「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a semiconductor device excellent in its high-frequency characteristic wherein an emitter diffusion is so performed by a groove formed in its base region as to reduce further its base resistance and reduce a capacitance between its base and its emitter too.例文帳に追加

ベース領域に形成した溝によりエミッタ拡散を行い、よりベース取り出し抵抗を低減し、ベース−エミッタ間容量も低減する高周波特性に優れた半導体装置を得る。 - 特許庁

This backlight device 14 having a diffusion sheet 36 diffusing light and a light source part 40 arranged behind a diffuser panel obtains surface light emission by diffusing light emitted from the light source part with the diffuser panel.例文帳に追加

光を拡散する拡散シート３６と、拡散板の背後に配置された光源部４０を有し、光源部から出射された光を拡散板で拡散して面発光を得るバックライト装置１４である。 - 特許庁

The heat radiating device has a structure where a corrugate fin 3 is bonded with a flexible tabular heat diffusion plate 2 so that the heat radiating device itself has flexibility and the radiating device can be mutually attached to a plurality of the heating elements with different shapes by making the plurality of heating elements have intended attached areas where the radiating device is mutually and simultaneously attached.例文帳に追加

可撓性を持った平板状の熱拡散板２にコルゲートフィン３を接着した構造として放熱器自体に柔軟性を持たせるとともに、複数の発熱体に同時共通に取り付け可能な所望の取り付け面積を持たせることによって、形状の異なる複数の発熱体に共通に取り付け可能な構造とした。 - 特許庁

To provide a polycarbonate resin composition which can secure compatibility for maintaining or improving brightness while keeping a light diffusion property and reducing a dimensional change caused by moisture absorption in a light diffusion plate of a liquid crystal display, and used for the diffusion plate in the liquid crystal display which can prevent the deterioration of the device caused by an ultraviolet ray from a lighting unit, and having both high permeability and light diffusing capability and excellent flame retardancy.例文帳に追加

液晶表示装置用光拡散板において、光拡散性を保持したまま輝度を保持又は向上することと、吸湿による寸法変化を抑制することとを両立し、同時にライティングユニットから生じる紫外線による装置の劣化を防ぐことが可能な液晶表示装置用光拡散板に使用される、高い透過性と光拡散性との両者を併せ持ち、難燃性に優れた光拡散板用ポリカーボネート樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The combustion control system for the compression ignition internal combustion engine capable of switching between the diffusion combustion operation mode and the premixed combustion operation mode causes the internal combustion engine to perform diffusion combustion operation if the temperature of an exhaust emission control device is lower than an activation determination temperature when the operating state of the internal combustion engine belongs to a premixed combustion operation region.例文帳に追加

本発明は、拡散燃焼運転モードと予混合燃焼運転モードを切換可能な圧縮着火式内燃機関の燃焼制御システムにおいて、内燃機関の運転状態が予混合燃焼運転領域に属する時に、排気浄化装置の温度が活性判定温度より低ければ、内燃機関を拡散燃焼運転させるようにした。 - 特許庁

In a rainwater storage device A where a water storage tank 40, at least its bottom face is a concrete floor 32, is buried under the ground and a structure, filling members 20 are filled in the water storage tank 40, is provided, a concave groove 33 is formed in the concrete floor 32 and diffusion pipes 1 having a lot of diffusion holes 2 in the concave groove 33 is disposed.例文帳に追加

少なくとも底面がコンクリート床３２とされた貯水槽４０が地中に埋設されており、貯水槽４０内に充填部材２０が充填されている構造を備えた雨水貯留装置Ａにおいて、コンクリート床３２には凹溝３３を形成し、該凹溝３３内に多数の散気孔２を有する散気管１を配設する。 - 特許庁

The pattern defect detection device includes a light source 11 for generating and emitting light, a scan mirror 14 for scanning a substrate 20 with the light emitted by the light source 11, a fluorescent light image detection unit 17 for detecting the image of fluorescent light emitted by the substrate 20, and a diffusion light image detection unit 19 for detecting the image of diffusion light diffused by the substrate 20.例文帳に追加

