「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

In a silicon-based power semiconductor device having a super junction structure where an N-type column and a P-type column are repeated alternately, an element having a boron diffusion-suppressing effect is added to the P-type column.例文帳に追加

本願発明は、Ｎ型カラムとＰ型カラムが交互に繰り返されるスーパジャンクション構造を有するシリコン系パワー半導体装置において、前記Ｐ型カラムには、ボロン拡散抑制効果を有する元素が添加されている。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a solid electrolyte secondary cell formed on a semiconductor substrate (a), and the semiconductor substrate (a) located beneath the solid electrolyte secondary cell is equipped with a diffusion layer (g) doped with N-type impurities.例文帳に追加

半導体基板の上に固体電解質二次電池が形成された半導体装置であって、固体電解質二次電池直下の半導体基板ａがＮ型の不純物をドープした拡散層ｇを有する。 - 特許庁

To provide a method for membrane separation utilizing diffusion of molecules and particles as a method for separating and purifying substances under a mild condition, and a device enabling the method, easy in handling and enabling assembling and reusing.例文帳に追加

温和な条件下で物質を分離精製する方法として、分子および粒子の拡散を利用した膜分離方法およびそれを可能にする取り扱いが簡便で組み立て再利用が可能な装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can stably form a low-resistant nickel silicide film without increase of junction leakage current in a diffusion layer area containing an arsenic dopant densely.例文帳に追加

高濃度で砒素不純物を含有する拡散層領域における接合リーク電流の増大なく、低抵抗なニッケル珪化物膜を安定性よく形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device that forms a continuous metal silicide without any disconnection on common source diffusion wiring by a simple process, and can form low-resistance common source line reliably.例文帳に追加

簡単な工程で共通ソース拡散配線上に断線することなく連続した金属シリサイドを形成して、低抵抗な共通ソース線を確実に形成できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An exposure light quantity control circuit controls a driving condition of the laser device 2a in accordance with a light quantity signal corresponding to a light intensity of the reflection/diffusion light detected by the first and second light receiving devices 7A, 7B.例文帳に追加

露光量制御回路１２は、第１および第２の受光素子７Ａ，７Ｂが検出した反射・散乱光３ｂの光強度の対応する光量信号に基づいてレーザ素子２ａの駆動条件を制御する。 - 特許庁

The lighting device 100 is composed of a cylindrically curved light diffusion plate 104 attached to a base board, on which light emitting diodes 102 are mounted, to widely irradiate the rear surface of the panel member 152 of the slot machine.例文帳に追加

発光ダイオード（１０２）を実装する基板に対し半円筒状に湾曲する光拡散板（１０４）を設けて照明装置（１００）を構成し、スロットマシンのパネル部材（１５２）の裏面を広範囲に照射する。 - 特許庁

Here, a high diffusion glass 55 is disposed between the imaging device 51 and the image forming lens 52 such that differences in the back focus B generated by a plurality of kinds of light sources (light colors) 41 become nearly equal.例文帳に追加

そこで、本発明では、複数種類の光源(光色)４１により生じるバックフォーカスＢの相違が略同一になるように、高分散ガラス５５を撮像素子５１と結像レンズ５２との間に配置させる。 - 特許庁

The microwave diffusion state display device 8 constructed by a fluorescent tube 10 emitting light by microwave, and a resin plate 9 on which the fluorescent tubes 10 are arranged evenly, is installed in the heating chamber 3, attach and remove freely.例文帳に追加

マイクロ波によって発光する蛍光管１０と、この蛍光管１０を満遍なく設けた樹脂板９によって構成されるマイクロ波拡散状況表示体８を、加熱室３内に着脱自在に配置する。 - 特許庁

To provide a control device for a vehicle with an assist motor preventing abnormal combustion due to premature ignition and suppressing production of soot at the time of change over from diffusion combustion to pre-mixed compression ignition combustion.例文帳に追加

拡散燃焼から予混合圧縮着火燃焼に切り換える際に、過早着火による異常燃焼を防止すると共に煤の発生を抑制することができるアシストモーター付き車両の制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric device that maintains airtightness in a package by suppressing phenomena of diffusion of an eutectic metal component to the electrode film of a piezoelectric vibrating piece and suction of gold (Au) of the electrode film.例文帳に追加

共晶金属成分が圧電振動片の電極膜への拡散及び電極膜の金（Ａｕ）を吸出しする現象を抑制し、パッケージ内部の気密を保った圧電デバイスを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a MOS field effect transistors or the like which can be manufactured by eliminating an inversion layer formed with ion implantation, thereby preventing diffusion at an increased rate.例文帳に追加

