「diffusion device」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device which suppresses the diffusion of p-type dopant to a light emitting layer (or active layer) with a high luminance and reduces the maintenance requirement of a deposition system.例文帳に追加

発光層（または活性層）へのｐ型ドーパントの拡散を抑制して高輝度を実現でき、また、成長装置のメンテナンス頻度を少なくできる半導体発光素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When an input value of image data, an error value from an adjacent line, and an occurrence error that occurs from a pixel of interest are zero, an image processing device creates an output tone value not carrying out error diffusion processing.例文帳に追加

画像データの入力値、隣接ラインからの誤差値、および、注目画素から発生する発生誤差がゼロとなる場合に、誤差拡散処理によらないで出力諧調値を生成する。 - 特許庁

To make a diffusion nozzle provided on, e.g. a jet device diffusing and jetting washing fluid on a window screen of an automobile capable of easily changing jet angles.例文帳に追加

本発明は、例えば、自動車のフロントガラスに洗浄液を拡散させて噴射する噴射装置に設けられる拡散ノズルに関し、噴射角度を容易に変更できるようにすることが課題である。 - 特許庁

To provide an optical sheet capable of remarkably increasing the light condensation and diffusion efficiency, and to provide a backlight assembly of a liquid crystal display device provided with the optical sheet.例文帳に追加

光の集光及び拡散効率を著しく増加させることができる光学シート及び前記光学シートが具備された液晶表示装置のバックライトアセンブリーを提案することを目的にする。 - 特許庁

To provide an image forming device, etc., capable of performing cost reduction by reducing the storage capacity of a table for noise attachment for performing gradation processing by an error diffusion system after attaching noise.例文帳に追加

ノイズを付加した後に誤差拡散方式による階調処理をおこなうためのノイズ付加用のテーブルの記憶容量を削減してコストダウンを図ることができる画像処理装置などを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion layer having an ultra-shallow junction without causing the depletion of a gate electrode and deterioration in the reliability of a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極の空乏化や、ゲート絶縁膜の信頼性低下を招くことなく、極浅い接合を有する不純物拡散層を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The organic EL device includes a first electrode 31R, a dye switch diffusing part 33R to which an organic dye 57R is introduced by transitional diffusion, and organic EL elements having a second electrode.例文帳に追加

有機ＥＬデバイスにおいて、第１の電極３１Ｒと、有機染料５７Ｒが移行拡散で導入された染料移行拡散部３３Ｒと、第２の電極とを有する有機ＥＬ素子を備えている。 - 特許庁

To prevent dispersion in the threshold voltage of an MOS transistor which is to be caused by outward diffusion of impurities in polycrystalline silicon, generated in the manufacturing process of a semiconductor device having a CMOS structure.例文帳に追加

ＣＭＯＳ構造の半導体装置の製造工程において生じる、多結晶シリコン中の不純物の外方拡散が要因とされるＭＯＳトランジスタでのしきい値電圧のばらつきを防止する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile storage device with self-aligningly formed wiring for connecting an upper electrode of a ferroelectric capacitor with a diffusion layer of a cell transistor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの上部電極とセルトランジスタの拡散層を接続するための配線が、自己整合的に形成された不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a III-V group compound semiconductor device in which the diffusion of Zn to an adjacent layer in which Zn is not contained is suppressed even at the time of doping Zn in p type layer with high density.例文帳に追加

ｐ型層内へ高濃度にＺｎをドーピングした場合でも、近隣のＺｎを含まない層へのＺｎの拡散が抑制されたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of accurately forming an impurity diffusion region in a desired region even when the ion implantation of 500 keV to 3000 keV is performed.例文帳に追加

５００ｋｅＶ〜３０００ｋｅＶのエネルギーイオン注入を行っても、目的とする領域に精度良く、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device in which a separating color insulating film separating an electrode wiring of a trench type capacitor and an impurity diffusion layer can be formed to a uniform film thickness.例文帳に追加