光を生成して出射する光源１１と、光源１１から出射される光を基板２０にスキャンするスキャンミラー１４と、基板２０で蛍光された蛍光イメージを検出する蛍光イメージ検出部１７と、基板２０で散乱された散乱光イメージを検出する散乱光イメージ検出部１９と、を含むものである。 - 特許庁

A semiconductor chip 1 has a semiconductor substrate 11, bumps B1 made of Au and formed on a surface of the semiconductor substrate 11, a diffusion preventing film 14 made of TiW and formed on the entire top surfaces of the bumps B1, and a junction film 15 formed on the diffusion preventing film 14 for junction with an electric connection of another device.例文帳に追加

半導体チップ１は、半導体基板１１と、この半導体基板１１の表面に形成され、ＡｕからなるバンプＢ１と、このバンプＢ１の頂面の全域に形成され、ＴｉＷからなる拡散防止膜１４と、この拡散防止膜１４上に形成され、他の装置の電気接続部との接合のための接合膜１５とを有している。 - 特許庁

In a reflection type liquid crystal display device formed by combining a reflection type liquid crystal display element 10 having a diffusion layer 121 in a panel and a frontlight unit 20, an outer diffusion layer 30 consisting of a scattering film having no scattering pitch is provided between a viewing surface side transparent substrate 11 of the display element 10 and a light guide plate 21 of the frontlight unit 20.例文帳に追加

パネル内部に拡散層１２１を有する反射型液晶表示素子１０とフロントライトユニット２０とを組み合わせてなる反射型液晶表示装置において、液晶表示素子１０の観察面側透明基板１１とフロントライトユニット２０の導光板２１との間に、散乱ピッチを持たない散乱フィルムからなる外部拡散層３０を設ける。 - 特許庁

This image display device is provided with: a backlight unit including a plurality of light sources 1 arranged in a planar form, a reflecting part 30 reflecting light from the light sources, and a diffusion part 5 diffusing the light from the light sources and the light reflected by the reflecting part; and a liquid crystal display part 10 to which light diffused by the diffusion part of the backlight unit is incident.例文帳に追加

映像表示装置において、平面状に配置された複数の光源１と、該光源からの光を反射する反射部３０と、前記光源及び前記反射部で反射されて光を拡散する拡散部５とを含むバックライトユニットと、前記バックライトユニットの前記拡散部で拡散された光が入射される液晶表示部１０とを備える。 - 特許庁

In the inventive method for fabricating a semiconductor device provided with a cap film having a copper diffusion preventive function formed on a metallization containing copper, the cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper by substituting palladium for copper on the surface of the metallization.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成する半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線表面をパラジウムで置換して上記金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To realize a highly reliable semiconductor device having a metallic wiring covered by a low-permittivity film without the low-permittivity film and a metal-diffusion-preventing film exfoliated by improving an adhesion at the interface between the metal-diffusion-preventing film for preventing the diffucion from the metal wiring and the low-permittivity film.例文帳に追加

低低誘電率膜に覆われた金属配線を有する半導体装置において、金属配線からの拡散を防止する金属拡散防止膜と低誘電率膜との界面における密着性を向上させ、低誘電率膜と金属拡散防止膜とが剥離しにくい信頼性が高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device 20 has an internal circuit 1 including an NMOS transistor 31, and an electrostatic protection circuit including a protection element 41 having a p-type well diffusion region 11 and a pair of n-type regions 12a and 12b opposed to each other at a predetermined mutual interval in the p-type well diffusion region 11.例文帳に追加