イオン注入により生成させる反転層を消滅させ、これにより増速拡散を防止して製造することができるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that prevents charging damage to a transistor, when forming a moisture diffusion prevention film, and suppresses the infiltration of moisture to a ferroelectric capacitor, when forming wiring.例文帳に追加

水分拡散防止膜の形成時におけるトランジスタへのチャージングダメージを防止すると共に、配線形成時における強誘電体キャパシタへの水分の侵入を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a barrier insulation film which covers an interconnection mainly formed of a copper film and has a small leakage current and has a sufficiently high capability to prevent the diffusion of copper and a low relative permittivity.例文帳に追加

銅膜を主とする配線を被覆する、リーク電流が小さく、かつ銅に対する拡散防止能力が十分に高い、低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which has an end face window structure formed through neither impurity diffusion nor ion implantation, etc., and has the end face window structure even when using a nitride semiconductor.例文帳に追加

不純物拡散又はイオン注入等によらない端面窓構造の形成を可能とし、窒化物半導体を用いた場合においても端面窓構造を有する半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

According to the fabricating method of the solid-state imaging device of the present invention, the impurity diffusion region is formed by performing multiple times ion implantation using the same impurity ion in the same incident direction by changing a tilt angle.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子の製造方法は、同一の不純物イオンを用いて、同一の入射方向で、且つ、チルト角度を変えてイオン注入を複数回行うことで、不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

By applying the downward prism sheet having the vertex angle with a prescribed angle to the light guide plate in which an anisotropical diffusion hologram pattern is integrally molded, the liquid display device superior in the brightness characteristics can be obtained.例文帳に追加

異方拡散ホログラム・パターンが一体成形された導光板に、所定角度の頂角を有する下向きプリズム・シートを適用することにより、輝度特性の優れた液晶表示装置を得ることができる。 - 特許庁

To prevent a relative position between the low transmittance part of a diffusion sheet for reducing luminance unevenness between lamps constituting a backlight and the lamps from being deviated due to heat, in a liquid crystal display device equipped with a direct backlight.例文帳に追加

直下型バックライトを備える液晶表示装置において、バックライトを構成するランプ間の、輝度ムラを低減するための拡散シートの低透過率部とランプ間の相対位置が、熱によってズレないようにする。 - 特許庁

To provide a combustion control device that can reduce unburned HC caused by adhesion of fuel to the bore wall of a cylinder and unburned HC/CO caused by excessive diffusion of the fuel in premixed compression ignition combustion.例文帳に追加

予混合圧縮着火燃焼において、シリンダのボア壁への燃料の付着による未燃ＨＣと燃料の過拡散による未燃ＨＣ・ＣＯとを低減することができる燃焼制御装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 41 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on an n-type diffusion layer 40 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＮ型の拡散層４０上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４１が形成されている。 - 特許庁

To provide an ion beam drawing acceleration method and a device with diffusion (loss) due to space charge effects alleviated, while ion beams drawn out of ion sources enter an acceleration/focusing region by a beam acceleration electrode.例文帳に追加

イオン源から引き出したイオンビームがビーム加速電極による加速・集束領域に入射するまでの間に、空間電荷効果によって拡散（損失）することを軽減したイオンビーム引出加速方法及び装置の提供。 - 特許庁

A laser device 10 obliquely irradiates a light beam onto the surface of the semiconductor wafer 1, and a photoelectric transfer element 20 receives diffusion light generated on the surface of the semiconductor wafer 1 to output an image signal.例文帳に追加

レーザー装置１０は光ビームを半導体ウェーハ１の表面へ斜めに照射し、光電変換素子２０は半導体ウェーハ１の表面で発生した散乱光を受光して画像信号を出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method that can prevent diffusion of the impurities contained in the gate electrode and improve the reliability of the gate insulation film and the durability of the hot carriers.例文帳に追加

ゲート電極中に含まれる不純物の拡散を防止することができ、さらに、ゲート絶縁膜の信頼性及びホットキャリア耐性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, a cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper by substituting palladium for copper on the surface of the metallization.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、銅を含む金属配線上に当該金属配線表面をパラジウムで置換して形成された銅拡散防止機能を有するキャップ膜が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses excessive diffusion of nitrogen atoms, and improves nitrogen concentrations of an insulating film, when the insulating film including nitrogen and silicon as constituent elements is formed.例文帳に追加

構成元素として窒素とシリコンとを含む絶縁膜の形成時に、窒素原子の過度の拡散を抑制し、かつその絶縁膜の窒素濃度を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the area of the part of the anode electrode 3 formed with the insulating film 9 interposed is smaller than the area of the insulating film 9 on the surface of the outer circumferential portion 8 of the anode diffusion region 2.例文帳に追加