トレンチ型キャパシタの電極配線と不純物拡散層を電気的に分離する分離カラー絶縁膜の膜厚を均一に形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The MRI apparatus 100 receives coordinates measured by a pointing device 11 for measuring a spatial position, and converts the received coordinates into a value of a coordinate system corresponding to a DTT (diffusion tensor tractography) image.例文帳に追加

また、ＭＲＩ装置１００は、空間的位置を計測するポインティングデバイス１１によって計測された座標を受け付け、受け付けた座標をＤＴＴ画像に対応する座標系の値に変換する。 - 特許庁

Therefore, a diffusion of a metal to the interlayer insulating film from the metal gate electrode when or after being formed is prevented to materialize a semiconductor device of a high breakdown strength with a low-resistive gate electrode.例文帳に追加

そのため、形成時あるいは形成後のメタルゲート電極からの層間絶縁膜への金属の拡散は防止され、低抵抗なゲート電極を有する高耐圧の半導体装置が実現される。 - 特許庁

To provide a method and device for crystal growth for evenly generating a large-sized single crystal of a biopolymer, such as protein, in a good state, by improving deficiencies in a conventional gel diffusion method.例文帳に追加

従来のゲル拡散法における不具合を改善し、蛋白質など生体高分子の単結晶を大型で良質な状態で均一に生成する結晶成長方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a receiving circuit and a wireless device which can detect a correlation peak even if CW noise is generated when overlaying a CW composition on a diffusion modulation signal in a two-way wireless system.例文帳に追加

双方向無線システムにおいて、拡散変調信号にＣＷ成分を重畳させた場合にＣＷノイズが有っても、相関ピークを検出できる受信回路及び無線機を提供する。 - 特許庁

This inversely diffusing device has a plurality of synchronizing parts 101-1, 101-2, ..., 101-n and a synchronization control part 102 for controlling reference timing for performing the inverse diffusion of the plurality of synchronizing parts.例文帳に追加

複数の同期部１０１−１、１０１−２、…、１０１−ｎとその複数の同期部の逆拡散を行なう基準タイミングを制御する同期制御部１０２と、を有する逆拡散装置を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device provided with a diffusion plate which does not display stripe-like irregularity on the surface of a liquid crystal panel even when using point light sources as a light source of backlight.例文帳に追加

点状光源をバックライトの光源とした場合であっても液晶パネルの表面に縞状のムラを表示させない拡散板を備える液晶表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

In manufacture of the semiconductor device, because the diffusion barrier and the metal barrier used conventionally become unnecessary, a manufacture cost is reduced and a process is omitted, and thus the yield is improved.例文帳に追加

半導体装置の製造の面では、従来使用されていた拡散バリアと金属バリアが不要となるため、製造コストの低減がなされ、かつプロセスが省略されるため、歩留まりの向上にもつながる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a button type zinc air battery having high reliability and high output by recognizing, determining and rejecting positional misalignment of an air diffusion sheet generated in an assembly process, and to provide its manufacturing device.例文帳に追加

組立工程で発生した空気拡散紙の位置ズレを認識、判定、排除し、高信頼性で高出力のボタン型空気亜鉛電池の製造方法およびその製造装置を提供する。 - 特許庁

To suppress generation of a vertical stripe at a boundary part of a display block of each source driver unit due to error diffusion processing in an image display device whose source driver comprises a plurality of source driver units.例文帳に追加

ソースドライバが複数個のソースドライバユニットで構成されている画像表示装置において、誤差拡散処理に起因する各ソースドライバユニットの表示ブロックの境界部での縦スジの発生を抑制する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device employing ELO (Epitaxial Lateral Over Growth) in which high breakdown voltage characteristics are realized by growing high purity GaN while suppressing diffusion of Si from a selective mask material.例文帳に追加

ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Over Growth）を用いる半導体装置において、選択マスク材料からＳｉの拡散を抑えつつ高純度のＧａＮを成長させて、高耐圧特性を有する半導体素子を実現する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device, a light-emitting element 12, which forms a p electrode 13 and a low-melt-point metal diffusion prevention layer 14 on the upper surface and comprises a plurality of group III nitride semiconductors, is formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

ｐ電極１３および低融点金属拡散防止層１４が上面に形成された、複数のIII 族窒化物半導体からなる発光素子１２を、サファイア基板１０上に形成する。 - 特許庁

To provide a system which protects an electrolysis device by detecting the generation of hydrogen when producing chlorine and caustic alkali by electrolyzing an aqueous alkali chloride solution in an electrolytic cell having a gas diffusion electrode.例文帳に追加

ガス拡散電極を備えた電解槽において、塩化アルカリ水溶液を電解し、塩素及び苛性アルカリを製造する際に、水素の発生を検知し、電解装置を保護するシステムを提供する。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, a cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper and the surface of the cap film is silicificated.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、銅を含む金属配線上に、銅拡散防止機能を有するキャップ膜が形成され、当該キャップ膜の表面がシリサイド化されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a wiring structure which is adaptive to microfabrication and prevents a contact plug formed on an impurity diffusion region from short-circuiting with a nearby conductive material.例文帳に追加

微細化に対応可能であり、不純物拡散領域上に形成したコンタクトプラグが近傍の導電材料とショートすることを防止する配線構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The DRAM cell further includes a difference storage capacitor which has at least one node that is adjacent to the first and the second diffusion electrodes of each transfer device, and is electrically connected with the same.例文帳に追加

さらにセルは、各転送デバイスの第１および第２の拡散電極の一つに隣接し、電気的に接続される少なくとも一つノードを有する差分蓄積キャパシタを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a satellite navigation device for improving signal acquisition performance in re-searching a plurality of satellite signals transmitted from a satellite by spectrum diffusion by different modulation code.例文帳に追加

一つの衛星から、異なる変調コードによってスペクトラム拡散されて送信される複数の衛星信号の再サーチでの信号捕捉性能を向上させる衛星航法装置を提供すること。 - 特許庁

To solve a problem of defective adherence between a metallic wiring made of copper or copper alloy and an insulation film suppressing copper diffusion, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device free from hillock generation.例文帳に追加

銅または銅合金よりなる金属配線と、銅拡散抑止絶縁膜との間の密着性不良の問題を解決し、かつ、ヒロックの発生を防止した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device with multiple resonators which avoids generation of leakage current caused by diffusion of impurities and degradation in reliability during high power operation.例文帳に追加

不純物拡散によるリーク電流の発生及び高出力動作時における信頼性の低下が生じることがない複数の共振器を備えた半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a device and method for forming the gas diffusion layer of a fuel cell, wherein the gas is supplied efficiently and successfully by reducing the pressure loss during gas supply.例文帳に追加

ガス供給時の圧力損失を低減して、ガスを効率よく良好に供給することができる燃料電池のガス拡散層を成形する成形装置および成形方法を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 42 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on a p-type diffusion layer 41 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＰ型の拡散層４１上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４２が形成されている。 - 特許庁

To provide a light diffusion film laminate having a specific optical characteristic and composition that can ensure high luminance and illuminance and can make a fleck of the luminance and illuminance smaller when it is used in a surface light source device.例文帳に追加

面光源装置に用いた場合に、輝度や照度が高く、かつ該輝度や照度の斑が小さくできる特定の光学特性及び構成を有する光拡散フィルム積層体を提供する。 - 特許庁

The DRAM cell is a memory cell (two-device type DRAM) including first and second transfer devices in a completely deplete state each including one body(semiconductor rail), and first and second diffusion electrodes.例文帳に追加

