| 例文 |
diffusion deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2295件
To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the occurrence of side etching during formation of an n-type polysilicon gate while preventing boron from punching through a substrate due to the diffusion of boron in a p-type polysilicon gate.例文帳に追加
p型ポリシリコンゲート中のボロンの拡散による基板側への突き抜けを防止しつつ、n型ポリシリコンゲートの形成時におけるサイドエッチの発生を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To suppress the occurrence of moire stripes in a direct viewing type liquid crystal display device provided with a light diffusion layer having a stripe structure extending in the vertical direction on a viewer side of a liquid crystal display panel without spoiling display quality.例文帳に追加
垂直方向に延びるストライプ構造を有する光拡散層を液晶表示パネルの観察者側に備えた直視型の液晶表示装置におけるモアレの発生を、表示品位を損なうことなく抑制する。 - 特許庁
To obtain a photovoltaic device having a diffusion layer structure similar to a selective emitter structure capable of reducing connection resistance of a light reception face side electrode while increasing resistance of a light reception face, and excellent in photoelectric conversion efficiency.例文帳に追加
受光面を高抵抗化しつつ受光面側電極の接続抵抗を低減可能な選択エミッタ構造に類似の拡散層構造を有し、光電変換効率に優れた光起電力装置を得ること。 - 特許庁
To provide an image processing method and a device, and an image forming apparatus that can obtain a dot arrangement of high quality by performing proper error diffusion processing according to the generation position of an error caused by characteristics of dot formation.例文帳に追加
ドット形成の特性による誤差の発生位置に応じて、適切な誤差拡散処理を行い、高品質のドット配置を得ることができる画像処理方法および装置並びに画像形成装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents impurity ions of a source-drain region from being diffused abnormally and partially toward a channel region by suppressing diffusion of impurities in a gate electrode through a gate insulating film.例文帳に追加
ゲート電極中の不純物がゲート絶縁膜を突き抜けてチャネル領域に拡散するのを抑制し、ソース・ドレイン領域の不純物イオンが部分的にチャネル領域方向に異常拡散するのを防ぐ。 - 特許庁
To provide a sealed waste charging reducing furnace capable of inhibiting the diffusion of gas and dust diffused together with a gas in a charging device for treating domestic waste and industrial waste, to the atmospheric air as a damper.例文帳に追加
一般廃棄物や産業廃棄物を処理する投入装置において気体と一緒になって放散するガスやダストをダンパーという形で大気への放散を抑える密閉型廃棄物投入還元炉を提供する。 - 特許庁
A liquid crystal display device is formed by layering a light source 1, a first film 2 having a plurality of lenses provided on one principal surface thereof, a second film 3 having at least a diffusion function and a liquid crystal panel 4 in this order.例文帳に追加
液晶表示装置は、光源1と、一主面に複数のレンズが設けられた第1のフィルム2と、少なくとも拡散機能を備える第2のフィルム3と、液晶パネル4とをこの順序で積層してなる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same for preventing diffusion of impurities included in a gate electrode, and improving the reliability and resistance to hot carriers of a gate insulating film.例文帳に追加
ゲート電極中に含まれる不純物の拡散を防止することができ、さらに、ゲート絶縁膜の信頼性及びホットキャリア耐性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁
The semiconductor storage device includes a semiconductor base S, a cell transistor T having a pair of source/drain diffusion layers 11 formed on the semiconductor base S, and a ferroelectric capacitor C connected to the cell transistor T.例文帳に追加
半導体記憶装置は、半導体基板Sと、半導体基板S上に形成された一対のソース/ドレイン拡散層11を有するセルトランジスタTと、セルトランジスタTに接続された強誘電体キャパシタCとを備える。 - 特許庁
To provide a mechanical parking device which confines adverse influence such as air pollution without diffusion, even if a storage battery as a travelling drive source becomes an abnormal state during parking.例文帳に追加
駐車中に、走行駆動源となる蓄電池に異常が発生するようなことがあっても、空気汚染等の悪影響を拡散させることなく狭い空間に封じ込めることができる機械式駐車装置を提供する。 - 特許庁