、前記アノード拡散領域２の外周部８の表面の絶縁膜９の面積より、該絶縁膜９を介して形成されるアノード電極３部分の面積が小さい半導体装置とする。 - 特許庁

To provide a fluid-processing device which utilizes a large specific interface area between the fluids to be mixed for effective diffusion without causing stagnation of the fluids and formed product in the micro-flow channel and can cope with mass production.例文帳に追加

混合される流体間の比表面積が大きく、効率の良い拡散が行なわれ、流体および生成物のマイクロ流路内での滞留がなく、大量製造にも対応できる流体処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for joining dissimilar materials in which the pressure condition suitable for diffusion of the materials is realized at a joining interface of two kinds of different materials, the area of the adequate conditional range is increased, and the joint strength is increased.例文帳に追加

異なる２種類の材料の接合界面において材料の拡散に適した圧力条件とすることができ、適切な条件範囲の面積を広げて、継手強度の向上を実現する。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a control electrode 34, first and second impurity diffusion regions 24a and 24b, first and second resistance change portions 22a and 22b, and first and second charge accumulation portions 40a and 40b.例文帳に追加

制御電極３４と、第１及び第２不純物拡散領域２４ａ及び２４ｂと、第１及び第２抵抗変化部２２ａ及び２２ｂと、第１及び第２電荷蓄積部４０ａ及び４０ｂとを備えている。 - 特許庁

The optical sheet member 20 used for the backlight device 1 is constituted so that the plurality of optical functional sheets such as a light diffusion sheet 201 and a prism sheet 203 are stacked and, on a non-effective region, are bound.例文帳に追加

バックライト装置に用いる光学シート部材であって、該光学シート部材は、光拡散シートやプリズムシートなどの複数の光学機能性シートが重ね合わされ、非有効領域で綴じられているものである。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display device is provided with a polarizing plate 3, a phase difference plate 4, a diffusion plate 5, a color filter 6, a transparent electrode 7, a liquid crystal layer 8 and a reflection electrode 9 between the two glass substrates 1, 2 placed opposite to each other.例文帳に追加

反射型液晶表示器は、２枚の対向するガラス基板１，２間に、偏光板３、位相差板４、拡散板５、カラーフィルタ６、透明電極７、液晶層８、反射電極９を有している。 - 特許庁

To provide a device for housing a wiring board capable of suppressing diffusion of a heat dissipation material, restraining the used amount thereof, and securing convection action on the back side of the wiring board, and to provide an electric apparatus.例文帳に追加

放熱材の拡散を抑制でき、その使用量を抑制できるとともに、配線基板の裏面側の対流作用を確保し得る配線基板収容装置及び電気機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a lens array sheet which freely controls the distribution of diffused light to impart optional diffusion characteristic so that a smooth video can be displayed, and to provide a method for manufacturing the lens array sheet, a transmission type screen and a back projection type display device.例文帳に追加

拡散光の分布を自由に制御して任意の拡散特性を付与でき、滑らかな映像を表示可能なレンズアレイシート、レンズアレイシートの製造方法、透過型スクリーン、背面投射型表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can reduce an influence on a breakdown voltage property by a crystal defect resulting from a high concentration oxygen introduced into a semiconductor substrate in connection with the isolation diffusion of an elevated temperature long time.例文帳に追加

高温長時間の分離拡散に伴って半導体基板に導入される高濃度酸素に起因する結晶欠陥による耐圧特性への影響を低減できる半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a wiring structure which enhances reliability on performances as well as yield of a semiconductor device by preventing the occurrence of diffusion between an interlayer dielectric and wiring, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

層間絶縁膜と配線との間の拡散を防止し、半導体デバイスの性能に関する信頼性および製造歩留まりを向上させることが可能な配線構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a current detection device in which diffusion layers of the respective electrodes do not overlap with each other and which allows high-speed and precise current detection even when current detection is simultaneously performed in microelectrodes which are integrated in high density.例文帳に追加

高密度に集積した微小電極において電流検出を同時行っても、各電極の拡散層が重なり合わず、高速かつ正確な電流検出を可能とする電流検出装置を提供する。 - 特許庁

Further, if an insulated thin film is arranged between a semiconductor substrate and the nonlinear optical silica thin film, diffusion of an undesired impurity or the like for the semiconductor device or other device and occurrence of crystal defect of the substrate being due to the silica thin film can be prevented.例文帳に追加

