers 111 (Fins) in the shape of rectangular parallelepiped which are formed on a substrate 100 consisting of silicon and arranged in parallel with a space therebetween, and a gate electrode 106 formed on the plurality of Fins while intersecting each Fin with a gate insulating film 105 therebetween.例文帳に追加

半導体装置は、シリコンからなる基板１００の上に形成され、それぞれ互いに間隔をおき且つ並列に配置された直方体状の複数のソース拡散層１１０及び複数のドレイン拡散層１１１（Ｆｉｎ部）と、複数のＦｉｎ部の上に、各Ｆｉｎ部と交差すると共にそれぞれゲート絶縁膜１０５を介在させて形成されたゲート電極１０６とを有している。 - 特許庁

The transparent electrode for the gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprises: a contact metal layer formed on a p-type semiconductor layer by the ohmic contact; a current diffusion layer which is formed on the contact metal layer and has a lower resistance value per unit distance on an electrode plane than a contact metal; and the bonding pad formed on the current diffusion layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、ｐ型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタルよりも電極平面での単位距離あたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。 - 特許庁

In the semiconductor memory device having a memory device constituted by a diffusion layer where the bit line 12 is formed on a semiconductor substrate 11 and the shielding film 17 is formed above the memory device, a discharging means 21 is formed on the substrate 11, an electric charge charged in the film 17 is discharged into the substrate 11 through the means 21.例文帳に追加

ビットライン１２が半導体基板１１上に形成された拡散層で構成されたメモリ素子と、その上方に形成された遮光膜１７とを備えた半導体記憶装置において、基板１１上に除電手段２１が形成されており、遮光膜１７に帯電した電荷は、除電手段２１を介して基板１１中に排出される。 - 特許庁

To provide a silicon wafer and a production method thereof capable of effectively inhibiting diffusion of heavy metal from a back face of the silicon wafer to a device active region while keeping a good deflective strength by applying predetermined surface treatment during a subsequent process of a semiconductor device process for forming a device structure to provide a gettering sink layer.例文帳に追加

デバイス構造を形成した半導体デバイスプロセスの後工程において、所定の表面処理を施して、ゲッタリングシンク層を設けることにより、良好な抗折強度を維持しつつ、シリコンウェーハ裏面からデバイス活性領域への重金属の拡散を有効に抑制することができる、シリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a light diffusion film for a backlight device which can provide optical characteristics necessary for a backlight device, such as high luminance, reduction in angle dependency of luminance, uniformity of in-plane luminance, and pattern-shielding properties by using only one sheet of member, and to provide a backlight device having high performance and superior cost benefit by using the film.例文帳に追加

一枚だけの部材を使用することで高い輝度、輝度の角度依存性の低減、面内輝度均質性及びパターン隠蔽性等のバックライト装置が具備する必要のある光学特性を付与することができるバックライト装置用光拡散フィルム及びそれを用いてなる高性能で、かつ経済性に優れたバックライト装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a trace moisture generation device capable of controlling highly accurately trace moisture generated from a diffusion pipe cell for calibrating accurately a trace moisture measuring device for measuring trace moisture in standard gas, and changing quickly and stabilizing a moisture concentration in the standard gas for examining responsiveness of the trace moisture measuring device.例文帳に追加

標準ガス中の微量水分を計測する微量水分計測器を正確に校正するため拡散管セルより発生する微量水分を高精度に制御するとともに、微量水分計測器の応答性を調べるため標準ガス中の水分濃度を素早く変更して安定させることができる微量水分発生装置を提供する。 - 特許庁

To secure maintainability in a simple structure, to minimize diffusion of heat and a fluid by preparing each device at every operating temperature range and every function, to prevent a device used at comparatively low temperature from being affected by heat as much as possible, and to improve the efficiency of operation by effectively recovering dissipated heat of each device.例文帳に追加

比較的簡単な構成で、メンテナンス性を確保し、各機器を作動温度域毎及び機能毎に配置して熱や流体の拡散を最小化するとともに、比較的低温で使用される機器に熱影響が及ぶことを可及的に阻止し、しかも各機器からの放熱を効果的に回収して運転効率の向上を図ることを可能にする。 - 特許庁

The semiconductor apparatus 1 includes: a substrate 20; a semiconductor device 12 formed on the principal surface of the substrate 20 and including an interconnect layer; a magnetic shielding film 15 of a magnetic material covering the semiconductor device 12; and a buffer film 14 disposed between the semiconductor device 12 and the magnetic shielding film 15, and preventing diffusion of the magnetic material of the magnetic shielding film 15.例文帳に追加