To provide a piezoelectric film type actuator having less deterioration in an amount of displacement due to a diffusion prevention layer as compared with the conventional ones, and a liquid droplet injection device using the piezoelectric film type actuator and capable of securing a sufficient discharge quantity.例文帳に追加
従来よりも拡散防止層による変位量の低下が小さい圧電膜型アクチュエータ、及びその圧電膜型アクチュエータを使った十分な吐出量の確保が可能な液滴噴射装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a membrane type air diffusion device capable of controlling the initial pressure loss, and preventing oxygen transfer efficiency from dropping by dispersing and generating bubbles evenly at the time of low air flow.例文帳に追加
初期圧力損失を抑制することができ、小風量時において気泡を分散させて均一に発生させることにより、酸素移動効率の低下を防止することが可能なメンブレン式散気装置を提供する。 - 特許庁
The defoaming device for an aeration tank is provided with the aeration tank 1 having a diffusion means 2 and aerobically and biologically treating waste water, an opening 6 opened above a water surface of the aeration tank 1, and a storage tank 4 communicating with the opening 6.例文帳に追加
散気手段2を有し廃水を好気的に生物学的処理する曝気槽1と、該曝気槽1の水面上で開口する開口部6と、該開口部6に連通する貯留槽4とを備えたものである。 - 特許庁
To obtain an insulating film-forming composition capable of giving a coating having a low relative dielectric constant as an interlaminar electrical film material in a semiconductor device, or the like, and excellent in adhesion to a barrier metal which is copper diffusion-preventing film.例文帳に追加
半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率の塗膜が得られ、かつ銅拡散防止膜であるバリアメタルとの密着性に優れる絶縁膜形成用組成物を得る。 - 特許庁
In the MOS transistor, constituting a semiconductor device, bird's beak insulating films 4 having film thicknesses larger than that of a gate insulating film 2, are formed in regions where the end sections of a gate electrode 3 overlap source/drain diffusion layers 5 under the end sections.例文帳に追加
半導体装置を構成するMOSトランジスタにおいて、ゲート電極3の端部でソース・ドレイン拡散層5とオーバラップする領域にゲート絶縁膜2よりも膜厚の厚いバーズビーク絶縁膜4が形成される。 - 特許庁
Furthermore, a method for manufacturing an n^+-layer 11 and a p^+-layer 13 by applying both-side diffusion treatment to an n^--type wafer can be adopted and the production cost of a semiconductor device can be easily reduced.例文帳に追加
さらに、N^−型ウェーハに対して両面拡散処理を行ってN^+層11及びP^+層13を形成する製造方法の採用も可能になるので、半導体装置の製造コストの低減化も容易になる。 - 特許庁
This moire elimination device is provided with an area selection means for selecting a target area and a diffusion processing part for replacing color difference components of a noticing pixel 37 with color difference components of other pixels in the selected target area.例文帳に追加
対象領域を選択するための領域選択手段と、選択された対象領域内で注目画素37の色差成分と他の画素の色差成分とを交換する拡散処理手段と、を備える。 - 特許庁
This predetermined time is set so that the detection is completed when a non-broken hollow fiber membrane is dissolved in water, and penetrated through the diffusion movement, and dissolved gas is vaporized and reaches the membrane breakage detection device.例文帳に追加
この所定時間は、非破断の中空糸膜が水に溶解して拡散移動により透過し、溶存気体が気化して膜破断検知装置に達したときには検知動作が終了しているように設定されている。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the diffusion of impurity in an impurity area and a gate electrode is suppressed to prevent the variance of short channel effect and threshold voltage.例文帳に追加
不純物領域およびゲート電極中の不純物の拡散を抑制することによって、短チャネル効果および閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To realize an illuminated defect repair using an ion beam device in which the deterioration in the quality in the periphery of a repair region due to a Ga ion diffusion in cleaning after post treatment of a halo component by a laser beam repair machine does not occur.例文帳に追加