なお、半導体基板と上記非線形光学シリカ薄膜との間に絶縁性薄膜を介在配置すれば、半導体基板や他の素子に不要な不純物などが拡散したり、基板に上記シリカ薄膜に起因した結晶欠陥が発生することを防止できる。 - 特許庁

To enhance yield and performance of a semiconductor device and facilitate miniaturization of the device by distributing an impurity introduced onto a surface of a semiconductor substrate over a shallow region of the surface with high precision and at a high concentration, thereby preventing diffusion of the impurity into a deep region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面に導入された不純物を、前記表面の浅い領域に高精度かつ高濃度で分布させ、不純物が半導体基板の深い領域に拡散することを防ぐことで、半導体装置の歩留まりおよび性能を向上させ、装置の微細化を容易にする。 - 特許庁

The driving circuit is connected to the IN terminal of the semiconductor device 1, a "high" signal is applied on the IN terminal of the semiconductor device 1, and the signal is transmitted to a power switching element 2, while passing through an n-type diffusion resistor 11 connected to an aluminum wiring 8 via a contact 9.例文帳に追加

半導体装置１のＩＮ端子には駆動回路が接続され、通常動作時はハイ信号が半導体装置１のＩＮ端子に加えられ、コンタクト９を介してアルミ配線８に接続されたＮ型拡散抵抗１１を通りパワースイッチ素子２のゲートに信号が伝わる。 - 特許庁

This spectrum diffusion system distance measuring device is provided with a rough measurement circuit 20 for measuring the measurement object time taking one period of the reference clock as a time resolving power by a correlation device, and a close measurement circuit 30 for measuring the correction time for the measurement time obtained in the rough measurement circuit 20.例文帳に追加

スペクトラム拡散方式の距離測定装置に、測定対象時間を、相関器を用いて基準クロックの１周期を時間分解能として測定する粗測定回路２０と、粗測定回路２０で得られる測定時間に対する補正時間を測定する密測定回路３０とを設ける。 - 特許庁

To provide a method of mounting components to a semiconductor device which is hardly deteriorated by the diffusion of Au-Al, and has no corrosion of an Au/Al contact part, and flip-chip bonds an Al electrode by a highly-reliable technique in terms of cost, and the mounting components of the semiconductor device.例文帳に追加

Ａｕ−Ａｌの拡散による強度劣化がなく、Ａｕ／Ａｌ接触部の腐食がなく、コスト的に有利な信頼性の高い手法でＡｌ電極をフリップチップ接合する半導体装置の部品実装方法、及び半導体装置の実装部品を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a copper plated layer as an antenna conductor and having an integrated circuit and an antenna integrally formed, the copper plated layer having good adhesion thereto while preventing adverse effects on the electric property of a circuit element due to the diffusion of copper, the semiconductor device being free of defect with a failure in connecting the antenna to the integrated circuit.例文帳に追加

銅めっき層をアンテナの導体に用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止するとともに、密着性の良い銅めっき層を提供することを課題とする。 - 特許庁

A plurality of pattern images for calibration are formed by splitting a light, passed through a light diffusion member of a mask device for measurement, an opening pattern PHG_j for calibration formed in a mask for measurement of the mask device for measurement, and the optical system to be inspected in order, through the wave front splitting of an optical system for measurement.例文帳に追加

測定用マスク装置の光拡散部材、測定用マスク装置の測定用マスクに形成された較正用開口パターンＰＨＣ_j、及び被検光学系を順次介した光を測定用光学系により波面分割して複数の較正用パターン像が形成される。 - 特許庁

The material of a hole injection layer constituting the organic electroluminescent device is formed of a main chain conjugated high-molecular derivative having a crosslinked mesh structure, and the organic electroluminescent device can be made longer in service life by suppressing a deterioration in the hole injection layer due to application of a current to the layer and diffusion of a decomposition product into an organic layer.例文帳に追加

有機電界発光素子を構成する正孔注入層の材料が、架橋した網目構造を有する主鎖共役系高分子誘導体からなり、正孔注入層への通電による劣化、分解物の有機層への拡散を抑止することで、長寿命化を図る。 - 特許庁

The cutting device includes cutting means 101, 102 and holding means 100a, 100b for holding the assembly to be cut, the device being characterized in that the holding means 100a, 100b are designed to be moved in controlled manner so as to accompany actively the diffusion and/or deformation of each portion of the assembly to be cut 20 and so as to correct the spacing and/or the deformation.例文帳に追加

保持する手段１００ａ，１００ｂが、切断対象の組立体２０の各部分の拡散及び／又は変形に積極的に追従し、前記開き及び／又は変形を修正するために、制御された移動を設計されることを特徴とする。 - 特許庁