一つの本体（半導体レール）領域と第１および第２の拡散電極を各々含む完全に空乏状態の第１および第２の転送デバイスを有するメモリ・セル（２素子型ＤＲＡＭ）である。 - 特許庁

To provide a protein crystallization condition-screening device capable of performing the protein crystallization condition screening efficiently a vapor diffusion method by using a sitting drop method.例文帳に追加

シッティングドロップ方式を用いた蒸気拡散法による蛋白質結晶化条件のスクリーニングを効率よく実行することができる蛋白質結晶化条件のスクリーニング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device operative at high speeds by using as an insulating film of a Cu wiring structure of a material contg. boron nitride, having a Cu diffusion blocking function as a main component.例文帳に追加

銅の拡散防止機能を有する窒化ホウ素を主成分とする材料を銅配線構造の絶縁膜として使用することにより、高速動作可能な半導体装置を提供することである。 - 特許庁

To form a new interface layer having excellent adhesion, oxidation resistance, and diffusion barrier property at the interface between a lower Cu wire and an upper insulating layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、下部Ｃｕ配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the light diffusion plate for the backlight device includes a process for forming a sheet by extrusion-molding a propylene resin and a process for applying an annealing treatment to the sheet.例文帳に追加

本発明のバックライト装置用光拡散板の製造方法はプロピレン樹脂を押出成形してシートを形成する工程と、このシートにアニール処理を行なう工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an agent for forming a film for a semiconductor device which can prevent the diffusion of copper atoms and form a film having excellent interlayer insulation on the surface of copper.例文帳に追加

本発明は、銅原子の拡散を防止でき、且つ良好な層間絶縁性を有する被膜を銅表面に形成することができる半導体装置用の被膜形成剤を提供することを課題とする。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit device 1, n-type embedded diffusion regions 29 are formed between a substrate 4 and an epitaxial layer 5 in island regions 8 and 9 constituting a small signal section 2.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路装置１では、小信号部２を構成する島領域８、９では、基板４とエピタキシャル層５との間にＮ型の埋込拡散領域２９を形成する。 - 特許庁

To provide an electrode structure of an n-type GaAs-based semiconductor that reduces diffusion of Ga atoms and As atoms to an electrode surface, and to provide a semiconductor device having the electrode structure.例文帳に追加

Ｇａ原子及びＡｓ原子の電極表面への拡散を低減可能なｎ型ＧａＡｓ系半導体の電極構造及びこの電極構造を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a surface light source device in which lamps are installed at the back of a diffusion plate and in which effect of the heat and electromagnetic wave generated in the lamps is suppressed as well as breakage of the lamp due to falling impact is prevented.例文帳に追加

拡散板の背後にランプが配設される面状光源装置において、ランプで発生する熱や電磁波の影響を抑制すると共に、落下衝撃によるランプ割れを防止する。 - 特許庁

To stabilize brightness of a backlight device by improving dimensional precision of cross-sectional shape of a fixing metal in which edges of a diffusion plate and respective optical sheets are pressed, without causing wrinkles at the optical sheets.例文帳に追加

拡散板および各光学シートの縁を押さえる押さえ金具の断面形状の寸法精度を向上して、光学シートにしわを発生しないようにしてバックライト装置の輝度を安定させる。 - 特許庁

To prevent unnecessary charges from flowing into a photoelectric conversion part in a charge accumulation period when driving a CMOS solid-state image pickup device wherein an element isolation means comprises a diffusion layer and an insulating film thereon.例文帳に追加

素子分離手段を拡散層とその上の絶縁膜で構成したＣＭＯＳ固体撮像素子の駆動において、電荷蓄積期間の光電変換部に不要な電荷が流れ込まないようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which, related to an MOS field effect transistor comprising a gate sidewall structure, a source/drain diffusion layer is formed very thin to suppress short- channel effect.例文帳に追加

ゲート側壁構造を有するＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、ソース−ドレイン拡散層を極めて浅く形成しショートチャネル効果を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