レーザー修正機によるハロー成分のポストトリートメント後の洗浄時にGaイオン拡散に起因する修正領域周辺の品質劣化の起こらないイオンビーム装置を用いた白欠陥修正を実現する。 - 特許庁
To provide an optical filter using metallic fine particles allowing the absorption, transmission and diffusion wavelengths to be adjusted, and to provide a display cell using the optical filter, and a display device using the display cell.例文帳に追加
金属微粒子を用いる光学フィルターであって、吸収、透過、拡散波長を調整可能である光学フィルター、このような光学フィルターを用いた表示セル、表示セルを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁
By preventing diffusion of metal, the constitution of the metal-semiconductor compounds of the first and second control electrodes 17 and 18 remain substantially unchanged during e.g. thermal processes in further processing of the device.例文帳に追加
これにより、金属拡散が防止され、第1および第2の制御電極17、18の金属半導体化合物の構成が、例えば更なるデバイスの処理中の熱工程中に、実質的に変化せずに保たれる。 - 特許庁
To provide a color filter for a bright reflective color liquid crystal display device generating no lowering of resolution and color purity by using a directional diffusion plate diffracting white illumination light into a transmission direction different from a linear direction.例文帳に追加
白色照明光を直進方向とは異なる透過方向へ回折する指向性拡散板を用いて、分解能、色純度の低下が起きず明るい反射型カラー液晶表示装置用カラーフィルター。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which can prevent diffusion of Cu from a Cu interconnection to a low dielectric constant material (Low-k material) and can prevent an increase in resistance of the Cu interconnection.例文帳に追加
Cu配線から低誘電率材料(Low−k材料)絶縁膜へのCuの拡散を防止することができるとともに、Cu配線の抵抗の増大を防止することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a DMOS device and a method for manufacturing the same which can reduce the number of ion implantation processes, by simultaneously forming well regions and drift diffusion regions, in a low-voltage transistor region.例文帳に追加
低電圧領域のウェル領域とドリフト拡散領域とを同時に形成してイオン注入工程の数を短縮することで、工程の単純化を達成できるDMOS素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent a part becoming CMOSFET from being exposed to excessive heat in a heat treatment for emitter diffusion in a manufacturing method of a semiconductor device where a bipolar transistor and CMOSFET are formed on one substrate.例文帳に追加
バイポーラトランジスタとCMOSFETを一つの基板上に形成する半導体装置の製造方法において、CMOSFETとなる部分をエミッタ拡散のための熱処理によって過剰な熱に晒さないようにする。 - 特許庁
To provide a semiconductor light emitting device structure which is improved in manufacturing yield by alleviating the influence of the diffusion of a p-type dopant element on its characteristics, and by distributing the concentration of a p-type dopant element as designed.例文帳に追加
p型ドーパント元素の拡散による特性に対する影響を軽減し、かつp型ドーパント元素を設計通りに濃度分布させることが可能な、歩留まりの高い半導体発光素子の構造を提供する。 - 特許庁
Impurity concentration of the impurity diffusion region 29 is set equal to that in the N-LDD region 31 of a fine CMOS device being integrated on the same substrate 1 and they are formed by performing ion implantation process only once.例文帳に追加
不純物拡散領域29の不純物濃度を、同一基板1上に集積される微細CMOSデバイスのN−LDD領域31と同じ濃度とし、それらを一度のイオン注入工程で形成する。 - 特許庁
To provide a particle analyzing device by means of an electron probe microanalyzer capable of correctly determining the compounds to be analyzed even if particles are small enough to fall under an electron diffusion domain of an electron beam irradiated to a specimen.例文帳に追加
試料照射電子線の電子拡散領域以下の小さい粒子の場合でも、正しく分析目的の化合物を判定することが可能な電子プローブマイクロアナライザによる粒子解析装置を提供する。 - 特許庁
To obtain a semiconductor device and its manufacturing method to enable strong bonding between a wiring layer and an underlying anti-diffusion layer (barrier layer), even when the wiring layer is formed by chemical vapor deposition(CVD).例文帳に追加
