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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > diffusion deviceに関連した英語例文

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diffusion deviceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2295



例文

Here, a high diffusion glass 55 is disposed between the imaging device 51 and the image forming lens 52 such that differences in the back focus B generated by a plurality of kinds of light sources (light colors) 41 become nearly equal.例文帳に追加

そこで、本発明では、複数種類の光源(光色)41により生じるバックフォーカスBの相違が略同一になるように、高分散ガラス55を撮像素子51と結像レンズ52との間に配置させる。 - 特許庁

The microwave diffusion state display device 8 constructed by a fluorescent tube 10 emitting light by microwave, and a resin plate 9 on which the fluorescent tubes 10 are arranged evenly, is installed in the heating chamber 3, attach and remove freely.例文帳に追加

マイクロ波によって発光する蛍光管10と、この蛍光管10を満遍なく設けた樹脂板9によって構成されるマイクロ波拡散状況表示体8を、加熱室3内に着脱自在に配置する。 - 特許庁

An exposure light quantity control circuit controls a driving condition of the laser device 2a in accordance with a light quantity signal corresponding to a light intensity of the reflection/diffusion light detected by the first and second light receiving devices 7A, 7B.例文帳に追加

露光量制御回路12は、第1および第2の受光素子7A,7Bが検出した反射・散乱光3bの光強度の対応する光量信号に基づいてレーザ素子2aの駆動条件を制御する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with buried wiring that suppresses diffusion of the component of a cap metal layer formed on a Cu wiring layer onto an interlayer insulating film and also suppresses an increase in connection resistance.例文帳に追加

Cu配線層に形成したキャップメタル層による層間絶縁膜上への拡散を抑制でき、かつ、接続抵抗の上昇を抑制できる埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

例文

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a step that is required for a mask alignment is secured in one pattern process, and the step serves as an alignment mark even after the step is substituted to a high temperature diffusion process.例文帳に追加

1回のパターン工程で、マスクアライメントに必要な段差を確保し、該段差が高温の熱拡散工程を経た後にもアライメントマークとして機能する半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁


例文

The fluid motion analyzing device 1 which analyzes the fluid motion according to a unsteady advectional diffusion equation is provided with an analysis unstableness judgment part 15 which judges whether it is difficult to analyze the fluid motion.例文帳に追加

非定常移流拡散方程式に基づいて流体運動の解析をする流体運動解析装置1に流体運動の解析が困難であるか判断する解析不安定性判断部15を設ける。 - 特許庁

To prevent generation of an intermediate region due to metal diffusion in a connection portion between conductors in a semiconductor device provided with the two conductors, at least one of them having an FUSI (fully silicided) structure.例文帳に追加

少なくとも一方がFUSI構造である2つの導電体を備えた半導体装置において導電体同士の接続箇所での金属拡散に起因する中間相領域の発生を抑制する。 - 特許庁

In the projection display device 1 for the vehicle, a diffusion plate 40 for diffusing/reflecting a light is provided on a route until the incident light finally arrives at the eye point side via a reflection plate 30.例文帳に追加

この車両用投影表示装置1は、投射光が反射板30を経由して最終的にアイポイント側に到達するまでの経路上に、光を拡散反射させる拡散板40が設けられている。 - 特許庁

To provide a method and a device for treating splashed substances by which the diffusion of the splashed substances such as fumes, dross, etc., generated when working a material to be worked, is suppressed, and working environment is easily cleaned.例文帳に追加

被加工材を加工するときに生じるヒュームやドロスなどの飛散物質の拡散を抑制し、加工環境のクリーン化を容易に図ることができる飛散物質処理方法及び飛散物質処理装置を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a low-cost polymer electrolyte fuel cell having no separator and no gas diffusion material and simple structure; to provide its manufacturing method; and to provide a polymer electrolyte fuel cell device using the polymer electrolyte fuel cell.例文帳に追加