この半導体装置２０は、ＮＭＯＳトランジスタ３１を含む内部回路１と、ｐ型ウェル拡散領域１１と、そのｐ型ウェル拡散領域１１内において互いに所定の間隔を隔てて対向する一対のｎ型領域１２ａおよび１２ｂとを有する保護素子４１を含む静電気保護回路２とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes an impurity diffusion layer 2 formed on a semiconductor substrate 1, an inter-layer insulating film 3 formed on the upper part of the semiconductor substrate 1, and the contact plug formed by filling a contact hole penetrating the inter-layer insulating film 3 with a given material to provide an electrical contact with the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置１０は、半導体基板１上に形成された不純物拡散層２と、半導体基板の上部に形成される層間絶縁膜３と、層間絶縁膜３を貫通するコンタクトホール内に所定の材料が充填されて不純物拡散層２との電気的接続を形成するコンタクトプラグと、を有する。 - 特許庁

The semiconductor device 20 is provided with a trench 3 formed in an n-type well region 2a of an epitaxial layer 2, an embedded electrode 5 formed inside the trench 3, and a bidirectional zener diode which is formed in a p^--type region 2b of the epitaxial layer 2 and is composed of a plurality of n^+-type diffusion regions 7 and p^+-type diffusion regions 8.例文帳に追加

この半導体装置２０は、エピタキシャル層２のｎ型ウェル領域２ａに形成されたトレンチ３と、トレンチ３の内面上に形成された埋め込み電極５と、エピタキシャル層２のｐ^-型領域２ｂに形成され、複数のｎ^+型拡散領域７およびｐ^+型拡散領域８によって構成された双方向ツェナーダイオードとを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an embedded conductive film 12A formed of a conductor including impurity embedded in a channel part formed to a semiconductor substrate 10, and a bit line 12 formed of a first diffusion layer 12B formed in the regions in both sides of the channel part and a second diffusion layer 12C formed at the side wall and the bottom surface of the channel part.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０に形成された溝部に埋め込まれた不純物を含む導電体からなる埋め込み導電膜１２Ａと、溝部の両側方の領域に形成された第１の拡散層１２Ｂと、溝部の側壁及び底面に形成された第２の拡散層１２Ｃとからなるビット線１２を備えている。 - 特許庁

The illuminating device is equipped with a light source, a housing to house the light source the inner wall of which is covered with a diffusion reflection layer, an optical collimator which collimates the light emitted from the light source and reflected on the diffusion reflection layer to produce a collimated light, and a directivity control member to control the directivity of the collimated light emitted from the optical collimator.例文帳に追加

光源と、光源を収容する、内壁面が拡散反射層で覆われたハウジングと、光源から射出された光および拡散反射層で反射された光をコリメート光にする光コリメータと、光コリメータから射出されたコリメート光の指向性を規制する指向性規制部材とを有するにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

Thereby, adhesiveness of the electrode film and the substrate is heightened and uniformity of single domain treatment is heightened and differences of a thermal expansion coefficient and a diffusion coefficient between the crystal and the electrode both as oxides can be made not to be generated and thus generation of crack and diffusion of foreign metal in heating can be prevented and high quality of the device can be attained.例文帳に追加

これにより、電極膜と基板との密着性を高めて単分域化処理の均一性を高めるとともに、酸化物どうしとして結晶と電極との間に熱膨張係数や拡散係数の差を生じさせないようにできるので、加熱時におけるクラックの発生や異種金属の拡散を防止し、デバイスの高品質化を図ることができる。 - 特許庁

Further, the manufacturing method of semiconductor device with the conductor layer formed by laminating silicon and cobalt silicide comprises a process for forming and laminating a diffusion suppressing film consisting of silicon into which nitrogen is mixed, a process for forming and laminating the diffusion suppressing film and a cobalt film, and a process for forming the cobalt silicide by reacting silicon and cobalt.例文帳に追加

また、シリコンとコバルトシリサイドとを積層した導体層を形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコンに窒素が混入した拡散抑制膜を積層形成する工程と、前記拡散抑制膜にコバルトの膜を積層形成する工程と、前記シリコンとコバルトとを反応させてコバルトシリサイドを形成する工程とを有する。 - 特許庁