半導体装置１は、基板２０と、基板２０の主面上に形成され、かつ配線層を含む半導体素子１２と、半導体素子１２を被覆する磁性体からなる磁気シールド膜１５と、半導体素子１２と磁気シールド膜１５との間に介在し、かつ磁気シールド膜１５の磁性体材料の拡散を防止するバッファ膜１４と、を有する。 - 特許庁

To provide a light guide body 100 for a lighting device capable of emitting incident light from the whole emitting surface as diffused light at low cost, in comparison with addition of a light-diffusion material and application of a grain finish.例文帳に追加

光拡散材を添加したりシボ加工を施すのに比べて、より低コストで、入射した光を拡散光として出射面全体から出射させることのできる照明装置用導光体１００を製造することができる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor wafer heat-treating device which can prevent the occurrence of the thickness fluctuation of a film or the depth nonuniformity of a diffusion layer when the film or layer is formed on a semiconductor wafer by controlling the temperature in a process tube so that the temperature may become uniform.例文帳に追加

プロセスチューブ内の温度を均一になるように制御して、ウェハの成膜処理や拡散処理において膜厚のばらつきや拡散層の深さの不均一の発生を防止できる半導体ウェハの熱処理装置を得る。 - 特許庁

To provide a sampling device capable of suppressing the diffusion of pollutant to a minimum extent by forming a sealed space on the water bottom and sampling an object to be sampled by a reduced amount of energy consumption.例文帳に追加

水底に密閉空間を形成することで汚濁物質の拡散を最小限に抑えることが可能であるとともに、少ないエネルギー消費量で採取対象物の採取をおこなうことが可能な採取装置を提供する。 - 特許庁

By the embedded insulating film 4 and the n^+-type diffusion layer 5, the p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging device region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of an outside where a chip end surface F exists is separated electrically.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜４およびｎ^＋拡散層５により、撮像素子領域Ａｒとなる内側のｐ型エピタキシャル層３ａと、チップ端面Ｆが存在する外側のｐ型エピタキシャル層３ｂとが電気的に分離される。 - 特許庁

The semiconductor device is connected with a power supply wiring to a ground wiring through a wiring layer and a diffusion layer by covering a blank area on a chip with MOSs irrespective of an area close to the power supply wiring or the ground wiring.例文帳に追加

電源配線あるいはグランド配線に近接した領域であるか否かにかかわらず、チップの空き領域にＭＯＳを敷き詰め、配線層、拡散層を利用して電源配線・グランド配線に接続させるようにしたものである。 - 特許庁

When layout-arranging a compensation capacitance part of a semiconductor device having the internal power supply and the compensation capacitance part supplying power to the internal power supply, a rectangular region of a diffusion layer is arranged in a region configuring the compensation capacitance part.例文帳に追加

内部電源と、該内部電源に電源を供給する補償容量部を有する半導体装置の補償容量部のレイアウト配置の際に、補償容量部を構成する領域に拡散層の矩形領域を配置する。 - 特許庁

To provide a device for crystallization, which realizes sufficient crystal growth from a crystal nucleus to produce a crystallized semiconductor with a large particle diameter, while suppressing the influence of thermal diffusion or the release of latent heat, in the final stage of the crystal growth.例文帳に追加

結晶成長の最終段階における熱拡散や潜熱放出の影響を抑えて、結晶核からの十分な結晶成長を実現して大粒径の結晶化半導体を生成することのできる結晶化装置。 - 特許庁

To provide an optical diffusion plate for vertical back light made of a polycarbonate resin for a surface light emitting large-sized liquid crystal display device which warps less, and has superior surface light emitting properties, small luminance inhomogeneity on a light emission surface, and a superior color tone.例文帳に追加

反りが少なく、優れた面発光性を有し発光面の輝度ムラが少なく色調の優れた面発光性大型液晶表示装置用ポリカーボネート樹脂製直下型バックライト用光拡散板を提供する。 - 特許庁

To provide a portable chemical diffusion device which improves workability for attaching a strap and is further reduced in size to improve portability, when an air-passing opening is enlarged to obtain a high capacity.例文帳に追加

携帯型の薬剤拡散装置において、空気の通る開口部を大きくして高い能力が得られるようにする場合に、ストラップの取り付け作業性を良好にするとともに、更なるコンパクト化を図って携帯性を良好にする。 - 特許庁