セパレータおよびガス拡散材を有さない、構造が簡素で、低コストな固体高分子型燃料電池およびその製造方法、並びに、それを用いた固体高分子型燃料電池装置を提供すること。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device that has suppressed metal diffusion from a conductive pad to a solder bump and low contact resistance between the conductive pad and the solder bump, and is capable of achieving improved reliability, high speed, and high integration.例文帳に追加

導電パッドから半田バンプへの金属拡散が抑制され、導電パッドと半田バンプとの接続抵抗が小さく、信頼性向上、高速化、及び高集積化を実現可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A shutter 32 is opened to irradiate the rear side of the liquid crystal panel 12 with the light of the back light device 30 through a light diffusion plate 24 and the first polarizing plate 22, and the rear side of the liquid crystal panel 12 is photographed with a CCD camera 44.例文帳に追加

シャッター32を開いて,バックライト装置30の光を,拡散板24と第1偏光板22を通して,液晶パネル12のウラ面に照射し,CCDカメラ44で液晶パネル12を撮影する。 - 特許庁

To provide a bonding method with which the diffusion of flux to an element to be housed in a sealed container using a solder comprising a surface acoustic wave (SAW) device is completely prevented, in the bonding method for the container.例文帳に追加

弾性表面波装置を構成するはんだを用いた密閉容器の接合方法で、容器内部に収納する素子に対し、フラックスの飛散を全廃する接合方法を実現することを目的とする。 - 特許庁

To improve cooling performance of a cooling device by improving discharging efficiency of a vapor-phase refrigerant by increasing the supply of liquid-phase refrigerant, promoting heat diffusion to the inside of a porous member, and encouraging boiling.例文帳に追加

液相冷媒の供給量の増加、多孔質部材内部への熱拡散の促進、沸騰を生じやすくさせること、気相冷媒の排出性の向上によって、冷却装置の冷却性能を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor which prevent the delamination of interlayer insulating films and the diffusion of copper to the surroundings of the inter-layer insulating films while giving the interlayer insulating films a lower dielectric constant.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜剥がれ及び周辺への銅の拡散を防止しつつ、層間絶縁膜のより一層の低誘電率化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To obtain a glass fiber sheet for light diffusion having a high light- diffusing property, also improving its light transmission and capable of realizing a uniform and bright illumination, and an illuminating device by using the same sheet.例文帳に追加

高い光拡散性を有すると同時に光透過性が向上されて、均一かつ明るい照明を実現することが可能な光拡散用ガラス繊維シート、及びそれを用いた照明装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image display device capable of reducing grain noise and stepwise pattern which occur in accordance with a change of spatial brightness value of a video signal accompanying error diffusion processing.例文帳に追加

本発明は、誤差拡散処理に伴い映像信号の空間的輝度値の変化に応じて発生する粒状ノイズ及び階段状パターンを軽減可能な画像表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a combustion control device that can reduce unburned HC caused by adhesion of fuel to the bore wall of a cylinder and unburned HC/CO caused by excessive diffusion of the fuel in premixed compression ignition combustion.例文帳に追加

予混合圧縮着火燃焼において、シリンダのボア壁への燃料の付着による未燃HCと燃料の過拡散による未燃HC・COとを低減することができる燃焼制御装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 41 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on an n-type diffusion layer 40 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ3の形成領域において、キャパシタの下部電極用のN型の拡散層40上には、キャパシタ3の誘電膜用のシリコン酸化膜41が形成されている。 - 特許庁

To prevent a relative position between the low transmittance part of a diffusion sheet for reducing luminance unevenness between lamps constituting a backlight and the lamps from being deviated due to heat, in a liquid crystal display device equipped with a direct backlight.例文帳に追加

直下型バックライトを備える液晶表示装置において、バックライトを構成するランプ間の、輝度ムラを低減するための拡散シートの低透過率部とランプ間の相対位置が、熱によってズレないようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric device that maintains airtightness in a package by suppressing phenomena of diffusion of an eutectic metal component to the electrode film of a piezoelectric vibrating piece and suction of gold (Au) of the electrode film.例文帳に追加