In the inventive method for fabricating a semiconductor device provided with a cap film having a copper diffusion preventive function formed on a metallization containing copper, the cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper and the surface of the cap film is silicificated.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を備える半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線上に上記銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成し、さらに当該キャップ膜の表面をシリサイド化することを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor device, the diffusion resistance region 3 has a constitution which is electrically separated by a second trench 6 and an impurity region of one conductivity type, and a conductive polysilicon 5 provided at a sidewall of the second trench 6 via an insulating film 7 is short-circuited and connected to either of ends 4a of the diffusion resistance region 3.例文帳に追加

前記拡散抵抗領域３は第二トレンチ６および一導電型の不純物領域により電気的に分離される構成を有し、さらに、前記第二トレンチ６の側壁に絶縁膜７を介して設けられている導電性ポリシリコン５が、前記拡散抵抗領域３のいずれかの端部４ａと短絡接続されている半導体装置とする。 - 特許庁

A flow passage of a spouting device body which is connected with a flexible pipe at an inlet and is equipped with a water diffusion plate on an outlet side is internally provided with a stop valve section and the operating element of the stop valve section is adapted to exhibit a longitudinally long elliptic shape along a grip of the spouting device body.例文帳に追加

可撓管を入口に接続し出口側に散水板を備えた吐水装置本体の流路中に開閉弁部を設け、該開閉弁部の操作子が前記吐水装置本体の握り手に沿って縦長の楕円形状を呈するようにした。 - 特許庁

To provide a vapor growth device for improving copper wiring surface treatment before forming a copper diffusion prevention insulating film by a mixed gas soak of a silane and ammonia, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device having copper wiring where a surface state is excellent with less resistance.例文帳に追加

シランとアンモニアの混合ガスソークによる銅拡散防止絶縁膜形成前の銅配線表面処理を改善できる気相成長装置、および表面状態がよく、抵抗が低い銅配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has dual gate electrodes and prevents deterioration of the current capacity of a transistor, by suppressing the solid phase diffusion of an impurity in a gate insulating film and the decrease of the capacities of the gate electrodes, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

デュアルゲート電極を有する半導体装置について、不純物のゲート絶縁膜中への固体内拡散を抑制し、ゲート電極容量の減少を抑えてトランジスタの電流能力の低減を防いだ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride based semiconductor epitaxial substrate capable of ensuring the electric insulation between a device layer side and a GaN monocrystal substrate, and capable of restricting a diffusion of Mg for controlling the conductivity to the device layer side, its manufacturing method and a substrate for HEMT.例文帳に追加

デバイス層側とＧａＮ単結晶基板との電気絶縁性を確保でき、且つ、伝導性制御用のＭｇがデバイス層側に拡散することを抑制できる窒化物系半導体エピタキシャル基板、その製造方法、及びＨＥＭＴ用基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses the mutual diffusion of impurities in gate electrodes between an n-type gate electrode and a p-type gate electrode and reduces variation in the threshold voltage, having a dual gate electrode exhibiting desirable characteristics, and to provide a manufacturing method for such a semiconductor device.例文帳に追加

ｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極との間で、ゲート電極中の不純物が相互拡散するのを抑え、しきい値電圧の変動が抑制され、所望の特性を示すデュアルゲート電極を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-split anode wall plasma generating device capable of preventing the short circuit between a cathode and an anode by the peeling off of deposits adhering to and depositing on an inner wall of the anode by diffusion plasma, and to provide a plasma treating device using the same.例文帳に追加

拡散プラズマにより陽極内壁に付着、堆積した堆積物が剥落して陰極と陽極間を短絡することを防止することができる陽極壁多分割型プラズマ発生装置及びそれを用いたプラズマ処理装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can suitably be used as a semiconductor chip to be mounted on an MCP, suppresses diffusion of heavy metal from the backside of the semiconductor device to nearby an element active area, and has high mechanical strength; and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＭＣＰに搭載される半導体チップとして好適に使用でき、半導体装置の裏面から素子活性領域の近傍への重金属の拡散を抑制し、且つ高い機械的強度を有する半導体装置、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition to a method for delivering chemical therapeutic agents or bioactive substances to the tissue or organ of a mammal by means of a selective and protective diffusion mechanism through the surgically implanted device, a method for achieving sealability of the device is also provided.例文帳に追加