化学気相蒸着(CVD)によって配線層を形成する場合においても、該配線層を下地の拡散抑制(バリヤ)層と強固に接合することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a gas diffusion electrode raw material which does not use water and surfactants, thereby can attain cost reduction owing to device miniaturization, can also contribute to energy- saving and further can reduce manufacturing time.例文帳に追加
水と界面活性剤を使用せずに、設備の小型化によるコスト削減が可能で、省エネルギーにも貢献でき、かつ製造時間の短縮ができる、ガス拡散電極原料の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a diffuser sheet capable of improving diffusion function of light while suppressing the deterioration of brightness in the front direction, to provide a backlight and a liquid crystal display device provided with the diffuser sheet, and to provide a method of manufacturing the diffuser sheet.例文帳に追加
正面方向の輝度の低下を抑制しつつ光の拡散機能の向上を図ることができる拡散シートおよびこれを備えたバックライト、液晶表示装置ならびに拡散シートの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a bump bonder device capable of improving productivity while capable of reducing a connection failure between an element mounting member and an integrated circuit element by the reducing diffusion of a connection pad with a bump.例文帳に追加
接続パッドとバンプとの拡散を低減し、素子搭載部材と集積回路素子との接続不良を低減することができると共に、生産性を向上させるバンプボンダー装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
A position sensing device includes a light source for radiating source diffusion light along an optical axis direction to a detector, and a moving aperture arrangement positioned between the light source and the detector, to move normal to the optical axis direction.例文帳に追加
位置感知装置は、ソース拡散光を光軸方向に沿って検出器に放射する光源と、光源と検出器のとの間に位置決めされ、光軸方向に垂直に移動する移動アパーチャ機構とを備える。 - 特許庁
To provide an epitaxial wafer and a method of manufacturing the same, wherein diffusion of an impurity of high concentration included in a silicon substrate into an epitaxial layer is suppressed in a heat treatment process for forming a semiconductor device.例文帳に追加
半導体デバイス形成時の熱処理プロセスにおいて、シリコン基板に含まれる高濃度の不純物がエピタキシャル層に拡散するのを抑制することができるエピタキシャルウェーハ及びその製造方法の提供。 - 特許庁
In a silicon-based power semiconductor device having a super junction structure where an N-type column and a P-type column are repeated alternately, an element having a boron diffusion-suppressing effect is added to the P-type column.例文帳に追加
本願発明は、N型カラムとP型カラムが交互に繰り返されるスーパジャンクション構造を有するシリコン系パワー半導体装置において、前記P型カラムには、ボロン拡散抑制効果を有する元素が添加されている。 - 特許庁
This device is equipped with a plurality of illumination units 3 each having a printed wiring board 5, a plurality of LEDs 6 mounted on the printed wiring board 5, and a plate-like diffusion reflecting member 7 added and installed at the printed wiring board 5.例文帳に追加
プリント配線基板5と、プリント配線基板5に実装された複数のLED6と、プリント配線基板5に添設されたプレート状の拡散反射部材7と、を有する照明ユニット3を複数備える。 - 特許庁
This liquid crystal display device has a first space 10 composed of a liquid crystal display panel 1, a diffusion sheet 6 and a resin frame 12 and a second space 11 composed of a reflection sheet 7, a back sheet metal 3 and a resin frame 12.例文帳に追加
液晶表示パネル1と拡散シート6及び樹脂フレーム12で構成される第1の空間10及び反射シート7と裏板金3及び樹脂フレーム12で構成される第2の空間11を有する。 - 特許庁
To provide an inkjet recording device in which a specified space is provided between a waste ink absorber and a housing and also a slope having a waste ink dropping part as its apex is provided, to enhance a primary buffer, diffusion and absorbency of waste ink.例文帳に追加
廃インク吸収体とハウジングに一定の空間を設け、且つ廃インク滴下部を頂点とする勾配を設け、廃インクの一次バッファー及び、拡散、吸収性向上を図るインクジェット記録装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device that prevents charging damage to a transistor, when forming a moisture diffusion prevention film, and suppresses the infiltration of moisture to a ferroelectric capacitor, when forming wiring.例文帳に追加