共晶金属成分が圧電振動片の電極膜への拡散及び電極膜の金(Au)を吸出しする現象を抑制し、パッケージ内部の気密を保った圧電デバイスを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a MOS field effect transistors or the like which can be manufactured by eliminating an inversion layer formed with ion implantation, thereby preventing diffusion at an increased rate.例文帳に追加

イオン注入により生成させる反転層を消滅させ、これにより増速拡散を防止して製造することができるMOS型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which has an end face window structure formed through neither impurity diffusion nor ion implantation, etc., and has the end face window structure even when using a nitride semiconductor.例文帳に追加

不純物拡散又はイオン注入等によらない端面窓構造の形成を可能とし、窒化物半導体を用いた場合においても端面窓構造を有する半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

According to the fabricating method of the solid-state imaging device of the present invention, the impurity diffusion region is formed by performing multiple times ion implantation using the same impurity ion in the same incident direction by changing a tilt angle.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子の製造方法は、同一の不純物イオンを用いて、同一の入射方向で、且つ、チルト角度を変えてイオン注入を複数回行うことで、不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

By applying the downward prism sheet having the vertex angle with a prescribed angle to the light guide plate in which an anisotropical diffusion hologram pattern is integrally molded, the liquid display device superior in the brightness characteristics can be obtained.例文帳に追加

異方拡散ホログラム・パターンが一体成形された導光板に、所定角度の頂角を有する下向きプリズム・シートを適用することにより、輝度特性の優れた液晶表示装置を得ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a barrier insulation film which covers an interconnection mainly formed of a copper film and has a small leakage current and has a sufficiently high capability to prevent the diffusion of copper and a low relative permittivity.例文帳に追加

銅膜を主とする配線を被覆する、リーク電流が小さく、かつ銅に対する拡散防止能力が十分に高い、低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion beam drawing acceleration method and a device with diffusion (loss) due to space charge effects alleviated, while ion beams drawn out of ion sources enter an acceleration/focusing region by a beam acceleration electrode.例文帳に追加

イオン源から引き出したイオンビームがビーム加速電極による加速・集束領域に入射するまでの間に、空間電荷効果によって拡散(損失)することを軽減したイオンビーム引出加速方法及び装置の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method that can prevent diffusion of the impurities contained in the gate electrode and improve the reliability of the gate insulation film and the durability of the hot carriers.例文帳に追加

ゲート電極中に含まれる不純物の拡散を防止することができ、さらに、ゲート絶縁膜の信頼性及びホットキャリア耐性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, a cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper by substituting palladium for copper on the surface of the metallization.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、銅を含む金属配線上に当該金属配線表面をパラジウムで置換して形成された銅拡散防止機能を有するキャップ膜が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A laser device 10 obliquely irradiates a light beam onto the surface of the semiconductor wafer 1, and a photoelectric transfer element 20 receives diffusion light generated on the surface of the semiconductor wafer 1 to output an image signal.例文帳に追加

レーザー装置10は光ビームを半導体ウェーハ1の表面へ斜めに照射し、光電変換素子20は半導体ウェーハ1の表面で発生した散乱光を受光して画像信号を出力する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses excessive diffusion of nitrogen atoms, and improves nitrogen concentrations of an insulating film, when the insulating film including nitrogen and silicon as constituent elements is formed.例文帳に追加

構成元素として窒素とシリコンとを含む絶縁膜の形成時に、窒素原子の過度の拡散を抑制し、かつその絶縁膜の窒素濃度を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a control electrode 34, first and second impurity diffusion regions 24a and 24b, first and second resistance change portions 22a and 22b, and first and second charge accumulation portions 40a and 40b.例文帳に追加

制御電極34と、第1及び第2不純物拡散領域24a及び24bと、第1及び第2抵抗変化部22a及び22bと、第1及び第2電荷蓄積部40a及び40bとを備えている。 - 特許庁

To provide a fluid-processing device which utilizes a large specific interface area between the fluids to be mixed for effective diffusion without causing stagnation of the fluids and formed product in the micro-flow channel and can cope with mass production.例文帳に追加