外科的に移殖された装置を介して選択的かつ保護的拡散機構により哺乳動物の臓器または組織に化学療法剤または生物活性物質を送達する新規方法に加えて、この装置の封鎖性を達成する方法も開示する。 - 特許庁

The appearance inspection device comprises the table 1 for supporting a bottle G of the inspection object, the surface light source 7 for irradiating the bottle G supported on the table 1 with diffusion light, and the imaging device 60 arranged opposite to the surface light source 7 while holding the bottle G in between.例文帳に追加

外形検査装置は、検査対象のびんＧを支持するテーブル１と、テーブル１上に支持されたびんＧへ拡散光を照射する面光源７と、びんＧを中間に挟んで面光源７と対向位置させる撮像装置６０とから成る。 - 特許庁

To prevent the occurrence of uncomfortable noise caused by mutual rubbing of component members such as a liquid crystal panel, a diffusion plate of a backlight unit, a reinforcing plate, a frame and a reflector due to thermal expansion after the liquid crystal display device is started up, relating to a countermeasure against sound in a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置における音対策に関し、液晶表示装置起動後の、液晶パネル、バックライトユニットの拡散板、補強板、フレーム、反射板等各部材の熱膨張による相互の擦れで生じる不快音の発生を防止すること。 - 特許庁

A plurality of pixels including a photoelectric conversion device PD and a pixel transistor are arranged, and a channel width of a transfer gate 21 in the transfer transistor of the pixel transistors is formed wider on the side of a floating diffusion (FD) region 20 than on the side of the photoelectric conversion device PD.例文帳に追加

光電変換素子ＰＤと画素トランジスタからなる画素が複数配列され、画素トランジスタのうちの転送トランジスタにおける転送ゲート２１のチャネル幅が、前記光電変換素子ＰＤ側よりフローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０側で広くして成る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for allowing the size of the semiconductor device to be smaller than the conventional size concerning the semiconductor device having an impurity diffusion region which is formed by obliquely implanting ions from the lower part of a gate electrode to a region on a substrate without the formation of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の下部からゲート電極の形成されていない基板上の領域に斜め方向のイオン注入を行って形成される不純物拡散領域を有する半導体装置において、半導体装置のサイズを従来に比して縮小化することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that stably exhibits a high reverse recovery withstand independently of the existence and nonexistence of the defects caused during the wafer process for manufacturing the semiconductor device, even if the semiconductor device is a pn-junction diode having a structure, in which an anode electrode is formed on an outer circumferential portion surface of a p-type anode diffusion region with an insulating film interposed.例文帳に追加

ｐ型アノード拡散領域の外周部表面に絶縁膜を介してアノード電極が設けられる構造を有するｐｎ接合ダイオードであっても、該ダイオードを製造する際のウエハプロセスに起因する欠陥の有無に依らず、安定的に高い逆回復耐量を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that the voltage between a photoelectric conversion device and a floating diffusion region cannot sufficiently be secured when the power supply voltage of a device is reduced for saving power consumption and as a result the amount of saturated electric charges Qs is reduced because signal electric charges photoelectrically converted by the photoelectric conversion device and stored therein cannot completely be read.例文帳に追加

低消費電力化を図るためにデバイスの電源電圧を下げると、光電変換素子と浮遊拡散領域との間の電位差を十分に確保できなくなり、その結果、光電変換素子で光電変換されて蓄積された信号電荷を完全に読み出せなくなるため飽和電荷量Ｑｓが低下する。 - 特許庁

To provide an image display device capable of holding a picture quality disturbance level always constant without worsening it due to a cyclic pattern noise appearing when dither processing or error diffusion processing is carried out even if an average picture signal level (APL) continuously varies in an image display device which performs digitally limited half-tone display like a plasma display panel (PDP) display device.例文帳に追加