To provide a light diffusing device capable of moving a light diffusing material in the surface direction of a screen while saving energy required for moving the light diffusing material and suppressing diffusion unevenness of the light diffusing material on the entire screen.例文帳に追加

光散乱材の移動に必要なエネルギを抑え、スクリーン全体での光散乱材の分布むらの発生を抑えつつ、光拡散材をスクリーンの面方向に運動させることができる光拡散装置の提供を目的とする。 - 特許庁

An imaging device comprises: a photodiode (PD) receiving light, generating electric charges according to the received light, and storing the charges; a floating diffusion (FD) storing electric charges; and an electric charge holding section (MEM) disposed between the PD and the FD.例文帳に追加

撮像装置は、光入力を受け該光入力に応じた電荷を発生して蓄積するフォトダイオード（ＰＤ）と、電荷を蓄積するフローティングディフージョン（ＦＤ）と、ＰＤとＦＤとの間に配置された電荷保持部（ＭＥＭ）とを備えている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device capable of achieving a decrease in number of saturation electrons of a light receiving element and prevention against color mixing due to spreading of an element isolation diffusion layer of a surface layer of a semiconductor substrate even when micromanufactured to a smaller size.例文帳に追加

微細化が進んだ場合においても半導体基板の表層における素子分離拡散層の拡がりに起因した受光素子の飽和電子数の低減および混色が防止可能な固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an underwater aerator in which an air diffusing device is jointly provided so as to increase a dissolved oxygen content in water, and which can extend the diffusion range of bubbles, and can adjust sizes of bubbles variably.例文帳に追加

水中エアレータに散気装置を併設し、水中での溶存酸素量を増大させることができるようにするものであり、気泡の拡散範囲を広げることができ、気泡の大きさを可変的に調節できるエアレータを提供する。 - 特許庁

In the moving image display method and PDP device, such a control as to switch the starting position S2 and the order of the error diffusion processing for display data (image frame and pixel data thereof) each image frame (fn to fn+3) is performed.例文帳に追加

本動画像表示方法及びＰＤＰ装置では、表示データ（画像フレーム及びその画素のデータ）に対する誤差拡散処理の開始位置（Ｓ２）及び順序を、画像フレーム（ｆｎ〜ｆｎ＋３）毎に切り替える制御を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gas diffusion layer for an electrochemical device using a surfactant not coming under Pollutant Release and Transfer Register, easily decomposing and having high dispersibility; and to provide a mixture used for the same.例文帳に追加

化学物質管理促進法（ＲＴＲ法）該当せずかつ分解し易く分散性が良好な界面活性剤を用いた電気化学デバイス用ガス拡散層の製造方法それに使用される混合体を提供すること。 - 特許庁

To provide a multilayer interconnection structure excellent in a Cu diffusion, a heat resistance, an electrical performance, especially, a dielectric constant, and an adhesion; and to provide a semiconductor device having the structure and excellent in the electrical performance.例文帳に追加

Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造、およびこれを具備した、電気特性に優れる半導体装置を提供する事を目的としてなされたものである。 - 特許庁

Upon the drawing of the trigger member, an air cleaner 17 is actuated for a fixed period of time to suck the odor due to the diffusion of the gas as powder smoke discharged and after having passed through a deodorizing film, the gas is discharged outside the game device 1.例文帳に追加

また、上記引き金部材が引かれると、空気清浄機１７が一定時間作動して、排出された硝煙のガスの拡散による臭気を吸い込み、脱臭フィルタを通した後、ゲーム装置１外へ排出する。 - 特許庁

When the device records or reproduces an HD DVD 15b, it changes incident light on an objective lens 10 to diffusion light 32 by an optical system and generates spherical aberration by changing the voltage applied to a liquid crystal element 13.例文帳に追加

ＨＤ ＤＶＤ１５ｂを記録または再生する場合は、光学系により対物レンズ１０へ入射させる光を拡散光３２とし、かつ、液晶素子１３への印加電圧を変化させて球面収差を発生させる。 - 特許庁

To provide stainless steel foil suitable for an apparatus and a device of catalyst carrier and catalyst converter combustion gas exhaust system for purifying automobile exhaust gas, and upon brazing, hard to be diffusion-bonded at a non-intended part, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

自動車排ガス浄化用触媒担体および触媒コンバータ燃焼ガス排気系の機器、装置に好適で、ロウ付けの際、意図しない箇所で拡散接合しにくいステンレス箔およびその製造方法を提供する。 - 特許庁