混合される流体間の比表面積が大きく、効率の良い拡散が行なわれ、流体および生成物のマイクロ流路内での滞留がなく、大量製造にも対応できる流体処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for joining dissimilar materials in which the pressure condition suitable for diffusion of the materials is realized at a joining interface of two kinds of different materials, the area of the adequate conditional range is increased, and the joint strength is increased.例文帳に追加

異なる2種類の材料の接合界面において材料の拡散に適した圧力条件とすることができ、適切な条件範囲の面積を広げて、継手強度の向上を実現する。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the area of the part of the anode electrode 3 formed with the insulating film 9 interposed is smaller than the area of the insulating film 9 on the surface of the outer circumferential portion 8 of the anode diffusion region 2.例文帳に追加

、前記アノード拡散領域2の外周部8の表面の絶縁膜9の面積より、該絶縁膜9を介して形成されるアノード電極3部分の面積が小さい半導体装置とする。 - 特許庁

The optical sheet member 20 used for the backlight device 1 is constituted so that the plurality of optical functional sheets such as a light diffusion sheet 201 and a prism sheet 203 are stacked and, on a non-effective region, are bound.例文帳に追加

バックライト装置に用いる光学シート部材であって、該光学シート部材は、光拡散シートやプリズムシートなどの複数の光学機能性シートが重ね合わされ、非有効領域で綴じられているものである。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display device is provided with a polarizing plate 3, a phase difference plate 4, a diffusion plate 5, a color filter 6, a transparent electrode 7, a liquid crystal layer 8 and a reflection electrode 9 between the two glass substrates 1, 2 placed opposite to each other.例文帳に追加

反射型液晶表示器は、2枚の対向するガラス基板1,2間に、偏光板3、位相差板4、拡散板5、カラーフィルタ6、透明電極7、液晶層8、反射電極9を有している。 - 特許庁

To provide a device for housing a wiring board capable of suppressing diffusion of a heat dissipation material, restraining the used amount thereof, and securing convection action on the back side of the wiring board, and to provide an electric apparatus.例文帳に追加

放熱材の拡散を抑制でき、その使用量を抑制できるとともに、配線基板の裏面側の対流作用を確保し得る配線基板収容装置及び電気機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a lens array sheet which freely controls the distribution of diffused light to impart optional diffusion characteristic so that a smooth video can be displayed, and to provide a method for manufacturing the lens array sheet, a transmission type screen and a back projection type display device.例文帳に追加

拡散光の分布を自由に制御して任意の拡散特性を付与でき、滑らかな映像を表示可能なレンズアレイシート、レンズアレイシートの製造方法、透過型スクリーン、背面投射型表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can reduce an influence on a breakdown voltage property by a crystal defect resulting from a high concentration oxygen introduced into a semiconductor substrate in connection with the isolation diffusion of an elevated temperature long time.例文帳に追加

高温長時間の分離拡散に伴って半導体基板に導入される高濃度酸素に起因する結晶欠陥による耐圧特性への影響を低減できる半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a wiring structure which enhances reliability on performances as well as yield of a semiconductor device by preventing the occurrence of diffusion between an interlayer dielectric and wiring, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

層間絶縁膜と配線との間の拡散を防止し、半導体デバイスの性能に関する信頼性および製造歩留まりを向上させることが可能な配線構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a current detection device in which diffusion layers of the respective electrodes do not overlap with each other and which allows high-speed and precise current detection even when current detection is simultaneously performed in microelectrodes which are integrated in high density.例文帳に追加

高密度に集積した微小電極において電流検出を同時行っても、各電極の拡散層が重なり合わず、高速かつ正確な電流検出を可能とする電流検出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which leak current among wiring portions due to partially selective breakage or the like, in a semiconductor device in which a metal diffusion preventive layer is selectively formed on the upper side of a wiring layer embedded in a groove for wiring formed in an insulating layer.例文帳に追加