プラズマ・ディスプレイ・パネル（ＰＤＰ）表示装置等のデジタル的に限られた中間調表示を行う画像表示装置に関して、平均映像信号レベル（ＡＰＬ）の変化によって、ディザ処理や誤差拡散処理特有の周期的パターンノイズの発生による画質妨害を減少させるようにする。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductor structure and the conductor structure, and a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device, capable of selectively forming a barrier layer on a copper wiring without requiring preprocessings for catalytic effect so as to prevent diffusion of copper from the copper wiring embedded in connection holes and/or wiring grooves of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の接続孔や配線溝へ埋め込む銅配線の銅の拡散防止のために、触媒化のための前処理なしで、銅配線上に選択的にバリア層の形成が可能な導体構造の形成方法及び導体構造、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing a leakage current even when MIS transistors having a plurality of kinds of threshold voltages are made high in threshold voltage without increasing a number of photoresists and without adding an impurity diffusion step.例文帳に追加

複数種類の閾値電圧のＭＩＳトランジスタをフォトレジスト数及び不純物拡散工程を追加することなく、閾値電圧を高くしてもリーク電流を低減することが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer that has a high IG (Internet Gattering) ability and at the same time that suppresses a diffusion current flowing into the device area in an epitaxial silicon layer from a base silicon substrate where a high density deposit exists.例文帳に追加

高いＩＧ能力を有し、同時に、高密度析出物が存在する下地シリコン基板からエピタキシャルシリコン層内のデバイス領域に流れ込む拡散電流を低減したエピタキシャルシリコンウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a sewage treating device capable of omitting the conventional air diffusion pipe and air piping, and adjusting the DO concentration to a derived value in a liquid mixture composed of sewage and activated sludge while preventing the precipitation of the activated sludge.例文帳に追加

従来の散気管や空気配管を省略できると共に、活性汚泥の沈降を防止しつつ汚水と活性汚泥との混合液中のＤＯ濃度を所望の値に調節できる汚水処理装置を提供する。 - 特許庁

The mount is loaded in a condition where the device 5 projects the white light beam, the transmission type film transmits the white light beam and a character and a picture printed on the mount, etc., are projected on a diffusion screen 1.例文帳に追加

前記映像投写装置５が白色光を投写している状態で前記台紙を装填すると、透過型フィルムを白色光が透過してそれに印画されている文字が絵などが拡散スクリーン１に投影される。 - 特許庁

Here, D is the observation distance from the diffusion hologram screen to the eyes of the operator when the operator uses the secret image display device holding with hands and Y is the diameter of an observable area.例文帳に追加

０．０１＜Ｙ／Ｄ＜２．７ ……(1) ただし、Ｄは操作者が秘匿性画像表示装置を手で持って使用するときの拡散ホログラムスクリーンから操作者の眼までの観察距離、Ｙは観察可能領域の直径である。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device which does not have overlap regions between an impurity diffusion layer and a floating gate of a memory cell, properly improves the scalability of the gate length and has a large capacity and low bit cost.例文帳に追加

不純物拡散層とメモリセルの浮遊ゲートとの間のオーバーラップ領域がなく、ゲート長のスケーラビリティを大幅に改善し、大容量・低ビットコストの不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has RESURF structure that can actualize high breakdown voltage without adding a diffusion step at high temperature for a long time and improve reliability, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高温長時間の拡散工程を追加することなく、高耐圧を実現することができ、かつ信頼性を向上することができるリサーフ構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a substrate 11 is installed, and a silicon oxide film 12, a lower electrode layer 13, a ferroelectric oxide layer 14, a diffusion prevention layer 15, and an upper electrode layer 16, are laminated in order on the substrate 11.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上にシリコン酸化膜１２、下部電極層１３、強誘電体酸化物層１４、拡散防止層１５、上部電極層１６が順次積層されて構成された構成とする。 - 特許庁