水分拡散防止膜の形成時におけるトランジスタへのチャージングダメージを防止すると共に、配線形成時における強誘電体キャパシタへの水分の侵入を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor storage device that forms a continuous metal silicide without any disconnection on common source diffusion wiring by a simple process, and can form low-resistance common source line reliably.例文帳に追加
簡単な工程で共通ソース拡散配線上に断線することなく連続した金属シリサイドを形成して、低抵抗な共通ソース線を確実に形成できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of forming the impurity introduction region of a photodiode having a part formed at the lower part of a gate electrode without oblique rotation implantation or excessive thermal diffusion.例文帳に追加
ゲート電極の下方に形成された部分を有するフォトダイオードの不純物導入領域を、斜め回転注入や過剰な熱拡散によることなく形成し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁
A semiconductor device of the present invention comprises first Cu wiring 102 and a first barrier insulating film 103 that is provided on the first Cu wiring 102 and prevents diffusion of Cu from the first Cu wiring 102.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置は、第1のCu配線102と、第1のCu配線102の上に設けられ、第1のCu配線102からCuの拡散を防ぐ第1のバリア絶縁膜103とを備える。 - 特許庁
To provide the oxidation of a Cu surface, the diffusion of Cu to an adjoining oxide film, or the alteration of the Cu surface when forming a passivation portion of a semiconductor device using Cu wiring as multiple layer wiring.例文帳に追加
多層配線としてCu配線を用いる半導体装置のパッシベーション部の形成時に、Cu表面の酸化や、隣接する酸化膜に対するCuの拡散あるいはCu表面の変質を防止すること。 - 特許庁
To provide an MOS transistor capable of enhancing electrostatic resistance by utilizing an existing diffusion layer even when there is restriction in space; and to provide a semiconductor integrated circuit device using the same.例文帳に追加
本発明は、スペース上の制約がある場合であっても、既存の拡散層を利用し、静電耐性を高めることができるMOSトランジスタ及びこれを用いた半導体集積回路装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
A semiconductor device is equipped with a solid electrolyte secondary cell formed on a semiconductor substrate (a), and the semiconductor substrate (a) located beneath the solid electrolyte secondary cell is equipped with a diffusion layer (g) doped with N-type impurities.例文帳に追加
半導体基板の上に固体電解質二次電池が形成された半導体装置であって、固体電解質二次電池直下の半導体基板aがN型の不純物をドープした拡散層gを有する。 - 特許庁
To provide a method for membrane separation utilizing diffusion of molecules and particles as a method for separating and purifying substances under a mild condition, and a device enabling the method, easy in handling and enabling assembling and reusing.例文帳に追加
温和な条件下で物質を分離精製する方法として、分子および粒子の拡散を利用した膜分離方法およびそれを可能にする取り扱いが簡便で組み立て再利用が可能な装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can stably form a low-resistant nickel silicide film without increase of junction leakage current in a diffusion layer area containing an arsenic dopant densely.例文帳に追加
高濃度で砒素不純物を含有する拡散層領域における接合リーク電流の増大なく、低抵抗なニッケル珪化物膜を安定性よく形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a control device for a vehicle with an assist motor preventing abnormal combustion due to premature ignition and suppressing production of soot at the time of change over from diffusion combustion to pre-mixed compression ignition combustion.例文帳に追加
拡散燃焼から予混合圧縮着火燃焼に切り換える際に、過早着火による異常燃焼を防止すると共に煤の発生を抑制することができるアシストモーター付き車両の制御装置を提供する。 - 特許庁
The lighting device 100 is composed of a cylindrically curved light diffusion plate 104 attached to a base board, on which light emitting diodes 102 are mounted, to widely irradiate the rear surface of the panel member 152 of the slot machine.例文帳に追加
発光ダイオード(102)を実装する基板に対し半円筒状に湾曲する光拡散板(104)を設けて照明装置(100)を構成し、スロットマシンのパネル部材(152)の裏面を広範囲に照射する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|