絶縁膜中に形成されている配線用の溝に埋め込まれている配線層の上部に選択的に金属拡散防止膜を形成する半導体装置において、部分的選択破れ等に起因する配線間リーク電流を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The driving circuit is connected to the IN terminal of the semiconductor device 1, a "high" signal is applied on the IN terminal of the semiconductor device 1, and the signal is transmitted to a power switching element 2, while passing through an n-type diffusion resistor 11 connected to an aluminum wiring 8 via a contact 9.例文帳に追加

半導体装置1のIN端子には駆動回路が接続され、通常動作時はハイ信号が半導体装置1のIN端子に加えられ、コンタクト9を介してアルミ配線8に接続されたN型拡散抵抗11を通りパワースイッチ素子2のゲートに信号が伝わる。 - 特許庁

This spectrum diffusion system distance measuring device is provided with a rough measurement circuit 20 for measuring the measurement object time taking one period of the reference clock as a time resolving power by a correlation device, and a close measurement circuit 30 for measuring the correction time for the measurement time obtained in the rough measurement circuit 20.例文帳に追加

スペクトラム拡散方式の距離測定装置に、測定対象時間を、相関器を用いて基準クロックの1周期を時間分解能として測定する粗測定回路20と、粗測定回路20で得られる測定時間に対する補正時間を測定する密測定回路30とを設ける。 - 特許庁

To provide a method of mounting components to a semiconductor device which is hardly deteriorated by the diffusion of Au-Al, and has no corrosion of an Au/Al contact part, and flip-chip bonds an Al electrode by a highly-reliable technique in terms of cost, and the mounting components of the semiconductor device.例文帳に追加

Au−Alの拡散による強度劣化がなく、Au/Al接触部の腐食がなく、コスト的に有利な信頼性の高い手法でAl電極をフリップチップ接合する半導体装置の部品実装方法、及び半導体装置の実装部品を提供する。 - 特許庁

To enhance yield and performance of a semiconductor device and facilitate miniaturization of the device by distributing an impurity introduced onto a surface of a semiconductor substrate over a shallow region of the surface with high precision and at a high concentration, thereby preventing diffusion of the impurity into a deep region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面に導入された不純物を、前記表面の浅い領域に高精度かつ高濃度で分布させ、不純物が半導体基板の深い領域に拡散することを防ぐことで、半導体装置の歩留まりおよび性能を向上させ、装置の微細化を容易にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a copper plated layer as an antenna conductor and having an integrated circuit and an antenna integrally formed, the copper plated layer having good adhesion thereto while preventing adverse effects on the electric property of a circuit element due to the diffusion of copper, the semiconductor device being free of defect with a failure in connecting the antenna to the integrated circuit.例文帳に追加

銅めっき層をアンテナの導体に用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止するとともに、密着性の良い銅めっき層を提供することを課題とする。 - 特許庁

A plurality of pattern images for calibration are formed by splitting a light, passed through a light diffusion member of a mask device for measurement, an opening pattern PHG_j for calibration formed in a mask for measurement of the mask device for measurement, and the optical system to be inspected in order, through the wave front splitting of an optical system for measurement.例文帳に追加

測定用マスク装置の光拡散部材、測定用マスク装置の測定用マスクに形成された較正用開口パターンPHC_j、及び被検光学系を順次介した光を測定用光学系により波面分割して複数の較正用パターン像が形成される。 - 特許庁

例文

The material of a hole injection layer constituting the organic electroluminescent device is formed of a main chain conjugated high-molecular derivative having a crosslinked mesh structure, and the organic electroluminescent device can be made longer in service life by suppressing a deterioration in the hole injection layer due to application of a current to the layer and diffusion of a decomposition product into an organic layer.例文帳に追加

有機電界発光素子を構成する正孔注入層の材料が、架橋した網目構造を有する主鎖共役系高分子誘導体からなり、正孔注入層への通電による劣化、分解物の有機層への拡散を抑止することで、長寿命化を図る。 - 特許庁




  
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